DE4224674A1 - Gleichrichtergerät mit mindestens vier Gleichrichterdioden in n-Puls-Brückenschaltung - Google Patents
Gleichrichtergerät mit mindestens vier Gleichrichterdioden in n-Puls-BrückenschaltungInfo
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Description
Stand der Technik seit vielen Jahren sind Gleichrichtergeräte,
die intern einen mit Halbleiterdioden bestückten Gleichrichter
in n-Puls-Schaltung aufweisen, wobei jede Diode mit einem Halb
leiter/Halbleiter-Übergang aufgebaut ist. Ist n=2, so handelt
es sich zumeist um eine Wechselstrombrücke, auch Einphasen- oder
Graetzbrücke genannt, bei n=6 liegt i. d. R. eine sog. Dreh
strombrücke vor. Zusammenfassend werden Gleichrichter in Brüc
kenschaltung oft Vollweggleichrichter genannt, da sie, ohne
einen Transformator mit Mittelanzapfung zu benötigen, sowohl die
positive als auch die negative Halbwelle der speisenden Quelle
belasten. In diesen Halbleitergleichrichtern haben sich im Be
reich der allgemeinen Elektrotechnik vor allem Siliziumlegie
rungsdioden mit Halbleiter/Halbleiter-Übergang, nachfolgend kurz
als Si-Dioden bezeichnet, durchgesetzt. Sie weisen bei Strom
durchfluß in Durchlaßrichtung einen Spannungsabfall von ca.
0,65 V auf [10]. Sie sind z. Z. mit einer maximalen Gleich
strombelastbarkeit von etwa 500 A verfügbar [1] und bis etwa
150°c thermisch belastbar [2].
Speziell in Hochfrequenzanwendungen und zum Gleichrichten klei
ner Amplituden finden gering belastbare Germaniumdioden Verwen
dung. Für die Gleichrichtung technischer Wechselströme mit Ger
maniumdioden kommen meist Germaniumlegierungsdioden zum Einsatz
[10]. Sie weisen bei Stromdurchfluß in Durchlaßrichtung einen
Spannungsabfall von etwa (0,2 . . . 0,35) V auf [2/10]. Sie sind z.Z.
mit einer maximalen Gleichstrombelastung von etwa 100 A ver
fügbar [1] und sind bis etwa (65 . . . 85)°C thermisch belastbar
[2/10], weshalb ihre Anwendbarkeit im Bereich der Leistungselek
tronik stark eingeschränkt ist, auch ist die Verfügbarkeit auf
dem Markt von Leistungs-Ge-Dioden nicht zufriedenstellend.
Seit neuerer Zeit gehören Dioden mit einem mechanisch stabilen
Metall/Halbleiter-Übergang ebenfalls zum Stand der Technik.
Heute übliche Bauformen für allgemeine Anwendungen weisen bei
Stromdurchfluß in Durchlaßrichtung einen Spannungsabfall von
etwa 0,35 V auf [3], die typische thermische Maximalbelastung
beträgt etwa 125°C [3]. Die Effekte eines Metall/Halbleiter-
Überganges sind seit dem Jahr 1874 prinzipiell bekannt. In der
Form des Spitzengleichrichters war dieser Übergang das erste
elektronische Bauteil überhaupt. Die inneren Vorgänge an diesem
Übergang wurden im Jahre 1938 von Schottky erstmalig zufrieden
stellend beschrieben. Seitdem hat sich der Name Schottkydiode
für eine mit einem Metall/Halbleiter-Übergang realisierte Diode
durchgesetzt [7]. Diese finden in zahlreichen Bauformen, z. T.
mit anderen Namen (Hot Carrier Diode, Schottky Barrier Diode,
Schottky-Varaktor, Schottky-Varistor) vor allem in der Hochfre
quenztechnik Anwendung [7]. Sie zeichnen sich dort auch durch
eine geringe Sperrschichtkapazität und ein geringes Eigenrau
schen aus [2]. Ebenfalls weite Verbreitung finden sie durch ihre
Verwendung innerhalb der Logik-IC-Reihen verschiedener Herstel
ler (eingeschobenes Kürzel "LS" zwischen IC-Bezeichnungs-Präfix
und -Name, wobei das Kürzel für "Low Power Schottky" steht) [9].
Mittlerweile sind Schottkydioden auch für den Bereich der Lei
stungselektronik gut erhältlich. Moderne Schottkydioden
verbinden die Vorteile der ursprünglichen Spitzendiode mit denen
der Flächendiode, daher ist ein weiterer Einsatzschwerpunkt von
Schottkydioden heute die Anwendung in Schaltnetzteilen. Hier
kommen i. d. R. Schottkydioden in einer Mittelpunktgleichrich
terschaltung zur Anwendung [6]. Zu diesen Zwecken sind sowohl
Einzel- als auch Doppeldioden mit einer Strombelastbarkeit von
bis zu 150 A pro Diode [4] und einer Spitzensperrspannung von
etwa 100 V auf dem Markt gut verfügbar. Doppeldioden sind zwei
Dioden in einem Gehäuse, von deren insgesamt vier Anschlüssen
zwei innerhalb des hermetisch dichten Gehäuses miteinander ver
bunden und die Anschlüsse des so entstandenen Dreipols aus dem
Gehäuse nach außen geführt sind. Den weitaus überwiegenden Teil
der Doppeldioden stellen solche mit gemeinsamer Kathode oder ge
meinsamer Anode dar. Doppeldioden, die eine Reihenschaltung mit
nach außen geführtem Mittelabgriff bilden und die durch Kaska
dierung eine sehr einfache Möglichkeit zum Aufbau von Vollweg
gleichrichtern bieten, sind nicht leicht zu beschaffen, aber
prinzipiell verfügbar. Außerdem sind Module mit drei Schottkydi
oden, in einem hermetisch dichten Gehäuse, zu einem Vierpol zu
sammengefaßt, mit einer Strombelastbarkeit von 3×40 A bis
3×120 A auf dem Markt [3]. Diodenmodule mit drei Schottkydi
oden sind ausschließlich in einer Ausführung mit gemeinsamer
Anode erhältlich [3/4].
Trotz der bekannten Vorzüge von Schottkydioden und den erwähnten
Doppelausführungen und Modulen sind weder Gleichrichtergeräte
bzw. -module erhältlich, die einen kompletten Vollweggleichrich
ter mit Schottkydioden enthalten, noch mindestens vier Schottky
dioden zur Realisierung eines derartigen Gleichrichters durch
einfache Beschaltung von außen. Die statt dessen speziell für
Einphasen- und Drehstrombrücken fast ausschließlich benutzten
Gleichrichter mit Si-Dioden erzeugen besonders bei höheren Strö
men, wie sie bei Betrieb von Niederspannungsgeräten häufig auf
treten, nennenswerte Verluste mit entsprechender Wärmeentwick
lung. Außerdem ist bei manchen Anwendungen die Höhe der Durch
laßspannung der Einzeldioden des Gleichrichters störend in bezug
auf die erreichbare Ausgangsspannung.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, die Verluste bei der
Gleichrichtung von Wechselströmen, wie sie bisher bei der Ver
wendung von mit Si-Dioden aufgebauten Gleichrichtergeräten auf
traten, bei gleichzeitig möglicher Betriebstemperatur von deut
lich über 110°C, preisgünstig zu vermindern. Das Problem ist
dadurch gelöst, daß die bisher in den Geräten verwendeten Si-
Gleichrichterdioden gegen Schottkydioden ausgetauscht sind, wie
in Fig. 1 (neue Bauform mit Schottkydioden im Gleichrichterteil)
und Fig. 1a (alte Bauform) gezeigt.
Der Hauptvorteil der Erfindung beruht auf einer Verbesserung des
Wirkungsgrades von Gleichrichtergeräten gegenüber solchen mit
Si-Dioden mit Halbleiter/Halbleiter-Übergang. Durch die in den
Gleichrichterdioden erheblich verminderte Wärmeentwicklung kann
bei höheren Strömen der Kühlaufwand für diese stark reduziert
werden oder kann ggf. ganz entfallen. Dies bringt weitere Vor
teile wie verringerten Materialaufwand, Platzersparnis, größere
Freiheit der Einbaulage. Bei gleichbleibendem Kühlaufwand erhält
man als Vorteil eine höhere mögliche Umgebungstemperatur oder
eine z. T. beträchtliche Erhöhung der Lebensdauer des Gleich
richters und benachbarter Bauteile und -gruppen. Ein weiterer
Vorteil ist die höhere Wirtschaftlichkeit im Betrieb des
Gerätes. Ebenso steht bei gegebener Wechselspannung am Ausgang
des Gleichrichters im Vergleich zu einem mit Si-Dioden aufgebau
ten Gleichrichter eine etwas höhere Gleichspannung zur Verfü
gung.
[1]: Tabellenbuch Elektrotechnik/Elektronik, Friederich,
Seite 3-1f, 1989, Ferd. Dümmlers Verlag, Bonn
[2]: Das große Werkbuch Elektronik, Nührmann, Seite 711ff, 4. Aufl., Franzis Verlag, München
[3]: Katalog CAT. No. J434-7, Fa. Shindengen, Tokyo (J)
[4]: Katalog Kat. Nr. B9-BP4091, 1992, Fa. Siemens, Fürth
[5]: Werkstoffe der Halbleitertechnik, Hadamovsky, Seiten 32ff u. 38ff, VEB Deutscher Verlag für die Grundstoffindustrie, 1985, Leipzig
[6]: Halbleiter-Schaltungstechnik, Tietze/Schenk, 4. Aufl., Seite 396, 1978, Springer Verlag, Berlin
[7]: Hochfrequenz-Halbleiter-Elektronik, Unger/Harth, Seite 165, 1972, S. Hirzel Verlag, Stuttgart
[8]: Electronics Designers Handbook, 2nd Edition, Seite 10-31f, McGraw-Hill Inc., Mass.(USA)
[9]: Bauelemente der Elektronik und ihre Grundschaltungen, Böhler/Käger/Weigt, 6. Auflage, Seite 487, 1982, Verlag H. Stam GmbH, Köln-Porz
[10]: Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektronik, Lindner/Brauer/Lehmann, 2. Auflage, Seite 288, 1986, Verlag Harri Deutsch, Thun.
[2]: Das große Werkbuch Elektronik, Nührmann, Seite 711ff, 4. Aufl., Franzis Verlag, München
[3]: Katalog CAT. No. J434-7, Fa. Shindengen, Tokyo (J)
[4]: Katalog Kat. Nr. B9-BP4091, 1992, Fa. Siemens, Fürth
[5]: Werkstoffe der Halbleitertechnik, Hadamovsky, Seiten 32ff u. 38ff, VEB Deutscher Verlag für die Grundstoffindustrie, 1985, Leipzig
[6]: Halbleiter-Schaltungstechnik, Tietze/Schenk, 4. Aufl., Seite 396, 1978, Springer Verlag, Berlin
[7]: Hochfrequenz-Halbleiter-Elektronik, Unger/Harth, Seite 165, 1972, S. Hirzel Verlag, Stuttgart
[8]: Electronics Designers Handbook, 2nd Edition, Seite 10-31f, McGraw-Hill Inc., Mass.(USA)
[9]: Bauelemente der Elektronik und ihre Grundschaltungen, Böhler/Käger/Weigt, 6. Auflage, Seite 487, 1982, Verlag H. Stam GmbH, Köln-Porz
[10]: Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektronik, Lindner/Brauer/Lehmann, 2. Auflage, Seite 288, 1986, Verlag Harri Deutsch, Thun.
Nachfolgend sind, neben der o. g., weitere mögliche vorteilhafte
Ausführungen abgebildet und erläutert. Manche Bauformen beruhen
auf Labormustern, die zumeist in ähnlicher Form erprobt wurden.
Fig. 1 zeigt die gegenüber einem bisher produzierten Gleichrich
tergerät in Fig. 1a verbesserte Bauform. Es ist zum Einsatz als
Drehstromgleichrichter für Anwendungen im 24V-Gleichspannungs
netz der Industrie bestimmt. Der Laststrom darf über 20 A betra
gen. Neben Glättungskondensatoren sind auch Sicherungs- und An
zeigeeinrichtungen integriert. Fig. 1b beinhaltet eine Skizze zu
einer möglichen mechanischen Gestaltung des Gerätes in Fig. 1.
Das vorgesehene Aluminiumgehäuse mit den Maßen 145 mm×45 mm×145 mm
(B×H×T) ist bei offener Unterseite zur direkten Montage
auf einen Drehstromtransformator geeignet (s. Fig. 1b). Die Kon
taktierung erfolgt durch Lötanschlüsse. In einer geschlossenen
Bauform zur vom Transformator räumlich getrennten Montage weist
das Gerät auf seiner Rückseite eine Vorrichtung zur einfachen
Befestigung auf einer Hutschiene auf. Die Kontaktierung erfolgt
dann mit Schraubklemmen. Aufgrund des Aufbaus des Gleichrichter
teils mit Schottkydioden ist das Gehäuse auch bei 20 A Dauer
laststrom zur Kühlung völlig ausreichend. Gegenüber dem Vorläu
fermodell in Fig. 1a konnten die Kosten für den eigentlichen
Gleichrichterteil durch die Anwendung der in den Schutzansprü
chen dargelegten Technik um 50% reduziert, der bisherige Wir
kungsgrad des Gerätes um gut 40% erhöht werden. Der Herstel
lungspreis des gesamten Geräts verringert sich um rund 20%, da
der bisher benötigte Kühlkörper entfallen kann. Wegen des
Wegfalls des Kühlkörpers vermindert sich die Bauhöhe um 65 mm,
was etwa 55% entspricht. Die Einbaulage ist jetzt beliebig.
Fig. 2 stellt die Schaltung eines Gerätes dar, das Anspruch 1
genügt. In dieser einfachen Konstruktionsform handelt es sich um
ein Gleichrichtermodul in 2-Puls-Brückenschaltung mit Schottky
diodenbestückung für allgemeine Anwendungen. Fig. 2a zeigt eine
mechanische Ausführung des Gerätes. Es kommen zwei Doppeldioden
in einem zu vergießenden Modulgehäuse zum Einsatz. Der so aufge
baute Gleichrichter weist eine Spitzensperrspannung von minde
stens 60 V und eine Strombelastbarkeit von mindestens 8 A auf
und kann bis etwa 110°C Gehäusetemperatur thermisch belastet
werden. Der Gleichrichter muß bei maximaler Belastung gekühlt
werden.
Fig. 3 zeigt die Schaltung eines Gerätes mit Schottkydioden als
Drehstrombrückengleichrichtermodul, Fig. 3a zeigt eine mechani
sche Ausführung, die in sehr ähnlicher Form als Labormuster auf
gebaut wurde. Mit diesem Muster wurden auch die nachfolgend an
geführten Meßergebnisse erzielt. Zum Vergleich sind die Meßer
gebnisse eines anderen Drehstromgleichrichters in ähnlicher Bau
form, aber mit normalen Si-Dioden bestückt, in Klammern angege
ben. Der speisende Transformator war in beiden Fällen derselbe,
beide Gleichrichter wurden mit derselben Last unter den gleichen
Kühlbedingungen betrieben. Als Last dienten acht parallelge
schaltete Glühlampen, deren Nennleistung je 25 W bei 24 V Be
triebsspannung betrug. Die Ausgangsspannung des nach Anspruch 1
aufgebauten Gleichrichtergerätes betrug etwa 24,3 V (23,4 V),
der Ausgangsstrom etwa 8,35 A (8,2 A). Nach 30 min war bei bei
den Gleichrichtern je die maximale Erwärmung erreicht, die Tem
peraturdifferenz betrug etwa 20 K. Setzt man die Verlustleistung
des mit normalen Si-Dioden aufgebauten Gerätes mit 100% gleich,
so läßt sich aufgrund der gewonnenen Daten die Reduzierung der
Verlustleistung überschlägig zu deutlich über 40% bestimmen.
Fig. 4 zeigt die Schaltung eines längsgeregelten Netzgerätes.
Hier ist Patentanspruch 6 betroffen, da dem Gleichrichter mit
Glättungskondensator nach Patentanspruch 2 ein Transformator
vor- und eine Längsregelung nachgeschaltet ist. Der Transforma
tor bewirkt in erster Linie eine Veränderung der Amplitude der
Eingangsgrößen. Die Längsregelung bewirkt im Idealfall eine
Gleichspannung ohne jeden Wechselanteil in einer Höhe unterhalb
der Gleichspannung am Glättungskondensator und somit eine Verän
derung der Ausgangsgrößen hinsichtlich Amplitude und Kurvenform.
Diese Schaltung hat gegenüber einer gleichen, aber mit Si-
Gleichrichterdioden aufgebauten Schaltung den Vorteil, daß ein
gangsseitig größere Netzspannungsschwankungen nach unten erlaubt
sind, ehe die Ausgangsspannung nicht mehr stabil ist.
Fig. 5 zeigt eine Ausführung als Drehstrombrückengleichrichter
mit einer integrierten extern einstellbaren Spitzenspannungsbe
grenzung. Obwohl das Gerät Elemente einer Längsregelung auf
weist, jedoch keinen Spannungsfühler, ist die Verwendung als
Längsregler unsinnig, da aufgrund des fehlenden Siebkondensators
eine zufriedenstellende Glätte der Ausgangsspannung nur mit
überhöhter Verlustleistung bei entsprechend niedriger Ausgangs
spannung erreichbar ist. Das Gerät ist vielmehr als preisgünsti
ger Gleichrichter hoher Belastbarkeit mit einer Möglichkeit zur
Begrenzung der Ausgangsspannung zum Schutz angeschlossener Ver
braucher gedacht, wobei ein Teil der durch die Transistorschal
tung verursachten Verluste durch die Verwendung von Schottkydi
oden anstelle von Si-Dioden kompensiert wird. Eine typische
Anwendung wäre z. B. in der Industrie die Gleichrichtung für ein
24V-Gleichspannungsnetz mit einer Restwelligkeit von etwa 5%
unter Vollast bei gleichzeitiger Begrenzung der maximalen Aus
gangsspannung (im Leerlauffall des speisenden Transformators)
auf 28 V. In ähnlicher Bauform, die als Labormuster erprobt
wurde (Werte in Klammern), sind Anwendungen möglich, in denen
nur ein Teil (8A) des gleichgerichteten Stromes über die Be
grenzungsstufe entnommen wird und der überwiegende Teil (20A)
andere, in bezug auf die Höhe ihrer Speisespannung weniger emp
findliche, Lasten speist. So kann der Vorteil des hochbelastba
ren, aber verlustleistungsarmen Gleichrichterteils optimal ge
nutzt werden.
Claims (7)
1. Gleichrichtergerät mit mindestens vier Gleichrichterdioden in
n-Puls-Brückenschaltung
dadurch gekennzeichnet,
daß die einzelnen Gleichrichterdioden einen Metall/Halbleiter
übergang aufweisen.
2. Gerät nach Anspruch 1, außerdem dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens ein Kondensator oder Akkumulator integriert ist.
3. Gerät nach Anspruch 1 oder 2, außerdem dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein Entstörglied integriert ist.
4. Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, außerdem dadurch ge
kennzeichnet, daß mindestens eine Schutzeinrichtung für die
speisende Quelle und/oder das Gerät nach Anspruch 1 bis 3
und/oder die angeschlossene Last integriert ist.
5. Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, außerdem dadurch ge
kennzeichnet, daß mindestens eine Betriebszustandsanzeige inte
griert ist.
6. Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, außerdem dadurch ge
kennzeichnet, daß mindestens eine Schaltung zur Modifikation
der gleichzurichtenden und/oder gleichgerichteten Wechselgrößen
hinsichtlich Kurvenform und/oder Amplitude integriert ist.
7. Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 6, als integraler Bestand
teil eines anderen Gerätes übergeordneter Funktion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4224674A DE4224674A1 (de) | 1992-07-25 | 1992-07-25 | Gleichrichtergerät mit mindestens vier Gleichrichterdioden in n-Puls-Brückenschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4224674A DE4224674A1 (de) | 1992-07-25 | 1992-07-25 | Gleichrichtergerät mit mindestens vier Gleichrichterdioden in n-Puls-Brückenschaltung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4224674A1 true DE4224674A1 (de) | 1994-01-27 |
Family
ID=6464138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4224674A Ceased DE4224674A1 (de) | 1992-07-25 | 1992-07-25 | Gleichrichtergerät mit mindestens vier Gleichrichterdioden in n-Puls-Brückenschaltung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4224674A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10042526A1 (de) * | 2000-08-30 | 2001-08-02 | Audi Ag | Generator zur elektrischen Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeuges |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4015184A (en) * | 1975-11-20 | 1977-03-29 | Clinton Supply Company | Silicon junction diode rectifier power pack |
DE4000056A1 (de) * | 1989-04-21 | 1990-10-25 | Transform Roentgen Matern Veb | Transistor-wechselrichter in brueckenschaltung |
-
1992
- 1992-07-25 DE DE4224674A patent/DE4224674A1/de not_active Ceased
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8122 | Nonbinding interest in granting licenses declared | ||
8131 | Rejection |