DE4037313A1 - Optronischer korrelator - Google Patents
Optronischer korrelatorInfo
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- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
- G02B6/2856—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers formed or shaped by thermal heating means, e.g. splitting, branching and/or combining elements
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Description
Die Erfindung betrifft einen optronischen Korrelator, d. h. optisch/elek
tronischen Korrelator mit großen Zeitbandbreiteprodukt.
Bei bisher be
kannten Korrelatoren oder sogenannten Optimalfiltern oder SAW-Filtern
(vgl. DE 32 48 539 C2) sind die Zeitbandbreiteprodukte relativ niedrig.
Die Detektierbarkeit von Signalen im Rauschen ist durch den Quotienten
aus Signalenergie (Leistung×Zeit) und spektraler Störleistungsdichte,
die Extraktionsfähigkeit von Informationen, wie etwa Laufzeit, ist durch
das Zeitbandbreiteprodukt eines Signals gegeben.
Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, das Zeitbandbreiteprodukt von
Korrelatoren oder Optimalfiltern erheblich zu verbessern.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die beanspruchten Verfahrens- und Vor
richtungsmerkmale. Aus- und Weiterbildungen sind in weiteren Ansprüchen
beschrieben.
Der wesentlichste Vorteil ist eine Steigerung des Zeitbandbreiteproduk
tes um mindestens eine Größenordnung und entsprechend gesteigerter Sig
naldetektierbarkeit trotz stark verrauschter Signale. Diese Vorteile
gelten sowohl gegenüber SAW-Filtern, z. B. ist ein solcher Filter in der
DE 32 48 539 C2 beschrieben, als auch gegenüber einer "Tapped Delay
Line" (eine solche ist z. B. in der EP 01 06 505 A2 beschrieben). Die
elektronische Auswertung für die bevorzugte Anwendung der Erfindung (Bi
närkorrelator) kann in der Art ausgeführt werden, wie in der Deutschen
Patentschrift 38 16 845 C2 beschrieben. Abwandlungen hiervon können
selbstverständlich vorgenommen werden, ohne hierdurch den Schutzumfang
zu verlassen, wie er durch die Ansprüche gekennzeichnet ist.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, das zu korrelierende/optimal zu fil
ternde Signal auf ein Lichtsignal gleicher zeitlicher Länge (beispiels
weise durch Amplitudenmodulation) aufzumodulieren. So kann nach dem Vor
bild des "Tapped Delay Line"-Filters ein optronisch wirksames Optimal
filter mit sehr großem Zeitbandbreiteprodukt hergestellt werden. Das so
modulierte Lichtsignal wird in einen Lichtwellenleiter eingespeist. Der
Lichtwellenleiter (LWL) ist mit Rücksicht auf seine beträchtliche Länge
bei geforderter geringer Dämpfung als Glasfaser ausgebildet (die Glas
sorte wird unter dem Gesichtspunkt möglichst geringer Dämpfung ausge
wählt). Diese (Monomode-) Glasfaser wird beispielsweise in vorteilhaft
spiralig ausgeätzten Rillen/V-Nuten (siehe Fig. 1a) des Siliziumwafers
eingedrückt, um eine planare Spule als Verzögerungsleitung auf einem
Chip zu bilden. Diese planare Lichtwellenleiterspule in Spiralform wird
nun an diskreten Stellen des Lichtwellenleiters so bearbeitet (ange
schliffen, angeätzt), daß an diesen angezapften Stellen Licht austritt.
Das aus den dadurch geschaffenen Austrittsfenstern austretende Licht
kann nun mit einer Linsenanordnung oder ähnlicher Optik gesammelt und
auf einer einzigen PIN-Diode als Photoempfänger konzentriert werden; zur
Sammlung und Bildung des Korrelations- bzw. Konvolutionsintegrals.
Erfindungsgemäß wird hierzu vorgeschlagen, an den Austrittsfenstern für
das Licht eine Lichtwellenleiterspirale, die von einem Zentrum in Fig. 1
und Fig. 1a ausgeht und als Verzögerungsleitung für Licht von einer ge
pulsten Lichtquelle (LED) dient, gemäß Fig. 1, Anzapfungen a bis f anzu
bringen, wobei diese Sammellichtwellenleiter von a bis f wegen ihrer
Kürze als radiale Strahlen, die zum Zentrum führen, aus optischem Lei
termaterial, wie Lithium-Niobat (LiNbO3) im Strahlen-/Streifenmuster
in Dünnschichttechnik hergestellt werden, wobei das Strahlenmuster mit
Hilfe von Maskentechnik oder auf lithogrphischem Wege erzeugt wird. Die
Sammellichtwellenleiter, die (siehe Fig. 2 und Fig. 2a) von den Fenstern
a bis f zum Zentrum führen, sind auf einem eigenen Siliziumwafer ange
ordnet (siehe Fig. 2a). Im Zentrum ist bevorzugt auch die Sammellinse
angeordnet, die mit einem Sammellichtwellenleiter zum Sammelpunkt S und
von dort zum Photoempfänger (PIN-Diode) führt.
Der Träger für die als Verzögerungsleitung dienende planare Lichtwellen
leiterspule (Fig. 1a) dient als Unterteil und der Träger für die strah
lenförmigen Sammellichtwellenleiter (Fig. 2a) dient als Oberteil einer
zu schaffenden Einheit, die zusammengefügt/gebondet wird, insbesondere
am Umfang der beiden Siliziumwafer. Dabei wird der Lichtwellenleiter in
Form der planaren spiraligen Spule in einer entsprechend in Mikrotechnik
hergestellten Spirale des Unterteils (Fig. 1a) eingeklemmt. Für die
Fixierung dieses spiraligen Lichtwellenleiters ist deshalb kein Haftver
mittler (Klebstoff) erforderlich.
Erfindungsgemäß sind die Sammellichtwellenleiter, insbesondere in Form
kurzer Stäbe, als Strahlen, insbesondere in Streifenform aus optischem
leitendem Material, wie Lithium-Niobat in Dünnschichttechnik/Maskentech
nik im Vakuum aufgedampft (PVD- oder CVD-Verfahren). Hierbei wird man
möglichst dünne Lichtwellenleiter verwenden und möglichst dünne Stege
zwischen den V-Nuten in dem Siliziumwafer (Fig. 1a) stehenlassen, um so
eine möglichst große Länge eines Lichtwellenleiters auf kleinem Raum
planar zu realisieren. Hierzu dient vor allem die Spiralform, die beson
ders gut in Mikrotechnik, insbesondere Mikrosystemtechnik aus einem Si
liziumwafer o. ä. Material in Kreisscheibenform, wie in der Halbleiter
technik üblich, herstellbar ist.
Wird Licht durch die Spirale geschickt, so wird ersichtlich, daß die
Korrelationsspitze (peak) dann auftritt, wenn auf dem spiraligen Licht
wellenleiter alle Hellabschnitte von Lichtsignalen mit Hell/Dunkelab
schnitten, die durch den Lichtwellenleiter geschickt werden, an den An
zapfungsstellen (a bis f) liegen. In diesem Moment ist ein Maximum, d. h.
die höchste Lichtintensität, vorhanden und am Sammelpunkt S mit Hilfe
des Photoempfängers (PIN-Diode) erkennbar. Dabei wird an dem photoelek
trischen Detektor (PIN-Diode) momentan ein Intensitätsmaximum der opti
schen Impulse erfaßt und es bilden sich entsprechend elektrische Signale
aus, entweder analoge oder nach Umwandlung in einem A/D-Wandler digitale
Signale (Bits) zur Informationsweiterverarbeitung/Processing und Auswer
tung.
Hierzu bietet sich eine Verarbeitung binärer Signale nach
DE 3B 16 845 C2 an, wobei die schnelle Änderung vom 0-Zustand in den
1-Zustand größer als eine Mikrosekunde, jedoch kleiner als eine Millise
kunde angestrebt wird. Dabei können die gewandelten/demodulierten Meß
signale mit Referenzsignalen zur Auswertung verglichen werden, in an
sich bekannter Weise mit Hilfe einer Elektronik.
Die Erfindung ist nicht auf die o. a. Ausführungsbeispiele beschränkt.
Die Anwendung der Erfindung liegt vor allem in der Nachrichtentechnik,
zum einen für Signalübertragung über eine bestimmte Strecke auf
elektromagnetischem, insbesondere optischem Wege, aber auch in der
Meßtechnik, Analysentechnik und anderen Anwendungen.
Es kann im Rahmen der Erfindung bei Signaldauern von größer als eine Mi
krosekunde, kleiner als eine Millisekunde ausgeführter Echtzeitverarbei
tung von Signalen hoher Bandbreite bis in den Gigahertzbereich hinein,
eine hohe Zeitstandbreite erzielt werden. Zeitbandbreite (time band
wide) ist das Produkt einer Zeit multipliziert mit einer Frequenz, z. B.
Millisekunde×1 : Millisekunde zu verstehen, daß bei der Erfindung in
der Größenordnung von 1000 und mehr liegt (dimensionslose Zahl als Güte
ziffer). Bei Abwandlungen dürfen jedoch nicht die durch die erfindungs
gemäße Lichtsammelanordnung kürzesten Verbindungen von Anzapfstellen zum
Zentrum einer Spirale gefährdet werden, d. h. die Ziele der Erfindung,
wie kurze Wege, geringe Dämpfung der Lichtwellenleiter (LWL) und hohe
Extraktionsfähigkeit modulierter/kodierter Information.
Abwandlungen können hinsichtlich des Wafermaterials vorgenommen werden,
jedoch wurde Silizium (Si) wegen der guten chemischen Ätzbarkeit (aniso
trop) eines kristallinen Materials gewählt. Auch andere aus der Mikro
systemtechnik, Mikromechanik, Mikroelektronik, Optoelektronik bekannte
Materialien und Herstellverfahren, einschließlich derjeniger für Licht
wellenleiter (in Dünnschichttechnik) und deren Integration einschließ
lich Optik und Elektronik auf einem Chip sind hier anwendbar.
Da die Auswerteelektronik nur die bekannten Schaltungsteile wie
Demudolatoren A/D- und/oder D/A-Wandler und Komperatoren (für Vergleich
mit einer Referenz) enthält, ist sie der Einfachheit wegen nicht
dargestellt.
Claims (10)
1. Vorrichtung zum Erkennen von Informationen enthaltenden, über ei
ne Strecke übertragener Nutzsignale aus verrauschten elektromagneti
schen, insbesondere Lichtsignalen, nach Art einer angezapften Verzöge
rungsleitung (tapped delay line), dadurch gekennzeichnet, daß ein
Wellenleiter in spiralförmigen Rillen/Nuten eines Wafers auf mikrotech
nischem Wege hergestellt ist, um so eine planare Lichtwellenleiterspule
auf einem Chip zu bilden.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Glas
fasern in spiralig ausgeätzten Rillen/Nuten eines Siliziumwafers eige
klemmt/eingedrückt sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Lichtwellenleiter (LWL) an diskreten Stellen so bearbeitet, insbesondere
mechanisch (angeschliffen) oder chemisch (angeätzt) angezapft ist, daß
an diesen Stellen/Fenstern Licht austritt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das an
diskreten Stellen aus den Fenstern austretende Licht gesammelt und auf
einen einzigen Photoempfänger (PIN-Diode) konzentriert wird.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Sammeln mittels Lichtwellenleitern erfolgt, die von den Fenstern das
Licht anzapfen und zu den Photoempfängern (PIN-Dioden) hinleiten.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
Lichtwellenleiter zur Sammlung des Lichtes auf einem eigenen Träger (Si
liziumwafer) angeordnet sind, insbesondere als kürzeste Verbindung
(Strahlen) von den Anzapfungen zum Zentrum (C) oder Sammelpunkt (S).
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Lichtwellenleiter zum Sammeln von im Vakuum aufgedampften Streifen
aus dünnen Schichten optischer Leiter, wie aus Lithium-Niobat (LiNbO3)
gebildet sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 5, 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet,
daß ein erster Träger für den Lichtwellenleiter als spiralige Verzöge
rungsleitung und ein zweiter Träger für die Lichtwellenleiter für das
Sammeln von aus Anzapfungen/Fenstern austretendem Licht zu einer Einheit
zusammengefügt sind (Fig. 3).
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei
dem Zusammenfügen/Bonden der beiden Träger/Wafer der Lichtwellenleiter
für die Verzögerungsleitung in eingeätzte Spiralen eines Siliziumwafers
eingeklemmt bzw. eingedrückt wird und der erste Träger für den Lichtwel
lenleiter in Spiralform als Verzögerungsleitung ein Unterteil (Basis)
bildet, auf das ein zweiter Träger für die Lichtwellenleiter zum Sammeln
des an den Anzapfungen/Fenstern austretenden Lichtes, der ein(en) Ober
teil (Deckel) bildet, aufgesetzt wird.
10. Verfahren zum Erkennen von Informationen enthaltenden, über eine
Strecke übertragener Nutzsignale aus verrauschten elektromagnetischen,
insbesondere Lichtsignalen, nach Art einer angezapften Verzögerungslei
tung (tapped delay line), mit Hilfe einer elektronischen Signalverarbei
tung in Echtzeit, dadurch gekennzeichnet, daß die zu erkennenden Nutz
signale/Informationen, in schneller Änderung aufmoduliert auf Lichtsig
nale vorgegebener Dauer, in einen Wellenleiter in Form einer in Mikro
technik hergestellten Planarspule eingespeist werden und nach Sammlung,
Demodulation und Vergleich mit Referenzen, binär elektronisch verarbei
tet/ausgewertet werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904037313 DE4037313A1 (de) | 1989-12-12 | 1990-11-23 | Optronischer korrelator |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3940988 | 1989-12-12 | ||
DE19904037313 DE4037313A1 (de) | 1989-12-12 | 1990-11-23 | Optronischer korrelator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4037313A1 true DE4037313A1 (de) | 1991-06-20 |
DE4037313C2 DE4037313C2 (de) | 1992-06-11 |
Family
ID=25887896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904037313 Granted DE4037313A1 (de) | 1989-12-12 | 1990-11-23 | Optronischer korrelator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4037313A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0890851A2 (de) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Herstellungsverfahren eines optischen Filters und Vorrichtung,optisches Filter,Faserhalter mit spiralförmiger Nut,und Phasenmaske |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0106505A2 (de) * | 1982-09-13 | 1984-04-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lichtwellenleiter-Wortgenerator |
DE3248539C2 (de) * | 1981-12-29 | 1984-05-24 | Omron Tateisi Electronics Co., Kyoto | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Digital-Analogumsetzung |
DE3816845C1 (en) * | 1988-05-18 | 1989-11-09 | Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8012 Ottobrunn, De | Binary correlator |
-
1990
- 1990-11-23 DE DE19904037313 patent/DE4037313A1/de active Granted
Patent Citations (3)
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EP0890851A2 (de) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Herstellungsverfahren eines optischen Filters und Vorrichtung,optisches Filter,Faserhalter mit spiralförmiger Nut,und Phasenmaske |
EP0890851A3 (de) * | 1997-07-08 | 2003-06-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Herstellungsverfahren eines optischen Filters und Vorrichtung,optisches Filter,Faserhalter mit spiralförmiger Nut,und Phasenmaske |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4037313C2 (de) | 1992-06-11 |
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DE3232445C2 (de) |
Legal Events
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D2 | Grant after examination | ||
8320 | Willingness to grant licenses declared (paragraph 23) | ||
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Owner name: DEUTSCHE AEROSPACE AG, 8000 MUENCHEN, DE |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: DAIMLER-BENZ AEROSPACE AKTIENGESELLSCHAFT, 80804 M |
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