DE4116322C2 - Vorrichtung zur Messung der Taupunkttemperatur und der Betauung - Google Patents
Vorrichtung zur Messung der Taupunkttemperatur und der BetauungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Messung der Taupunkttempera
tur sowie eine Vorrichtung zur Messung der Betauung mit einem Sensor
chip, bei den auf seiner Oberseite ein Streufeldkondensator angeordnet ist
und einem Temperatursensor.
Die Anwendungsgebiete betreffen im wesentlichen Einsatzbereiche der
energieoptimalen Führung von technischen und nichttechnischen
Prozessen. Darüber hinaus hat die Sicherung einer hohen Erzeugnisqualität
im Rahmen von Lagerhaltungstechnologien eine entscheidende Bedeutung.
In zunehmendem Maße spielt die Feuchtemessung eine besondere Rolle im
Rahmen von erhöhten Anforderungen an die Reproduzierbarkeit technolo
gischer Verfahren in high-tech-Bereichen wie z. B. der Keramikindustrie,
Textil-, Foto-, Farben- und Mikroelektronikindustrie. In zunehmendem
Maße wird die in-situ-Messung ein Anwendungsgebiet der Erfindung als
mit völlig neuen Gebrauchswerteigenschaften der expandierende Bereich
der Umwelttechnik sowohl in seiner überwachenden Funktion umwelttech
nischer Prozesse als auch in seiner kontrollierenden Funktion.
Es ist bekannt, daß zur Feuchtmessung, speziell zur Taupunkttemperatur
messung bzw. zur Messung einer Betauung eine Reihe von Meßverfahren
mit bewährten Anordnungen existieren. Stellvertretend dafür stehen
Taupunkthygrometer auf der Basis des Tauspiegel-Prinzips. Dieses Verfah
ren ist sehr genau in der Taupunkttemperaturbestimmung, da sie die sehr
gut mathematisch und physikalisch beschreibbare Wasserdampfdruckkurve
ausnutzt. Bei diesem Verfahren steht eine Anordnung dafür, bei der ein
Tauspiegel in dem Moment betaut wird, also Wasserdampf kondensiert,
wenn durch die Abkühlung des Meßmediums die Dampfdruckkurve
erreicht wird. Diese Temperaturabsenkung erfolgt als isobare Kühlung und
verläuft damit bei konstantem Druck. Die Betauung der Spiegeloberfläche
wird in der Form detektiert, daß die Intensitätsänderung eines reflektierten
Lichtstrahls über einen Empfänger registriert und ausgewertet wird (DE-OS 38 48 841
, DE-OS 34 31 624). Nachteil dieser Anordnung ist neben der
hochkomplizierten Elektronik und erforderlichen Rechnerauswertung die
damit verbundene große und wenig mimaturisierbare Bauform des eigentli
chen Sensors und darüber hinaus der Signalverarbeitung, da ein aufwendi
ges Reinigungsverfahren notwendig ist, das die Reproduzierbarkeit der
Betauungsverhältnisse auf der polierten Spiegeloberfläche langfristig
garantiert. Auch Modifikationen, wie in DE-OS 35 43 155 beschrieben, wo
die Reflexionsverluste im Lichtwellenleiter bedingt durch Betauung an
einer definierten Stelle gemessen werden, ändert nichts an diesen
Einschränkungen im Betriebsfall.
Als weitere Anordnung ist der LiCl-Fühler anzusehen. Grundlage des
Prinzips besteht in der Nutzung der Dampfdruckkurve gesättigter LiCl-Lö
sung. Neben der Registrierung des LiCl-Taupunktes läßt sich rechnerseitig
durch Verarbeitung der bekannten Wasser- und LiCl-Dampfkurve auch der
Taupunkt des Wasserdampfes sehr genau berechnen. Nachteil dieses
Verfahrens ist die begrenzte Betriebsdauer und die Unbrauchbarkeit des
Sensors nach zwei- bis dreimaliger Nachtränkung. Der Meßfehler liegt
etwa eine Größenordnung über dem Meßfehler von Tauspiegelhygrometern
bekannter Bauart (DE-OS 19 44 192, DE-OS 33 02 447).
Neben diesen Anordnungen zur Taupunkttemperaturbestimmung bzw. im
weitesten Sinn zur Registrierung einer Betauung gibt es mehrere Anord
nungen, über kapazitive Meßsysteme dieses festzustellen. Dabei wurde
gemäß Stand der Technik vorrangig auf ein Keramik-Substrat mit den
technologischen Möglichkeiten der Dick- und Dünnschichttechnik ein
Streufeldkondensator aufgebracht (DE-OS 32 41 544). In der Regel wurde
gleichzeitig oder nachträglich ein Temperatursensor in Form eines
Dünnschicht- Widerstandselementes mit realisiert (DE-OS 35 02 170,
DE-OS 32 31 534). Der Nachteil dieser Anordnung ist in der Begrenzung
der Miniaturisierung und zusätzlichen Meßfehlern zu sehen. Die Ansprech
zeit bei der Betauung ist im wesentlichen abhängig von der
Betauungsgröße, die mindestens flächenhaft erfolgen muß und Schichtdic
ken von mehreren 10 µm aufweisen muß. Damit sind der technischen
Lösung in DE-OS 37 20 189 Grenzen gesetzt.
Andere Anordnungen geben die Taupunkttemperatur nur indirekt wieder,
indem sie als Luftfeuchtemeßgeräte die relative Luftfeuchte messen und
mittels Computer über die eingegebene Dampfdruckkurve die Taupunkt
temperatur berechnen. Dieser Umweg birgt einige Risiken in sich, da sie
Verfälschungen des Dampfdruckes durch Verunreinigungen im Dampf
nicht berücksichtigen. Außerdem ist der technische Aufwand höher, und
die berechnete Taupunkttemperatur ist vom Fehler der meist driftbehafteten
kapazitiven Feuchtesensoren bestimmt.
Die Abkühlung der Taupunkttemperatur wird in der Regel über Peltierkühl
elemente realisiert. Dabei erfordern diese Anordnungen wie in DE-OS 36 33 015
bzw. DE-OS 37 08 697 beschrieben einen hohen Energiebedarf.
Andere Taupunktmessungen nutzen umgebungsfeuchteabhängige Potential
differenzen zwischen zwei verschiedenartigen Metallen aus. Dabei erfolgt
dies durch einen Feuchtefilm, der zwischen zwei Elektrolytspeichern
entsteht (DE-OS 35 02 171).
Eine weitere Anordnung baut auf piezolelektronischen Substraten auf.
Dabei wird die Betauung der Oberfläche angezeigt, indem eine akustische
Oberflächenwelle seine Frequenz ändert (DE-OS 31 06 887). Die Messung
der Gasart in Kombination mit der Feuchtemessung wird in mehreren
Patenten beschrieben. In DE-OS 39 25 595 wird über ein Kühlgas, das die
Temperatur unter den Taupunkt absenkt, der erzeugte Nebel ein Licht einer
LED streuen. Das passierende Licht nimmt ein Fotodetektor auf. In DE-OS 34 46 277
erzielt man eine Säuretaupunktbestimmung über eine Anordnung
mit zwei Leitfähigkeitsmeßstrecken begrenzende Metallschichten. Das
Abkühlkondensat (DE-OS 38 20 899) wird in einer weiteren Anordnung
auf eine pH-Meßelektrode gegeben und damit ein Prozeß in einem
Sollwert-pH-Bereich gesteuert. Dieses Verfahren und die damit verbundene
Anordnung lassen aber keine Miniaturisierung zu und besitzen darüber
hinaus weitere Nachteile wie häufiges Nachkalibrieren der Meßanordnung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Messung
der Taupunkttemperatur sowie eine Vorrichtung zur Messung der Betauung
anzugeben, die sich durch eine hohe Genauigkeit und niedrige Herstel
lungs- und Betriebskosten auszeichnet und die es ermöglicht, Luftverunrei
nigungen zu ermitteln.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer Vorrichtung zur Messung
der Taupunkttemperatur gelöst, bei der
- - der Sensorchip mit Hilfe mikroelektroniseher Schicht- und Strukturie rungsverfahren hergestellt ist und einen monolithischen Aufbau besitzt,
- - der Sensorchip auf einer Montageplatte montiert ist und mittels Draht bondung über Bondinseln mit auf der der Montageplatte angebrachten Bond- und Lötenden elektrisch verbunden ist,
- - in dem Sensorchip ein Multikomponentensensor, bestehend aus den Teilkomponenten Streufeldkondensator, Temperatursensor und ionensensi tiven Feldeffekttransistor, integriert ist, und
- - unmittelbar unter den Sensorchip im Bereich des Multikomponentensen
sors ein Kühlelement so angeordnet ist, daß dessen Kaltseiten mit der
Unterseite des Sensorchips und dessen Warmseite mit einer Kühlplatte
verbunden sind,
sowie mit einer Vorrichtung zur Messung der Betauung, bei der - - der Sensorchip mit Hilfe mikroelektronischer Schicht- und Strukturie rungsverfahren hergestellt ist und einen monolithischen Aufbau besitzt,
- - der Sensorchip auf einer Montageplatte montiert ist und mittels Draht bondung über Bondinseln mit auf der Montageplatte angebrachten Bond- und Lötenden elektrisch verbunden ist,
- - in den Sensorchip ein Multikomponentensensor, bestehend aus den Teilkomponenten Streufeldkondensator, Temperatursensor und ionensensi tiven Feldeffekttransistor, integriert ist,
- - in den Sensorchip ein Kapazitäts-Frequenz-Wandler integriert ist, und
- - der Sensorchip mit seiner Unterseite mit einem Heizelement verbunden ist.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur
Messung der Taupunkttemperatur sind in den Unteransprüchen 2 bis 5
angegeben.
Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile sind u. a. im wesentlichen
niedrige Herstellungs- und Betriebskosten, hohe Lebensdauer, geringe
Masse, miniaturisierte Bauform, einbaubar in hochwertige optische und
klimatechnische Geräte und Ausrüstungen, Verunreinigungsempfindlich
keit, einfaches Handling, gleichzeitige Messung der Luftzusammensetzung
zur Steuerung von Umweltprozessen und Gefahrlosigkeit bei Einsatz in
reinen Räumen bezüglich Kontamination.
Die Erfindung wird nachstehend an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
In der zugehörigen Zeichnung zeigt
Fig. 1 einen Taupunktsensormodul,
Fig. 2 einen Betauungssensormodul.
Die erfindungsgemäße Anordnung besteht im wesentlichen aus einem
modulartigen Aufbau von Silizium-Chip, Kühlelement und Gehäuse mit
Kühlplatte. Entsprechend des Standes der Technik werden mit üblichen
mikroelektronischen Schicht- und Strukturierungsverfahren elektronische
digitale Schaltungskomponenten auf ein Silizium-Wafer integriert, vorran
gig als CMOS-Verfahren.
In dieser hier beschriebenen Anordnung sind vorrangig Kapazitäts-Fre
quenz-Wandler und Multiplexer berücksichtigt. Bei dieser Anordnung ist es
üblich, mit der CMOS-Wannenherstellung zu beginnen und in
Abhängigkeit davon, ob es ein Silicon-Gate- oder ein Metall-Gate-Verfah
ren ist, die n+/p+-Source/Drain-Gebiete herzustellen oder vor dem die
entsprechenden aktiven Transistor-Gate-Bereiche auf dem Si-Wafer zu
realisieren. Üblicherweise erfolgen bis zu diesem Zeitpunkt des Präparati
onszyklus auf der für den Sensor vorgesehenen Fläche keine Strukturie
rungs- und naßchemischen Prozesse, es sei denn, das Verfahren erfordert
vor dem die Realisierung des Sensors an sich. Mit der Kontaktierung und
Verbindung der einzelnen elektronischen Schaltungskomponenten liegt
auch der integrierte Temperatursensor als auch der sensitive Transistor zur
Detektierung der Gasart.-zusammensetzung, das Wasser-Eis-Umschlages
vor. Danach wird die entsprechende Substrat/Schichtfläche des Streufeld
kondensators vorpräpariert, so daß eine hohe Zuverlässigkeit des Haftungs
mechanismus der Sensorelektroden mit den darunterliegenden Schichten
erreicht wird.
Die Metallelektroden des Streufeldkondensators werden vorrangig über
plasmachemische Strukturierungsverfahren der Metallschicht realisiert,
wobei auch lift-off-Verfahren dabei Anwendung finden können. Vor dem
ist ein zuverlässiger Kontakt dieser Kapazitätselektroden mit der elektroni
schen Schaltung über entsprechende Via-Kontakte herzustellen. Große
Aufmerksamkeit ist der anschließenden Schutzpassivierung der Sensoro
berfläche zu widmen. Hier sind pinholefreie und umweltresistente Schich
ten, vorrangig CD-Schichten, anzuwenden. Diese Schichten dürfen keine
Sorptionsfähigkeit besitzen und müssen mechanisch fest sein.
Das damit fertig präparierte Sensorchip 1 mit einem Kapazitäts- und
Frequenzwandler 2 und einem Multikomponentensensor 3, der seinerseits
aus den Teilkomponenten Streufeldkondensator 11, Temperatursensor 12
und ionensensitiver Feldeffekttransistor 13 besteht, wird anschließend
vereinzelt und zusammen mit dem Kühlelement 4 gemäß Ausführungsbei
spiel nach Fig. 1 montiert. Das Kühlelement 4 wird dabei unmittelbar unter
dem Sensorteil 3 des Chips 1 so angebracht, daß dessen Kaltseite 4.1 mit
der Unterseite des Sensorchips 1 und dessen Warmseite 4.2 mit einer
Kühlplatte 5 verbunden ist.
Sowohl die Kontaktrierung der Elektronik als auch die des Kühlelementes
erfolgt anschließend, bevor es zu einer Teilhäusung des elektronischen
Teils des Chips und zu Maßnahmen zur Verringerung des Wärmetransports
von Kalt- und Warmseite des Kühlelementes 4 kommt.
Anstelle des Kühlelementes 4 kann auch, wie im Ausführungsbeispiel nach
Fig. 2 dargestellt, ein Heizelement 10 angebracht werden. In diesem Fall
wirkt der Sensor als Betauungssensor. Die Heizung bewirkt eine Verdamp
fung des Taumediums, so daß beim Sensor der Ausgangszustand wieder
hergestellt wurde. Diese rückseitige Heizung besteht vorzugsweise aus
- - Silicium-Streifen mit geeignetem Bahnwiderstand
- - Dünnfilm-Heizelementen
- - Warmseite eines Kühlelementes.
In einer weiteren Ausführungsvariante ist es auch möglich, den Sensorchip
1 mit seiner Unterseite direkt mit der Kühlplatte 5 zu verbinden.
Das unmittelbar unter dem Sensorteil 3 des mikroelektronischen Chips 1
befindliche Kühlelement 4, das einen geringen Wärmeübergangswiderstand
besitzt, kühlt die Sensorfläche 3 ab. Die Abkühlung erfolgt isobar bis zu dem
Punkt der Wasserdampfdruckkurve, wo die Isobare diese Kurve schneidet.
In dem Moment des Schnittpunktes, der laut Definition als Taupunkt ausge
wiesen wird und für den die Taupunkttemperatur steht, kommt es zu einer
Betauung der Sensoroberfläche. Schon bei Tröpfchenbildung um 2 µm
ändert sich die Streufeldkapazität. Diese Änderung macht sich auf dem
unmittelbar auf dem Chip nachgeschalteten Kapazitätsfrequenzwandler 2 mit
einem Frequenzhub bemerkbar, der durchaus ein Verhältnis von 1 : 2 bis
1 : 10 aufweisen kann. Der Zeitpunkt der Frequenzänderung wird nun
genutzt, um zeitecht aus dem Strom der pn-Diode die temperaturabhängige
Diodenspannung weiterzuverarbeiten. Diese Weiterverarbeitung kann
chipintern als auch extern erfolgen. Ebenfalls zeitecht registriert der feuch
tesensitive Feldeffekttransistor, bedingt durch den Tauniederschlag,
erfolgte Änderung der Potentialverhältnisse über die Registrierung der
Änderung des Kanalstroms und gibt dieses analoge Signal weiter. Auch
hier ist eine chipinterne Signalverarbeitung in Form einer Verstärkung
und/oder A/D : Wandlung möglich.
1
Sensorchip
2
Kapazitäts- und Frequenzwandler
3
Multikomponentensensor
4
Kühlelement
4.1
Kaltseite des Kühlelementes
4.2
Warmseite des Kühlelementes
5
Kühlplatte
6
Montageplatte
7
Bondinseln
8
Bond- und Lötpads
9
Bonddraht
10
Heizelement
11
Streufeldkondensator
12
Temperatursensor
13
ionensensitiver Feldeffekttransistor
Claims (6)
1. Vorrichtung zur Messung der Taupunkttemperatur, mit einem Sensor
chip (1), bei dem auf seiner Oberseite ein Streufeldkondensator (11)
angeordnet ist, und einem Temperatursensor (12), bei der
- - der Sensorchip (1) mit Hilfe mikroelektronischer Schicht- und Strukturie rungsverfahren hergestellt ist und einen monolithischen Aufbau besitzt,
- - der Sensorchip (1) auf einer Montageplatte (6) montiert ist und mittels Drahtbondung (9) über Bondinseln (7) mit auf der der Montageplatte (6) angebrachten Bond- und Lötenden (8) elektrisch verbunden ist,
- - in dem Sensorchip (1) ein Multikomponentensensor (3), bestehend aus den Teilkomponenten Streufeldkondensator (11), Temperatursensor (12) und ionensensitiven Feldeffekttransistor (13), integriert ist, und
- - unmittelbar unter den Sensorchip (1) im Bereich des Multikomponenten sensors (3) ein Kühlelement (4) so angeordnet ist, daß dessen Kaltseiten (4.1) mit der Unterseite des Sensorchips (1) und dessen Warmseite (4.2) mit einer Kühlplatte (5) verbunden sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Temperatursensor (12) als integrierter pn-Übergang ausgebildet ist und in
der Betauungsebene des Multikomponentensensors (3) angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die
Montageplatte (6) aus Leiterplattenmaterial besteht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Montageplatte (6) aus Keramik/Metallsubstraten besteht.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeich
net, daß gemeinsam mit dem Kühlelement (4) ein Heizelement (10) unter
dem Sensorchip (1) im Bereich des Multikomponentensensors (3) angeord
net ist.
6. Vorrichtung zur Messung der Betauung mit einem Sensorchip (1), bei
dem auf seiner Oberseite ein Streufeldkondensator (11) angeordnet ist, und
einem Temperatursensor (12), bei der
- - der Sensorchip (1) mit Hilfe mikroelektronischer Schicht- und Strukturie rungsverfahren hergestellt ist und einen monolithischen Aufbau besitzt,
- - der Sensorchip (1) auf einer Montageplatte (6) montiert ist und mittels Drahtbondung (9) über Bondinseln (7) mit auf der Montageplatte (6) angebrachten Bond- und Lötenden elektrisch verbunden ist,
- - in den Sensorchip (1) ein Multikomponentensensor (3), bestehend aus den Teilkomponenten Streufeldkondensator (11), Temperatursensor (12) und ionensensitiven Feldeffekttransistor (13), integriert ist,
- - in den Sensorchip (1) ein Kapazitäts-Frequenz-Wandler (2) integriert ist, und
- - der Sensorchip (1) mit seiner Unterseite mit einem Heizelement (5) verbunden ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19914116322 DE4116322C2 (de) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | Vorrichtung zur Messung der Taupunkttemperatur und der Betauung |
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ID=6431955
Family Applications (1)
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