DE4309307A1 - Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleiterquaders auf einem folienartigen Substrat - Google Patents

Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleiterquaders auf einem folienartigen Substrat

Info

Publication number
DE4309307A1
DE4309307A1 DE4309307A DE4309307A DE4309307A1 DE 4309307 A1 DE4309307 A1 DE 4309307A1 DE 4309307 A DE4309307 A DE 4309307A DE 4309307 A DE4309307 A DE 4309307A DE 4309307 A1 DE4309307 A1 DE 4309307A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductor tracks
connection
semiconductor die
substrate
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE4309307A
Other languages
English (en)
Inventor
Roland Vollert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wincor Nixdorf International GmbH
Original Assignee
Wincor Nixdorf International GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wincor Nixdorf International GmbH filed Critical Wincor Nixdorf International GmbH
Priority to DE4309307A priority Critical patent/DE4309307A1/de
Publication of DE4309307A1 publication Critical patent/DE4309307A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H13/00—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch
    • H01H13/70—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard
    • H01H13/702—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard with contacts carried by or formed from layers in a multilayer structure, e.g. membrane switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H2239/00—Miscellaneous
    • H01H2239/01—Miscellaneous combined with other elements on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
In der elektronischen Schaltungstechnik besteht an sich grundsätzlich der Wunsch, mög­ lichst viele Funktionen auf einer gemeinsamen Baugruppe unterzubringen. Andererseits ma­ chen es zum Teil die geometrischen Gegebenheiten eines Gerätes und die Notwendigkeit, einzelne Funktionskomplexe in unterschiedlicher Technologie zu realisieren, erforderlich, mehrere getrennte Baugruppen vorzusehen und diese Baugruppen über Steckverbindungen miteinander zu verbinden.
Die schaltungstechnische Aufgabe, elektronische Bauelemente, beispielsweise in Halbleiter­ technik aufgebaute Logik- und/oder Prozessorbausteine auf einem folienartigen Substrat zu montieren, stellt sich u. a. bei Tastaturschaltfolien, wenngleich sich die mechanischen Eigen­ schaften des flexiblen Substrats einerseits und eines vergleichsweise starren Bauelements andererseits im allgemeinen schlecht miteinander vereinbaren lassen.
Diesen Schwierigkeiten ist man bei Tastaturen in der Vergangenheit insofern ausgewichen, als man für die Schaltelemente des Tastaturfeldes und für die Auswerteelektronik Baugrup­ pen unterschiedlicher Technologie eingesetzt hat. Die damit notwendige Steckverbindung zwischen den beiden Baugruppen ist jedoch nicht unproblematisch, weil die flexible Schalt­ folie für den notwendigen kraftschlüssigen Steckvorgang nicht sonderlich geeignet ist. Diese Steckverbindung läßt sich aber nur dann vermeiden, wenn es gelingt, sämtliche Funktions­ einheiten einer Tastatur auf einem gemeinsamen Substrat, insbesondere auf einer flexiblen Schaltfolie, unterzubringen.
Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, für die Realisierung einer die Auswerteelektronik einbeziehenden Tastaturschaltfolie eine möglichst optimale, von elektrischen und mechanischen Störeinflüssen unbelastete Lösung zu finden.
Die Aufgabe wird ausgehend von einem Verfahren der eingangs genannten Art durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines in der Zeichnung darge­ stellten Montagebeispiels näher erläutert.
Die Figur zeigt im einzelnen eine aus Polyester bestehende Schaltfolie 1, die zum Beispiel als Träger für eine Vielzahl von Tastaturschaltelementen dient. In einem außerhalb des Ta­ stenfeldes liegenden Bereich der Schaltfolie 1 ist die für die Auswertung der Tastatursignale notwendige Schaltung angeordnet. Diese Schaltung enthält u. a. einen in der Fig. 1 darge­ stellten Halbleiterquader 2, auch DIE genannt, der ohne Gehäuse und ohne die üblichen An­ schlußbeine an der Schaltfolie 1 montiert wird. Zu diesem Zweck wird die Schaltfolie 1 im Montagebereich des Halbleiterquaders 2 zunächst mechanisch oder chemisch aufgerauht. Anschließend werden eine Kontaktschicht für die Bodenfläche des Halbleiterquaders 2 so­ wie eine Vielzahl von Leiterbahnen aufgetragen, wobei diese Leiterbahnen strahlenartig nach Art einer Spinne um die Kontaktschicht herum angeordnet sind. Kontaktschicht und Leiterbahnen werden beispielsweise im Siebdruckverfahren mittels Silber-Leitlack aufgetra­ gen. Auf diese aufgedruckten Leiterbahnen werden im Bereich von Anschlußflächen 3, an denen später Bonddrahte 4 kontaktiert werden, nacheinander eine ca. 2 bis 4 µm starke Nickel-Sperrschicht und darauf eine ca. 0,3 µm starke Gold-Abdeckschicht galvanisch auf­ getragen. Vor diesen Galvanisiervorgängen wird die Schaltfolie 1 in den außerhalb der An­ schlußflächen 3 liegenden Bereichen mit einem Isolierlack oder mit einer entsprechend aus­ gestanzten Isolierfolie abgedeckt, wobei Isolierlack bzw. Isolierfolie gegebenenfalls an­ schließend wieder entfernt werden können.
In einem nächsten Verfahrensschritt wird der Halbleiterquader 2 mittels eines Klebers 5 an der Schaltfolie festigt. Anschließend wird die Verbindung des Halbleiterquaders 2 zu den aufgedruckten Leiterbahnen hergestellt. Dies erfolgt durch einzelne Bonddrähte 4, die einer­ seits an den Anschlußkontakten 6 des Halbleiterquaders 2 und andererseits an den durch Nickel- und Gold-Auflagen veredelten Anschlußflächen 3 der Leiterbahnen befestigt wer­ den. Schließlich wird der so befestigte und kontaktierte Halbleiterquader 2 mit einer auch dem Bereich der Anschlußflächen 3 abdeckenden geschlossenen Vergußmasse 7 überzogen, die sowohl einen mechanischen als auch einen chemischen Schutz für den gesamten Baustein gewährleistet.

Claims (4)

1. Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleitequaders (DIE) mit einer Vielzahl von An­ schlußkontakten auf einem folienartigen Substrat, wobei die Verbindung der Anschlußkon­ takte mit entsprechenden Leiterbahnen auf dem Substrat durch einzelne Bonddrähte erfolgt, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
  • a) die um den Halbleiterquader strahlenartig angeordneten Leiterbahnen werden mittels Leitlack im Siebdruckverfahren aufgetragen,
  • b) auf den Leitlack der Leiterbahnen wird im Bereich der Anschlußflächen für die Bond­ drahte wenigstens eine Abdeckschicht aus gut leitendem Material galvanisch aufgetragen,
  • c) der Halbleiterquader wird mittels Kleber an der Schaltoberfläche befestigt,
  • d) die Anschlußkontakte des Halbleiterquaders werden im Drahtbondverfahren mit den ein­ zelnen Anschlußflächen der Leiterbahnen verbunden,
  • e) der Halbleiterquader wird einschließlich der Bonddrähte und der Anschlußflächen auf den Leiterbahnen mit einer geschlossenen Vergußmasse überzogen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgedruckten Leiterbahnen sowie die Kontaktfläche aus Silber-Leitlack bestehen und daß auf die Anschlußflächen der einzelnen Leiterbahnen zunächst eine ca. 2 bis 4 µm starke Nickel-Sperrschicht und darauf eine ca. 0,3 µm starke Gold-Abdeckschicht galvanisch aufgetragen werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der außerhalb der Anschlußflächen liegende Bereich des Substrates vor dem Galvani­ siervorgang durch Isolierlack oder durch eine entsprechend ausgestanzte Isolierfolie abge­ deckt wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der von der Vergußmasse abgedeckte Bereich vor dem Gießvorgang mechanisch und/oder chemisch aufgerauht wird.
DE4309307A 1993-03-23 1993-03-23 Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleiterquaders auf einem folienartigen Substrat Ceased DE4309307A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4309307A DE4309307A1 (de) 1993-03-23 1993-03-23 Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleiterquaders auf einem folienartigen Substrat

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4309307A DE4309307A1 (de) 1993-03-23 1993-03-23 Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleiterquaders auf einem folienartigen Substrat

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4309307A1 true DE4309307A1 (de) 1994-09-29

Family

ID=6483562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4309307A Ceased DE4309307A1 (de) 1993-03-23 1993-03-23 Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleiterquaders auf einem folienartigen Substrat

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4309307A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1249360A (en) * 1967-12-30 1971-10-13 Sony Corp Lead assembly and method of making the same
DE2153015B2 (de) * 1970-10-22 1976-12-30 Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes
US4578304A (en) * 1983-12-28 1986-03-25 Nec Corporation Multilayer wiring substrate
DE3613060A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Herberts Gmbh Ueberzugsmittel mit hoher elektrischer leitfaehigkeit und dessen verwendung zur herstellung von ueberzuegen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1249360A (en) * 1967-12-30 1971-10-13 Sony Corp Lead assembly and method of making the same
DE2153015B2 (de) * 1970-10-22 1976-12-30 Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes
US4578304A (en) * 1983-12-28 1986-03-25 Nec Corporation Multilayer wiring substrate
DE3613060A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Herberts Gmbh Ueberzugsmittel mit hoher elektrischer leitfaehigkeit und dessen verwendung zur herstellung von ueberzuegen

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Der Elektroniker Nr1 (1989), S.28-34 *
IEEE Transactions Bd. CHMT-15 (1992), S.73-77, Abstract zur JP 1-184982 A1 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1615957C3 (de)
DE10045043B4 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
US4045636A (en) Keyboard switch assembly having printed circuit board with plural layer exposed contacts and undersurface jumper connections
EP0762817A1 (de) Abschirmung für Flachbaugruppen
DE10148042A1 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines höhenstrukturierten metallischen Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007006706A1 (de) Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE3607049C2 (de)
CH667562A5 (de) Verfahren zum aendern einer elektrischen flachbaugruppe.
DE3428881A1 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsvorrichtung
DE69723801T2 (de) Herstellungsverfahren einer Kontaktgitter-Halbleiterpackung
JPH0251270B2 (de)
US4107836A (en) Circuit board with self-locking terminals
DE60130412T2 (de) System und Verfahren zur Erzeugung von Hochspannungswiderstandsfähigkeit zwischen den nachgiebigen Stiften eines Steckverbinders mit hoher Kontaktdichte
EP0637081A2 (de) Mikrosensor mit Steckeranschluss
EP0009610A1 (de) Verfahren zur Herstellung prüfbarer Halbleiter-Miniaturgehäuse in Bandform
EP0968631A1 (de) Verfahren zur bildung metallischer leitermuster auf elektrisch isolierenden unterlagen
DE102004057795A1 (de) Kontaktierung von Vielschicht-Piezoaktoren bzw. -sensoren
DE4309307A1 (de) Verfahren zur Montage eines dünnen Halbleiterquaders auf einem folienartigen Substrat
US5158466A (en) Metallically encapsulated elevated interconnection feature
EP0854667A2 (de) Elektronisches Steuermodul
EP1238444A1 (de) Unlösbare elektrische und mechanische verbindung, kontaktteil für eine unlösbare elektrische und mechanische verbindung und verfahren zur herstellung einer unlösbaren elektrischen und mechanischen verbindung
DE19638371C2 (de) Verfahren zur Erzeugung einer einseitigen galvanischen Metallschicht auf Chipmodulen
CH683729A5 (de) Festkörperbauelement.
DE10138659B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Anordnung aus einem Halbleiterchip und einer damit verbundenen Leiterbahnstruktur
EP1230679B1 (de) Verfahren zur herstellung eines trägerelementes für einen ic-baustein

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection