DE4120003C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Maschine zum Erzeugen einer abgeschrägten und einer gerundeten Oberfläche im Peripheriebereich einer Halbleiterscheibe nach dem Oberbegriffen der Patentansprüche 1 und 2.

Die Verarbeitung flacher, scheibenförmiger Werkstücke ist im Bereich der Halbleiter- und der Photovoltaikfertigung ein Standardproblem , wobei der scheibenförmige Zustand des Halbzeuges nach dein heutigen Stand der Technik eine fast unumgängliche Zwischenstufe darstellt. Die Scheiben messen bis zu 200 mm im Durchmesser und sind in der Regel unter 1 mm dick. Da das Material in seiner Ausgangsform als Zylinder vorliegt, müssen die Scheiben durch Zerteilen hergestellt werden. Für diesen Fertigungsschritt kommen heute vorzugsweise Innenlochsägen in Frage, aber es werden auch sogenannte "Gattersägen" oder weitere Trennverfahren mit gebunde­ nem oder ungebundenem Korn eingesetzt.

Ungeachtet des speziellen Trennverfahrens des Werkstoffes und der Werkstückabmessungen stellt sich bei heutigen Qualitätsanforderungen das Problem, die Kanten des so gewonnenen scheibenförmigen Werkstückes vor der weiteren Bearbeitung zu verrunden. Dieser zwischen­ geschaltete Bearbeitungsschritt wird aus verschiedenen Gründen nötig. Zunächst muß verhindert werden, das sich die scheibenförmigen Werkstücke im weiteren Verlauf der Fertigung mit den beim Trennen zurückgelassenen Kanten untereinander verkratzen. Außerdem kann es besonders bei diesen sprödharten Materialien an den Ecken zu Ausbrüchen und Anrissen kommen. Eine abgerundete Kante hingegen reduziert diese Gefahr beträchtlich. Weiterhin wird durch das Kantenverrunden vermieden, daß kleinste Materialausbrüche als unerwünschte Fremdpartikel bei den weiteren Fertigungsschritten stören, was besonders bei der Halbleiterfabrikation mit den immer weiter steigenden Forderungen an die Reinheit der Prozesse von herausragender Bedeutung ist. Zu Beginn der geschichtlichen Entwicklung von Maschinen zur Bearbeitung der Kanten von Halbleiterscheiben standen relativ einfache Vorrichtungen, wie sie in den Patentschriften DE 33 16 321 C2 und US 40 54 010 beschrieben sind. Die erstgenannte Schrift erläutert eine Maschine, mit der mittels schräggestellter Topfschleifscheibe die Peripherie einer sich drehenden Halbleiter­ scheibe angefast wird. Ein einfaches Anfasen hat den nach heutigen Maßstäben vergleichsweise bescheidenen Anforderungen der damaligen Zeit durchaus genügt. Die zweitgenannte Schrift bezieht sich auf eine Vorrichtung, bei der eine relativ schnell rotierendes, scheibenförmiges Werkstück mit einem schwenkbaren, flexiblen Schleifwerkzeug in Berührung gebracht wird. Die bewußt nachgiebige Ausführung und Befestigung des Werkzeuges führt zwar zu einer relativ einfachen und damit kostengünstigen Maschine, die dadurch bedingte Maschinennachgiebigkeit erlaubt jedoch keine präzise Werkstückmaßhaltigkeit, so wie sie für nachfolgende Wafergenerationen gefordert wurde.

Für die aktuelle Kantenbearbeitung von Halbleiterscheiben sind Maschinen bekannt, die zuweilen mit dem Begriff "Edge-Grinder" bezeichnet werden. Da es sich vorwiegend um sehr harte Werkstoffe handelt und der Materialabtrag sehr gering ist, kommt vor allem das Schleifen in Frage. Das scheibenförmige Werkstück wird mit der einen planen Seite auf eine ebene Fläche gespannt (beispielsweise mit Vakuum) oder aber zwischen zwei ebene Flächen eingeklemmt. Das so fixierte Werkstück wird an seiner Mantelfläche mit einem oder mehreren entsprechend profilierten Schleifwerkzeugen bearbeitet. Durch eine vergleichsweise langsame Eigendrehung des Werk­ stückes um seine Symmetrieachse wird jeder Punkt seines Umfangs mit dem schnell rotierenden Schleifwerkzeug in Eingriff gebracht.

Dieses heute praktizierte Verfahren weist jedoch noch eine Reihe von Mängeln auf, die sowohl die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens beeinträchtigen als auch im Hinblick auf die für die Zukunft zu erwartenden Forderungen erhebliche Probleme aufwerfen.

Da es sich hier um ein profiliertes Werkzeug handelt, ist ein bestimmtes Werkzeug nur für eine einzige Konturform geeignet jeder Wechsel zu einer anderen Form der verrundeten Kante und damit im allgemeinen Fall auch ein Wechsel zu einer anderen Werkstückdicke erfordert per Prinzip einen Austausch des Werkzeuges. Neben dem dadurch bedingten Zeitaufwand für Umrüstarbeiten wirkt sich eine umfangreiche Lagerhaltung vieler teurer Werkzeuge nachteilig auf die Wirtschaft­ lichkeit des Verfahrens aus.

Die Anforderungen an die Oberfläche der verrundeten Kante werden im Hinblick auf die in der Zukunft steigenden Ansprüche an Reinraumtauglichkeit weiterhin kritischer. Dem versucht man dadurch gerecht zu werden, daß mehrere Schleifschritte mit zunehmend feiner werdendem Schleifkorn hintereinandergeschaltet werden. Die Korngröße des Schleifkorns ist jedoch nach unten begrenzt. Unterhalb einer gewissen Grenzkorngröße ist ein Schleifen wegen des immer kleiner werdenden Spankammervolumens praktisch nicht mehr möglich, die Schleifscheibe würde sich zusetzen. Diesen Mißstand versucht man beim derzeitigen Stand der Technik dadurch zu umgehen, in dem man nach dem Schleifen noch einen für solche Geometrien problematischen Polierschritt vorsieht.

Die derzeit verwendeten profilierten Schleifscheiben sind nicht zuletzt wegen der winzigen Abmessungen der Kontur kaum sinnvoll nachzurichten. Das Werkzeug muß deshalb relativ häufig erneuert werden, was einen beträchtlichen Aufwand bedeutet.

Eine prinzipielle nachteilige Eigenschaft profilierter Schleifscheiben ist, daß sie mehr oder weniger ungleichmäßig verschleißen. Dieser Umstand ist darin begründet, daß in Abhängig­ keit der geometrischen Gestaltung des Schleifscheibenprofils die Vorschubkomponente und die Oberflächennormale an verschiedenen Stellen der Kontur im allgemeinen Fall auch verschiedene Winkel bilden. An den Stellen, wo beide Vektoren zusammenfallen, ist ein vergleichsweise hoher Materialabtrag an der Schleifscheibe zu erwarten, während an den Stellen, wo diese beiden Vektoren größere Winkel zueinander aufweisen, der Materialabtrag an der Schleifscheibe geringer ausfällt. Damit geht das ursprüngliche Schleifscheibenprofil mit zunehmender Gebrauchsdauer verloren. Dieser Umstand führt neben einem zunehmenden Maßhaltigkeitsverlust des Prozeßes auch dazu, daß das teure Belagvolumen der Schleifscheibe nicht vollständig ausgenutzt werden kann.

Diese Nachteile der bekannten Verfahren und Maschinen werden erfindungsgemäß durch die in den Patent­ ansprüchen 1 und 2 angegebene Erfindung überwunden.

Der Vorteil dieser Erfindung gegenüber dem eingangs dokumentierten Stand der Technik liegt vor allem darin, daß das Werkzeug selber nicht profiliert zu werden braucht, da die am Werkstück erzielte Kontur nicht durch eine profilierte Schleifscheibe, sondern durch einen in gewissen Grenzen frei wählbaren Ablauf von Relativbewegungen zwischen Werkzeug und Werkstück erzielt wird.

Eine besonders vorteilhafte Auswirkung dieses Verfahrens besteht darin, daß bei einem Wechsel von zu schleifender Kontur oder bei einem Wechsel der Waferdicke mit dem gleichen Werkzeug weitergeschliffen werden kann. Ein Werkzeugwechsel ist dabei nicht mehr nötig, es brauchen nur noch die Parameter des Bewegungsablaufes geändert werden. Der Aufwand für Umrüsten und Lagerhaltung eines Sortiments an profilierten Schleifscheiben entfällt dadurch.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß eine wesentlich feinere Oberfläche erzielt werden kann als dies bisher der Fall war. Da das Werkzeug nicht mehr profiliert, sondern nur noch geschärft werden braucht, kann dieser Schleifprozeß mit elektrolytischem Abrichter betrieben werden. Während mit klassischen Schleifscheiben nur mit einer Korngröße bis hinunter zu 15 µm einwandfrei geschliffen werden kann, ohne daß die Schleifscheibe sich zusetzt, erlaubt die Verwendung metallisch gebundener Schleifscheiben in Kombination mit elektrolytischem Ab­ richter die Verwendung von Korngrößen bis ca. 1 µm. Dadurch werden Rauheitswerte am Werkstück erzielt, die bisher nur durch die Nachschaltung eines aufwendigen und umständlichen Poliervorganges möglich waren.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß nahezu das gesamte Volumen des Schleif­ belages tatsächlich am Schleifprozeß beteiligt wird, da Profilierungsvorgänge entfallen und sich das Problem eines ungleichmäßigen Scheibenverschleißes, so wie es für den Stand der Technik charakteristisch ist, per Prinzip erst gar nicht stellt. Auf diese Weise wird die Menge des eingesetzten Schleifmittels in optimaler Weise ausgenutzt. Dadurch wird die Standzeit des Werk­ zeuges vervielfacht und die Schleifmittelkosten werden drastisch reduziert.

Die nachfolgenden Figuren sollen dies erläutern. Die Fig. 1-6 veranschaulichen das Prinzip des erfindungsgemäßen Fertigungsverfahrens, während die Fig. 7 die wesentlichen Komponenten einer Maschine, mit der diese Verfahren praktiziert wird, exemplarisch darstellt.

Fig. 1 zeigt sowohl die zu bearbeitende Halbleiterscheibe 1, im folgenden auch Wafer genannt, als auch die Schleifscheibe 2 in Ausgangsstellung vor der Bearbeitung. Vom Werkstück 1 ist hier nur die obere Hälfte der Peripherie im Schnitt dargestellt, die untere Hälfte verhält sich symmetrisch dazu und ist deshalb in dieser Darstellung weggelassen. Die Halbleiterscheibe 1 ist in ihrem inneren Bereich auf eine Keramikspannsplatte mit Vakuum aufgespannt oder zwischen zwei ebenen Flächen eingeklemmt und rotiert um ihre Symmetrieachse. Die Schleifscheibe 2, von der hier nur die linke Hälfte dargestellt ist, ist unter einem definierten Winkel schräg dazu angeordnet und rotiert mit Arbeits­ drehzahl. Die Schleifscheibe 2 selber besteht aus einem scheibenförmigen Grundkörper 3 und einem auf dessen Umfang angeordneten ringförmigen Schleifkörper. Der ringförmige Schleif­ körper 4 weist im Ursprungszustand die Kontur 5′ auf, die jedoch, wie weiter unten noch gezeigt werden wird nach vielmaligem Arbeitseinsatz allmählich in die Verschleißkontur 5 übergeht. Der ringförmige Schleifkörper 4 ragt axial über den scheibenförmigen Grundkörper 3 heraus, so daß auch dessen stirnseitige Fläche 6 für Schleifoperationen genutzt werden kann.

In Fig. 2 ist der Beginn der Schleifoperation dargestellt. Die Schleifscheibe 2 wird unter Beibehaltung ihrer Eigenrotation axial auf die Halbleiterscheibe 1 zu bewegt. Dabei kommt deren kreisringförmige Stirnfläche 6 mit dem Wafer 1 in Eingriff, so daß ein Materialabtrag stattfindet. An definierter Stelle wird die Axialbewegung der Schleifscheibe 2 gestoppt und nach einer Ausfeuerphase wieder umgekehrt. An der Peripherie der Planfläche des Wafers 1 ist damit eine nahezu geradlinige, konische Abflachung entstanden.

Fig. 3 veranschaulicht die konische Abflachung 7, so wie sie durch die erste Teiloperation des Schleifvorganges entstanden ist. Die Schleifscheibe 2 wird nach dem axialen Zurückverfahren um einen definierten Betrag seitlich versetzt, wobei diese Bewegung vom Wafer 1 weg gerichtet ist. Fig. 3 zeigt die Konstellation am Ende dieser Bewegung.

Wie Fig. 4 zeigt, wird anschließend die Schleifscheibe 2 wieder axial auf den Wafer 1 zu bewegt. Während dieser Bewegung wird am Wafer 1 weiteres Werkstoffvolumen abgetragen. Diese Bewegung wird spätestens dann gestoppt, wenn der untere Punkt 8 der äußeren Mantelfläche der Schleifscheibe die zuvor entstandene konische Schräge 7 erreicht.

Daran anschließend wird die Schleifscheibe 2 mitsamt dazugehöriger Spindel und Antriebseinheit, die hier nicht dargestellt sind, um den Punkt 9 herum geschwenkt. Punkt 9 ist geometrisch bestimmt durch die außen umhüllende Mantelfläche des Schleifringes 4 und der Mittelebene 10 des Wafers 1. Diese Schwenkbewegung wird dann gestoppt, wenn die Rotationsachse der Schleifscheibe 2 die Waagerechte erreicht hat, so wie es in Fig. 5 dargestellt ist. Während dieser Schwenkbewegung beschreibt der Punkt 8 der Schleifscheibe 2 eine Kreisbahn um den ortsfesten Punkt 9. Dieser geometrisch erzeugte Kreisbogen ist alleine maßgebend für den am Wafer 1 entstehenden kreisförmigen Konturabschnitt, weil der geometrisch erzwungene Bewegungsablauf des Schleif­ prozesses und der darauf sich einstellende Verschleißmechanismus an der Schleifscheibe es bedingen, daß der Punkt 8 weniger oder höchstens gleich weit entfernt ist vom Punkt 9 als jeder andere Punkt der sich durch Verschleiß ergebenden Außenkontur 5 des Schleifbelages 4.

Der Verlauf der Verschleißkontur 5 ist in den Fig. 1-5 nur grob skizziert. Im tatsächlichen Betrieb ergibt er sich als eher unregelmäßiger Kurvenzug, der von der konkreten Einsatzbedingung stark abhängt. Der genaue Verlauf dieser Verschleißkontur ist jedoch völlig unerheblich für die Maßhaltigkeit des kreisbogenförmigen Abschnitts, weil ja - wie oben bereits festgestellt wurde Punkt 8 alleine für die am Werkstück 1 erzeugte Kontur maßgebend ist.

Im Ursprungszustand weist der ringförmige Schleifkörper 4 die Kontur 5 auf. Dabei liegt der Punkt 8 sowohl auf der äußeren Mantelfläche des ringförmigen Schleifkörpers 4 als auch auf dessen Stirnfläche 6.

Durch den zunehmenden Schleifscheibenverschleiß wird sich Punkt 8 nach oben verlagern, aber aufgrund der geometrischen Verhältnisse muß er immer auf der die Schleifscheibe 2 hüllenden Zylindermantelfläche verbleiben. Insofern kann dieser Schleifscheibenverschleiß sehr leicht durch eine axial entsprechend kompensierte Position der Schleifscheibe 2 ausgeglichen werden.

Eine ähnliche Betrachtungsweise ist auf die erste Teiloperation des Schleifvorganges anzuwenden: Die in Fig. 1 dargestellte ringförmige Stirnfläche 6 des Schleifbelages 4 wird ebenfalls einem Verschleiß unterliegen und damit allmählich zurückversetzt werden. Aber auch diese Verlagerung ist durch eine axiale Korrektur von Schleifscheibe 2 kompensierbar.

Die in den Fig. 1-5 dargestellten Bewegungsabläufe beziehen sich auf die Schleifbearbeitung der oberen Waferhälfte. Da jedoch das Werkstück 1 auch von unten verrundet werden muß, ist eine spiegelbildlich dazu angeordnete zweite Vorrichtung nötig, um das komplette Werkstückprofil zu erzeugen, so wie es in Fig. 6 dargestellt ist.

Aus dem oben Beschriebenen ergibt sich, daß die endgültig am Wafer entstandene Kontur prinzipiell aus 3 Abschnitten besteht: Im Anschluß an die obere und untere Planfläche des Wafers entstehen zwei konische Abflachungen, die ihrerseits wiederum durch einen Kreisbogen verbun­ den werden, der sich aus zwei spiegelbildlichen Hälften zusammensetzt.

Der Neigungswinkel der konischen Abflachung sowie der Radius des Kreisbogen sind dabei durch die Einstellung geeigneter Maschinenparameter frei wählbar. Im Grenzfall kann sogar die konische Abflachung tangential in den Kreisbogen übergehen. Andererseits kann der Neigungswinkel der konischen Abflachung in eine Horizontale übergehen, wodurch die Abflachung selber schließlich ganz verschwinden würde. Durch entsprechende Maschineneinstellungen sind also alle denkbaren konischen Abflachungen und alle denkbaren Kreisbögen miteinander kombinierbar. Dieser theo­ retisch unendlich großen Vielfalt stehen die konkreten praktischen Anforderungen der Halbleiter­ industrie gegenüber, die vor allem darauf hinauslaufen, Kanten nach Möglichkeit zu vermeiden. Insofern werden die Maschinenparameter so eingestellt werden, daß sich ein nahezu tangentialer Übergang zwischen konischer Abflachung und Kreisbogenabschnitt ergibt. Zwischen konischer Abflachung und der Planfläche des Wafers 1 wird immer eine flache Kante erwünscht sein, da mit einer gewissen Dickentoleranz des Wafers 1 gerechnet werden muß. Bei dickeren Wafern wird die unter konstantem Winkel angebrachte konische Abflachung dann etwas länger ausfallen, während sie bei dünneren Wafern entsprechend kürzer ist. Die zu erwartende Dickentoleranz der Wafer wird dann den Neigungswinkel der konischen Abflachung bestimmen.

Fig. 7 zeigt beispielhaft die wesentlichen Komponenten einer Vorrichtung, mit der das oben beschriebene Verfahren praktiziert werden kann. Da die Vorrichtungen für die Bearbeitung der oberen Konturhälfte und der unteren Konturhälfte spiegelbildlich zueinander angeordnet sind, beschränkt sich die Darstellung von Fig. 7 auf die Vorrichtung für die obere Konturhälfte. Die Darstellung ist rein schematischer Natur und verzichtet auf die Wiedergabe konstruktiver Details.

Die Darstellung zeigt den Wafer 1, der auf einer Keramikplatte angesaugt wird. Diese Haltevor­ richtung des Wafers 1 ist über einen Hubmechanismus 11 so verstellbar, daß damit der Wafer 1 angehoben oder abgesenkt werden kann. Der Wafer 1 selber ist mittels der Rotationseinrichtung 21 drehbar und wird mit dem Motor 22 über einen Zahnriemen 23 angetrieben. Eine Drehführung 24 dient dazu, das für das Festspannen des Wafers 1 benötigte Vakuum in die Rotationseinrichtung 21 einzuleiten.

In Ausgangsposition ist in achsparalleler Stellung dazu die Schleifscheibe 2 mit dem Schleifbelag 4 angeordnet. Der Schleifscheibengrundkörper 3 mit dem Schleifbelag 4 ist auf einer Schleifspindel 12 montiert, die in dem hier dokumentierten Beispiel als Motorspindel ausgeführt ist. Die Schleifspindel 12 ihrerseits ist auf einem Spindelhalter 13 angebracht. Der Spindelhalter 13 ist über einen Schlitten 14 in Achsrichtung der Schleifspindel 12 gegenüber einem Zwischenstück 15 verfahrbar. Das Zwischenstück 15 seinerseits ist mittels einer Lagerung 16 um einen Drehzapfen 17 schwenkbar. Bei dieser Schwenkbewegung verbleiben die Schleifachse und die Werkstückrotationsachse jedoch stets in einer gemeinsamen Ebene. Die Lage der Drehachse der Schwenkbewegungen ist dabei so angeordnet, daß sie die Mantelfläche des Schleifbelages 4 genau tangiert. Die Schwenkbewegung wird von einem Motor 25 über ein hochuntersetzendes Getriebe 26 eingeleitet. Die Lagerung 16 ist mit der Verschiebeeinheit 18 fest verbunden. Die Verschiebeeinheit 18 ist mittels eines Schlittens 19 gegenüber dem Maschinengestell 20 verfahrbar.

Mit dieser Zusammenstellung an wesentlichen Maschinenkomponenten sind folgende Bewegun­ gen möglich:
Der Wafer 1 ist drehbar, so daß jede Stelle seiner Peripherie mit dem Schleifbelag 4 in Eingriff gebracht wird.

Der Wafer 1 ist in der Höhe verstellbar, so daß bei unterschiedlicher Waferdicke seine Mittelebene bezüglich der Schleifvorrichtung einjustiert werden kann.

Der Schleifscheibenbelag 4 wird zur Schleifbearbeitung in Rotation versetzt.

Der Schleifscheibenbelag 4 ist über den Schlitten 14 axial verfahrbar. Durch diese Bewegung wird der Rundungshalbmesser für den kreisbogenförmigen Abschnitt der Waferkontur festgelegt. Darüber hinaus wird damit auch der Schleifscheibenverschleiß sowohl bezüglich der Lage des Punktes 8 als auch der Stirnfläche 6 kompensiert. Die gleiche Bewegungskomponente dient bei der Bearbeitung der konischen Abflachung als Vorschubkomponente.

Die Drehbewegung von Lagerung 16 und Drehzapfen 17 dient zur Schwenkung des gesamten Schleifapparates. Dadurch wird die Relativbewegung zur Erzeugung des kreisbogenförmigen Abschnittes des geschliffenen Profils vollzogen. Außerdem wird dadurch die Schrägstellung für die Bearbeitung der konischen Abflachung vorgegeben.

Durch die Bewegungskomponente des Schlittens 19 wird der Mittelpunkt des kreisbogenförmigen Abschnitts des Waferkantenprofils festgelegt. Gleichzeitig wird darüber auch eine Anpassung an verschiedene Waferdurchmesser vorgenommen.

Fig. 7 zeigt die Anordnung der wesentlichen Maschinenkomponenten nur beispielhaft. Es sind auch eine nahezu beliebige Vielfalt weiterer Kombinationen denkbar, die allesamt dazu geeignet sind, das oben beschriebene Verfahren zu praktizieren. Beispielsweise kann die Linearführung 19 durch eine Drehbewegung um einen fest mit dem Maschinengestell 20 verbundenen Punkt ersetzt werden. Die Axialbewegung des Wafers 1 kann auch von einem Kreuzschlitten in Kombination mit dem Schlitten 19 ausgeführt werden. Die Schlitten 14 und 19 sind sowohl als Rollen- als auch als Gleitführungen denkbar. Anstelle des Werkzeugs 2 kann auch das Werkstück 1 geschwenkt werden. In diesem Falle wird die Schwenkbewegung um den Drehzapfen 17 durch eine entsprechende Schwenkung des Wafers 1 ersetzt.

Claims (2)

1. Verfahren zum Erzeugen einer abgeschrägten und einer gerundeten Oberfläche im Peripheriebereich einer Halbleiterscheibe, wobei eine Schleifscheibe und das Werkstück relativ zueinander vorgeschoben werden und das Werkstück um seine Achse rotiert, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Schleifscheibe (2) als zylindrische Topfschleif­ scheibe ausgebildet ist, daß in einem ersten Arbeitsgang die abge­ schrägte Oberfläche (7) mit der Stirnfläche (6) der Schleifscheibe (2) hergestellt wird, indem die Schleifscheibe (2) relativ zu der Oberfläche (7) in senkrechter Richtung zur Oberfläche (7) vorge­ schoben wird, und in einem zweiten Arbeitsgang die gerundete Ober­ fläche (79 hergestellt wird, indem die Schleifscheibe (2) um den Krümmungsmittelpunkt (9) dieser Oberfläche (7′) geschwenkt wird.

2. Maschine zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einem drehangetriebenen Werkstückhalter und einem relativ zum Werkstück verschiebbaren und in Achsrichtung einstellbaren Schleif­ spindelstock (13) mit einer Schleifscheibe (2), dadurch gekennzeich­ net, daß die Schleifscheibe (2) als Topfschleifscheibe ausgebildet ist, daß der Schleifspindelstock (13) auf einer Platte (15) sitzt, die um eine zur Achse der Schleifscheibe (2) senkrechte Achse (17) schwenkbar ist, und daß der Schleifspindelstock (13) auf der Platte (15) in Achsrichtung der Schleifscheibe (2) verstellbar ist.