DE3909669C2

DE3909669C2 -

Info

Publication number: DE3909669C2
Application number: DE19893909669
Authority: DE
Inventors: Yoshiki Yamato Kanagawa Jp Iwata
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1988-03-24
Filing date: 1989-03-23
Publication date: 1992-06-04
Also published as: GB2217107B; JPH01241840A; GB2217107A; GB8906751D0; DE3909669A1; JP2559617B2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken mit mehreren Baueinheiten, die eine Kassettenträgereinheit zum Tragen einer die Werkstücke aufnehmenden Kassette und eine Ofeneinheit zum Heizen der Werkstücke aufweist, und mit einer von einer Steuereinrichtung betriebenen Handhabeeinrichtung mit einem Bewegungsmechanismus zum Transportieren der Werkstücke zwischen verschiedenen Baueinheiten.The invention relates to a device for processing of workpieces with multiple units that form a cassette carrier unit for carrying a workpiece Cassette and an oven unit for heating the workpieces and with one from a control device operated handle with a movement mechanism to transport the workpieces between different Units.

Eine derartige Vorrichtung ist aus der DE 37 15 601 A1 bekannt. Bei dieser Vorrichtung liegen Baueinheiten in Form eines Ofens und eines Schiffchens vor, die säulenartig gestapelte Werkstücke in Form von Wafern aufnehmen können. Mittels einer Handhabeeinheit sind die Wafer zwischen den Baueinheiten transportierbar, wobei der Transport von einer Steuereinrichtung veranlaßt und überwacht wird. Die Transportbahnen verlaufen hierbei vertikal oder horizontal, wobei die horizontalen Bahnen wegen einer Schwenkbewegung radial verlaufen. Für eine umfassende automatische Behandlung der Werkstücke sind verschiedene Baueinheiten erforderlich. Bei vielen verschiedenen Baueinheiten ist es aber schwierig, eine kompakte und verschiedene Prozeßfolgen ermöglichende Bearbeitungsvorrichtung zu realisieren.Such a device is known from DE 37 15 601 A1. In this device, units are in the form of a Oven and a boat in front, which was stacked in a column Can accommodate workpieces in the form of wafers. Means the handling unit are the wafers between the units transportable, the transport from a control device is initiated and monitored. The transport lanes run vertically or horizontally, with the horizontal Paths run radially due to a swiveling movement. For comprehensive automatic treatment of the workpieces different units are required. With many different units, it is difficult to get a compact one and processing device enabling various process sequences to realize.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 derart weiterzubilden, daß eine kompakt ausgebildete Vorrichtung erhalten wird, mit der leicht verschiedene Prozeßfolgen ausführbar sind.The invention is therefore based on the object of a device for machining workpieces according to the generic term of claim 1 such that a compact trained device is obtained with the slightly different Process sequences are executable.

Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.This object is achieved in the characterizing part of the claim 1 specified measures solved.

Dadurch daß die Baueinheiten - zu denen auch eine Resistbeschichtungseinheit zum Beschichten eines aus der das Werkstück aufnehmenden Kassette herausgenommenen Werkstücke mit einem Resist gehört - in einer vertikalen Ebene neben- und übereinanderstehend angeordnet sind, daß der Bewegungsmechanismus der Handhabeeinrichtung parallel zur vertikalen Ebene und in Abhängigkeit von einer gewählten Prozeßfolge bewegbar ist und daß jede Baueinheit mit einer Öffnung an einer der Handhabeeinrichtung zugekehrten Seite zum Einführen oder Herausnehmen eines Werkstücks versehen ist, lassen sich viele Baueinheiten übersichtlich anordnen, und der Transport zwischen ihnen läßt sich durch eine einfach und klar aufgebaute Handhabeeinrichtung vornehmen. Dabei sind die Bewegungsbahnen für den Transport der Werkstücke einfach festlegbar und gut überschaubar. Zudem weist die so aufgebaute Vorrichtung kompakte Ausmaße auf.The fact that the components - including a resist coating unit for coating one from which the workpiece with the cassette taken out belongs to a resist - alongside and in a vertical plane are arranged one above the other that the movement mechanism the handle device parallel to the vertical plane and movable depending on a selected process sequence is and that each unit with an opening on one of the Handle device facing side for insertion or removal a workpiece, many can be Arrange units clearly, and the transport between they can be structured simply and clearly Make the handle device. Here are the trajectories easy to fix and easy to transport the workpieces manageable. In addition, the device constructed in this way is compact Dimensions.

Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.Advantageous further developments are the subject of the dependent claims.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigtThe invention is described below using exemplary embodiments described in more detail with reference to the drawing. It shows

Fig. 1 eine perspektivische Darstellung des Gesamtaufbaus eines Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken, Fig. 1 is a perspective view showing the overall structure of an embodiment of a device for machining workpieces,

Fig. 2 eine Darstellung von bestimmten, in der Vorrichtung gemäß Fig. 1 verwendeten Bauteilen, Fig. 2 is a representation of certain components used in the apparatus according to Fig. 1,

Fig. 3 und 4 schematische Frontansichten, die jeweils den allgemeinen Aufbau einer Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel darstellen, FIGS. 3 and 4 are schematic front views each showing the general construction of an apparatus for processing workpieces according to a further embodiment,

Fig. 5 ein Blockdiagramm eines Beispiels zur Anordnung eines konzentrierten Regelmonitors innerhalb eines Steuerraumes, Fig. 5 is a block diagram of an example for arranging a monitor control concentrated within a control chamber,

Fig. 6A-6C die Ausbildung und Anordnung einer Hilfs- oder Sekundär-Greifereinrichtung in einer Beschichtungsanlage der Vorrichtung gemäß Fig. 1, wobei die Fig. 6A eine Perspektivdarstellung ist, während die Fig. 6B einen Schnitt und die Fig. 6C eine Seitenansicht zeigen, While Fig. 6B is a sectional view and Fig. 6C, FIGS. 6A-6C, the design and arrangement of an auxiliary or secondary gripper device in a coating installation of the device according to Fig. 1, where Fig. 6A is a perspective view of a side view ,

Fig. 7 eine perspektivische Darstellung einer Einheit einer Ofenstation der Vorrichtung gemäß Fig. 1, Fig. 7 is a perspective view of an assembly of an oven station of the apparatus according to Fig. 1,

Fig. 8 und 9 jeweils Draufsichten, die ein Beispiel einer herkömmlichen Halbleiterelement-Fertigungsanlage zeigen, wobei deren Bauteile längs einer horizontalen Ebene angeordnet sind. FIGS. 8 and 9 are plan views showing an example of a conventional semiconductor device manufacturing facility, wherein the components thereof a horizontal plane are arranged longitudinally.

Die Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht des allgemeinen Aufbaus eines Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken. Dieses Ausführungsbeispiel zeigt eine Anwendung einer Werkstück-Bearbeitungsvorrichtung bei einer Halbleiterelement- Fertigungsanlage. Fig. 1 zeigt einen Einlaßkanal AD zur Zufuhr von staubfreier oder temperaturgeregelter Luft, ein Filter AF zur zusätzlichen Reinigung der zugeführten Luft, einen Sammel- oder Auslaßkanal RD zum Sammeln oder Abführen der staubfreien Luft, einen Kabel- bzw. Rohrleitungskanal HD und eine Waferkassetten-Trägerstation IDX, die einen Träger CA enthält, auf dem eine Waferkassette angeordnet ist. Der Träger CA umfaßt einen Bühnenmechanismus zur Drehung einer Waferkassette um eine vertikale Achse. Die Waferkassetten-Trägerstation IDX kann einen Kassettenlift enthalten, der in einer vertikalen Richtung (Z-Achsen-Richtung) bewegbar ist. Alternativ kann die Konstruktion derart sein, daß innerhalb einer Waferkassette, die an der Waferkassetten-Trägerstation IDX liegt, gespeicherte oder angehäufte Wafer einer nach dem anderen in einer vertikalen Bewegung (Z-Achsen-Richtung) eines Greifers einer Handhabeeinheit WHU, auf die noch eingegangen werden wird, herausgenommen werden. Fig. 1 is a perspective view of the general structure of an embodiment of an apparatus for machining workpieces. This exemplary embodiment shows an application of a workpiece processing device in a semiconductor element production system. Fig. 1 shows an inlet channel AD for supplying a dust-free or temperature controlled air, a filter AF for additional cleaning of the supplied air, a collecting or outlet duct RD for collecting or discharging the dust-free air, a cable or tube duct HD and a Waferkassetten- Carrier station IDX, which contains a carrier CA on which a wafer cassette is arranged. Carrier CA includes a stage mechanism for rotating a wafer cassette about a vertical axis. The wafer cassette carrier station IDX may include a cassette lift that is movable in a vertical direction (Z-axis direction). Alternatively, the construction can be such that wafers stored or accumulated within a wafer cassette, which is located at the wafer cassette carrier station IDX, one after the other in a vertical movement (Z-axis direction) of a gripper of a handle unit WHU, which are still discussed will be taken out.

Die Vorrichtung umfaßt zudem eine Wafer-Reinigungseinheit SC sowie Beschichtungsvorrichtungen CT1 und CT2, die jeweils dazu ausgebildet sind, die gesamte Oberfläche eines Wafers mit einem Resistmaterial (Photolackmaterial) zu beschichten. Dazu werden Tropfen dieses Materials auf die Oberfläche eines rotierenden Wafers aufgebracht, so daß das Resist auf die Waferfläche durch eine Zentrifugalkraft aufgetragen wird. Ofenstationen OV1 und OV2 sind jeweils dazu vorgesehen, einen derart resistbeschichteten Wafer zu erhitzen.The device also includes a wafer cleaning unit SC and coating devices CT 1 and CT 2 , which are each designed to coat the entire surface of a wafer with a resist material (photoresist material). For this purpose, drops of this material are applied to the surface of a rotating wafer, so that the resist is applied to the wafer surface by a centrifugal force. Oven stations OV 1 and OV 2 are each intended to heat such a resist-coated wafer.

Bei diesem Ausführungsbeispiel ist jede Ofenstation OV1 bzw. OV2 mit vier unabhängigen Heizplatten versehen, wobei eine von diesen als Kühlplatte zur Zwangskühlung eines Wafers benutzt werden kann. Entwicklungsvorrichtungen DEV1 und DEV2 sind jeweils für das Entwickeln eines Resists eines Wafers, der mittels eines (nicht gezeigten) Entwicklungsgeräts belichtet worden ist, vorgesehen. Öffnungen WW und WW1-WW4 dienen der Zufuhr oder Entnahme eines Wafers zu oder von einem entsprechenden Bauteil. Die Öffnung CW dient der Zufuhr oder Entnahme eines Trägers (einer Waferkassette).In this exemplary embodiment, each oven station OV 1 or OV 2 is provided with four independent heating plates, one of which can be used as a cooling plate for the forced cooling of a wafer. Development devices DEV 1 and DEV 2 are each intended for developing a resist of a wafer that has been exposed by means of a processing device (not shown). Openings WW and WW 1 -WW 4 are used to feed or remove a wafer to or from a corresponding component. The opening CW is used to feed or remove a carrier (a wafer cassette).

Die oben beschriebenen Bauteile sind längs einer zum Boden, auf dem die Halbleiterelement-Fertigungsvorrichtung abgestützt ist, rechtwinkligen Richtung angeordnet. Genauer sind sie längs einer vertikalen Ebene (X-Z-Ebene) so angeordnet, daß jeweils zwei Bauteile in vertikaler Richtung (Z-Achsen-Richtung) aufeinandergesetzt sind, während jeweils vier Bauteile in einer Linie in horizontaler Richtung (Y-Achsen-Richtung) aufgestellt sind. Auf der Oberseite eines jeden Bauteils befindet sich ein Filter AF. Ferner ist in jedem Zwischenraum zwischen benachbarten, in der horizontalen Richtung (Y-Achsen- Richtung) benachbarten Bauteilen eine einen Kanal AD, RD oder HD bildende Einrichtung vorgesehen. Die Waferkassetten- Trägerstation IDX ist oberhalb der Wafer-Reinigungseinheit SC angeordnet, und ihre Öffnung zum Einführen/ Austragen eines Trägers ist zu einem Weg für eine Bedienungsperson oder einen Roboter hin ausbildet. Die Beschichtungsvorrichtungen CT1 und CT2 sind als eine in der vertikalen Richtung (Z-Achsen-Richtung) verlaufende Säule derart angeordnet, daß die Beschichtungsvorrichtung CT1 neben der Waferkassetten- Trägerstation IDX und die Beschichtungsvorrichtung CT2 neben der Reinigungseinheit SC angeordnet ist. In gleicher Weise sind die Ofenstationen OV1 und OV2 übereinander und neben den Beschichtungsvorrichtungen CT1 und CT2 angeordnet, während die Entwicklungsvorrichtungen DEV1 und DEV2 übereinander und neben den Ofenstationen OV1 bzw. OV2 angeordnet sind. Die Rückseite eines jeden Bauteils ist zu einem Wartungsraum hin gerichtet. Dabei ist die Rückseite die Fläche, die der Fläche, in der jeweils eine der Wafereinführ-/-austragöffnungen WW und WW1-WW4 ausgebildet sind, gegenüberliegt.The components described above are arranged along a direction perpendicular to the floor on which the semiconductor element manufacturing apparatus is supported. More precisely, they are arranged along a vertical plane (XZ plane) in such a way that two components are placed one on top of the other in the vertical direction (Z-axis direction), while four components are arranged in a line in the horizontal direction (Y-axis direction) are. There is a filter AF on the top of each component. Furthermore, a device forming a channel AD, RD or HD is provided in each intermediate space between adjacent components which are adjacent in the horizontal direction (Y-axis direction). The wafer cassette carrier station IDX is arranged above the wafer cleaning unit SC, and its opening for inserting / discharging a carrier is formed to be a path for an operator or a robot. The coating devices CT 1 and CT 2 are arranged as a column running in the vertical direction (Z-axis direction) such that the coating device CT 1 is arranged next to the wafer cassette carrier station IDX and the coating device CT 2 is arranged next to the cleaning unit SC. In the same way, the furnace stations OV 1 and OV 2 are arranged one above the other and next to the coating devices CT 1 and CT 2 , while the developing devices DEV 1 and DEV 2 are arranged one above the other and next to the furnace stations OV 1 and OV 2 . The back of each component faces a maintenance room. The rear side is the surface that lies opposite the surface in which one of the wafer insertion / discharge openings WW and WW 1 -WW 4 is formed.

Eine mit WHU bezeichnete Handhabeeinheit dient zur Überführung eines Wafers zwischen den verschiedenen Bauteilen. Die Handhabeeinheit WHU ist auf der Seite des Clean-Raumes vorgesehen und, wie durch strich-punktierte Linien dargestellt ist, so angeordnet, daß sie den längs einer vertikalen Ebene befindlichen Bauteilen gegenüberliegt. Greifer WH1 und WH2 sind dazu ausgebildet, einen Wafer in ein ausgewähltes Bauteil einzuführen oder aus diesem zu entnehmen. Ferner läßt sich mit dem Greifer eine Überführung eines Wafers zwischen unterschiedlichen Bauteilen bewirken. Jeder Greifer ist vor- und rückwärts, nach links und nach rechts sowie auf- und abwärts bewegbar, wie durch Pfeile X, Y und Z angedeutet ist. Wenn wie gezeigt eine Mehrzahl von Greifern vorgesehen ist, wird die Konstruktion derart vorgenommen, daß eine mechanische Störung der Greifer untereinander vermieden wird.A handle unit labeled WHU is used to transfer a wafer between the various components. The handle unit WHU is provided on the side of the clean room and, as shown by dash-dotted lines, arranged so that it is opposite the components located along a vertical plane. Grippers WH 1 and WH 2 are designed to insert or remove a wafer from a selected component. Furthermore, the gripper can be used to transfer a wafer between different components. Each gripper can be moved forwards and backwards, to the left and to the right and up and down, as indicated by arrows X, Y and Z. If, as shown, a plurality of grippers are provided, the construction is carried out in such a way that mechanical interference between the grippers is avoided.

Die Bewegung eines jeden Greifers WH1 oder WH2 in einer Vor- oder Rückwärtsrichtung (Pfeilrichtung X) wird durch einen Greifermechanismus WHB bewerkstelligt. Dabei weist dieser eine kastenartige Ausbildung auf, in die ein Wafer aufgenommen werden kann. Ein Greifer-Antriebsmechanismus WHD1 dient der Bewegung eines entsprechenden der Greifer WH1 bzw. WH2 nach links oder rechts (Pfeilrichtung Y). Mittels des Greifer-Anriebsmechanismus WHD1 läßt sich der Greifer WH1 oder WH2 längs einer Gleitführung SR unter Verwendung einer Antriebskugelspindel DS bewegen. Ein Vertikal-Antriebsmechanismus WHD2 dient der gemeinsamen Auf- und Abbewegung der Greifer WH1 und WH2 mit ihren Gleitführungen SR und Antriebskugelspindeln DS zusammen (Pfeilrichtung Z).The movement of each gripper WH 1 or WH 2 in a forward or backward direction (arrow direction X) is accomplished by a gripper mechanism WHB. It has a box-like configuration in which a wafer can be accommodated. A gripper drive mechanism WHD 1 serves to move a corresponding one of the grippers WH 1 or WH 2 to the left or right (arrow direction Y). By means of the gripper drive mechanism WHD 1 , the gripper WH 1 or WH 2 can be moved along a sliding guide SR using a drive ball spindle DS. A vertical drive mechanism WHD 2 is used to move the grippers WH 1 and WH 2 together with their slide guides SR and drive ball spindles DS together (arrow direction Z).

Jedes Bauteil (jede Baueinheit) hat seine Öffnung, z. B. WW, für den Wafer-Austrag an der Seite, an der die Greifer WH1 und WH2 vorgesehen sind. Wenn jedoch an der linken bzw. rechten Seite neben der am weitesten links bzw. am weitesten rechts liegenden Einheit irgendwelche weiteren Wafer-Transporteinrichtungen vorgesehen sind, dann können in diesen Teilen zusätzliche Öffnungen vorhanden sein.Each component (each assembly) has its opening, e.g. B. WW, for the wafer discharge on the side on which the grippers WH 1 and WH 2 are provided. However, if any other wafer transport devices are provided on the left or right next to the left or right unit, then additional openings may be present in these parts.

Mittels des Einlaßkanals AD, des Filters AF und des Auslaßkanals RD ist es möglich, in jedem Bauteil eine ausreichende Reinheit oder Sauberkeit konstant zu halten.By means of the inlet duct AD, the filter AF and the outlet duct RD it is possible to have an adequate in each component To keep purity or cleanliness constant.

Fig. 2 zeigt einen Teilschnitt des Einlaßkanals AD, des Filters AF, des Auslaßkanals RD und weiterer Teile, die bei der Vorrichtung gemäß Fig. 1 vorhanden sind. Luft, die temperaturgeregelt sein kann, wird von dem Einlaßkanal AD durch das Luftfilter AF jeder Einheit zugeführt, wie durch Pfeile angedeutet ist. Gemäß Fig. 2 kann dazu oberhalb des Luftfilters AF ein Motorgebläse DM vorgesehen sein. Der Aufbau ist derart gestaltet, daß die Luft durch die Einheit in einem laminaren Fließschema strömt und am Auslaßkanal RD gesammelt wird. Zudem ist der Kabel- bzw. Rohrleitungskanal HD gemäß Fig. 1 von den Kanälen AD sowie RD getrennt und hinter diesen angeordnet. In diesem Bauteil erfolgt keine spezielle Abführung durch ein Gebläse. FIG. 2 shows a partial section of the inlet duct AD, the filter AF, the outlet duct RD and other parts which are present in the device according to FIG. 1. Air, which can be temperature controlled, is supplied from the inlet duct AD through the air filter AF to each unit, as indicated by arrows. Referring to FIG. 2, an engine fan may be to DM provided above the air filter AF. The design is such that the air flows through the unit in a laminar flow scheme and is collected at the outlet duct RD. In addition, the cable or pipeline channel HD according to FIG. 1 is separated from the channels AD and RD and is arranged behind them. In this component there is no special discharge by a blower.

In jeder der Ofenstationen OV1 und OV2 kann die Temperatur eines jeden Ofens (jeder Heizeinrichtung) wunschgemäß bestimmt werden. Außerdem können auch zwei Heizeinrichtungen für ein Vorbrennen oder -trocknen und zwei weitere Heizeinrichtungen für ein Nachbrennen oder -trocknen zur Anwendung kommen.In each of the oven stations OV 1 and OV 2 , the temperature of each oven (each heating device) can be determined as desired. In addition, two heating devices for prebaking or drying and two further heating devices for afterburning or drying can also be used.

Im folgenden wird auf den Vorgang bei einem Beschichtungs- sowie einem Entwicklungsprozeß unter Verwendung einer Vorrichtung gemäß dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel eingegangen.In the following, the process of a coating as well as a development process using a Received device according to the embodiment described above.

Zuerst wird in einem Wafer-Beschichtungsprozeß ein Wafer aus einem an der Waferkassetten-Trägerstation IDX angeordneten Träger CA mittels eines Greifers WH (WH1 oder WH2) entnommen. Wenn eine Reinigung des Wafers erforderlich ist, wird der entnommene Wafer der Wafer-Reinigungseinheit SC zugeführt und in dieser gereinigt. Danach wird der Wafer vom Greifer WH aus der Reinigungseinheit SC entnommen, dem Ofen OV2 zugeführt und darin getrocknet. Auf diese Weise kann mittels des Greifers WH der Handhabeeinheit WHU der Wafer zu verschiedenen Prozeßeinheiten in Folge transportiert werden. Nach dem Trocknen wird der Wafer der Filmbeschichtung durch die Beschichtungsvorrichtung CT1 unterworfen, woraufhin im Ofen OV1 ein Sintern erfolgt. Wenn eine weitere Beschichtung notwendig ist, wird der Wafer wieder einem Filmbeschichtungsvorgang in der Beschichtungsvorrichtung CT2 unterworfen, woraufhin er nach einem erneuten Sintern im Ofen OV1 zum Träger CA zurückgeführt wird.First, in a wafer coating process, a wafer is removed from a carrier CA arranged at the wafer cassette carrier station IDX by means of a gripper WH (WH 1 or WH 2 ). If cleaning of the wafer is required, the removed wafer is fed to the wafer cleaning unit SC and cleaned there. The wafer is then removed from the cleaning unit SC by the gripper WH, fed to the oven OV 2 and dried therein. In this way, the wafer can be transported to different process units in succession by means of the gripper WH of the handle unit WHU. After drying, the wafer is subjected to the film coating by the coating device CT 1 , whereupon sintering takes place in the oven OV 1 . If a further coating is necessary, the wafer is again subjected to a film coating process in the coating device CT 2 , whereupon it is returned to the carrier CA after being sintered again in the oven OV 1 .

Anschließend wird der Wafer dem Träger CA entnommen und an einer Belichtungseinheit, die außerhalb der Bearbeitungsvorrichtung angeordnet ist, einem Belichtungsvorgang unterworfen. Anschließend wird er zum Träger CA zurücktransportiert. The wafer is then removed from the carrier CA and on an exposure unit that is outside the processing device is arranged, subjected to an exposure process. It is then transported back to the carrier CA.

Für den Entwicklungsprozeß wird ein belichteter Wafer durch den Greifer WH entnommen, zur Entwicklungseinheit DEV1 oder DEV2 überführt und darin entwickelt. Nach der Entwicklung wird der Wafer zum Sintern erneut durch den Greifer WH in den Ofen OV1 oder OV2 überführt und danach zum End- oder Fertigträger CA transportiert. Zu diesem Zeitpunkt sind alle Vorgänge abgeschlossen.For the development process, an exposed wafer is removed by the gripper WH, transferred to the DEV 1 or DEV 2 development unit and developed therein. After development, the wafer for sintering is again transferred by the gripper WH into the oven OV 1 or OV 2 and then transported to the end or finished carrier CA. At this point, all operations are complete.

Wenngleich die Erfindung unter Bezugnahme auf ein Beispiel einer Anlage von Einheiten, die Vorrichtungen der Spin-Bauart und Brennvorrichtungen zur Verwendung in der Photolithographie umfassen, erläutert wurde, so ist die Erfindung nicht auf das beschriebene Beispiel begrenzt, sondern auch auf irgendwelche anderen Ausgestaltungen oder Anlagen anwendbar. Beispielsweise kann im Hinblick auf eine Anlage von Einheiten, die eine Ätzvorrichtung, eine Vorrichtung zur thermischen Abscheidung aus der Gasphase u. dgl. umfassen, eine gleichartige Konstruktion angewendet werden.Although the invention is based on an example a system of units, the devices of the spin design and burners for use in photolithography include, has been explained, the invention is not limited to the example described, but also to any other configurations or systems applicable. For example, with regard to the creation of units, which an etching device, a device for thermal Deposition from the gas phase u. Like. Include a similar construction can be applied.

Obwohl die Vorrichtung gemäß Fig. 1 einen Aufbau hat, der eine Reinigungsstation SC, eine Beschichtungsstation CT, Ofenstationen OV1 sowie OV2 und Entwicklungsstationen DEV1 sowie DEV2 umfaßt, kann diese Konstruktion so abgewandelt werden, wie es in Fig. 3 gezeigt ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind in einer unteren Reihe eine Waferkassetten-Trägerstation IDX2, eine Filmdicke-Meßstation SP1, eine Beschichtungsstation CT2 und eine Ofenstation OV2 in der angegebenen Reihenfolge von links her angeordnet, während in einer oberen Reihe eine Waferkassetten-Trägerstation IDX1, eine Werkstück-Typensymbol- Lesestation READ1, eine Beschichtungsstation CT1 und eine Ofenstation OV1 in der angegebenen Reihenfolge von links her vorgesehen sind. Der übrige Teil der Konstruktion entspricht demjenigen des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 1. Although the apparatus of FIG. 1 has a structure comprising a cleaning station SC, a coating station, CT, oven stations OV 1 and OV 2 and development stations DEV 1 and DEV 2, this construction can be modified as shown in Fig. 3 . In this exemplary embodiment, a wafer cassette carrier station IDX 2 , a film thickness measuring station SP 1 , a coating station CT 2 and an oven station OV 2 are arranged in the order shown from the left in a lower row, while a wafer cassette carrier station IDX is arranged in an upper row 1 , a workpiece type symbol reading station READ 1 , a coating station CT 1 and an oven station OV 1 are provided in the order given from the left. The remaining part of the construction corresponds to that of the exemplary embodiment according to FIG. 1.

Beim Betrieb der Vorrichtung gemäß Fig. 3 wird ein erster Wafer aus einem Träger CA1 entnommen und in die Werkstück-Typensymbol- Lesestation READ1 eingeführt. Dann wird der Inhalt des Typensymbols des ersten Wafers gelesen und erkannt, daß der Wafer ein Prüfwafer ist. Anschließend wird der Wafer zur Beschichtungsstation CT1 und dann über die Ofenstation OV1 zur Filmdicke-Meßstation SP1 transportiert. In dieser Meßstation SP1 wird die Filmdicke gemessen. Wenn diese in einem vorbestimmten Toleranzbereich liegt, wird entschieden, daß die Verarbeitung weiterer Wafer eingeleitet werden kann. Liegt die Filmdicke des Prüfwafers außerhalb des Toleranzbereichs, so wird die Anzahl der Umdrehungen pro Zeiteinheit eines Wafers bei Aufbringen eines Resistmaterials an der Beschichtungsstation CT1 automatisch geändert und erst dann die Bearbeitung weiterer Wafer durchgeführt. Zudem wird bei Beginn der Bearbeitung eines zweiten Wafers auf der Grundlage des Auslesens des Typensymbols an der Lesestation READ1 entschieden, ob ein Wafer längs einer Bahn von CT1 oder OV2 und CT2 zu OV2 oder einer Bahn von CT1 über OV1 oder CT2 zu OV2 transportiert werden soll, worauf die Waferbearbeitung entsprechend durchgeführt wird.In operation of the apparatus shown in FIG. 3 is taken from a first wafer from a carrier CA 1 and introduced into the workpiece Typensymbol- reading station READ 1. Then the content of the type symbol of the first wafer is read and it is recognized that the wafer is a test wafer. The wafer is then transported to the coating station CT 1 and then via the oven station OV 1 to the film thickness measuring station SP 1 . The film thickness is measured in this measuring station SP 1 . If this is within a predetermined tolerance range, it is decided that the processing of further wafers can be initiated. If the film thickness of the test wafer is outside the tolerance range, the number of revolutions per unit time of a wafer is automatically changed when a resist material is applied to the coating station CT 1 and only then is the processing of further wafers carried out. In addition, when a second wafer is being processed, a decision is made on the basis of the reading of the type symbol at the reading station READ 1 as to whether a wafer is along a path from CT 1 or OV 2 and CT 2 to OV 2 or a path from CT 1 to OV 1 or CT 2 is to be transported to OV 2 , whereupon the wafer processing is carried out accordingly.

Liegt eine Konstruktion gemäß Fig. 4 vor, bei der in einer unteren Reihe eine Werkstück-Typensymbol-Lesestation READ1, eine Entwicklungsstation DEV2, eine Ofenstation OV2 und eine Bestrahlungsstation DUV2 mit starken UV- Strahlen in der angegebenen Reihenfolge von links her angeordnet sind, während in einer oberen Reihe eine Waferkassetten- Trägerstation IDX1, eine Entwicklungsstation DEV1, eine Ofenstation OV1 und eine Bestrahlungsstation DUV1 mit starken UV-Strahlen in der angegebenen Reihenfolge von links her vorgesehen sind, dann läuft die Arbeitsweise folgendermaßen ab: Is a structure according to Fig. 4 before, wherein in a lower row, a workpiece-type symbol reading station READ 1, a developing station DEV 2, an oven station OV 2 and an irradiation station DUV 2 with strong UV rays in the stated order from the left are arranged, while in a top row a wafer cassette carrier station IDX 1 , a development station DEV 1 , an oven station OV 1 and an irradiation station DUV 1 with strong UV rays are provided in the order given from the left, then the procedure is as follows :

Zuerst wird ein erster Wafer einem Träger CA1 entnommen und in die Typensymbol-Lesestation READ1 eingebracht. Dann wird der Inhalt des Typensymbols des ersten Wafers gelesen und entschieden, ob ein Wafer transportiert und in einer ersten Weise bearbeitet werden soll, nämlich in einer Reihenfolge von DEV1 oder DEV2 über OV1 oder OV2 nach DUV1 oder DUV2, oder in einer zweiten Weise, nämlich in einer Reihenfolge nur von DEV1 oder DEV2 nach OV1 oder OV2, worauf die Bearbeitung des Wafers dementsprechend durchgeführt wird. in diesem Fall sind die Stationen DUV1 und DUV2 jeweils eine Bestrahlungsstation mit starken UV-Strahlen, die dazu vorgesehen sind, die Hitzebeständigkeit eines Schemas, das dem Entwicklungsprozeß unterworfen worden ist, zu steigern. Jede der Entwicklungsstationen DEV1 und DEV2 enthält auch ein Prüfteil für ein Entwicklungsergebnis (ein Entwicklungsende- Erfassungsteil) sowie ein Bauteil, das imstande ist, eine optische Ermittlung durchzuführen, um eine optimale Entwicklung für jeden Wafer zu gewährleisten.First, a first wafer is removed from a carrier CA 1 and introduced into the type symbol reading station READ 1 . Then the content of the type symbol of the first wafer is read and a decision is made as to whether a wafer is to be transported and processed in a first manner, namely in a sequence from DEV 1 or DEV 2 via OV 1 or OV 2 to DUV 1 or DUV 2 , or in a second way, namely in a sequence only from DEV 1 or DEV 2 to OV 1 or OV 2 , whereupon the processing of the wafer is carried out accordingly. in this case the stations DUV 1 and DUV 2 are each an irradiation station with strong UV rays, which are intended to increase the heat resistance of a scheme that has been subjected to the development process. Each of the development stations DEV 1 and DEV 2 also contains a test part for a development result (a development end detection part) and a component which is able to carry out an optical determination in order to ensure optimal development for each wafer.

Bei der beschriebenen Vorrichtung kann durch Manipulieren seitens einer Bedienungsperson ein Vorgang oder Prozeß, der irgendeine Kombination von aufeinanderfolgenden Operationen umfaßt, nach Wunsch festgelegt werden. In Übereinstimmung mit einem derartigen Vorgehen regelt ein übergeordneter Computer (s. Fig. 5) HOST-ZE die Folge der Wafereinführung und des Waferaustrags. Beispiele für Prozesse, die durch die Bedienungsperson festgesetzt werden können, sind folgende:In the apparatus described, an operator may manipulate an operation or process that includes any combination of sequential operations as desired. In accordance with such a procedure, a higher-level computer (see FIG. 5) HOST-ZE controls the sequence of the wafer insertion and the wafer discharge. Examples of processes that can be set by the operator are as follows:

1. A wafer within a carrier CA arranged on the carrier (switching device) is moved and processed in the following order:
"From the carrier CA via the coating station CT 1 and the furnace station OV 1 to the carrier CA."
This is an example in which only burning occurs after coating.
2. A wafer located within a carrier CA arranged on a carrier IDX is moved and processed as follows:
"From the carrier CA to the coating station CT 1 and then to the furnace station OV 1 , on to the coating station CT 2 , to the furnace station OV 2 and to the carrier CA."
3. A wafer located in a carrier CA arranged on a switching device (carrier) IDX is moved and processed in the following way:
"From the carrier CA to the cleaning station SC, then to the furnace station OV 2 , then to the coating station CT 1 and then to the furnace station OV 1 and to the carrier CA."
4. A wafer located in a carrier arranged on a switching device IDX is moved and processed as follows:
"From carrier CA to development station DEV 1 or DEV 2 , then to furnace station OV 1 or OV 2 and then to carrier CA."

Somit kann durch eine Manipulation einer Bedienungsperson eine gewünschte Folge in der Bearbeitung eines Wafers bestimmt werden, worauf der übergeordnete Computer die Waferbearbeitung in Übereinstimmung mit dem bestimmten Vorgang durchführt.Thus, manipulation of a Operator a desired sequence in the processing of a wafer can be determined on what the parent computer wafer processing in accordance with the particular Operation.

Zusätzlich kann bei der beschriebenen Vorrichtung eine Mehrzahl von unerschiedlichen Prozessen, von denen jeder eine Folge von Operationen umfaßt, festgelegt werden. Dabei können diese Prozesse parallel zueinander oder miteinander abwechselnd durchgeführt werden. Sind beispielsweise mehrere Träger vorhanden, so können unterschiedliche Prozesse vorgegeben werden, so daß (i) ein Wafer in einem Träger A von der Beschichtungsstation CT1 über die Ofenstation OV1 transportiert und bearbeitet wird, während (ii) ein Wafer innerhalb eines anderen Trägers B von der Entwicklungsstation DEV1 oder DEV2 über die Ofenstation OV2 transportiert und bearbeitet wird. Es ist möglich, die Waferbearbeitung mit einem automatischen Transport von in den Trägern gehaltenen Wafern mittels der Greifer WH1 und WH2 fortzuführen. Dieses gelingt unter dem Einfluß des übergeordneten Computers, der einen Bereitschafts- oder Besetzt-Zustand einer jeden Einheit feststellt bzw. darüber entscheidet.In addition, a plurality of different processes, each of which comprises a sequence of operations, can be defined in the device described. These processes can be carried out in parallel with one another or alternately with one another. If, for example, several carriers are present, different processes can be specified so that (i) a wafer in a carrier A is transported and processed by the coating station CT 1 via the oven station OV 1 , while (ii) a wafer within another carrier B is transported and processed by the development station DEV 1 or DEV 2 via the oven station OV 2 . It is possible to continue the wafer processing with an automatic transport of wafers held in the carriers by means of the grippers WH 1 and WH 2 . This succeeds under the influence of the higher-level computer, which determines or decides whether each unit is ready or busy.

Andererseits kann gemäß Fig. 5 der konzentrierte Regelmotor, durch den verschiedene Teile der Vorrichtung konzentriert gesteuert werden, innerhalb eines Steuerrahmens (d. h. in einem von einem Raum, in dem die Vorrichtung untergebracht ist, getrennten Raum) angeordnet werden, während eine Verbindung mit dem übergeordneten Computer (HOST-ZE) aufrechterhalten wird, so daß dieser für die überwachende oder übergeordnete Regelung verwendet wird.On the other hand, as shown in FIG. 5, the concentrated control motor by which various parts of the device are controlled in a concentrated manner can be arranged within a control frame (ie in a room separate from a room in which the device is housed) while being connected to the parent Computer (HOST-ZE) is maintained so that it is used for the monitoring or higher-level control.

Zusätzlich kann jedes Bauteil mit einem Hilfs-Greifer versehen sein. Fig. 6A-6C zeigen in einer perspektivischen Ansicht, in einem Schnitt und in einer Seitenansicht einen Teil der Vorrichtung gemäß Fig. 1, wobei die Beschichtungsvorrichtung CT1 mit einem Hilfs-Greifer versehen ist.In addition, each component can be provided with an auxiliary gripper. FIGS. 6A-6C show in a perspective view, in a section and in a side view of part of the apparatus according to Fig. 1, wherein the coating device CT 1 with an auxiliary gripper is provided.

Es sind gemäß Fig. 6A-6C ein Primärgreifer WH, wie er vorstehend beschrieben wurde, ein Spannfutter CH, eine Glocke CP, ein Hilfs-Greifer CBH, eine Gleitschiene oder -führung SR, eine Zahnstange RG, ein Zahnrad oder Ritzel PG, Zylinder CY1-CY3 und Wafer W1 sowie W2 vorhanden. Der Zylinder CY2 ist an einer Basis fest, wie die Fig. 6C zeigt, während die Zylinder CY1 und CY2 gelenkig miteinander verbunden sind. There are shown in FIG. 6A-6C, a primary gripper WH, as described above, a chuck CH, a bell CP, an auxiliary gripper CBH, a slide rail or guide SR, a rack gear RG, a gear or pinion gear PG, cylinder CY 1 -CY 3 and wafers W 1 and W 2 available. The cylinder CY 2 is fixed to a base as shown in Fig. 6C, while the cylinders CY 1 and CY 2 are hinged together.

Der Hilfs-Greifer hat in diesem Fall eine Wafer-Zentrier- und eine Wafer-Pufferfunktion. Im einzelnen bildet (wie in Fig. 6B gezeigt), der obere Teil des Hilfs-Trägers CBH eine Pufferzone, in der ein bearbeiteter Wafer W2 gehalten werden kann. Wenn ein unbearbeiteter Wafer W1 am Spannfutter CH angeordnet wird, ist mit diesem Greifer zudem die Zentrierung des Wafers möglich.In this case, the auxiliary gripper has a wafer centering and a wafer buffer function. Specifically (as shown in FIG. 6B), the upper part of the auxiliary carrier CBH forms a buffer zone in which a processed wafer W 2 can be held. If an unprocessed wafer W 1 is arranged on the chuck CH, the centering of the wafer is also possible with this gripper.

Beim Betrieb wird zuerst ein am Spannfutter CH angeordneter, bearbeiteter Wafer W2 durch das Spannfutter aufwärts (bei Betrachtung der Zeichnung) geschoben. Anschließend wird der Zylinder CY1 eingefahren, wodurch aufgrund des Zusammenwirkens der Zahnstange RG mit dem Ritzel PG der Abstand zwischen den beiden Armen des Hilfs-Greifers CBH vermindert wird. Durch Absenken des Spannfutters CH wird dann der Wafer W2 am Hilfs-Greifer CBH angeordnet. Nach Beendigung dieses Vorgangs wird unter Verwendung des Zylinders CY3 der Hilfs- Greifer CBH (in der Zeichnung) aufwärts bewegt, wodurch ein Puffervorgang für den Wafer W2 erlangt wird.During operation, a processed wafer W 2 arranged on the chuck CH is first pushed upward through the chuck (when looking at the drawing). Then the cylinder CY 1 is retracted, whereby the distance between the two arms of the auxiliary gripper CBH is reduced due to the interaction of the rack RG with the pinion PG. By lowering the chuck CH, the wafer W 2 is then arranged on the auxiliary gripper CBH. After completion of this process, the auxiliary gripper CBH (in the drawing) is moved upward using the cylinder CY 3 , whereby a buffering process for the wafer W 2 is obtained.

Anschließend wird durch den Greifer WH ein unbearbeiteter Wafer W1 auf die Glocke CP überführt. Dann bewegt sich das Spannfutter CH wieder aufwärts, so daß der Wafer W1 auf das Spannfutter CH gebracht wird. Der Greifer WH wird vorübergehend von der Glocke CP zurückgezogen. Zu diesem Zeitpunkt wird der Zylinder CY2 eingefahren, wodurch über den damit gelenkig verbundenen Zylinder CY1 die Arme des Greifers CBH geringfügig geschlossen werden. Dadurch wird das Zentrum des Wafers W1 exakt mit dem Zentrum des Spannfutters in Übereinstimmung gebracht. Dieser Zustand ist in Fig. 6 gezeigt.An unprocessed wafer W 1 is then transferred to the bell CP by the gripper WH. Then the chuck CH moves up again, so that the wafer W 1 is placed on the chuck CH. The gripper WH is temporarily withdrawn from the bell CP. At this time, the cylinder CY 2 is retracted, whereby the arms of the gripper CBH are slightly closed via the cylinder CY 1 which is articulated to it. As a result, the center of the wafer W 1 is brought into exact alignment with the center of the chuck. This state is shown in Fig. 6.

Hierauf zieht das Spannfutter CH den Wafer W1 durch eine Unterdruck- oder Saugwirkung an. Anschließend arbeitet der Zylinder CY2, um den Hilfs-Greifer CBH wieder geringfügig zu öffnen, und das Spannfutter CH bewegt sich mitsamt dem gehaltenen Wafer W1 durch Anziehung abwärts. Dann wird der Greifer WH wieder über das Oberteil der Glocke CP geschoben, woraufhin mittels des Zylinders CY3 der Hilfs-Greifer CBH abwärts bewegt wird, um so den Wafer W2 auf den Greifer WH zu überführen. Der Greifer WH führt für einen Übergang zum nächsten Vorgang wieder eine Rückziehbewegung aus. Gleichzeitig fährt der Zylinder CY1 aus, so daß sich der Hilfs-Greifer CBH von der Glocke CP wegbewegt, womit in diesem Zustand die Bearbeitung des Wafers W1 eingeleitet werden kann.The chuck CH then attracts the wafer W 1 by means of a vacuum or suction effect. Subsequently, the cylinder CY 2 works to open the auxiliary gripper CBH slightly again, and the chuck CH, together with the wafer W 1, moves downwards by attraction. Then the gripper WH is pushed again over the upper part of the bell CP, whereupon the auxiliary gripper CBH is moved downward by means of the cylinder CY 3 , in order to transfer the wafer W 2 onto the gripper WH. The gripper WH executes a retracting movement for a transition to the next process. At the same time, the cylinder CY 1 extends so that the auxiliary gripper CBH moves away from the bell CP, with which the processing of the wafer W 1 can be initiated in this state.

Fig. 7 zeigt eine Einheit der Ofenstation, z. B. der Ofenstation OV1, der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung. Hierbei ist ein Hilfs-Greifer innerhalb des Ofens vorgesehen, und der Wafer wird unter Verwendung des Hilfs-Greifers aus einer mit einer Heizplatte versehenen Heizkammer nach Verstreichen einer vorbestimmten Zeitspanne herausgenommen, um ein übermäßiges Brennen zu verhindern. Fig. 7 shows a unit of the furnace station, e.g. B. the furnace station OV 1 , the device shown in Fig. 1. Here, an auxiliary gripper is provided inside the furnace, and the wafer is taken out from a heating chamber provided with a hot plate after the lapse of a predetermined period of time using the auxiliary gripper to prevent excessive burning.

Wenn in Fig. 7 ein Ofen-Spannfutter CHO einen Wafer von einem Greifer WH empfängt, wird ein Zylinder CY4 betätigt. Dadurch läßt sich eine Hilfs-Greifereinheit als Ganzes aufwärts bewegen, so daß der Wafer auf einen Hilfs-Greifer SBH überführt wird. Der Hilfs-Greifer SBH wird durch den Antrieb mittels eines Motors M1 nach links bewegt, um den Wafer auf einen Ofen OV zu führen. Durch eine Abwärtsbewegung der gesamten Einheit mittels des Zylinders CY4 wird der Wafer auf dem Ofen OV angeordnet. Dann wird der Hilfs-Greifer SBH zurück in seine Ausgangslage durch den vom Motor M1 bewirkten Antrieb bewegt. Nach dem Brennen im Ofen OV für eine vorbestimmte Zeit arbeitet der Hilfs-Greifer SBH in einer umgekehrten Folge, um den Wafer zurück zum Ofen-Spannfutter CHO zu bringen. In Fig. 7, when a furnace chuck CHO receives a wafer from a gripper WH, a cylinder CY 4 is operated. As a result, an auxiliary gripper unit can be moved upwards as a whole, so that the wafer is transferred to an auxiliary gripper SBH. The auxiliary gripper SBH is moved to the left by the drive by means of a motor M 1 in order to guide the wafer onto an oven OV. By moving the entire unit downwards by means of the cylinder CY 4 , the wafer is arranged on the oven OV. Then the auxiliary gripper SBH is moved back to its starting position by the drive effected by the motor M 1 . After firing in the OV furnace for a predetermined time, the auxiliary gripper SBH works in reverse order to bring the wafer back to the furnace chuck CHO.

Wenn sich der Beschichtungsvorgang unter Verwendung einer Beschichtungsvorrichtung der Spin-Bauart teilweise mit irgendeinem anderen Vorgang, wie ein Brennen od. dgl., überdeckt, erfordert eine Konstruktion mit querliegender Anordnung einen außerordentlich großen, von der Vorrichtung einzunehmenden Flächenbereich. Eine derartige herkömmliche Konstruktion ist in Fig. 8 dargestellt. Durch die erfindungsgemäße Anordnung kann jedoch die Vorrichtung in einer vertikal verlaufenden Gestalt konstruiert und insofern in einem begrenzten, kleinen Flächenbereich angeordnet werden. Als Ergebnis dessen wird eine Verminderung der von der Vorrichtung eingenommenen Fläche erlangt. Ferner schließt die herkömmliche Konstruktion mit querliegender Anordnung Beschränkungen oder Begrenzungen ein. Derartiges ist in Fig. 9 beispielhaft gezeigt. Wenn bei einer herkömmlichen Anordnung gemäß Fig. 9 der Wunsch besteht, lediglich einen Spin-auf-Glas-Beschichter SOGCT zu verwenden, dann müssen Pufferstationen B3 und B4 als Abgabeeinrichtungen und Pufferstationen B5 sowie B6 als Empfangs- oder Aufnahmeeinrichtung zur Anwendung kommen. Bei der Anordnung gemäß der Erfindung besteht eine derartige Beschränkung jedoch nicht, und es ist möglich, selbst wenn der Wunsch nach einer Änderung des Prozesse in dessen Verlauf besteht, den Wafer von derselben Trägerstation zuzuführen.If the coating operation using a spin-type coating apparatus partially overlaps with any other operation such as burning or the like, a transverse arrangement construction requires an extremely large area to be occupied by the apparatus. Such a conventional construction is shown in FIG. 8. By means of the arrangement according to the invention, however, the device can be constructed in a vertically running shape and can therefore be arranged in a limited, small area. As a result, a reduction in the area occupied by the device is obtained. Furthermore, the conventional transverse arrangement construction includes limitations. Such is shown by way of example in FIG. 9. If, in a conventional arrangement according to FIG. 9, there is a desire to use only a spin-on-glass coater SOGCT, then buffer stations B 3 and B 4 have to be used as dispensing devices and buffer stations B 5 and B 6 have to be used as receiving or receiving devices come. However, there is no such limitation in the arrangement according to the invention, and it is possible to feed the wafer from the same carrier station even if there is a desire to change the process in the course thereof.

Bei der erfindungsgemäßen Anordnung der Vorrichtung ist keine unnütze Pufferstation, wie die Stationen B1-B8 in Fig. 9, vorhanden, und es ist nicht erforderlich, eine Greifereinrichtung zwischen benachbarten Einheiten, z. B. zwischen den Einheiten S und CT in Fig. 9, vorzusehen. Als Ergebnis dessen ist eine erhebliche Kostenreduzierung zu erzielen. Da zudem der Aufbau der Vorrichtung in sich selbst die Reinheit oder Sauberkeit steigert, können die Kosten für einen Clean-Raum des Betreibers vermindert werden. In the arrangement of the device according to the invention there is no useless buffer station, such as the stations B 1 -B 8 in FIG. 9, and it is not necessary to place a gripper device between adjacent units, e.g. B. between the units S and CT in Fig. 9 to provide. As a result, a significant cost reduction can be achieved. In addition, since the structure of the device itself increases the cleanliness or cleanliness, the costs for a clean room of the operator can be reduced.

Weil außerdem in jeder Einheit die Reinheit oder Temperatur eines gewünschten Bauteils örtlich kontrolliert und geregelt werden kann, können mit hoher Sicherheit konstante Bedingungen gewährleistet werden. Da sich ferner ein Wafer beim Transport in einem Behälter befindet, besteht allenfalls eine sehr kleine Möglichkeit zum Anhaften von Fremdpartikeln am Wafer.Because in every unit there is also purity or temperature of a desired component locally checked and regulated can be constant with high certainty Conditions are guaranteed. Since there is also a wafer during transport in a container, there is at most a very small one Possibility of foreign particles adhering to the wafer.

Wie vorstehend beschrieben sind erfindungsgemäß verschiedene Bauteile einer Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken in einer vertikalen Richtung angeordnet, und aus diesem Grund kann der von der Vorrichtung eingenommene Bodenflächenbereich vermindert werden, wie auch die Kosten oder die Abmessungen der Vorrichtung als Ganzes herabgesetzt werden können.As described above, the invention various components of a device for processing Workpieces arranged in a vertical direction, and for this reason, the one taken up by the device Floor area are reduced, as are the costs or reduced the dimensions of the device as a whole can be.

Selbst innerhalb eines Clean-Raumes mit einer nur relativ mäßigen Reinheit kann die erfindungsgemäße Vorrichtung eine hohe Reinheit aufrechterhalten, wodurch eine Kontaminierung der Wafer reduziert werden kann.Even within a clean room with only a relative The device according to the invention can be of moderate purity maintain high purity, thereby contamination of the wafers can be reduced.

Darüber hinaus kann die Anpassungsfähigkeit an den Verarbeitungsprozeß erheblich gesteigert werden. Dadurch ist es möglich, die Vorrichtung für mehrere Zwecke zu verwenden. Beispielsweise in einem Betrieb für eine Produktion von mehreren unterschiedlichen Gegenständen in kleinen Stückzahlen oder in solch einem Betrieb bzw. solch einem Institut, in dem Studien oder Versuchsproduktionen von Halbleiterelementen durchgeführt werden sollen.In addition, adaptability to the processing process be significantly increased. That’s it possible the device for several Purposes. For example in a company for a production of several different objects in small Quantity or in such a company or such Institute where studies or trial productions of semiconductor elements should be carried out.

Claims

1.Device for processing workpieces with a plurality of structural units, which has a cassette carrier unit for carrying a cassette holding the workpieces and an oven unit for heating the workpieces, and with a handle device operated by a control device with a movement mechanism for transporting the workpieces between different structural units, thereby characterized in that the structural units (IDX, SC, CT, OV, DEV, DUV) - which also include a resist coating unit (CT) for coating a workpiece removed from the cassette holding the workpiece with a resist - in a vertical plane (Y, Z) are arranged side by side and one above the other that the movement mechanism (WHD) of the handle device (WHU) can be moved parallel to the vertical plane (Y, Z) and depending on a selected process sequence and that each structural unit (IDX, SC, CT, OV , DEV, DUV) with an opening (WW) on one of the handles device (WHU) facing side for inserting or removing a workpiece.

2. Device according to claim 1, characterized in that the units (IDX, SC, CT, OV, DEV, DUV) also a reading station (READ) for reading a workpiece type symbol and comprise a measuring station (SP) for measuring a film thickness.

3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that that the units (IDX, SC, CT, OV, DEV, DUV, READ, SP) are stacked in two horizontal rows and each row comprises several components.

4. Device according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the handle device (WHU) several Has gripping mechanisms (WHB).

5. Device according to one of the preceding claims, characterized characterized in that by means of the control device several Sequences for the workpiece transport can be determined and that the sequences can be executed in parallel or alternately are.