DE4316829A1 - Method of machining material by diode radiation - Google Patents

Method of machining material by diode radiation

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Abstract

The invention relates to a method of machining material with diode radiation, in particular laser-diode radiation. In order to adapt the beam profile to the machining process, the method is carried out in such a way that the radiation emitted by a multiplicity of diodes is directed with a predetermined beam profile onto the machining area of the workpiece and that a change in the distribution of the intensity in the beam profile is effected by control of the diode power output.

Description

Technisches GebietTechnical field

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Material­ bearbeitung mit Diodenstrahlung, insbesondere Laserdiodenstrah­ lung, bei dem Werkstücke geschweißt, geschnitten, gebohrt, ge­ lötet und wärmebehandelt werden, jeweils unter Berücksichtigung der Werkstoffe der Werkstücke.The invention relates to a method for material processing with diode radiation, in particular laser diode beam in which workpieces are welded, cut, drilled, ge be soldered and heat treated, taking into account the materials of the workpieces.

Stand der TechnikState of the art

Es ist allgemein bekannt, Materialbearbeitung mit Laser­ strahlung durchzuführen. Die Laserstrahlung wird von CO2-, Eximer-, oder Nd-YAG-Lasern erzeugt, mit denen die erforderli­ chen Intensitäten von mehr als 10³ Watt/cm ohne weiteres er­ reicht werden können. Nachteilig ist jedoch der geringe Wir­ kungsgrad von <10% und die auf durchschnittlich ca. 10 000 Stun­ den begrenzte Lebensdauer der Lasersysteme. Des weiteren ist die hohe thermische und mechanische Empfindlichkeit der Laser und deren damit verbundene arbeits- und kostenintensive Wartung nachteilig. Kühlleistung, Netzteilleistung und Raum für den Aufbau der Lasersysteme sind vergleichsweise groß.It is well known to process materials with lasers radiation. The laser radiation is from CO2, Eximer, or Nd-YAG lasers generated with which the required intensities of more than 10³ watts / cm can be enough. The disadvantage is the low we Degree of efficiency of <10% and that on average approx. 10,000 hours the limited life of the laser systems. Furthermore is the high thermal and mechanical sensitivity of the lasers and their associated labor and cost-intensive maintenance  disadvantageous. Cooling capacity, power supply capacity and space for the The structure of the laser systems is comparatively large.

Das Strahlprofil des Laserstrahls ist durch den Resonator des Lasers vorbestimmt. Es kann mit Fokussieroptiken, Zylinder­ spiegeln, Parabolspiegeln, Facettenspiegeln und Integratoren verändert werden. Die Veränderung ist jedoch zeit- und kosten­ aufwendig. Eine Veränderung des Strahlprofils während der Mate­ rialbearbeitung und insbesondere unter Berücksichtigung des je­ weiligen Bearbeitungsergebnisses ist derzeit nicht möglich.The beam profile of the laser beam is through the resonator predetermined by the laser. It can use focusing optics, cylinders mirrors, parabolic mirrors, faceted mirrors and integrators to be changed. However, the change is time and cost complex. A change in the beam profile during the mate rial processing and especially taking into account each due processing result is currently not possible.

Darstellung der ErfindungPresentation of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Materialbearbeitung mit Diodenstrahlung, insbesondere La­ serdiodenstrahlung, so zu verbessern, daß eine Anpassung des Strahlprofils während der Materialbearbeitung problemlos mög­ lich ist.The invention has for its object a method for material processing with diode radiation, especially La serdiode radiation to improve so that an adjustment of the Beam profile possible during material processing is.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die von einer Viel­ zahl von Dioden emittierte Strahlung mit einem vorbestimmten Strahlprofil auf den Bearbeitungsbereich des Werkstücks gerich­ tet wird, und daß eine Veränderung der Intensitätsverteilung im Strahlprofil durch Steuerung der Diodenausgangsleistung er­ folgt.This problem is solved in that the of a lot number of diodes emitted radiation with a predetermined Beam profile on the machining area of the workpiece tet, and that a change in the intensity distribution in the Beam profile by controlling the diode output power follows.

Für die Erfindung ist zunächst von Bedeutung, daß zur Ma­ terialbearbeitung Diodenstrahlung eingesetzt wird, die von ei­ ner Vielzahl von Dioden herrührt. Die Strahlungsanteile der zur Bearbeitung eingesetzten Gesamtstrahlung können beeinflußt wer­ den, indem die Dioden oder mehrere Dioden umfassende Diodenein­ heiten angesteuert werden. Die Ansteuerung beeinflußt die Di­ odenausgangsleistung und damit die Intensität der Strahlung und auch deren Verteilung auf dem Werkstück. Die Ansteuerung kann in sehr kurzer Zeit erfolgen, beispielsweise in weniger als ei­ ner Millisekunde. Infolgedessen kann die Veränderung der Inten­ sitätsverteilung im Strahlprofil während des Verfahrens bzw. on-line erfolgen. Hierdurch ist im Vergleich zu den herkömmli­ chen Lasern eine wichtige weitere Möglichkeit eröffnet, nämlich die Anpassung des Strahlprofils bzw. der Intensitätsverteilung auf dem Werkstück entsprechend den Anforderungen des Bearbei­ tungsprozesses.For the invention it is important that Ma material processing diode radiation is used by ei ner variety of diodes originates. The radiation components of the Processing used total radiation can be influenced who by being diodes comprising diodes or multiple diodes units can be controlled. The control influences the Di ode output power and thus the intensity of the radiation and also their distribution on the workpiece. The control can in a very short time, for example in less than one egg a millisecond. As a result, the change in intensity sity distribution in the beam profile during the procedure or done online. This is compared to the conventional opened another important possibility, namely lasers the adjustment of the beam profile or the intensity distribution  on the workpiece according to the requirements of the machining process.

Das vorbeschriebene Verfahren ist insbesondere für Laser­ dioden bestimmt, die sich gegenüber anderen lichtemittierenden Dioden durch die Emission von Laserstrahlung auszeichnen. Das Verfahren ist jedoch auch vorteilhaft einsetzbar, wenn die Ei­ genschaften der Laserstrahlung für die Materialbearbeitung nicht benötigt werden. Auch derartige Dioden bzw. Diodeneinhei­ ten können unabhängig voneinander in ihrer Ausgangsleistung verändert werden, so daß sich eine entsprechende Änderung des Strahlprofils bzw. der Intensitätsverteilung der Strahlung auf dem Werkstück ergibt.The method described above is particularly for lasers determines diodes that differ from other light emitting Characterize diodes by the emission of laser radiation. The However, the method can also be used advantageously if the egg properties of laser radiation for material processing are not needed. Also such diodes or diode units can output independently be changed so that a corresponding change in the Beam profile or the intensity distribution of the radiation the workpiece.

Eine Steuerung der Diodenausgangsleistung während des Ver­ fahrens zur Materialbearbeitung ist vorteilhaft, wenn ein be­ stimmtes Verfahrensprofil vorgegeben ist, beispielsweise die Wärmebestrahlung eines transportierten Werkstücks mit unter­ schiedlichen Strahlbreiten. In einem solchen Fall kann das Strahlprofil dem Verfahrensprofil entsprechend schablonenmäßig gesteuert werden. Eine Rückmeldung des Bearbeitungsergebnisses ist dann nicht erforderlich. Es wird aber auch eine Vielzahl von Verfahren zur Materialbearbeitung mit Diodenstrahlung ge­ ben, bei dem die Beeinflussung des Strahlprofils davon abhängt, wie sich die Bearbeitung auf dem Werkstück entwickelt. Ferner kann es notwendig sein, z. B. wegen nicht erfaßter Geometrie des Werkstücks, daß das Strahlprofil bzw. der Strahlfleck auf dem Werkstück überwacht wird. Eine solche Überwachung kann zur Re­ gelung des Verfahrens herangezogen werden. Dieses wird daher vorteilhafterweise so durchgeführt, daß die durch das Strahl­ profil bewirkte Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs während der Bestrahlung überwacht wird, und daß die Veränderung der Intensitätsverteilung entsprechend dem Überwachungsergebnis erfolgt. Das Überwachungsergebnis ist beispielsweise ein zwei­ dimensionales Wärmebild der Werkstückoberfläche. Dieses kann durch Abscannen der Oberfläche des Werkstücks und Auswertung mit einem schnellen Pyrometer erfolgen, oder beispielsweise durch die Aufnahme des Bearbeitungsbereichs mit einem Detek­ torarray. Die Regelung kann real-time erfolgen. Control of diode output power during the ver driving for material processing is advantageous if a be correct process profile is specified, for example Thermal radiation of a transported workpiece with under different beam widths. In such a case, it can Beam profile according to the process profile template to be controlled. A feedback of the processing result is then not necessary. But there will also be a multitude of methods for material processing with diode radiation ge where the influence of the beam profile depends on it, how the machining on the workpiece develops. Further it may be necessary e.g. B. because of undetected geometry of the Workpiece that the beam profile or the beam spot on the Workpiece is monitored. Such monitoring can lead to re success of the procedure. This is why advantageously carried out so that by the beam profile caused temperature distribution of the machining area is monitored during the irradiation, and that the change the intensity distribution according to the monitoring result he follows. For example, the monitoring result is a two dimensional thermal image of the workpiece surface. This can by scanning the surface of the workpiece and evaluating it done with a fast pyrometer, or for example by recording the processing area with a detec torarray. The regulation can take place in real time.  

Das Verfahren wird zweckmäßigerweise so durchgeführt, daß die Vielzahl von Dioden zu mindestens einer Einheit zusammenge­ baut ist und die Steuerung der Diodenausgangsleistung dioden­ einheitenweise erfolgt. Dieses Verfahren ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Vielzahl der Dioden zur Erreichung einer hohen Leistungsdichte verwendet werden. Die einheitenweise Steuerung der Diodenausgangsleistung ermöglicht es dann, mit vergleichsweise geringerem Steuerungs- bzw. Regelaufwand aus zu­ kommen.The process is advantageously carried out in such a way that the plurality of diodes are combined to form at least one unit is built and the control of the diode output diodes done in units. This procedure is especially then advantageous if the large number of diodes to achieve a high power density can be used. The units Control of the diode output power then allows using comparatively less control effort from come.

Das Verfahren wird so durchgeführt, daß die Diodeneinhei­ ten mit optischen Kopplungsmitteln an Strahlführungsmittel an­ geschlossen werden, von denen aus die Diodenstrahlung auf die Bearbeitungsstelle fokussiert wird. Die Ausbildung der opti­ schen Kopplungsmittel im Einzelnen richtet sich nach der Aus­ bildung und Anordnung der Dioden. Diese sind wegen ihrer im Vergleich zu Lasern größeren Abstrahlwinkel mit Kollimatorlin­ sen versehen, die Mikrolinsen für jede einzelne Laserdiode sein können, oder die für mehrere Laserdioden bestimmte zylindrische Kollimatorlinsen sein können. Die Ausbildung der Kopplungsmit­ tel hängt auch von der Anordnung der einzelnen Laserdioden in einem Laserdiodenbarren und/oder in einem Laserdiodenwafer ab, sowie von der Ausbildung der Kühleinrichtung für die Dioden. Insoweit und auch bezüglich der Ausbildung der Strahlführungs­ mittel wird im Einzelnen auf die deutsche Patentanmeldung P 42 34 342.9 hingewiesen, deren Offenbarungsinhalt im Zusam­ menhang mit der hier vorliegenden Beschreibung Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist. Das gilt insbesondere auch bezüg­ lich der dort beschriebenen Fokussierungsmittel.The process is carried out so that the diode unit with optical coupling means to beam guiding means be closed, from which the diode radiation on the Processing point is focused. Training opti Coupling agent in detail depends on the Aus formation and arrangement of the diodes. These are because of their im Compared to lasers with a larger beam angle with collimatorlin provided that the microlenses for each individual laser diode can, or the cylindrical designed for several laser diodes Collimator lenses can be. The formation of the coupling mit tel also depends on the arrangement of the individual laser diodes a laser diode bar and / or in a laser diode wafer, and the design of the cooling device for the diodes. In this respect and also with regard to the formation of the beam guidance medium is in detail on the German patent application P 42 34 342.9 pointed out, the disclosure content in the Together Menhang with the present description subject of present invention. This also applies in particular Lich the focusing means described there.

Die Diodenstrahlung wird dadurch von den Dioden zum Werk­ stück übertragen, daß als Strahlführungsmittel Lichtleitfasern verwendet werden, die einzeln oder gruppenweise den Diodenein­ heiten zugeordnet werden. Durch die Zuordnung der Lichtleitfa­ sern zu den Dioden bzw. zu den Diodeneinheiten einerseits und durch die Anordnung der Lichtleitfasern vor dem Werkstück kann das Strahlprofil bestimmt werden. Eine Verteilung der Licht­ leitfasern über eine größere Fläche führt zu einer entsprechend großflächigen Bestrahlung des Werkstücks, was insbesondere da­ mit verbunden werden kann, daß die Enden der Lichtleitfasern die Fokussierungsmittel bilden. Die Lichtleitfasern können aber werkstückseitig auch so in Bezug auf z. B. eine Sammellinse an­ geordnet sein, daß mit dieser eine Fokussierung der Dioden­ strahlen auf einen gemeinsamen Punkt als Bearbeitungsbereich erfolgt. Das erfindungsgemäße Verfahren wird also nicht nur bei flächenmäßiger Verteilung des Strahlprofils im Bearbeitungsbe­ reich vorteilhaft eingesetzt, sondern auch bei dessen Konzen­ tration auf einen kleinen Fleck, z. B. beim keyhole-Schweißen.This turns the diode radiation from the diodes to the factory piece transfer that as a beam guide optical fibers used individually or in groups of diodes units. By assigning the light guide to the diodes or to the diode units on the one hand and by arranging the optical fibers in front of the workpiece the beam profile can be determined. A distribution of light conductive fibers over a larger area leads to a corresponding large-area irradiation of the workpiece, which is particularly there can be connected with that the ends of the optical fibers  form the focus means. The optical fibers can on the workpiece side also in relation to z. B. a converging lens be ordered that with this a focusing of the diodes radiate to a common point as the processing area he follows. The method according to the invention is therefore not only used for surface distribution of the beam profile in the machining area richly used advantageously, but also in its concessions tration on a small stain, e.g. B. in keyhole welding.

Für das Verfahren ist es vorteilhaft, wenn das Strahlpro­ fil mit einem Detektor ermittelt und das Meßergebnis des Detek­ tors einer zentralen Steuereinheit zur Steuerung der Diodenaus­ gangsleistung zugeleitet wird. Der Detektor kann in seiner räumlichen Ausbildung dem jeweiligen Strahlprofil angepaßt sein, so daß sein Einsatzort frei wählbar ist, wobei das Meßer­ gebnis des Detektors von einer an einer anderen Stelle befind­ lichen zentralen Steuereinheit verwertet wird.It is advantageous for the method if the jet pro fil determined with a detector and the measurement result of the Detek tors of a central control unit for controlling the diode out power is supplied. The detector can in its spatial training adapted to the respective beam profile be so that its location is freely selectable, the knife result of the detector from another location Lichen central control unit is used.

Der Detektor kann aber auch unabhängig von der räumlichen Ausbildung des Strahlprofils ausgebildet werden, indem ein im Strahlengang der Diodenstrahlung angeordneter teildurchlässiger Spiegel einen Bruchteil der der Bearbeitungsstelle zugeleiteten und/oder der von letzterer reflektierten Diodenstrahlung für den Detektor auskoppelt. In diesem Fall stört der teildurchläs­ sige Spiegel in der Bahn der Diodenstrahlung nur wenig, vor al­ lem, weil die von ihm ausgekoppelte Leistung gering ist. Ande­ rerseits vermag er die räumliche Verteilung der Strahlungsan­ teile der gesamten Diodenstrahlung geometrisch genau auszukop­ peln, so daß er ein entsprechendes präzises Abbild des Strahl­ profils liefert. Entsprechend genau ermittelt er von der Bear­ beitungsstelle reflektierte Diodenstrahlung.The detector can also be independent of the spatial Training of the beam profile can be formed by an im Beam path of the diode radiation arranged partially transparent Mirror a fraction of that sent to the processing point and / or the diode radiation reflected by the latter for decouples the detector. In this case, the partial passage interferes sige mirrors in the path of the diode radiation only a little, especially al lem because the power it decouples is low. Ande on the one hand, it is capable of distributing the radiation spatially Parts of the entire diode radiation are geometrically accurate peln so that it has a corresponding precise image of the beam profils delivers. Accordingly, he determined exactly from the Bear reflected diode radiation.

Eine Überwachung des Bearbeitungsbereichs des Werkstücks kann aber auch dadurch erfolgen, daß ein teildurchlässiger Spiegel vom Bearbeitungsbereich herrührende Wärme- und/oder Plasmastrahlung aus dem Strahlengang der Diodenstrahlung aus­ koppelt und einer Detektoreinheit für die Steuerung der Dioden­ ausgangsleistung über einen für die Diodenstrahlung undurchläs­ sigen Filter zuleitet. Der teildurchlässige Spiegel koppelt Wärme- und/oder Plasmastrahlung aus dem Strahlengang der Di­ odenstrahlung aus und der Filter verhindert, daß zugleich aus­ gekoppelte reflektierte Diodenstrahlung das Meßergebnis ver­ fälscht.Monitoring the machining area of the workpiece but can also be done in that a partially permeable Heat and / or mirror originating from the processing area Plasma radiation from the beam path of the diode radiation couples and a detector unit for the control of the diodes output power through an opaque to the diode radiation sigen filter. The semi-transparent mirror couples Heat and / or plasma radiation from the beam path of the Di  ode radiation and the filter prevents that at the same time coupled reflected diode radiation ver the measurement result fakes.

Von Vorteil ist es, wenn die Temperaturverteilung des Be­ arbeitungsbereichs in zeitlich kurzen Abständen vollständig er­ mittelt und/oder vorbestimmte Bereichsorte vorbestimmten Di­ odeneinheiten zugeordnet werden. Die in zeitlich kurzen Abstän­ den erfolgende Ermittlung der Temperaturverteilung ermöglicht eine entsprechend kurzzeitige Einflußnahme auf die Diodenaus­ gangsleistung und damit auf das Strahlprofil. Die Zuordnung vorbestimmter Bereichsorte zu vorbestimmten Diodeneinheiten er­ möglicht ein vereinfachtes Zuordnungsverfahren durch Schwer­ punktbildung, was sich ebenfalls im Sinne einer Beschleunigung von Einstellungen, Anpassungen und Regelungen auswirkt. Für diese Ermittlungen kann eine Auswerteeinheit eingesetzt werden, die beispielsweise im Bereich einer zentralen Steuereinheit an­ geordnet ist.It is advantageous if the temperature distribution of the Be working area at short intervals averages and / or predetermined area locations predetermined Di can be assigned to ode units. The in short intervals enables the temperature distribution to be determined a correspondingly brief influence on the diodes power and thus on the beam profile. The assignment predetermined area locations to predetermined diode units enables a simplified assignment procedure by Schwer point formation, which is also in the sense of acceleration of attitudes, adjustments and regulations. For an evaluation unit can be used for these determinations, for example in the area of a central control unit is ordered.

Eine solche Auswerteeinheit kann auch dann eingesetzt wer­ den, wenn das Verfahren so durchgeführt wird, daß bei der Er­ mittlung der Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs auf der Bearbeitungsstelle erfolgende Überlappungen der von den Di­ odeneinheiten herrührenden Diodenstrahlungsanteile für eine ge­ richtete Zuordnung zwischen den Strahlungsanteilen und den Di­ odeneinheiten herangezogen werden. Die Auswerteeinheit erkennt Überlappungen, erkennt die diese Überlappungen erzeugenden Di­ odenstrahlungsanteile bzw. die diese Anteile erzeugenden Dioden oder Diodeneinheiten und ermöglicht dadurch die Steuerung der Ausgangsleistung der verantwortlichen Dioden oder Diodeneinhei­ ten.Such an evaluation unit can also be used by anyone the if the procedure is carried out so that the Er averaging the temperature distribution of the machining area the processing point overlaps that of the Di diode units for a ge directed assignment between the radiation components and the Di ode units can be used. The evaluation unit recognizes Overlaps, recognizes the Di that creates these overlaps ode radiation components or the diodes producing these components or diode units and thereby enables the control of the Output power of the responsible diodes or diode units ten.

Das Verfahren kann des weiteren so durchgeführt werden, daß der das Strahlprofil ermittelnde oder von der Bearbeitungs­ stelle reflektierte Diodenstrahlung erfassende Detektor unmit­ telbar in Strahlungsrichtung hinter den Diodeneinheiten und/oder die von der Bearbeitungsstelle emittierte Wärme­ und/oder Plasmastrahlung erfassende Detektoreinheit in Emissi­ onsrichtung unmittelbar hinter einer Fokussiereinheit angeord­ net wird. Auf diese Weise werden zweckmäßig gruppierte Bauein­ heiten erreicht und Beeinflussungen der Meßergebnisse weitge­ hend vermieden.The method can also be carried out that the beam profile determining or processing place the detector that detects reflected diode radiation telbar in the direction of radiation behind the diode units and / or the heat emitted by the processing point and / or detector unit detecting plasma radiation in Emissi direction immediately behind a focusing unit is not. In this way, grouped units are expediently  units achieved and influences on the measurement results avoided.

Die Diodenstrahlung kann vorteilhafterweise mit einem Fa­ serbündel von Lichtleitfasern von einer Diodeneinheit zum Bear­ beitungsbereich transportiert werden. Vorteilhaft ist, daß ein Lichtleitfaserbündel nur zu einem Teil der Führung der Dioden­ strahlung zum Bearbeitungsbereich dient und zum anderen Teil für die Weiterleitung der von dem Bearbeitungsbereich emittier­ ten Wärme- und/oder Plasmastrahlung herangezogen wird. Es er­ gibt sich eine dementsprechend einfache Möglichkeit der Detek­ tion des Wärmebildes bzw. der Temperaturverteilung im Bearbei­ tungsbereich des Werkstücks durch Lichtleitfasern, welche die Diodenlaserstrahlung nicht zum Werkstück übertragen, dafür aber in umgekehrter Richtung die Werkstückoberfläche auf einer ent­ sprechenden Sensoreinheit abbilden, wobei also das Abbild der Werkstückoberfläche durch die Fokussieroptik hindurch ermittelt wird.The diode radiation can advantageously with a bundle of optical fibers from a diode unit to the bear processing area. It is advantageous that a Optical fiber bundles only part of the guide of the diodes radiation to the processing area and the other part for forwarding the emitted from the processing area heat and / or plasma radiation is used. It he Accordingly, there is an easy way to detect tion of the thermal image or the temperature distribution in the machining area of the workpiece by optical fibers, which the Diode laser radiation is not transmitted to the workpiece, but it is in the opposite direction the workpiece surface on an ent map talking sensor unit, so the image of the Workpiece surface determined through the focusing optics becomes.

Um irgendwelche Beeinflussungen der die Diodenstrahlung zum Bearbeitungsbereich leitenden Lichtleitfasern durch der Ab­ bildung des Bearbeitungsbereichs des Werkstücks dienende Licht­ leitfasern zu vermeiden, wird das Verfahren so durchgeführt, daß der andere Teil des Lichtfaserbündels außen an dessen einem Teil angeordnet wird.To have any influence on the diode radiation to the processing area of conductive optical fibers through the Ab Formation of the machining area of the workpiece serving light to avoid conductive fibers, the process is carried out so that the other part of the optical fiber bundle on the outside of one Part is arranged.

Vorteilhaft ist die Verwendung von Diodenstrahlung beim Umwandlungshärten metallener Werkstückbereiche oder beim loka­ len Schmelzen mit einem vorbestimmten Temperaturprofil, unab­ hängig von lokalen Besonderheiten. In beiden Bearbeitungsfällen wird mit der Diodenstrahlung ein vorbestimmtes Temperaturprofil erzeugt, das unabhängig von der Oberflächenbeschaffenheit des Bearbeitungsbereichs, unabhängig von der lokalen Absorption der Strahlung sowie unabhängig von der Werkstückgeommetrie konstant gehalten bzw. gezielt geändert werden kann, in dem die Dioden­ ausgangsleistung gesteuert wird.The use of diode radiation is advantageous Transformation hardness of metal workpiece areas or at the loka len melting with a predetermined temperature profile, unab depending on local peculiarities. In both processing cases becomes a predetermined temperature profile with the diode radiation generated, regardless of the surface quality of the Machining area, regardless of the local absorption of the Radiation and constant regardless of the workpiece geometry can be held or changed specifically in which the diodes output power is controlled.

Diodenstrahlung kann auch beim Umformen und Biegen eines Werkstücks eingesetzt werden, wobei die Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs und dessen jeweilige durch die Bear­ beitung bestimmte Geometrie der Steuerung der Diodenausgangs­ leistung dienen. Das Umformen und Biegen des Werkstücks erfolgt also unter Berücksichtigung des Verformungsvorgangs, wobei ent­ sprechend mehr oder weniger Leistung zum Verformen eingesetzt wird, indem die Diodenausgangsleistung gesteuert wird.Diode radiation can also be used when forming and bending a Workpiece are used, the temperature distribution the processing area and its respective by the Bear  Processing certain geometry of the control of the diode output serve performance. The workpiece is formed and bent So taking into account the deformation process, where ent speaking more or less power used to deform is controlled by controlling the diode output power.

Die Verwendung von Diodenstrahlung beim lokalen Erwärmen zur Änderung der Gefügestruktur, zur Verringerung von Eigen­ spannungen, oder beim Schneiden von Werkstücken, insbesondere beim abbrandstabilisierten Laserstrahlbrennschneiden, jeweils unter Steuerung des Strahlprofils, wird jeweils durchgeführt, indem das Strahlprofil bzw. die Intensitätsverteilung der Di­ odenstrahlung gesteuert wird, wobei auf die Rekristallisie­ rungseigenschaften, die Eigenspannungsbildung bzw. die Sauer­ stoffreaktion Rücksicht genommen werden kann. Insbesondere kön­ nen beim Konturschneiden von kleinen Radien, Kanten oder Ecken Überreaktionen verursacht durch einen Wärmestau in Spitzen und auf der Innenseite von Rundungen vermieden werden.The use of diode radiation for local heating to change the microstructure, to reduce self tensions, or when cutting workpieces, in particular in burn-stabilized laser beam cutting, each under control of the beam profile, is carried out in each case by the beam profile or the intensity distribution of the Di ode radiation is controlled, focusing on the recrystallization tion properties, the formation of residual stress or the acid substance reaction can be taken into account. In particular, when cutting contours of small radii, edges or corners Overreactions caused by heat buildup in peaks and be avoided on the inside of curves.

Beim Schweißen von Werkstücken zum lokalen Vor- und Nach­ wärmen in der Nähe der Schweißstelle, insbesondere unter Steue­ rung des Strahlprofils kann vorteilhafterweise Diodenstrahlung verwendet werden. Das Vorwärmen findet in der Regel nur wenige Millimeter vor der Schweißstelle statt und ermöglicht eine Ver­ ringerung der einzukoppelnden Energie. Die Steuerung der Di­ odenausgangsleistung kann aber auch dazu benutzt werden, daß die Diodenstahlung den gesamten zu regelnden Energieanteil beim Schweißen übernimmt, so daß der Hauptschweißstrahl ungesteuert bleiben kann, zumindest aber mit erheblich verringertem Steue­ rungsaufwand auskommt. Beim Nachwärmen kann die entstandene noch heiße Oberflächenraupe durch erneutes Anschmelzen bzw. langsameres Erstarren geglättet werden, wodurch Einbrandkerben oder Nahtüberhöhungen auszugleichen sind. Bei noch schmelzflüs­ siger Fügezone kann die Bildung von Schmelzbadinstabilitäten vermieden werden.When welding workpieces for local before and after warm near the welding point, especially under tax The beam profile can advantageously be diode radiation be used. Preheating usually only takes a few Millimeters in front of the welding point and enables ver reduction of the energy to be injected. The control of the Di ode output power can also be used to the diode steel the entire amount of energy to be regulated Welding takes over so that the main welding beam is uncontrolled can remain, but at least with significantly reduced tax expenses. When reheating, the resulting still hot surface bead by remelting or slower solidification can be smoothed out, causing penetration notches or compensate for seam increases. With still melting rivers The joining zone can lead to the formation of melt instabilities be avoided.

Diodenstrahlung kann vorteilhafterweise auch eingesetzt werden, um Verunreinigungen oder Beschichtungen von Werkstücken lokal zu verdampfen, beispielsweise Zink, Lack, Wachs, Kunst­ stoffe usw. Diode radiation can advantageously also be used to avoid contamination or coating of workpieces evaporate locally, e.g. zinc, paint, wax, art fabrics etc.  

Diodenstrahlung kann auch verwendet werden, um ein Schmelzbad beim Schweißen lokal zu erwärmen, insbesondere im Bereich der Rückseite einer Dampfkapillaren. Oberflächenspan­ nungen, welche aufgrund von Temperaturgradienten im Schmelzbad hervorgerufen werden, werden abgebaut, so daß die Schmelzebewe­ gungen gleichmäßiger erfolgen und die Ausbildung von Humping­ tropfen vermieden wird. Die Verwendung von Diodenstrahlen zu­ sätzlich zur Laserstrahlung beim Schweißen ermöglicht durch die einfache Steuerung der Diodenausgangsleistung eine vorteilhafte Einflußnahme im Sinne einer Verbesserung des Schweißergebnis­ ses.Diode radiation can also be used to create a Heat the weld pool locally during welding, especially in the Area of the back of a steam capillary. Surface chip that occur due to temperature gradients in the weld pool are caused, are broken down so that the melt movement conditions more evenly and the formation of humping dripping is avoided. The use of diode beams too in addition to laser radiation during welding made possible by the easy control of the diode output power an advantageous Influencing in the sense of improving the welding result ses.

Vorteilhaft ist weiterhin die Verwendung von Diodenstrah­ lung beim lokalen Erwärmen eines Werkstücks zur Unterstützung der spanabhebenden Werkstückbearbeitung. Die Erwärmung dient insbesondere zum Unterstützen beim Drehen oder Fräsen, um hö­ here Standzeiten des Schneidwerkzeugs zu ermöglichen und das Bearbeitungsergebnis zu verbessern.The use of a diode beam is also advantageous support when locally heating a workpiece machining workpieces. The warming serves especially to support turning or milling to here to allow downtimes of the cutting tool and that To improve machining result.

Die Steuerung der Intensitätsverteilung von Diodenstrah­ lung kann auch beim Löten von Werkstücken mit Steuerung der Di­ odenausgangsleistung zum Anschmelzen des Lotes und einer über­ hitzungsfreien Erwärmung der Werkstücke verwendet werden, wo­ durch die Benetzung der zu verbindenden Teile ohne lokale Überhitzung und ohne Spritzerbildung durch Flußmittel erreicht wird.Controlling the intensity distribution of diode beams can also be used when soldering workpieces with control of the Di ode output power for melting the solder and an over heat-free heating of the workpieces can be used where by wetting the parts to be connected without local Overheating and no spattering caused by flux becomes.

Kurze Beschreibung der ZeichnungBrief description of the drawing

Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung dargestell­ ten Ausführungsbeispielen erläutert. Es zeigtThe invention is illustrated in the drawing th embodiments explained. It shows

Fig. 1 eine blockschaltbildartige schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Materialbearbeitung mit Diodenstrahlung, undFig. 1 is a block diagram-like schematic representation of a device for material processing with diode radiation, and

Fig. 2 eine der Fig. 1 ähnliche Darstellung mit abgeänderten Komponenten. Fig. 2 is a view similar to Fig. 1 with modified components.

Wege zum Verfahren gemäß der ErfindungWays of the method according to the invention

In Fig. 1 ist eine Diodeneinheit 12 dargestellt, die in physikalischer Ausführung aus einer Vielzahl einzelner Dioden oder aus einer Mehrzahl von Diodeneinheiten als Baugruppen be­ steht, die ihrerseits eine Vielzahl von Dioden aufweisen. Das ergibt sich insbesondere aus dem dargestellten Block 22 von Netzgeräten 1, 2 . . . u, die für jeweils eine Diodeneinheit be­ stimmt und dementsprechend mit 12 verschaltet sind.In Fig. 1 , a diode unit 12 is shown, the physical version of a plurality of individual diodes or from a plurality of diode units as assemblies be, which in turn have a plurality of diodes. This results in particular from the block 22 of power supply units 1 , 2 shown . . . u, which determines be for each diode unit and are accordingly connected to 12.

Von der Diodeneinheit 12 gelangt emittierte Strahlung dem Strahlengang 18 entsprechend mit Strahlführungsmitteln 13 zu einem Werkstück 11, wobei eine Fokussiereinheit 23 zwischenge­ schaltet ist, welche die Diodenstrahlung auf eine Bearbeitungs­ stelle 14 des Bearbeitungsbereichs 10 des Werkstücks 11 fokus­ siert. Die Strahlführungsmittel 13 sind beispielsweise Licht­ leitfasern 15 in Gestalt eines Faserbündels 20. Von diesen Lichtleitfasern 15 nimmt die Fokussiereinheit 23 die Dioden­ strahlung auf, beispielsweise mit einer Sammellinse.Emitted radiation arrives from the diode unit 12 in accordance with the beam path 18 with beam guiding means 13 to a workpiece 11 , a focusing unit 23 being interposed which focuses the diode radiation on a processing point 14 of the processing area 10 of the workpiece 11 . The beam guiding means 13 are, for example, optical fibers 15 in the form of a fiber bundle 20 . Of these optical fibers 15 , the focusing unit 23 receives the diode radiation, for example with a converging lens.

Zwischen der Diodeneinheit 12 und den Strahlführungsmit­ teln 13 ist ein Detektor 16 vorhanden, der das Strahlprofil der Diodenstrahlung ermittelt. Hierzu besitzt der Detektor 16 einen teildurchlässigen Spiegel 16′, der einen geringen Bruchteil 24 der Diodenstrahlung auskoppelt. Dabei ist aus der schematischen Darstellung ersichtlich, daß die von den Diodeneinheiten her­ rührenden Diodenstrahlungsanteile 25 ortsgetreu ausgekuppelt werden und so eine Bestimmung der flächenmäßigen Verteilung der Diodenstrahlungsanteile 25 bzw. eine Bestimmung des Strahlpro­ fils gestatten. Des weiteren wird mit dem teildurchlässigen Spiegel 16′ Diodenstrahlung ausgekoppelt, die vom Werkstück 11 reflektiert wird. Dieser Anteil der reflektierten Diodenstrah­ lung gelangt vom Werkstück 11 über die Strahlführungsmittel 13 zu dem teildurchlässigen Spiegel 16′ des Detektors 16. Die von der Bearbeitungsstelle bzw. aus dem Bearbeitungsbereich 10 re­ flektierte Diodenstrahlung 25 wird entsprechend ihrer örtlichen Verteilung ermittelt, so daß ein entsprechendes zweidimensiona­ les Reflektionsbild des Bearbeitungsstelle bzw. des Bearbei­ tungsbereichs 10 entsteht. Der Detektor 16 ist seinen beiden Detektionsergebnissen entsprechend jeweils mit einer zentralen Steuereinheit 17 verbunden, in der das Meßergebnis ausgewertet wird. Entsprechend der Auswertung steuert die Steuereinheit 17 die Netzgeräte des Blocks 22 und damit die Ausgangsleistung der Dioden bzw. der Diodeneinheiten 12. Da die Detektion der Di­ odenstrahlung in zeitlich kurzen Abständen durchgeführt werden kann, ist eine entsprechend kurzzeitige bzw. on-line erfolgende Steuerung der Diodenausgangsleistung möglich.Between the diode unit 12 and the beam guide means 13 there is a detector 16 which determines the beam profile of the diode radiation. For this purpose, the detector 16 has a partially transparent mirror 16 ', which couples out a small fraction 24 of the diode radiation. It can be seen from the schematic illustration that the diode radiation components 25 originating from the diode units are disengaged according to location and thus allow a determination of the area distribution of the diode radiation components 25 or a determination of the beam profile. Furthermore, with the semitransparent mirror 16 'diode radiation is coupled out, which is reflected by the workpiece 11 . This portion of the reflected diode beam development passes from the workpiece 11 via the beam guiding means 13 to the partially transparent mirror 16 'of the detector 16 . The re fl ected diode radiation 25 from the processing point or from the processing area 10 is determined in accordance with its local distribution, so that a corresponding two-dimensional reflection image of the processing point or processing area 10 is produced. According to its two detection results, the detector 16 is connected to a central control unit 17 , in which the measurement result is evaluated. In accordance with the evaluation, the control unit 17 controls the power supply units of the block 22 and thus the output power of the diodes or the diode units 12 . Since the detection of the diode radiation can be carried out at short time intervals, a corresponding short-term or on-line control of the diode output power is possible.

In Fig. 2 ist der Aufbau der Vorrichtung dahingehend modi­ fiziert, daß anstelle eines Detektors eine Detektoreinheit 19 eingesetzt wird, die aus dem Bearbeitungsbereich 10 emittierte Wärme- und/oder Plasmastrahlung erfaßt. Die Einheit 19 ist mit der Fokussiereinheit 23 über einen Teil 21 des Faserbündels 15 gekoppelt, wobei dieser Teil 21 außen an dem anderen Teil des Lichtleitfaserbündels 20 angeordnet ist, der ausschließlich zur Führung des Diodenstrahlung zum Bearbeitungsbereich 10 dient.In Fig. 2 , the structure of the device is modified in that a detector unit 19 is used instead of a detector, which detects heat and / or plasma radiation emitted from the processing area 10 . The unit 19 is coupled to the focusing unit 23 via a part 21 of the fiber bundle 15 , this part 21 being arranged on the outside of the other part of the optical fiber bundle 20, which is used exclusively for guiding the diode radiation to the processing region 10 .

Mit der Detektoreinheit 19, die in Emissionsrichtung un­ mittelbar hinter der Fokussiereinheit 23 angeordnet sein kann, wird ein Wärmebild der Bearbeitungsstelle 14 bzw. des Bearbei­ tungsbereichs 10 ermittelt, welches beispielsweise durch die Anzahl und Zuordnung der Lichtleitfasern des Bündelteils 21 zu jeweils unterschiedlichen Stellen des Bearbeitungsbereichs 10 eine ortsaufgelöste Überwachung ermöglicht. Durch Kopplung der Detektoreinheit 19 an die zentrale Steuereinheit 17 wird das ermittelte Wärmebild ausgewertet und zur Ansteuerung der ein­ zelnen Diodeneinheiten benutzt, so daß die Strahlungsverteilung so beeinflußt wird, daß das Werkstück in geeigneter Weise bear­ beitet werden kann.With the detector unit 19 , which can be arranged un directly behind the focusing unit 23 in the emission direction, a thermal image of the processing point 14 or of the processing area 10 is determined, which, for example, by the number and assignment of the optical fibers of the bundle part 21 to different locations in the processing area 10 enables spatially resolved monitoring. By coupling the detector unit 19 to the central control unit 17 , the determined thermal image is evaluated and used to control the individual diode units, so that the radiation distribution is influenced in such a way that the workpiece can be processed in a suitable manner.

Claims (21)

1. Verfahren zur Materialbearbeitung mit Diodenstrahlung, insbesondere Laserdiodenstrahlung, dadurch gekennzeichnet, daß die von einer Vielzahl von Dioden emittierte Strahlung mit einem vorbestimmten Strahlprofil auf den Bearbeitungs­ bereich (10) des Werkstücks (11) gerichtet wird, und daß eine Veränderung der Intensitätsverteilung im Strahlprofil durch Steuerung der Diodenausgangsleistung erfolgt.1. A method for material processing with diode radiation, in particular laser diode radiation, characterized in that the radiation emitted by a plurality of diodes is directed with a predetermined beam profile onto the processing area ( 10 ) of the workpiece ( 11 ), and that a change in the intensity distribution in the beam profile by controlling the diode output power. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch das Strahlprofil bewirkte Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs (10) während der Bestrahlung über­ wacht wird, und daß die Veränderung der Intensitätsvertei­ lung entsprechend dem Überwachungsergebnis erfolgt.2. The method according to claim 1, characterized in that the temperature distribution of the processing region ( 10 ) brought about by the beam profile is monitored during the irradiation, and that the change in the intensity distribution takes place in accordance with the monitoring result. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Dioden zu mindestens einer Einheit (12) zusammengebaut ist und die Steuerung der Diodenaus­ gangsleistung diodeneinheitenweise erfolgt.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the plurality of diodes is assembled into at least one unit ( 12 ) and the control of the diode output power is carried out diode unit wise. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Diodeneinheiten (12) mit optischen Kopplungsmitteln an Strahlführungsmittel (13) angeschlossen werden, von denen aus die Diodenstrahlung auf die Bearbeitungsstelle (14) fokussiert wird.4. The method according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that the diode units ( 12 ) with optical coupling means to beam guiding means ( 13 ) are connected, from which the diode radiation is focused on the processing point ( 14 ). 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Strahlführungsmittel (13) Lichtleitfasern (15) verwendet werden, die einzeln oder gruppenweise den Diodeneinheiten (12) zugeordnet werden.5. The method according to one or more of claims 1 to 4, characterized in that optical fibers ( 15 ) are used as beam guiding means ( 13 ), which are assigned individually or in groups to the diode units ( 12 ). 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlprofil mit einem Detektor (16) einer zentralen Steuereinheit (17) zur Steuerung der Diodenausgangsleistung zugeleitet wird.6. The method according to one or more of claims 1 to 5, characterized in that the beam profile with a detector ( 16 ) is fed to a central control unit ( 17 ) for controlling the diode output power. 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein im Strahlengang (18) der Diodenstrahlung angeordneter teildurchlässiger Spiegel (16′) einen Bruchteil der der Bearbeitungsstelle zugelei­ teten und/oder der von letzterer reflektierten Dioden­ strahlung (25) für den Detektor (16) auskoppelt.7. The method according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that a partially transparent mirror ( 16 ') arranged in the beam path ( 18 ) of the diode radiation ( 16 ') a fraction of the processing location and / or the diode radiation reflected by the latter ( 25 ) for the detector ( 16 ). 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein teildurchlässiger Spiegel vom Bearbeitungsbereich (10) herrührende Wärme- und/oder Plasmastrahlung aus dem Strahlengang der Diodenstrahlung auskoppelt und einer Detektoreinheit (19) für die Steue­ rung der Diodenausgangsleistung über einen für die Dioden­ strahlung undurchlässigen Filter zuleitet.8. The method according to one or more of claims 1 to 7, characterized in that a partially transparent mirror from the processing area ( 10 ) originating heat and / or plasma radiation from the beam path of the diode radiation and a detector unit ( 19 ) for the control of the diode output power via a filter impermeable to the diode radiation. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs (10) in zeitlich kurzen Abständen vollständig ermittelt und/oder vorbestimmte Bereichsorte vorbestimmten Diodeneinheiten zugeordnet werden.9. The method according to one or more of claims 1 to 8, characterized in that the temperature distribution of the machining area ( 10 ) is completely determined at short time intervals and / or predetermined area locations are assigned to predetermined diode units. 10. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Ermittlung der Tempe­ raturverteilung des Bearbeitungsbereichs (10) auf der Be­ arbeitungsstelle (14) erfolgende Überlappungen der von den Diodeneinheiten herrührenden Diodenstrahlungsanteile (25) für eine gerichtete Zuordnung zwischen den Strahlungsan­ teilen und den Diodeneinheiten herangezogen werden.10. The method according to one or more of claims 1 to 9, characterized in that in the determination of the temperature distribution of the processing area ( 10 ) on the processing point ( 14 ) overlapping of the diode radiation components originating from the diode units ( 25 ) for a directed assignment share between the radiation and the diode units are used. 11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der das Strahlprofil ermit­ telnde oder von der Bearbeitungsstelle (14) reflektierte Diodenstrahlung erfassende Detektor unmittelbar in Strah­ lungsrichtung hinter den Diodeneinheiten und/oder die von der Bearbeitungsstelle (14) emittierte Wärme- und/oder Plasmastrahlung erfassende Detektoreinheit in Emissions­ richtung unmittelbar hinter einer Fokussiereinheit ange­ ordnet wird.11. The method according to one or more of claims 1 to 10, characterized in that the detector detecting the beam profile or from the processing point ( 14 ) reflecting diode radiation detecting detector directly in the radiation direction behind the diode units and / or from the processing point ( 14 ) emitted heat and / or plasma radiation-detecting detector unit is arranged in the emission direction immediately behind a focusing unit. 12. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lichtleitfaserbündel (20) nur zu einem Teil der Führung der Diodenstrahlung zum Be­ arbeitungsbereich (10) dient und zum anderen Teil (21) für die Weiterleitung der von dem Bearbeitungsbereich (10) emittierten Wärme- und/oder Plasmastrahlung herangezogen wird.12. The method according to one or more of claims 1 to 11, characterized in that an optical fiber bundle (20) of the diode radiation is only for a part of the guide for loading processing section (10) and the other part (21) for the transmission of from the Processing area ( 10 ) emitted heat and / or plasma radiation is used. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der andere Teil (21) des Lichtfaserbündels (20) außen an dessen einem Teil angeordnet wird.13. The method according to claim 12, characterized in that the other part ( 21 ) of the optical fiber bundle ( 20 ) is arranged on the outside of one part. 14. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, beim Umwand­ lungshärten metallener Werkstückbereiche oder beim lokalen Schmelzen mit einem vorbestimmten Temperaturprofil, unab­ hängig von lokalen Besonderheiten.14. The use of diode radiation, especially after egg nem or more of claims 1 to 13, when converting hardness of metal workpiece areas or at the local Melting with a predetermined temperature profile, independent depending on local peculiarities. 15. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, beim Umformen und Biegen eines Werkstücks, wobei die Temperaturvertei­ lung des Bearbeitungsbereichs und dessen jeweilige durch die Bearbeitung bestimmte Geometrie der Steuerung der Di­ odenausgangsleistung dienen.15. The use of diode radiation, especially after egg nem or more of claims 1 to 14, during forming and bending a workpiece, the temperature distribution processing area and its respective through machining certain geometry of the control of the Di serve output power. 16. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, beim lokalen Er­ wärmen zur Änderung der Gefügestruktur, zur Verringerung von Eigenspannungen, ober beim Schneiden von Werkstücken, insbesondere beim abbrandstabilisierten Laserstrahlbrenn­ schneiden, jeweils unter Steuerung des Strahlprofils.16. The use of diode radiation, especially according to egg nem or more of claims 1 to 15, at the local Er warm to change the structure, to reduce residual stresses, especially when cutting workpieces, especially with burn-stabilized laser beam burning cut, each under control of the beam profile. 17. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16, beim Schweißen von Werkstücken zum lokalen Vor- und Nachwärmen in der Nä­ he der Schweißstelle, insbesondere unter Steuerung des Strahlprofils. 17. The use of diode radiation, especially according to egg nem or more of claims 1 to 16, during welding of workpieces for local preheating and reheating in the vicinity he the weld, especially under the control of the Beam profile.   18. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 17, beim lokalen Verdampfen von Verunreinigungen oder Beschichtungen von Werkstücken.18. The use of diode radiation, especially according to egg nem or more of claims 1 to 17, at the local Evaporation of contaminants or coatings from Workpieces. 19. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 18, zum lokalen Er­ wärmen eines Schmelzbades beim Schweißen, insbesondere im Bereich der Rückseite einer Dampfkapillaren.19. The use of diode radiation, especially according to egg nem or more of claims 1 to 18, for local Er warm a weld pool during welding, especially in Area of the back of a steam capillary. 20. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 19, beim lokalen Er­ wärmen eines Werkstücks zur Unterstützung der spanabheben­ den Werkstückbearbeitung.20. The use of diode radiation, especially according to egg nem or more of claims 1 to 19, at the local Er warm a workpiece to support the cutting the workpiece machining. 21. Die Verwendung von Diodenstrahlung, insbesondere nach ei­ nem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 20, beim Löten von Werkstücken mit Steuerung der Diodenausgangsleistung zum Anschmelzen des Lots und einer überhitzungsfreien Erwär­ mung der Werkstücke.21. The use of diode radiation, especially according to egg nem or more of claims 1 to 20, when soldering Workpieces with control of the diode output power for Melt the solder and an overheating-free heating of the workpieces.
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