DE4213003C2 - Dielektrische Keramiken und elektronische Teile, die diese verwenden - Google Patents
Dielektrische Keramiken und elektronische Teile, die diese verwendenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf dielektrische
Keramiken nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf di
elektrische Keramiken und elektronische Teile, die diese
verwenden. In einem besonderen Anwendungsfall bezieht sich
die Erfindung auf dielektrische Keramiken, die beispiels
weise auf eine Mikrostreifenleitungsvorrichtung, ein mono
lithisches IC, einen Polarisator oder ähnliche elektronische
Geräte angewendet werden, sowie auf elektronische Teile
unter Verwendung derartiger dielektrischer Keramiken.
Im Stand der Technik werden als dielektrische Keramiken für
elektronische Teile solche mit einer gleichmäßigen Zusammen
setzung und einer gleichmäßigen Verteilung der dielektri
schen Konstante verwendet.
Beispielsweise wird als dielektrisches Substrat für eine
bekannte Mikrostreifenleitungsvorrichtung ein solches mit
einer gleichmäßigen Zusammensetzungsstruktur verwendet, in
der Materialien, wie beispielsweise Aluminiumoxid und Fluor
harz mit einer Dielektrizitätskonstanten von 10 oder der
gleichen verwendet werden.
Bei einem derartigen dielektrischen Substrat kann durch
Erhöhung der Dielektrizitätskonstante die Mikrostreifenlei
tungsvorrichtung bzw. das Substrat minimiert werden. Wenn
jedoch die Dielektrizitätskonstante ansteigt, muß die Breite
der Streifenleitung entsprechend verringert werden, damit
die Größe der charakteristischen Impedanz unverändert
bleibt.
Wenn man die Miniaturisierung einer Streifenleitungsvorrich
tung mit einem bekannten dielektrischen Substrat unter der
Bedingung einer Substratdicke von 1 mm und einer charakteri
stischen Impedanz von 50 Ω betrachtet, ergibt sich eine
nötige Leitungsbreite von ungefähr 1,0 mm bei einem Substrat
mit einer Dielektrizitätskonstante von 10. Andererseits
liegt die nötige Leitungsbreite bei einem Substrat mit einer
Dielektrizitätskonstante von 30 bei ungefähr 0,2 mm. Wenn
daher eine Miniaturisierung durch Erhöhung der Dielektrizi
tätskonstanten des Substrates herbeigeführt werden soll,
wird die Leitungsbreite derart gering, daß es schwierig ist,
äußere Schaltungen an Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen zu
kontaktieren.
Wenn daher das Substrat mit der gleichmäßigen Zusammen
setzung für ein Substrat eines monolithischen IC′s verwendet
wird, wird die Leitungsbreite, die auf dem Substrat ausge
bildet ist, durch die charakteristische Impedanz festgelegt.
Wenn daher die Dielektrizitätskonstante des Substrates
erhöht wird, um die Leitungsbreite zu vermindern, ist es
schwierig, einen Kontakt für äußere Schaltungen zu erzeugen.
In einem Satelliten-Rundfunksystem, wie dies in den Fig. 25
(A) und (B) dargestellt ist, umfaßt ein Polarisator einen
Wellenleiter 1, in den eine dielektrische Platte 2 mit einer
Dielektrizitätskonstanten von ungefähr 10 eingesetzt ist.
Diese dielektrische Platte 2 ist dergestalt, daß deren
Dielektrizitätskonstante sich in einer axialen Richtung des
Wellenleiters kontinuierlich ändert, indem V-förmig angewin
kelte Abschnitte 3 an deren entgegengesetzten Enden ausge
bildet sind. Mit einer derartigen Struktur werden Reflextio
nen der elektrischen Welle an dem Grenzbereich der dielek
trischen Platte und der Luft verhindert, wenn eine elektri
sche Welle in den Polarisator einfällt oder von diesem
abgestrahlt wird, indem sich die Dielektrizitätskonstante
der dielektrischen Platte ändert.
Ebenfalls kann dieser Polarisator miniaturisiert werden,
indem Keramiken mit hohen Dielektrizitätskonstanten als
dielektrische Platte eingesetzt werden. Wenn jedoch Kera
miken mit hohen Dielektrizitätskonstanten verwendet werden,
steigt die Differenz zwischen der Dielektrizitätskonstanten
von Luft und derjenigen der dielektrischen Platte an, so daß
eine Ausbreitungswelle, wie beispielsweise eine Übergangs
welle oder Schnittstellenwelle an der Grenze zwischen Luft
und der dielektrischen Platte erzeugt wird, was zu einer
Erhöhung des Übertragungsverlustes führt.
Daher liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde,
dielektrische Keramiken zu schaffen, die sich für eine
Miniaturisierung und für eine Kontaktierung äußerer Schal
tungen bei Verwendung in einer Streifenleitungsvorrichtung,
in einem monolithischen IC oder in einem ähnlichen elektri
schen Gerät eignen.
Diese Aufgabe wird durch dielektrische Keramiken gemäß
Patentanspruch 1 gelöst.
Vorzugsweise sollen die erfindungsgemäßen Keramiken eine
Miniaturisierung der Geräte und eine Reduktion der Über
tragungsverluste bei Verwendung in einem Polarisator oder
einem ähnlichen elektronischen Gerät ermöglichen. Weiterhin
ist es wünschenswert, elektronische Geräte und Teile unter
Verwendung dieser dielektrischen Keramiken zu schaffen.
Die Erfindung liefert dielektrische Keramiken, die zumindest
zwei Sorten von Metallionen umfassen und in denen sich die
Dielektrizitätskonstante kontinuierlich oder schrittweise als
Funktion des Ortes ändert.
In der dielektrischen Keramik umfassen die Metallionen
wenigstens zwei aus der folgenden Gruppe ausgewählte Ionen:
Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Pb, Bi, Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Er, Ti,
Zr, Sn, Si und Mn, wobei sich die Dielektrizitätskonstante ε
in dem Bereich von 7ε90 ändert.
Unter Verwendung der erfindungsgemäßen Keramik ist die
Dielektrizitätskonstante in einem dielektrischen Substrat in
einer Richtung oder in allen Richtungen, die parallel zu
einer Oberfläche sind, gleichmäßig nahe an einem Mittenab
schnitt und wird schrittweise oder kontinuierlich geringer in
Richtung auf deren Enden.
Auf dem dielektrischen Substrat kann eine Leitung, die pa
rallel zur Hauptfläche ist, auf dessen Oberfläche oder in
nerhalb des Substrates ausgebildet sein. An einem Abschnitt,
an dem die Dielektrizitätskonstante vermindert ist, wird ein
leitfähiger Abschnitt, dessen Breite zu den Enden hin zu
nimmt, ausgebildet.
Ein Polarisator kann gleichfalls unter Verwendung der Kera
miken nach der Erfindung hergestellt werden. In diesem Fall
werden die dielektrischen Keramiken in einer Form gebildet,
wobei konische Abschnitte an entgegengesetzten Enden einer
kreisförmigen Säule oder pyramidenförmige Abschnitte an
entgegengesetzten Enden einer quadratischen Säule ausgebil
det sind. In einer Richtung, die parallel zu einer Ober
fläche senkrecht zu der Axialrichtung der zirkularen oder
quadratischen Säule liegt, ändert sich die Dielektrizitäts
konstante kontinuierlich oder schrittweise.
Da ein Abschnitt auf der dielektrischen Keramik vorliegt,
bei dem sich die Dielektrizitätskonstante kontinuierlich
oder schrittweise ändert, ändert sich eine Leitungsbreite
entsprechend der Änderung der Dielektrizitätskonstante im
Falle der Ausbildung einer Streifenleitung mit einer
konstanten charakteristischen Impedanz auf dem dielektri
schen Substrat unter Verwendung der dielektrischen Keramik.
Bei dem Polarisator unter Verwendung der dielektrischen
Keramik wird kaum eine Ausbreitungswelle an einem Übergang
oder einer Schnittstelle erzeugt, da keine Übergangsstelle
vorliegt, bei der die Differenz der Dielektrizitätskonstan
ten zwischen Luft und der dielektrischen Platte auftritt,
wie dies in der Vergangenheit der Fall ist.
Selbst im Falle der Erzeugung der Streifenleitung mit
konstanter charakteristischer Impedanz gemäß der Erfindung
ändert sich die Leitungsbreite in Abhängigkeit von dem Ort.
Da demgemäß die Streifenleitungsbreite an dem Ende des
dielektrischen Substrates aufgeweitet sein kann, ist es
möglich, eine Kontaktierung äußerer Schaltungen vorzunehmen.
Im Falle der Herstellung eines Polarisators unter Verwendung
der dielektrischen Keramik kann dieser miniaturisiert wer
den, da ein Bereich existiert, an dem die Dielektrizitäts
konstante hoch ist. Da sich die Dielektrizitätskonstante der
dielektrischen Keramik ständig oder schrittweise ändert,
gibt es keinen Bereich, an dem eine große Differenz der Di
elektrizitätskonstante vorliegt, was zu einem verminderten
Übertragungsverlust führt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Ausführungsbeispieles eines dielektrischen Sub
strates unter Verwendung einer dielektrischen
Keramik nach der Erfindung;
Fig. 2 eine graphische Darstellung eines Verteilungs
zustandes der Dielektrizitätskonstanten des
dielektrischen Substrates gemäß Fig. 1;
Fig. 3 eine Draufsicht auf einen Zustand, bei dem eine
Streifenleitungselektrode auf dem dielektrischen
Substrat gem. Fig. 1 ausgebildet ist;
Fig. 4(A) eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Blockes, der durch Laminieren von sog. grünen
Schichten zum Erzeugen des erfindungsgemäßen
dielektrischen Substrates gebildet ist;
Fig. 4(B) eine erläuternde Darstellung eines Endabschnittes
des Blockes;
Fig. 5 eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
geformten Körpers, der durch Schneiden des in Fig.
4 gezeigten Blockes erzeugt ist;
Fig. 6(A) eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Sinterteiles, welches durch Brennen des in Fig. 5
gezeigten, geformten Körpers hergestellt ist;
Fig. 6(B) eine graphische Darstellung der Zusammensetzungs
verteilung;
Fig. 7 eine graphische Darstellung eines Verteilungszu
standes einer Dielektrizitätskonstanten des
Sinterkörpers gem. Fig. 6;
Fig. 8 eine Draufsicht eines Zustandes, bei dem eine
Streifenleitungselektrode auf dem in Fig. 1 ge
zeigten dielektrischen Substrat ausgebildet ist;
Fig. 9 eine Draufsicht einer Streifenleitungsvorrichtung,
die zum Vergleich mit einem dielektrischen Sub
strat der Erfindung hergestellt ist;
Fig. 10 eine Draufsicht und eine Frontansicht eines verän
derten Ausführungsbeispieles des in Fig. 3 gezeig
ten Streifenleitungsgerätes;
Fig. 11(A) eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Ausführungsbeispieles des dielektrischen Substra
tes zur Verwendung in einem monolithischen IC un
ter Verwendung einer erfindungsgemäßen dielektri
schen Keramik;
Fig. 11(B) eine graphische Darstellung eines Verteilungs
zustandes ihrer Dielektrizitätskonstanten;
Fig. 12(A) eine perspektivische Darstellung eines Blockes,
der aus einer Art des Rohmaterials gebildet ist;
Fig. 12(B) eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Strukturkörpers, der durch Tauchen des Blockes in
eine Schlämmung mit einer Vielzahl von Rohmate
rialen erhalten wird;
Fig. 13 eine graphische Darstellung eines Verteilungs
zustandes der Dielektrizitätskonstanten des in
Fig. 11 gezeigten dielektrischen Substrates;
Fig. 14 eine Draufsicht auf einen Zustand, bei dem eine
Streifenleitung auf dem dielektrischen Substrat,
das in Fig. 11 gezeigt ist, ausgebildet ist;
Fig. 15 eine Draufsicht eines Zustandes, bei dem eine
Streifenleitung auf einem dielektrischen Substrat
ausgebildet ist, welches durch eine Art des Roh
materials gebildet ist;
Fig. 16(A) und Fig. 16(B) zur Erläuterung dienende Darstel
lungen von abgeänderten Ausführungsbeispielen des
in Fig. 11 gezeigten dielektrischen Substrates;
Fig. 17 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines
dielektrischen Blockes eines Polarisators unter
Verwendung der erfindungsgemäßen dielektrischen
Keramik;
Fig. 18(A) eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Schnittes des in Fig. 17 gezeigten dielektrischen
Blocks;
Fig. 18(B) eine graphische Darstellung eines Verteilungs
zustandes seiner Dielektrizitätskonstanten;
Fig. 19 eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Laminates, in das eine Grünschicht mit einer
Mehrzahl von Rohmaterialien einlaminiert ist, um
den in Fig. 17 gezeigten dielektrischen Block zu
erzeugen;
Fig. 20(A) eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Ausführungsbeispiels, welches durch Brennen und
Schneiden des in Fig. 19 gezeigten Laminates er
halten wird;
Fig. 20(B) eine graphische Darstellung der Zusammensetzungs
verteilung der Dielektrizitätskonstante eines
Sinterkörpers, der durch Brennen des in Fig. 19
gezeigten Laminates erhalten wird;
Fig. 22(A) eine fragmentarische, zur Erläuterung dienende
Darstellung eines Sinterkörpers, der durch
Brennen des in Fig. 19 gezeigten Laminates er
halten wird;
Fig. 22(B) eine fragmentarische, zur Erläuterung dienende
Darstellung einer säulenförmigen Stange, die
durch Schleifen des Sinterkörpers erhalten wird;
Fig. 23 eine Draufsicht auf eine dielektrische Platte,
die als Vergleichsbeispiel gebildet wird;
Fig. 24(A), Fig. 24(B) und Fig. 24(C) zur Erläuterung
dienende Schnittdarstellungen abweichender Aus
führungsbeispiele des in Fig. 17 gezeigten di
elektrischen Blocks;
Fig. 25(A) eine zur Erläuterung dienende Draufsichtdarstel
lung eines Ausführungsbeispieles eines bekannten
Polarisationsübertragers; und
Fig. 25(B) dessen zur Erläuterung dienende Querschnitts
darstellung.
Fig. 1 ist eine zur Erläuterung dienende Darstellung eines
Ausführungsbeispieles der Erfindung. Ein dielektrisches
Substrat 10 wird durch Zusammensetzungen gebildet, die
wenigstens zwei oder mehr Arten von Metallionen enthalten,
die aus folgender Gruppe ausgewählt sind: Mg, Ca, Sr, Ba,
Zn, Pb, Bi, Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Er, Ti, Zr, Sn, Si und
Mn. Das dielektrische Substrat 10 besteht aus einem Mitten
abschnitt 12, der innerhalb der Abschnitte liegt, die durch
die gestrichelten Linien in Fig. 1 bezeichnet sind, und aus
äußeren Abschnitten 14, die außerhalb des durch die ge
strichelten Linien bezeichneten Abschnittes liegen. Der
mittlere Abschnitt 12 und die äußeren Abschnitte 14 sind
einstückig ausgebildet.
Der mittige Abschnitt 12 ist derart ausgebildet, daß dessen
Zusammensetzung gleichförmig ist. Die äußeren Abschnitte 14
sind derart ausgebildet, daß deren Zusammensetzung in Ab
hängigkeit vom Ort abweicht. Die äußeren Abschnitte 14 sind
derartig, daß sich deren Zusammensetzungsverteilung in einer
solchen Weise ändert, daß eine Dielektrizitätskonstante ε
innerhalb des Bereiches 7ε90 in Richtung auf die Enden
des Mittenabschnittes 12 kleiner wird. Diese Zusammen
setzungsverteilung kann schrittweise oder kontinuierlich
geändert werden. Demgemäß ist in der durch den Pfeil X ge
zeigten Richtung der Verteilungszustand der Dielektrizitäts
konstante von einem Ende zu dem anderen Ende des dielektri
schen Substrates 10, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist, in dem
mittleren Abschnitt 12 konstant und in den äußeren Abschnit
ten 14 geneigt.
Wenn üblicherweise eine Streifenleitung auf einem dielektri
schen Substrat erzeugt wird, bei der die dielektrische
Konstante ε ist und die Streifenleitungsbreite W ist, ergibt
sich folgende charakteristische Impedanz Z in Abhängigkeit
von der Dicke t:
Z = 60A-0.5ln (8t(W + 0.25 W/t)) (für den Fall, daß W/t 1)
Z = 120π6-0.5 (W/T + 1.393 + 0.667 ln (W/t + 1.444))-1
(für den Fall, daß W/t 1).
In diesen Gleichungen gilt folgender Zusammenhang für den
Wert A:
A = 0.5 (ε + 1) + 0.5 (ε - 1) F (W/t).
In dieser Gleichung bezeichnet F (W/t) folgendes:
F (W/t) = (1 + 12t/W)-0.5 + 0.04 (1 - W/T)²
(für den Fall, daß W/t 1)
F (W/t) = (1 + 12t/W)-0.5 (für den Fall, daß W/t 1).
Für den Fall, daß die charakteristische Impedanz Z 50 Ω ist
und die Substratdicke 1 mm beträgt, ist die Beziehung zwi
schen der dielektrischen Konstante ε und der Streifenlei
tungsbreite W in Tabelle 1 dargestellt. Man erkennt aus der
Tabelle 1, daß durch Erhöhung der Dielektrizitätskonstante ε
des dielektrischen Substrates 10 die Streifenleitungsbreite
W, die für eine bestimmte charakteristische Impedanz benö
tigt wird, verschmälert werden kann.
Aus dieser Beziehung zwischen Dielektrizitätskonstante und
der Streifenleitungsbreite ergibt sich für den Fall, daß die
charakteristische Impedanz auf jedem Punkt der Streifen
leitung gleich ist, bei Erzeugung einer Elektrode auf dem
dielektrischen Substrat 10 eine Elektrodengröße 16, die an
dessen Enden gemäß Fig. 3 zunehmend ist. Demzufolge kann ein
koaxiales Kabel oder ein ähnliches elektrisches Gerät an den
vergrößerten leitfähigen Abschnitt der Elektrode 16 ange
bondet werden. Obwohl dies nicht dargestellt ist, kann eine
Masse-Elektrode auf der gesamten Rückseite des dielektri
schen Substrates 10 ausgebildet sein.
Als Ausführungsbeispiele wurden dielektrische Keramikzusam
mensetzungen, deren Dielektrizitätskonstante sich wunschge
mäß ändert, auf der Grundlage der folgenden gemischten Kri
stallmaterialgruppen hergestellt oder durch Kombination
derselben oder durch Herstellung von Ersatzstoffen für diese
erzeugt.
BaO-Pb₃O₄-Nd₂O₃-TiO₂-Gruppe ε = 37-90
CaO-MgO-TiO₂-Gruppe ε = 17-170
SnO₂-TiO₂-Gruppe ε = 9-104
MgO-TiO₂-SiO₂-Gruppe ε = 6-17
CaO-MgO-TiO₂-Gruppe ε = 17-170
SnO₂-TiO₂-Gruppe ε = 9-104
MgO-TiO₂-SiO₂-Gruppe ε = 6-17
Insbesondere wurden MgCO3, CaCO3, BaCO3, Nd2O3, TiO2, SiO2 und
Pb3O4 als sog. "grüne", d. h. ungebrannte Rohmaterialien
vorbereitet, deren Gewichtsverhältnisse wie in Fig. 2 ge
zeigt ausgewählt wurden, gemischt und in einer Naßkugelmühle
pulverisiert, um neun verschiedene Arten von pulverartig
gemischten Rohmaterialien zu erhalten.
Die gemischten Rohmaterialien wurden in Luft bei 1150°C wäh
rend einer Zeitdauer von zwei Stunden kalziniert, daraufhin
mit einem Trockenschleifgerät pulverisiert, um ein kalzi
niertes Pulver mit einem mittleren Partikeldurchmesser von
1,5 µm zu erhalten. Ein organisches Lösungsmittel, welches
Äthanol und Toluen in einem Verhältnis von 8 : 2 bezogen auf
das Volumen enthält, ein Binder der Polyvinylbutyral-Gruppe,
ein Weichmacher der Dioktyl-Phthalat-Gruppe und ein Disper
sionsmittel einer Lösungsmittel-Fett-Säureester-Gruppe
wurden gemischt, um eine Schlämmung des kalzinierten Pulvers
zu erhalten. Unter Verwendung dieser drei Schlämmungen wur
den neun Arten von Grünschichten mittels eines sogenannten
"Doktor-Klingen"-Verfahrens hergestellt.
Für die Messung einfacher Substanzcharakteristika wurde eine
jede der neuen Arten von Grünschichten laminiert und nach
Durchführung eines Wärmepreßverfahrens in geformte Körper
von 10×10×0,5 mm geschnitten. Nachdem die organischen
Komponenten der neun Arten von geformten Körpern in der Luft
bei 500°C verbrannt worden sind, wurde während einer Zeit
dauer von zwei Stunden ein Brennen in einer Sauerstoffatmos
phäre durchgeführt, um gesinterte Körper zu erhalten.
In-Ga-Elektroden wurden auf diese neun Arten von gesinterten
Körpern aufgebracht, wobei die jeweiligen Dielektrizitäts
konstanten gemessen worden sind. Die Ergebnisse sind in der
Tabelle 2 dargestellt.
Als nächstes wurden zum Erzielen von erfindungsgemäßen di
elektrischen Substraten die durch die Rohmaterialien gemäß
den Nummern 1 bis 9 gebildeten Grünschichten laminiert und
einem Wärmepressen ausgesetzt, um einen Block 20 zu erzeu
gen, wie er in Fig. 4(A) dargestellt ist. Zu diesem Zeit
punkt wird ein Mittenabschnitt 22 des Blockes 20 durch die
Grünschicht hergestellt, die aus dem Rohmaterial Nr. 9 be
steht, wobei Endabschnitte 24 durch Laminieren grüner
Schichten gebildet werden, die aus den Rohmaterialien der
Nummern 1 bis 8 gemäß Fig. 4 (B) gebildet sind. Diese Blöcke
werden geschnitten, um einen geformten Körper 30 mit den Ab
messungen von 5,0×13,2×1,5 mm gemäß Fig. 5 zu erhalten.
In dem geformten Körper 30 beträgt eine Länge L1 des Ab
schnittes 22, welcher aus dem Rohmaterial Nr. 9 besteht,
10,0 mm, während eine Länge L2 der Endabschnitte 24, die aus
den Rohmaterialien Nr. 1 bis 8 gebildet sind, jeweils 1,6 mm
beträgt.
Nach dem Verbrennen der organischen Komponenten des geform
ten Körpers 30, das in Luft bei 500°C erfolgt, wird ein
Brennen in einer Sauerstoffatmosphäre bei 1350°C über eine
Zeitdauer von zwei Stunden zum Erhalten eines Sinterkörpers
40 durchgeführt. Für den gesinterten Körper 40 wurde eine
Zusammensetzungsanalyse (Linienanalyse) bezüglich der Stoffe
Ca und Ba unter Verwendung eines Röntgenstrahl-Mikroanaly
sators in der durch den Pfeil X in Fig. 6(A) gezeigten
Richtung durchgeführt. Als Ergebnis hat sich herausgestellt,
daß der Sinterkörper 40 eine gleichmäßige, uniforme Zusam
mensetzungsverteilung in einem Mittenabschnitt 42 und eine
geneigte oder ansteigende Zusammensetzungsverteilung in den
Endabschnitten 44 hat, wie dies in Fig. 6(B) dargestellt
ist. Aufgrund der Daten, die zu dieser Zusammensetzungsver
teilung in Bezug stehen, und der Daten, die zu der Dielek
trizitätskonstante einer einfachen Substanz in Bezug stehen,
wurde herausgefunden, daß eine geneigte dielektrische
Konstantenstruktur gemäß Fig. 7 innerhalb des Sinterkörpers
erzeugt ist.
Der erhaltene Sinterkörper wurde auf Masse gelegt, um ein
dielektrisches Substrat 10 zu erzeugen. Eine Ag-Elektrode
wurde über eine gesamte Hauptoberfläche des dielektrischen
Substrates 10 ausgebildet. Unter Berücksichtigung der
Charakteristik der Dielektrizitätskonstante und der Zusam
mensetzungsneigung des dielektrischen Substrates 10 wurde
die in Fig. 8 gezeigte Streifenelektrode 16 auf der anderen
Hauptfläche des dielektrischen Substrates 10 erzeugt, so daß
sich eine charakteristische Impedanz von 50 Ω ergibt. Eine
Breite W1 der Streifenleitungselektrode 16, die an dem Mit
tenabschnitt 12 des dielektrischen Substrates ausgebildet
ist, beträgt 0,08 mm. Die Breite W2 der obersten Streifen
leitungselektrode 16, die an den Außenabschnitten ausgebil
det ist, beträgt 0,60 mm.
Zum Vergleich wurde ein dielektrisches Substrat 5 mit einer
Dielektrizitätskonstante 65 des Substrates unter Verwendung
des Rohmaterials Nr. 9 gemäß Tabelle 2 hergestellt, wie dies
in Fig. 9 gezeigt ist. Die Dicke des dielektrischen Substra
tes 5 beträgt 1 mm. Eine Streifenelektrode 6 mit einer
festen Breite von 0,08 mm wird auf dem dielektrischen
Substrat 5 ausgebildet. Die charakteristische Impedanz der
Streifenleitungselektrode 6 beträgt gleichfalls 50 Ω und
entspricht somit dem oben genannten Ausführungsbeispiel. Das
Ergebnis des Anlötens von Kupferdrähten mit 0,1 mm, 0,3 mm,
0,5 mm und 1,0 mm Durchmesser an die Enden der Streifen
leitungselektroden dieser beiden Vorrichtungen bzw. Geräte
sind in der Tabelle 3 verdeutlicht. In der Tabelle 3 be
zeichnet das Symbol O, daß das Anlöten möglich ist, während
das Symbol X zeigt, daß das Löten nicht möglich ist.
Unter Verwendung des erfindungsgemäßen dielektrischen Sub
strates können die Enden der Mikrostreifenelektrode verbrei
tert werden, so daß es möglich ist, diese Abschnitte als
leitfähige Abschnitte zum Anbonden eines koaxialen Kabels
oder dergleichen zu verwenden.
Obwohl bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel die Strei
fenleitung auf der Oberfläche des dielektrischen Substrates
10 ausgebildet wurde, kann mit einer ähnlichen Bauweise eine
Leitung 16 innerhalb des dielektrischen Substrates 10 ausge
bildet sein, wie dies in Fig. 10 gezeigt ist. Obwohl dies in
Fig. 10 nicht im einzelnen dargestellt ist, kann eine
Masse-Elektrode über eine Hauptoberfläche oder die andere
Hauptoberfläche des dielektrischen Substrates 10 ausgebildet
sein.
Das erfindungsgemäße dielektrische Substrat ist gleichfalls
als dielektrisches Substrat für eine gestützte Streifenlei
tung, für eine konisch-planare Streifenleitung und für einen
Schlitzleiter verwendbar, und nicht nur für die oben be
schriebenen Ausführungsbeispiele einer Mikrostreifenleitung,
und ist wirksam als Mikrostreifenleitungsvorrichtung.
Das erfindungsgemäße dielektrische Substrat kann gleichfalls
als Substrat für ein monolithisches IC eingesetzt werden. In
diesem Fall, der in den Fig. 11(A) und 11(B) dargestellt
ist, wird ein dielektrisches Substrat 50 derart ausgebildet,
daß eine Dielektrizitätskonstante in dessen Mittenabschnitt
52 gleichmäßig ist und sich die Dielektrizitätskonstante in
einem äußeren Abschnitt 54 in Richtung zur Peripherie hin
erniedrigt. Auch bei einem derartigen dielektrischen
Substrat 50, welches dem dielektrischen Substrat 10 gemäß
Fig. 1 gleicht, ist es möglich, die Leitungsbreite im Mit
tenabschnitt 52 zu vermindern und die Breite des leitfähigen
Abschnittes an dem äußeren Bereich 54 aufzuweiten. Wenn
daher das dielektrische Substrat 50 verwendet wird, ist es
möglich, das monolithische IC zu miniaturisieren und einen
Kontakt zu äußeren Schaltungen herzustellen.
Zur Herstellung eines derartigen dielektrischen Substrates
50 wurden die Stoffe CaCO3, MgCO3, TiO2 und ZrO2 mit einem
mittleren Teilchen-Durchmesser von 1 bis 2 µm und einer
Reinheit von 99% für die Herstellung der sog. "grünen"
Rohmaterialien verwendet. Die grünen Rohmaterialien wurden
in den in Tabelle 1 gezeigten Gewichtsverhältnissen abgewo
gen, um acht verschiedene Arten von gemischten Rohmateria
lien zu erhalten.
Die gemischten Rohmaterialien wurden in Luft bei 1150°C
während einer Zeitdauer von zwei Stunden kalziniert, um eine
grüne Schicht in der gleichen Art zu erhalten, wie die bei
der Herstellung des dielektrischen Substrates 10 gemäß Fig.
1 angewandt wurde. Jede der grünen Schichten wurde laminiert
und einem Wärmepressen unterworfen, um acht verschiedene
Arten von geformten Körpern zu erzielen. Der auf diese Weise
erhaltene geformte Körper wird in Luft bei 1370°C während
zwei Stunden zum Herstellen eines gesinterten Körpers ge
brannt, nachdem organische Komponenten in Luft bei 400°C
verbrannt worden sind. Der erhaltene Sinterkörper wurde in
eine Größe von 10×10×0,5 mm geschnitten. Es wurde eine
In-Ga-Elektrode erzeugt, woraufhin die Dielektrizitätskon
stanten gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4
gezeigt.
Als nächstes wurde zum Erhalten des dielektrischen Substra
tes 50, das in Fig. 11(A) gezeigt ist, eine Grünschicht
unter Verwendung des Rohmaterials Nr. 8 laminiert, um einen
Block 60 von 20×20×50 mm gemäß Fig. 12(A) zu erhalten.
Der auf diese Weise erhaltene Block 60 wurde in einem Heiz
gerät auf 160°C erwärmt und in eine Schlämmung unter Verwen
dung der Rohmaterialien Nr. 7 für eine Zeitdauer von zwei
Sekunden eingetaucht, herausgezogen und mit heißer Luft
getrocknet. Dann wurden mittels einer isostatischen Presse
der Block 60 und die Schlämmung unter Verwendung des Roh
materials Nr. 7 akklimatisiert. Diese Operationen wurden der
Reihe nach für die Schlämmung unter Verwendung des Rohmate
rials Nr. 7 bis zu der Schlämmung unter Verwendung des Roh
materials Nr. 1 durchgeführt. Mittels eines derartigen
Prozesses wurde ein strukturierter Körper 64 erzeugt, dessen
Zusammensetzung in einem Mittenabschnitt 60 uniform ist und
dessen Zusammensetzung sich an seinen äußeren Abschnitten 62
in Richtung zu den Endabschnitten ändert, wie dies in Fig.
12(B) gezeigt ist. Die Dicke des äußeren Abschnittes 62 des
strukturierten Körpers 64 beträgt 1 mm.
Der strukturierte Körper 64, der auf diese Weise erhalten
worden ist, wird in Luft bei 1370°C für zwei Stunden ge
brannt, nachdem organische Komponenten in Luft bei 400°C
verbrannt worden sind, um einen blockförmigen Sinterkörper
mit 15×15×37 mm Abmessungen zu erhalten. Der Sinter
körper wurde mit einem Diamantschneidegerät in Scheiben
geschnitten und geschliffen, um ein dielektrisches Substrat
50 des in Fig. 11(A) gezeigten monolithischen integrierten
Schaltkreises (IC) zu erhalten. Die Größe des dielektrischen
Substrates 50 beträgt 15×15×1 mm.
Für das erhaltene dielektrische Substrat 50 wurde eine
Zusammensetzungsanalyse (Linienanalyse) bezüglich des
Stoffes Ca in der durch den Pfeil X in Fig. (A) gezeigten
Richtung unter Verwendung eines Röntgenstrahl-Mikroanalyse
gerätes durchgeführt. Als Ergebnis hat sich herausgestellt,
daß die in Fig. 13 gezeigte Zusammensetzungsverteilung vor
liegt. Ferner wurde aufgrund der Zusammensetzungsverteilung
und der Dielektrizitätskonstantencharakteristika der einfa
chen Substanz herausgefunden, daß das dielektrische Substrat
50 eine geneigte Dielektrizitätskonstantenstruktur hat, wie
dies in Fig. 11(B) gezeigt ist.
Eine Ag-Elektrode wurde über eine gesamte Hauptoberfläche
des dielektrischen Substrates 50 ausgebildet. Unter Berück
sichtigung der Dielektrizitätskonstantencharakteristika und
der Zusammensetzungsneigung des dielektrischen Substrates 50
wurde eine Streifenelektrode 56 gemäß Fig. 14 auf die andere
Hauptoberfläche des dielektrischen Substrates 50 derart
aufgebracht, daß sich eine charakteristische Impedanz von 50
Ω ergibt. Eine Breite W3 der Streifenelektrode 56, die an
einem Mittenabschnitt 52 des dielektrischen Substrates 50
ausgebildet worden ist, beträgt 0,11 mm. Die Breite W4 an
den äußeren Enden der Streifenelektrode 56, die an einem
äußeren Abschnitt 54 ausgebildet ist, beträgt 1,0 mm.
Zum Vergleich wurde ein dielektrisches Substrat 60, das aus
einer einzigen Komponente besteht, unter Verwendung des Roh
materials Nr. 8 hergestellt. Die Streifenelektrode 56 mit
der gleichen Größe wie diejenige, die auf dem dielektrischen
Substrat 50 der vorliegenden Erfindung ausgebildet wurde,
wurde gemäß Fig. 15 erzeugt.
Für diese Streifenleitungen wurde ein Reflextionskoeffizient
r unter Verwendung eines Meßsystemes der 50-Ω-Ordnung gemes
sen. Als Ergebnis wurde ein Reflextionskoeffizient r = 0,34
bei dem Vergleichsausführungsbeispiel bezogen auf den
Reflextionskoeffizienten r = 0,00 für das erfindungsgemäße
Ausführungsbeispiel des dielektrischen Substrates 50 be
stimmt. Bei Verwendung der erfindungsgemäßen dielektrischen
Keramik kann ein monolithisches IC leicht nach außen hin
kontaktiert werden, während eine Impedanzanpassung aufrecht
erhalten wird. Das bedeutet, daß die Streifenelektrode 56,
die an dem äußeren Abschnitt 54 ausgebildet ist, als leitfä
higer Abschnitt zum Anschließen der äußeren Schaltungen ver
wendet werden kann. Da ferner die Leitungsbreite der Strei
fenelektrode 56 in dem Mittenabschnitt 52 des dielektrischen
Substrates 50 vermindert werden kann, ist es möglich, ein
monolithisches IC von geringer Abmessung zu erhalten.
Ein Abschnitt 58, bei dem die Dielektrizitätskonstante
geneigt verläuft, wird an einer Ecke des dielektrischen
Substrates 50 oder längs einer Seite desselben ausgebildet,
wie dies in den Fig. 16(A) und 16(B) gezeigt ist.
Fig. 17 ist eine perspektivische Darstellung eines Ausfüh
rungsbeispiels, bei dem die erfindungsgemäße dielektrische
Keramik auf einen Polarisator angewendet wird. Der dielek
trische Block 70 umfaßt einen Säulenabschnitt 72, an dessen
einander entgegengesetzten Enden konische Abschnitte 74 aus
gebildet sind. Innerhalb des dielektrischen Blockes 70 gibt
es, wie in Fig. 18(A) dargestellt ist, einen geneigten Ab
schnitt 76, an dem die Dielektrizitätskonstantenverteilung
geneigt ist, in einer Richtung parallel zu der Fläche, die
senkrecht auf einer Achse des Säulenabschnittes 72 steht.
Der geneigte Abschnitt 76 ist an einem Mittenabschnitt des
dielektrischen Blockes 70 ausgebildet. In diesem in Fig. 19
(B) gezeigten Fall ist die Dielektrizitätskonstante an dem
Mittenabschnitt des geneigten Abschnittes 76 groß und nimmt
zu den beiden Seiten hin ab. An den beiden Seiten des ge
neigten Abschnittes 76 sind Abschnitte 78 ausgebildet, bei
denen eine geringe Dielektrizitätskonstante gleichmäßig
verteilt ist.
Da in einem derartigen dielektrischen Block 70 ein geneigter
Abschnitt 76 vorgesehen ist, gibt es keine Stelle mit einer
großen Differenz bezüglich der Dielektrizitätskonstante. Da
her wird keine Übergangswelle erzeugt, wodurch die Übertra
gungsverluste vermindert werden. Ferner gibt es einen Ab
schnitt einer hohen Dielektrizitätskonstante in dem dielek
trischen Block 70, so daß der Polarisator miniaturisiert
werden kann.
Zum Herstellen des dielektrischen Blockes 70 werden CaCO3,
MgCO3, SnO2, TiO2, La2O3 und MnCO3 mit einem mittleren Teil
chen-Durchmesser von 1 bis 2 µm und einer Reinheit von 99%
zur Erzeugung der grünen Rohmaterialien verwendet. Die grü
nen Rohmaterialien werden dann in den in Tabelle 5 gezeigten
Gewichtsverhältnissen abgewogen, um vierzehn verschiedene
Arten von gemischten Rohmaterialien zu erhalten. Die ge
mischten Rohmaterialien werden in Luft bei 1150°C über eine
Zeitdauer von zwei Stunden kalziniert, um vierzehn Arten von
kalzinierten Rohmaterialien zu erhalten.
Die kalzinierten Rohmaterialien werden verwendet, um vier
zehn verschiedene Arten von Grünschichten in der gleichen
Art wie bei der Herstellung des dielektrischen Substrates 10
zu erzeugen. Daraufhin wird eine jede der grünen Schichten
laminiert und einem Wärmepressen unterworfen, um einen
geformten Körper herzustellen. Der geformte Körper wird in
Luft bei 1370°C über eine Zeitdauer von zwei Stunden ge
brannt, um vierzehn verschiedene Arten von Sinterkörpern zu
erhalten, nachdem organische Komponenten in der Luft bei
400°C verbrannt worden sind. Der gesinterte Körper wird auf
eine Größe von 10×10×0,5 mm geschnitten. Daraufhin wird
eine In-Ga-Elektrode erzeugt. Anschließend werden die Di
elektrizitätskonstanten gemessen, wie dies in Fig. 5 dar
gestellt ist.
Zum Erzeugen eines dielektrischen Blockes 70 werden die
Grünschichten laminiert, wie dies in Fig. 19 gezeigt ist.
Eine Grünschicht, die aus dem Rohmaterial Nr. 14 hergestellt
ist, wird mit einer Dicke von 2,0 mm in einem Mittenab
schnitt einlaminiert. Auf deren beide Seiten werden Grün
schichten aus den Rohmaterialien Nr. 13 bis 2 der Reihe nach
mit einer jeweiligen Dicke von 0,1 mm laminiert. An den
beiden Seiten der durch die Rohmaterialien Nr. 2 gebildeten
Grünschichten wird eine Grünschicht aus den Rohmaterialien
Nr. 1 auflaminiert, die eine Dicke von 9,0 mm hat. Auf diese
Art wird ein Block 80 erhalten. Die Breite des Blockes 80
beträgt 23,0 mm. Dessen Länge ist 46,0 mm.
Der auf diese Weise erhaltene Block 80 wird in Luft bei
1370°C während einer Zeitdauer von zwei Stunden gebrannt, um
einen blockförmigen Sinterkörper mit den Abmessungen 17×17
×35 mm zu erhalten, nachdem die organischen Komponenten in
Luft bei 400°C verbrannt worden sind.
Der gesinterte Körper wird senkrecht zu dessen Achse ge
schnitten, um eine Probe 90 zu erhalten. Demgemäß hat die
Probe 90 einen Abschnitt 92, der aus den Rohmaterialien Nr.
2 bis 14 gebildet wird, an dessen beiden Seiten Abschnitte
94 ausgebildet sind, die aus dem Rohmaterial Nr. 1 bestehen.
Bei der Probe 90 wird eine Zusammensetzungsanalyse (Linien
analyse) bezüglich Sn und Ca mittels eines Röntgenstrahl-
Mikroanalysators in der in Fig. 20(A) durch den Pfeil X
dargestellten Richtung ausgeführt. Als Ergebnis hat man
herausgefunden, daß eine Zusammensetzungsverteilung gemäß
Fig. 20(B) vorliegt. Aus dieser Zusammensetzungsverteilung
und der Dielektrizitätskonstantencharakteristika des ein
fachen Substrates ist es offenkundig, daß der gesinterte
Körper eine geneigte Dielektrizitätskonstantenstruktur hat,
wie dies in Fig. 21 gezeigt ist.
Als nächstes wird der Sinterkörper, der in Fig. 22(A)
gezeigt ist, einem äußeren Schleifen unterworfen, um eine
säulenförmige Stange von 12 mm Durchmesser zu erhalten, wie
dies in Fig. 22(B) gezeigt ist, welche weiter auf eine
Länge von 30 mm mittels eines Diamantschneidegerätes ge
schnitten wird. Der Sinterkörper wird durch Schleifen in
eine konische Form an den Abschnitten, die 5 mm von den
entgegengesetzten Enden entfernt sind, drehbearbeitet, um
den in Fig. 17 gezeigten dielektrischen Block zu erhalten.
Zum Vergleich wird, wie in Fig. 23 gezeigt ist, eine Fluor
harz-Platte von 30×12×2 mm in dreieckiger Form an Ab
schnitten, die 5 mm von den entgegengesetzten Enden entfernt
liegen, vorbereitet. Zum Vergleich wurde eine Platte mit der
Form gemäß Fig. 23 unter Verwendung der Rohmaterialien gemäß
Fig. 11 hergestellt.
Zur Erzeugung eines Prüfprobekörpers wurden Proben des
erfindungsgemäßen dielektrischen Blocks 70, die Fluorharz-
Platte und eine Platte unter Verwendung des Rohmaterials Nr.
11 in einen Wellenleiter von 12 mm Innendurchmesser einge
setzt. Dann wurde eine zirkular polarisierte Welle der
Frequenz 5 GHz mit einer Phasendifferenz von 90° zwischen
der horizontalen Polarisation und der vertikalen Polarisa
tion in derartige Probekörper eingeführt. Der durch den
Polarisator erzeugte Verlust und der Phasenwinkel zwischen
der horizontalen Polarisation und der vertikalen Polari
sation der den Polarisator durchlaufenden Welle wurden
gemessen, wobei die Ergebnisse in Tabelle 6 gezeigt sind.
Wie man aus Tabelle 6 erkennt, ist bei Verwendung der
dielektrischen Keramik gemäß der Erfindung der Verlust an
der Schnittstelle bzw. dem Übergang des dielektrischen
Blockes 70 gering. Da ein Abschnitt des Polarisators mit
hoher Dielektrizitätskonstante existiert, kann dieser
miniaturisiert werden.
Der Neigungsabschnitt 76 des dielektrischen Blockes 70 kann
mehrfach ausgebildet sein, wie dies in den Fig. 24(A) und
24(B) dargestellt ist, oder kann an einem Abschnitt ausge
bildet sein, der von dem Mittenabschnitt beabstandet ist,
wie dies in Fig. 24(C) gezeigt ist. Als Form des dielek
trischen Blockes 70 können gleichfalls pyramidenförmige
Abschnitte an den beiden Seiten eines quadratischen Säulen
abschnittes ausgebildet sein.
Bei Verwendung der dielektrischen Keramik gemäß der Er
findung können elektronische Teile miniaturisiert werden.
Bei Anwendung als Streifenleitungsvorrichtung oder als ein
Substrat für ein monolithisches IC ist es ohne weiteres
möglich, andere Schaltungen zu kontaktieren, wobei die
Impedanzanpassung erleichtert wird. Ferner können die
erfindungsgemäßen dielektrischen Keramiken in einem Polari
sator eingesetzt werden, dessen Übertragungsverlust aufgrund
einer Schnittstellenwelle vermindert werden kann.
Claims (8)
1. Eine dielektrische Keramik mit wenigstens zwei Arten von
Metallionen, dadurch gekennzeichnet, daß sich deren
Dielektrizitätskonstante kontinuierlich oder schritt
weise in Abhängigkeit von dem Ort ändert.
2. Dielektrische Keramik nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet,
daß die Metallionen wenigstens zwei Arten von Metall ionen aus folgender Gruppe umfassen: Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Pb, Bi, Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Er, Ti, Zr, Sn, Si und Mn; und
daß sich die Dielektrizitätskonstante ε in dem Bereich von 7ε90 ändert.
daß die Metallionen wenigstens zwei Arten von Metall ionen aus folgender Gruppe umfassen: Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Pb, Bi, Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Er, Ti, Zr, Sn, Si und Mn; und
daß sich die Dielektrizitätskonstante ε in dem Bereich von 7ε90 ändert.
3. Ein dielektrisches Substrat unter Verwendung der Keramik
gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß für eine parallel zu einer Fläche des dielektrischen
Substrates (10) liegenden Richtung die Dielektrizitäts
konstante an dessen Mittenbereich (12) gleichförmig ist
und in Richtung auf die Enden (14) hin kontinuierlich
oder schrittweise abnimmt.
4. Dielektrisches Substrat nach Anspruch 3, dadurch ge
kennzeichnet,
daß eine Leitung (16) parallel zu einer Oberfläche des
dielektrischen Substrates (10) in diesem ausgebildet
ist.
5. Dielektrisches Substrat gemäß Anspruch 3, dadurch ge
kennzeichnet,
daß ein leitfähiger Abschnitt (18), dessen Breite in
Richtung auf die Enden des dielektrischen Substrates
zunimmt, an einem Bereich ausgebildet ist, wo die Di
elektrizitätskonstante abnimmt.
6. Dielektrisches Substrat unter Verwendung einer Keramik
nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dielektrizitätskonstante in allen Richtungen,
die parallel zu einer Oberfläche des dielektrischen
Substrates (64) liegen, in dessen Mittenbereich (60)
gleichförmig ist und kontinuierlich oder schrittweise in
Richtung auf dessen Peripherie hin abnimmt.
7. Dielektrisches Substrat nach Anspruch 6, dadurch ge
kennzeichnet,
daß ein leitfähiger Abschnitt (56), dessen Breite in
Richtung zur Peripherie des dielektrischen Substrates
zunimmt, an einem Abschnitt ausgebildet ist, wo dessen
Dielektrizitätskonstante abnimmt.
8. Polarisator unter Verwendung der Keramiken gemäß An
spruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Polarisator (70) eine Form hat, bei der konische Abschnitte (74) an den entgegengesetzten Enden einer im Querschnitt kreisförmigen Säule (72) ausgebildet sind oder bei der pyramidenförmige Abschnitte an den entge gengesetzten Enden einer im Querschnitt quadratischen Säule ausgebildet sind; und
daß die Dielektrizitätskonstante sich kontinuierlich oder schrittweise in einer Richtung ändert, die parallel zu der Oberfläche und orthogonal zu der axialen Richtung der kreisförmigen oder quadratischen Säule liegt.
daß der Polarisator (70) eine Form hat, bei der konische Abschnitte (74) an den entgegengesetzten Enden einer im Querschnitt kreisförmigen Säule (72) ausgebildet sind oder bei der pyramidenförmige Abschnitte an den entge gengesetzten Enden einer im Querschnitt quadratischen Säule ausgebildet sind; und
daß die Dielektrizitätskonstante sich kontinuierlich oder schrittweise in einer Richtung ändert, die parallel zu der Oberfläche und orthogonal zu der axialen Richtung der kreisförmigen oder quadratischen Säule liegt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11691791 | 1991-04-19 | ||
JP3323592 | 1992-02-20 |
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DE4213003A1 DE4213003A1 (de) | 1992-10-22 |
DE4213003C2 true DE4213003C2 (de) | 1993-09-30 |
Family
ID=26371911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4213003A Expired - Fee Related DE4213003C2 (de) | 1991-04-19 | 1992-04-21 | Dielektrische Keramiken und elektronische Teile, die diese verwenden |
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Country | Link |
---|---|
US (2) | US5631624A (de) |
JP (1) | JPH05298923A (de) |
DE (1) | DE4213003C2 (de) |
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