DE4022464C2

DE4022464C2 - Acceleration sensor

Info

Publication number: DE4022464C2
Application number: DE19904022464
Authority: DE
Inventors: Jiri Marek
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1990-07-14
Filing date: 1990-07-14
Publication date: 2000-12-28
Anticipated expiration: 2010-07-15
Also published as: GB2246635A; JP3199775B2; GB9113281D0; JPH04232875A; GB2246635B; CH684029A5; DE4022464A1

Description

State of the art

Die Erfindung geht aus von einem Sensor zur Messung von Beschleunigungen nach der Gattung der unabhängigen Patentansprüche.The invention is based on a sensor for measuring Accelerations according to the genre of the independent Claims.

In der DE-40 00 903 C1 wird ein Beschleunigungssensor beschrieben, der aus einem monokristallinen, zweischichtigen Träger gefertigt ist. Er weist eine parallel zur Trägeroberfläche schwingungsfähige Zunge auf, der gegenüber in Schwingungsrichtung eine feststehende Elektrode angeordnet ist. Die Beschleunigung wird bei diesem Sensor über die kapazitive Änderung zwischen der beweglichen Zunge und der feststehenden Elektrode erfasst.DE-40 00 903 C1 describes an acceleration sensor described, which consists of a monocrystalline, two-layer Carrier is made. It has a parallel to Carrier surface vibrating tongue, the opposite in Vibration direction a fixed electrode is arranged. The acceleration with this sensor is via the capacitive Change between the moving tongue and the fixed one Electrode detected.

Aus "Laterally Driven Polysilicon Resonant Microstructures"; W. C. Tang, T. H. Nguyen, R. T. Howe; Sensors and Actuators, 20 (1989) 25-30 sind bereits seismische Massen, die an archimedischen Spiralen aufgehängt sind und mit einem elektrostatischen Kammantrieb versehen sind, bekannt. In diesem Artikel wird die Realisierung solcher Strukturen in Polysilizium-Technologie beschrieben. From "Laterally Driven Polysilicon Resonant Microstructures"; W.C. Tang, T.H. Nguyen, R.T. Howe; Sensors and Actuators, 20 (1989) 25-30 are already seismic masses that respond to Archimedean spirals are hung and with a electrostatic comb drive are known. In this Article will implement such structures in Polysilicon technology described.

Aus der DE 37 42 385 A1 ist bereits ein Beschleunigungssensor bekannt, der aus einer oberen Schicht und einer unteren Schicht herausgebildet ist. Die obere Schicht besteht dabei aus einkristallinem Silizium. Die seismische Masse ist senkrecht zu den Schichten beweglich.An acceleration sensor is already known from DE 37 42 385 A1 known, which consists of an upper layer and a lower layer is formed. The upper layer consists of single crystal silicon. The seismic mass is perpendicular to moving the layers.

Durch die unabhängigen Patentansprüche werden Sensoren angegeben, die sich besonders einfach und kostengünstig fertigen lassen.The independent claims make sensors specified, which are particularly easy and inexpensive to manufacture to let.

Vorteilhaft ist auch, dass die seismische Masse des Sensors bevorzugt in der Trägerebene auslenkbar ist und dabei nicht aus der Trägeroberfläche hinausragt. Der Träger selbst dient dabei vorteilhaft als Schutz gegen mechanische Überlast.It is also advantageous that the seismic mass of the sensor is preferably deflectable in the carrier plane and not thereby protrudes from the support surface. The carrier itself serves advantageous as protection against mechanical overload.

Die Herstellung des Sensors aus einem Siliziumträger ist besonders vorteilhaft, da mit Standardverfahren besonders kleine Bauweisen erzielt werden können. Vorteilhaft ist außerdem, dass sich auf einem Siliziumträger auch Auswerteschaltungen des Sensors integrieren lassen. The sensor is made from a silicon substrate Particularly advantageous, as it is particularly small with standard processes Construction methods can be achieved. It is also advantageous that evaluation circuits of the silicon carrier Have sensors integrated.

Für die Herstellung und zur Isolation von Teilstrukturen des Sensors ist es besonders günstig, zweischichtige Siliziumträger zu verwenden, wobei zwischen der oberen Schicht und der unteren Schicht ein Dotierungsübergang, vorzugsweise ein pn-Übergang besteht. Der Träger kann monokristallin sein, wobei die obere Schicht durch Diffusion von Fremdatomen erzeugt sein kann oder eine auf einem Träger abgeschiedene Epitaxieschicht sein kann. Je nach Sensorstruktur ist es von Vorteil, einen Siliziumträger mit einer darauf abgeschiedenen Polysiliziumschicht zu verwenden. Dabei kann die Isolation z. B. über eine Siliziumoxidschicht zwischen den einkristallinen und polykristallinen Siliziumschichten erfolgen.For the manufacture and isolation of substructures of the It is particularly cheap for sensors, two-layer silicon carrier to use, being between the top layer and the bottom Layer a doping junction, preferably a pn junction consists. The support can be monocrystalline, the top one Layer can be generated by diffusion of foreign atoms or may be an epitaxial layer deposited on a carrier. Depending on the sensor structure, it is advantageous to use a silicon carrier with a polysilicon layer deposited thereon use. The insulation can, for. B. via a Silicon oxide layer between the single crystal and polycrystalline silicon layers.

Eine vorteilhafte Möglichkeit besteht in der kapazitiven Signalerfassung. Dazu ist es vorteilhaft, feststehende Elektroden von zwei gegenüberliegenden Seiten des Rahmens ausgehend aus dem Siliziumträger heraus zu strukturieren, die parallel zu den Aufhängungsstegen angeordnet sind. Zusammen mit den als bewegliche Elektroden dienenden Aufhängungsstegen bilden diese feststehenden Elektroden jeweils einen Kondensator. Alternativ oder zur Verstärkung des Signals ist es vorteilhaft, weitere von dem Rahmen ausgehende feststehende Elektroden zu strukturieren und parallel dazu bewegliche Elektroden, die von der seismischen Masse ausgehen und zusammen mit den feststehenden Elektroden Interdigitalkondensatoren bilden. Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung ist auch, diese Kondensatoren durch Anlegen einer variablen Spannung zur Lageregelung zu verwenden, mit der die seismische Masse wieder in ihre Ruhelage gebracht wird. Dies stellt eine besonders günstige Möglichkeit der Überlastsicherung dar. Die Isolation der beweglichen Elektroden gegenüber den feststehenden Elektroden läßt sich besonders günstig realisieren, wenn die Aufhängungsstege der seismischen Masse nur in der oberen Schicht ausgebildet sind. Der pn-Übergang zwischen oberer und unterer Schicht stellt dann eine Isolation der Elektroden gegenüber der unteren Schicht dar; die Isolation in der oberen Schicht kann entweder vorteilhaft durch Isolationsdiffusionen oder durch die obere Schicht vollständig durchdringende Ätzgräben erfolgen.An advantageous possibility is the capacitive one Signal acquisition. For this it is advantageous to be fixed Electrodes from two opposite sides of the frame starting from the silicon carrier to structure the are arranged parallel to the suspension bars. Along with that as mobile Suspension webs serving electrodes form these fixed electrodes each have a capacitor. Alternatively or to amplify the signal, it is advantageous to add more of structure outgoing fixed electrodes and parallel movable electrodes by the seismic Run out mass and together with the fixed electrodes Form interdigital capacitors. Another beneficial one Another embodiment is to apply these capacitors to use variable voltage for position control with which the seismic mass is brought back to its rest position. This represents a particularly favorable possibility of overload protection The insulation of the movable electrodes from the fixed electrodes can be particularly cheap realize if the suspension webs of the seismic mass only are formed in the upper layer. The pn transition between The upper and lower layers then provide insulation Electrodes opposite the lower layer; the isolation in the top layer can either be beneficial through Isolation diffusions or through the top layer completely penetrating etching trenches.

drawing

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen Fig. 1 die Aufsicht auf einen Sensor mit piezoresistivem Signalabgriff, Fig. 2 die Aufsicht auf einen Sensor mit kapazitivem Signalabgriff, Fig. 3 den Schnitt durch diesen Sensor, Fig. 4 die Aufsicht auf einen Sensor mit Interdigitalkondensatoren, Fig. 5 die Aufsicht auf einen Sensor mit einer Aufhängung mittels archimedischer Spiralen und die Fig. 6a und b Schnitte durch diesen Sensor entlang der A- und B-Achse.Embodiments of the invention are shown in the drawing and explained in more detail in the following description. 1 shows the top view of a sensor with piezoresistive signal tap, FIG. 2 shows the top view of a sensor with capacitive signal tap, FIG. 3 shows the section through this sensor, FIG. 4 shows the top view of a sensor with interdigital capacitors, FIG. 5 shows the Top view of a sensor with a suspension by means of Archimedean spirals and FIGS. 6a and b sections through this sensor along the A and B axes.

Description of the invention

In Fig. 1 ist ein Sensor dargestellt, mit einem feststehenden Rahmen 10 und einer darin befestigten, auslenkbaren seismischen Masse 20. Die seismische Masse 20 ist hier symmetrisch über vier dünne Stege 21 bis 24 aufgehängt. Diese Struktur kann aus einem ein- oder zweischichtigem Siliziumträger strukturiert sein. Der Träger kann monokristallin sein oder mit einer Poly-Silizium- Schicht versehen sein. Die Stege 21 bis 24 und die seismische Masse 20 können sowohl in voller Trägerdicke ausgebildet sein als auch in ihrer Dicke reduziert sein. Zur Erhöhung der Empfindlichkeit ist es sinnvoll, die seismische Masse 20 möglichst groß zu machen, also in voller Trägerdicke auszubilden. Bei seismischen Massen 20, deren Stege 21 bis 24 dicker als breit sind, also z. B. die gesamte Trägerdicke haben, sind Auslenkungen innerhalb der Trägerebene gegenüber Auslenkungen senkrecht zur Trägerebene bevorzugt. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel sind auf jedem Steg 21 bis 24 jeweils zwei Piezowiderstände 81, 82, aufgebracht. Sie sind je weils rechts und links von den Stegachsen angeordnet. Eine Linear beschleunigung des Sensors in der Trägerebene oder senkrecht dazu führt immer zu einer gleichsinnigen Längenänderung der beiden Hälf ten der Aufhängungsstege rechts und links von der Stegachse und also zu einer gleichsinnigen Widerstandsänderung der Piezowiderstände auf einem Steg. Im Gegensatz dazu führt eine Drehbewegung um eine Dreh achse senkrecht zur Trägeroberfläche zu einer gegensinnigen Verbie gung der Steghälften und damit zu einer gegensinnigen Widerstandsän derung der Piezowidestände auf einem Steg. Durch Vergleich der Wi derstandswerte der Widerstände auf einem Steg bzw. durch entspre chende Verschaltung lassen sich also einfach Linearbeschleunigungen von Drehbewegungen unterscheiden.In Fig. 1, a sensor is shown comprising a fixed frame 10 and secured therein, deflectable seismic mass 20. The seismic mass 20 is here suspended symmetrically via four thin webs 21 to 24 . This structure can be structured from a one- or two-layer silicon carrier. The carrier can be monocrystalline or can be provided with a poly-silicon layer. The webs 21 to 24 and the seismic mass 20 can both be designed in full support thickness and can be reduced in thickness. In order to increase the sensitivity, it makes sense to make the seismic mass 20 as large as possible, that is to say to form it in full carrier thickness. With seismic masses 20 , the webs 21 to 24 are thicker than wide, that is, for. B. have the entire beam thickness, deflections within the beam plane are preferred over deflections perpendicular to the beam plane. In the embodiment shown in FIG. 1, two piezoresistors 81 , 82 are applied to each web 21 to 24 . They are arranged on the right and left of the web axes. A linear acceleration of the sensor in the carrier plane or perpendicular to it always leads to a change in length in the same direction of the two halves of the suspension webs to the right and left of the web axis and thus to a change in the same direction of resistance of the piezoresistors on a web. In contrast, a rotational movement about an axis of rotation perpendicular to the support surface leads to an opposing bending of the web halves and thus to an opposing resistance change of the piezoresistors on a web. By comparing the resistance values of the resistors on a web or by connecting them accordingly, linear accelerations can easily be distinguished from rotary movements.

In Fig. 2 ist eine Sensorstruktur dargestellt, die mit der in Fig. 1 dargestellten vergleichbar ist. Der Signalabgriff erfolgt hier aber nicht piezoresistiv sondern kapazitiv. Dazu sind parallel zu den Aufhängungsstegen 21 bis 24, vom feststehenden Rahmen 10 ausge hend, feststehende Elektroden 11 bis 14 aus dem Träger strukturiert. Diese feststehenden Elektroden 11 bis 14 bilden zusammen mit den als bewegliche Elektroden dienenden Aufhängungsstegen 21 bis 24 Kapazi täten. Die feststehenden Elektroden 11 bis 14 sind bezüglich der be weglichen Elektroden 21 bis 24 so angeordnet, daß eine Linearbe schleunigung in der Trägerebene zu gegenläufigen Kapazitätsänderun gen an den beiden gegenüberliegenden Kapazitäten führt. Nur eine Drehbewegung um eine Drehachse senkrecht zur Trägerebene führt zu einer gleichsinnigen Kapazitätsänderung an mindestens zwei gegen überliegenden Kapazitäten. Diese Sensorstruktur ist aus einem zwei schichtigen Siliziumträger 1 strukturiert, wobei zwischen der oberen Schicht 2 und der unteren Schicht 3 des Siliziumträgers 1 ein Dotierungsübergang besteht. Die Stege 21 bis 24 sind nur in der oberen Schicht 2 ausgebildet. In den Rahmen 10 sind um den Mündungs bereichen der Stege Isolationsdiffusionen 30 eingebracht. Die Iso lationsdiffusionen 30 können aber auch in geeigneter Weise an den Stellen des Rahmens 10 eingebracht werden, von denen die feststehen den Elektroden 11 bis 14 ausgehen. Diese in Verbindung mit dem pn-Übergang zwischen der oberen Schicht 2 und der unteren Schicht 3 dienen dazu, die als bewegliche Elektroden dienenden Aufhängungsste ge 21 bis 24 von den feststehenden Elektroden 11 bis 14 elektrisch zu isolieren. In Fig. 3 ist ein Schnitt durch diesen Sensor im Bereich der Stege 22 und 24 dargestellt. Der feststehende Rahmen 10 ist in voller Trägerdicke ausgebildet, ebenso wie die seismische Masse 20. Möglich ist aber auch, die seismische Masse 20 ganz oder teilweise in ihrer Dicke zu reduzieren oder auch nur in der oberen Schicht 2 auszubilden. FIG. 2 shows a sensor structure that is comparable to that shown in FIG. 1. The signal tapping is not piezoresistive but capacitive. For this purpose, parallel electrodes 11 to 14 from the carrier are structured parallel to the suspension webs 21 to 24 , starting from the fixed frame 10 . These fixed electrodes 11 to 14 form together with the suspension webs serving as movable electrodes 21 to 24 capacities. The fixed electrodes 11 to 14 are arranged with respect to the movable electrodes 21 to 24 in such a way that a linear acceleration in the carrier plane leads to opposite changes in capacitance in the two opposite capacities. Only a rotary movement about an axis of rotation perpendicular to the carrier plane leads to a change in capacitance in the same direction on at least two opposite capacitors. This sensor structure is structured from a two-layer silicon carrier 1 , wherein there is a doping transition between the upper layer 2 and the lower layer 3 of the silicon carrier 1 . The webs 21 to 24 are formed only in the upper layer 2 . Insulation diffusions 30 are introduced into the frame 10 around the mouth regions of the webs. The Iso lationsdiffusions 30 can also be introduced in a suitable manner at the locations of the frame 10 , from which the electrodes 11 to 14 are fixed. These in conjunction with the pn junction between the upper layer 2 and the lower layer 3 serve to electrically isolate the suspension webs 21 to 24 serving as movable electrodes from the fixed electrodes 11 to 14 . In Fig. 3 a section through this sensor in the region of the webs 22 and 24. The fixed frame 10 is of full carrier thickness, as is the seismic mass 20 . However, it is also possible to reduce the thickness of the seismic mass 20 in whole or in part, or to form it only in the upper layer 2 .

Eine weitere Möglichkeit der Isolation von Strukturteilen und des Signalabgriffs ist in Fig. 4 dargestellt. Mit 45 sind Ätzgräben bezeichnet, die die obere Schicht 2 vollständig durchdringen. Damit sind in Fig. 4 vom Rahmen ausgehende feststehende Elektroden 41 elektrisch von den von der seismischen Masse 20 ausgehenden beweg lichen Elektroden 42 getrennt. Die beweglichen Elektroden 42 bilden mit den feststehenden Elektroden 41 parallelgeschaltete Interdigi talkondensatoren, die signalverstärkend wirken. Die Funktionsweise des in Fig. 4 dargestellten Sensors entspricht der des in den Fig. 2 und 3 dargestellten Sensors. Möglich sind auch alle Kombina tionen der dargestellten Signalerfassungsmethoden, wie Interdigital kondensatoren mit den in Fig. 2 dargestellten Diffusionsisolationen und/oder in Verbidung mit einer piezoresisitiven Signalerfassung wie in Fig. 1 dargestellt. Außerdem denkbar ist es, die in den Fig. 2 und 4 dargestellten Kondensatorstrukturen nicht nur zur Signaler fassung sondern auch durch Anlegen einer variablen Spannung zur La geregelung der seismischen Masse 20 einzusetzen. Auf diese Weise kann Überlastsituationen besser begegnet werden, was die Lebensdauer des Sensors erhöht. Die Linearität des Ausgangssignals wird hier durch auch verbessert.Another possibility of isolating structural parts and tapping signals is shown in FIG. 4. With 45 etching trenches are designated which completely penetrate the upper layer 2 . Thus, in Fig. 4 starting from the frame fixed electrodes 41 are electrically separated from the outgoing from the seismic mass 20 movable electrodes 42 . The movable electrodes 42 form with the fixed electrodes 41 parallel-connected Interdigi talc capacitors, which act to amplify the signal. The mode of operation of the sensor shown in FIG. 4 corresponds to that of the sensor shown in FIGS. 2 and 3. All combinations of the signal detection methods shown, such as interdigital capacitors with the diffusion isolations shown in FIG. 2 and / or in conjunction with a piezoresistive signal detection as shown in FIG. 1, are also possible. It is also conceivable to use the capacitor structures shown in FIGS . 2 and 4 not only for signal detection but also by applying a variable voltage to regulate the seismic mass 20 . In this way, overload situations can be dealt with better, which increases the service life of the sensor. The linearity of the output signal is also improved here.

In Fig. 5 ist die Aufsicht auf einen Sensor dargestellt, der aus einem Siliziumträger 1 bestehend aus einem Substrat 3, einer darauf aufgebrachten Isolationsschicht 5 und einer auf die Isolations schicht 5 aufgebrachten Polysiliziumschicht 2 strukturiert ist. Die Fig. 6a und b zeigen Schnitte durch den Sensor an den in Fig. 5 mit A und B bezeichneten Achsen. Aus der Polysiliziumschicht 2 ist ein Ankerpunkt 55 herausstrukturiert, der über die Isolationsschicht 5 fest mit dem Substrat 3 verbunden ist. Von diesem Ankerpunkt 55 als Mittelpunkt gehen zwei ineinanderverlaufende Spiralen 50, 60 aus, die nur in der Polysiliziumschicht 2 ausgebildet sind und außer über den Ankerpunkt 55 nicht mit dem Substrat 3 verbunden sind und also wie Spiralfedern beweglich sind. Jeweils an den außenliegenden Windungen der Spiralen 50, 60 sind bewegliche Massen 51, 61 eben falls nur in der Polysiliziumschicht 2 ausgebildet, die sternförmig zum Ankerpunkt 55 angeordnet sind. Sie weisen zweiseitig kammförmige Fingerstrukturen 511, 611 auf. Ebenfalls sternförmig um den Anker punkt 55 sind zwischen den beweglichen Massen 51, 61 feststehende Elektroden 71 angeordnet, die mit dem Substrat 3 und/oder einem in den Fig. 5, 6a und b nicht dargestellten Rahmen verbunden sind. Auch die feststehenden Elektroden 71 weisen kammförmige Fingerstruk turen 711 auf. Die Fingerstrukturen 511, 611 der beweglichen Massen 51, 61 und die Fingerstrukturen 711 der feststehenden Elektroden 71 greifen ineinander. Diese Fingerstrukturen 511, 611, 711 bilden zu sammen Interdigitalkondensatoren bzw. elektrostatische Reluktanzan triebe, die zur Lageregulierung aber auch zur Signalerfassung be nutzt werden können. Eine Signalerfassung bei dieser Struktur ist außerdem mit auf den Spiralen 50 und 60 angeordneten Piezowiderstän den möglich. In FIG. 5, the plan view is shown of a sensor consisting of a silicon substrate 1 is structured from a substrate 3 having thereon a insulation layer 5 and a layer on the insulation 5 applied polysilicon layer 2. FIGS. 6a and b show sections through the sensor at the locations designated in FIG. 5 A and B axes. An anchor point 55 is structured out of the polysilicon layer 2 and is firmly connected to the substrate 3 via the insulation layer 5 . From this anchor point 55 as the center point two intertwined spirals 50 , 60 , which are formed only in the polysilicon layer 2 and are not connected to the substrate 3 except via the anchor point 55 and are therefore movable like coil springs. Movable masses 51 , 61 are formed on the outer turns of spirals 50 , 60 , if only formed in polysilicon layer 2 , which are arranged in a star shape relative to anchor point 55 . They have comb-shaped finger structures 511 , 611 on two sides. Also in a star shape around the anchor point 55 are fixed electrodes 71 between the movable masses 51 , 61 , which are connected to the substrate 3 and / or a frame, not shown in FIGS. 5, 6a and b. The fixed electrodes 71 also have comb-shaped finger structures 711 . The finger structures 511 , 611 of the movable masses 51 , 61 and the finger structures 711 of the fixed electrodes 71 interlock. These finger structures 511 , 611 , 711 form together interdigital capacitors or electrostatic reluctance drives, which can be used for position regulation but also for signal detection. Signal detection in this structure is also possible with piezo resistors arranged on the spirals 50 and 60 .

Mit diesem Sensor lassen sich besonders günstig Winkelbeschleunigun gen um eine Achse senkrecht zur Trägeroberfläche erfassen. Dabei wirken die archimedischen Spiralen 50, 60 wie Spiralfedern, die je nach Drehrichtung gedehnt oder gestaucht werden, wodurch die Lage der beweglichen Massen 51, 61 bezüglich der feststehenden Elektroden 71 verändert wird, was zu Änderungen der elektrischen Verhältnisse an den Interdigitalkondensatoren führt.With this sensor, angular accelerations around an axis perpendicular to the carrier surface can be detected particularly cheaply. The Archimedean spirals 50 , 60 act like spiral springs, which are stretched or compressed depending on the direction of rotation, as a result of which the position of the movable masses 51 , 61 with respect to the fixed electrodes 71 is changed, which leads to changes in the electrical conditions at the interdigital capacitors.

Claims

1. Sensor for measuring accelerations with a seismic mass ( 20 ) which is suspended on thin bendable webs ( 21 , 22 , 23 , 24 ) in such a way that the seismic mass ( 20 ) can be steered by an acceleration in the plane of a carrier movable electrodes ( 42 ) are connected to the seimic mass ( 20 ) and fixed electrodes ( 11 , 12 , 13 , 14 , 41 ) are connected to the carrier and the fixed electrodes ( 11 , 12 , 13 , 14 , 41 ) with the movable electrodes ( 42 ) form capacitors whose capacitance changes as a result of the acceleration, characterized in that the carrier has an upper layer ( 2 ) made of polycrystalline silicon and a lower layer ( 3 ) in that the two layers ( 2 , 3 ) are isolated from each other, that the seismic mass ( 20 ) and the webs ( 21 , 22 , 23 , 24 ) from the upper layer ( 2 ) are structured, and that means are provided by which the fixed nden electrodes ( 11 , 12 , 13 , 14 , 41 ) are insulated from the movable electrodes ( 42 ).

2. Sensor according to claim 1, characterized in that between the upper layer's ( 2 ) and the lower layer ( 3 ) there is a doping transition, preferably a pn transition.

3. Sensor according to claim 1, characterized in that the carrier ( 1 ) between the upper layer ( 2 ) and the lower layer ( 3 ) has an insulation layer ( 5 ), preferably a Si silicon oxide layer.

4. Sensor according to any one of the preceding claims, characterized in that for the isolation of the fixed electrodes ( 11 , 12 , 13 , 14 , 41 ) against the movable electrodes ( 42 ) Isolation diffusions ( 30 ) are provided.

5. Sensor according to any one of claims 1 to 3, characterized in that for the isolation of the fixed electrodes ( 11 , 12 , 13 , 14 , 41 ) against the movable electrodes ( 42 ) Ätzgrä ben ( 45 ) are provided.

6. Sensor according to any one of the preceding claims, characterized in that at least two fixed electrodes ( 41 ) and parallel to it from the seismic mass ( 20 ) are structured out starting at least two movable electrodes ( 42 ), each of which together form a capacitor.

7. Sensor according to claim 6, characterized in that the Capacitors are connected in parallel.

8. Sensor for measuring accelerations with a movable mass ( 51 , 61 ) which is suspended on movable springs ( 50 , 60 ) in such a way that the mass ( 51 , 61 ) in the plane of a carrier ( 1 ) by acceleration can be deflected, with the mass ( 51 , 61 ) movable finger structures ( 511 , 611 ) connected and with the support ( 1 ) fixed electrodes ( 71 ) are connected and wherein the fixed electrodes ( 71 ) with the movable finger structures ( 511 , 611 ) form capacitors whose capacitance changes as a result of the acceleration, characterized in that the carrier ( 1 ) has an upper layer ( 2 ) made of polycrystalline silicon and a lower layer ( 3 ) in that the two layers ( 2 , 3 ) are isolated from each other that the movable mass ( 51 , 61 ), the movable springs ( 50 , 60 ), the fixed electrodes ( 71 ) and the movable finger structures ( 511 , 611 ) from the upper layer ( 2 ) are structured.

9. Sensor according to claim 8, characterized in that between the upper layer ( 2 ) and the lower layer ( 3 ) there is a doping transition, preferably a pn transition.

10. Sensor according to claim 8, characterized in that the carrier ( 1 ) between the upper layer ( 2 ) and the lower layer ( 3 ) has an insulation layer ( 5 ), preferably a silicon oxide layer.

11. Sensor according to claim 8, characterized in that the fixed electrodes ( 71 ) finger structures ( 711 ) sen, which interlock with the movable finger structures ( 511 , 611 ) and thus form the capacitors.