Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entgraten. Dies be
zieht sich insbesondere auf flächige und spröde Werkstücke,
die nach einem Bearbeitungsvorgang Grate aufweisen. Damit kön
nen insbesondere gebohrte Halbleiterscheiben entgratet werden.The invention relates to a method for deburring. This be
especially applies to flat and brittle workpieces,
which have burrs after a machining operation. So that
In particular, drilled semiconductor wafers are deburred.
Bei vielen Bearbeitungsvorgängen entstehen an den Werkstücken
Grate, deren Entfernung teilweise große Schwierigkeiten be
reiten. Dabei ist es günstig, wenn der Werkstoff an sich
spröde ist, da in diesem Fall die Grate in der Regel leicht
gebrochen und entfernt werden können. Duktile Werkstoffe kön
nen beispielsweise durch entsprechende Abkühlung in diesen Be
reich, in dem der Werkstoff spröde bricht, überführt werden.Many machining processes result in the workpieces
Ridges, the removal of which is sometimes very difficult
horse riding. It is beneficial if the material itself
is brittle because in this case the burrs are usually light
can be broken and removed. Ductile materials can
NEN, for example, by appropriate cooling in these Be
rich in which the material breaks brittle.
In Tintenstrahldruckern sind in den zugehörigen Tintendruck
köpfen glasartige Materialien vorhanden, die im Herstellungs
verfahren bearbeitet werden müssen. Hierzu zählen beispiels
weise auch Halbleiterscheiben bzw. Wafer. Diese werden mit
Bohrungen versehen, den sog. Tintendurchgangslöchern. Dies
kann entweder durch mechanisches Bohren oder durch den Einsatz
eines Lasers in einem thermischen Verfahren geschehen. Auf je
den Fall entsteht an der Lochunterkante ein Grat, der entfernt
werden muß, um die Schädigung der Halbleiterscheibe bei den
nachfolgenden Prozeßschritten zu vermeiden.In inkjet printers are in the associated ink printing
Head glassy materials present in the manufacturing process
procedures must be processed. These include, for example
also semiconductor wafers. These are with
Provide holes, the so-called ink through holes. This
can either by mechanical drilling or by use
a laser in a thermal process. On each
The case creates a ridge on the bottom edge of the hole that removes
must be to the damage to the semiconductor wafer at the
to avoid subsequent process steps.
Bisherige Verfahren zur Entfernung von Graten an flächigen und
spröden Werkstoffen werden manuell durchgeführt. So wird bei
spielsweise eine Keramikscheibe über die Rückseite der Halb
leiterscheibe geschoben. Durch die manuelle Vorgehensweise ist
nicht mit einer gleichbleibenden Qualität dieses Vorgangs zu
rechnen. Darüber hinaus kann bei einem flächigen Werkstück,
dessen zu bearbeitende Fläche nicht eben ist, teilweise ein
Grat stehen bleiben.Previous methods for removing burrs on flat and
brittle materials are carried out manually. So at
for example a ceramic disc over the back of the half
conductor disc pushed. By the manual procedure is
not with a consistent quality of this process
count. In addition, with a flat workpiece,
whose surface to be worked on is not even, partly a
Burr stop.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Entfernen von Graten an flächigen und spröden Werkstoffen be
reitzustellen, mittels dem in einem automatisierbaren Vorgang
ein reproduzierbares und vollständiges Entgraten gewährleistet
wird.The invention has for its object a method for
Removal of burrs on flat and brittle materials
to sit down, by means of an automated process
reproducible and complete deburring guaranteed
becomes.
Die Lösung dieser Aufgabe wird durch den Einsatz eines Saug
rohres, das mittels Unterdruck an das flächige Werkstück ange
saugt wird, erzielt. Dabei werden die Grate durch das seitli
che Verfahren des Saugrohres relativ zum flächigen Werkstück
abgeschabt. Das Saugrohr muß dabei an seiner Stirnseite stumpf
oder schneidenartig ausgebildet sein. Zudem saugt sich das
Saugrohr durch den anliegenden Unterdruck an das ortsfest ge
haltene Werkstück. Ein seitliches Verfahren des Saugrohres re
lativ zum Werkstück ist jedoch gleichzeitig möglich.The solution to this problem is through the use of a suction
pipe, which is attached to the flat workpiece by means of negative pressure
is sucked, achieved. The ridges are covered by the lateral
che move the suction pipe relative to the flat workpiece
scraped. The suction pipe must be blunt on its face
or be designed like a knife. It also sucks
Suction pipe through the applied vacuum to the stationary ge
holding workpiece. A lateral movement of the suction pipe right
relative to the workpiece, however, is possible at the same time.
Es ist besonders vorteilhaft, wenn das Saugrohr, das an seiner
Stirnseite stumpf oder schneidenförmig ausgebildet ist, aus
Keramik besteht. Durch die gute Abriebfestigkeit dieses Werk
stoffes bleibt die Funktionsfähigkeit lange erhalten. Außerdem
können mit keramischem Werkstoff feste und scharfe Kanten er
zeugt werden.It is particularly advantageous if the intake manifold attached to its
End face is blunt or cut-shaped
Ceramic is made. Due to the good abrasion resistance of this movement
Functionality remains for a long time. Furthermore
can use ceramic material to create firm and sharp edges
be fathered.
Im folgenden wird anhand einer schematischen Figur ein Ausfüh
rungsbeispiel beschrieben:In the following, an embodiment is based on a schematic figure
Example described:
Die Halbleiterscheibe 1 bzw. der Wafer, in den eine Vielzahl
von Tintendurchgangslöchern mit Laserstrahlung gebohrt wurde,
wird in einen Rahmen gespannt und ortsfest fixiert. Die Halb
leiterscheibe 1 ist in der Regel zumindest einseitig mit einer
Schutzschicht bedeckt. Die Bohrungen 2 sind in diesem Fall von
der Seite, auf der sich die Schutzschicht befindet, einge
bracht worden. Die Grate 3 befinden sich somit auf der gegen
überliegenden Seite der Halbleiterscheibe 1. Bei der Einspan
nung der Halbleiterscheibe 1 in den Rahmen sind sämtliche Boh
rungen 2 von unten her frei zugänglich. Ein aus Keramik beste
hendes Saugrohr 4 wird von unten her an die Halbleiterscheibe
1 herangefahren. Das Saugrohr 4 befindet sich auf einem ver
fahrbaren Tisch und ist an ein Unterdrucksystem angeschlossen.
The semiconductor wafer 1 or the wafer, in which a multiplicity of ink passage holes have been drilled with laser radiation, is clamped in a frame and fixed in place. The semi-conductor disc 1 is usually covered at least on one side with a protective layer. The holes 2 are in this case from the side on which the protective layer is placed. The ridges 3 are thus located on the opposite side of the semiconductor wafer 1 . When clamping the semiconductor wafer 1 in the frame, all holes 2 are freely accessible from below. A best existing ceramic suction tube 4 is moved from below to the semiconductor wafer 1 . The suction pipe 4 is located on a mobile table ver and is connected to a vacuum system.
Durch den anliegenden Unterdruck saugt sich das Saugrohr 4 an
die Halbleiterscheibe 1 an. Anschließend wird das Saugrohr 4
mittels des verfahrbaren Tisches unter der Halbleiterscheibe 1
seitwärts in den Bewegungsrichtungen 6 verfahren. Dabei werden
die Grate 3 nacheinander an allen Bohrungen 2 mit dem Saugrohr
4 abgeschabt.Due to the negative pressure present, the suction pipe 4 is sucked onto the semiconductor wafer 1 . The suction pipe 4 is then moved sideways in the directions of movement 6 by means of the movable table under the semiconductor wafer 1 . The ridges 3 are successively scraped off at all holes 2 with the suction tube 4 .
Ein wesentlicher Vorteil des Verfahrens liegt in der einfachen
Realisierbarkeit. Darüber hinaus muß die Halbleiterscheibe 1
nicht unterstützt oder von oben her gehalten werden. Eine der
artige Handhabung wäre wegen der dort vorhandenen Schutz
schicht ohnehin nicht möglich. Eine mögliche Durchbiegung der
Halbleiterscheibe 1 wird durch den Unterdruck im Saugrohr 4
kompensiert.A key advantage of the method is that it can be easily implemented. In addition, the semiconductor wafer 1 does not have to be supported or held from above. Such handling would not be possible anyway due to the protective layer there. A possible deflection of the semiconductor wafer 1 is compensated for by the negative pressure in the intake manifold 4 .
Ein aus Keramik bestehendes Saugrohr 4 hat beispielsweise
einen Durchmesser von 25 mm und eine Wandstärke von ca. 2 mm.
Die Bohrungen 2 haben einen Durchmesser von 0,8 mm. Somit ist
der Durchmesser des Saugrohres 4 deutlich größer als der der
Bohrungen 2. Das Saugrohr 4 ist an seinem oberen Ende stumpf,
d. h. rechtwinklig ausgebildet.A suction pipe 4 made of ceramic has, for example, a diameter of 25 mm and a wall thickness of approx. 2 mm. The bores 2 have a diameter of 0.8 mm. The diameter of the suction pipe 4 is thus significantly larger than that of the bores 2 . The suction pipe 4 is blunt at its upper end, that is, formed at right angles.