DE3909394C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen zweidimensionalen CCD-Bildsensor gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1, ein Bildaufnahmeverfahren für eine
relativ zur verwendeten Bildaufnahmevorrichtung bewegten Szene gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 9, eine Ansteuerungsvorrichtung für den
Bildsensor zur Durchführung des Bildaufnahmeverfahrens sowie ein Ansteu
erungsverfahren unter Verwendung dieser Ansteuerungsvorrichtung.
Zweidimensionale CCD-Bildsensoren der eingangs erwähnten Art sind bei
spielsweise aus "Charge-coupled devices and their applications" von
J.D.E. Beynon und D.R. Lamb, 1980, bekannt. Derartige Bildsensoren kön
nen prinzipiell auch zur Aufnahme von relativ zu ihnen bewegten Szenen
oder Objekten verwendet werden. Bei im Verhältnis zur Integrationszeit
des Bildsensors zu schnellen Relativbewegungen tritt jedoch das Problem
der Bewegungsunschärfe auf. Es ist daher versucht worden, die den Bild
sensor enthaltende Kamera dem bewegten Objekt nachzuführen, beispiels
weise mit Hilfe einer kardanischen Aufhängung der Kamera. Dies erfordert
jedoch einen erheblichen mechanischen Aufwand. Es besteht auch die Mög
lichkeit, die Bewegungsunschärfe dadurch zu vermindern, daß die Belich
tungszeit so weit wie möglich verkürzt wird. Hierzu sind jedoch sehr
große bzw. lichtstarke Objektive erforderlich. Weiterhin ist versucht
worden, der Kamera bzw. dem Bildsensor eine lichtverstärkende Elektronik
vorzuschalten. Dies hat jedoch eine Vergrößerung des Rauschanteils zur
Folge. Aus all dem wird deutlich, daß das Problem der Vermeidung der Be
wegungsunschärfe bei der Aufnahme relativ zur Kamera bewegter Objekte
noch nicht in allseits zufriedenstellender Weise gelöst ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Bildsensor der
eingangs genannten Art bereitzustellen, mit dessen Hilfe das Auftreten
von Bewegungsunschärfen bei der Aufnahme von relativ zum Bildsensor be
wegten Objekten auf flexible Weise und mit möglichst geringem zusätzli
chem Aufwand vermieden wird. Insbesondere sollen keine mechanischen Zu
satzteile, keine besonders lichtstarken Objektive sowie keine außerge
wöhnlich kurzen Belichtungszeiten erforderlich sein. Weiterhin sollen
ein Bildaufnahmeverfahren unter Verwendung eines derartigen Bildsensors
sowie eine Ansteuerungsvorrichtung und ein Ansteuerungsverfahren dafür
bereitgestellt werden.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe bei einem zweidimensionalen
CCD-Bildsensor mit einer Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneten
photoempfindlichen Sensorelementen sowie den einzelnen Sensorelementen
jeweils zugeordneten, der Übernahme der photoinduzierten Ladungen vom
Sensorelement und der Ladungsverschiebung dienenden Speicherzellen, de
ren Elektroden jeweils mit Ansteuerleitungen verbunden sind, dadurch ge
löst, daß
- - jedes Sensorelement von mindestens acht aneinandergereihten Speicher zellen ringförmig umgeben ist, von denen jeweils mindestens zwei an einandergrenzende als Zeilen-Speicherzellen sowie mindestens zwei an schließende, ebenfalls aneinandergrenzende als Spalten-Speicherzellen diesem Sensorelement zugeordnet und die übrigen mindestens vier durch Potentialsperrzonen von dem Sensorelement getrennt und zum einen Teil dem ihnen in Zeilenrichtung jeweils benachbarten Sensorelement als Spalten-Speicherzellen und zum anderen Teil dem ihnen in Spaltenrich tung jeweils benachbarten Sensorelement als Zeilen-Speicherzellen zu geordnet sind,
- - die Elektroden der einander entsprechenden Zeilen-Speicherzellen ei ner Sensorelement-Zeile mit je einer gemeinsamen Zeilen-Ansteuerlei tung sowie die Elektroden der einander entsprechenden Spalten-Spei cherzellen einer Sensorelement-Spalte mit je einer gemeinsamen Spal ten-Ansteuerleitung verbunden sind,
- - die jeweils einander gegenüberliegenden Zeilen-Speicherzellen ebenso wie die jeweils einander gegenüberliegenden Spalten-Speicherzellen benachbarter Sensorelemente durch eine Potentialsperrzone voneinander getrennt sind,
- - so daß die Ladungen zwischen den Zeilen-Speicherzellen von in Zeilen richtung einander benachbarten Sensorelementen nicht unmittelbar, sondern nur über eine der angrenzenden Spalten-Speicherzellen ver schiebbar sind.
Jedes der in Form eines zweidimensionalen Arrays in Zeilen und Spalten
angeordneten photoempfindlichen Sensorelemente ist somit von mindestens
acht aneinandergereihten Speicherzellen ringförmig umgeben. Jedes Sen
sorelement besitzt mindestens zwei einer Sensorelement-Zeile zugeordnete
Zeilen-Speicherzellen sowie mindestens zwei einer Sensorelement-Spalte
zugeordnete Spalten-Speicherzellen, wobei sich die letzteren direkt an
die ersteren anschließen. Die Speicherzellen, deren Elektroden auf übliche
Weise mit Hilfe von Ansteuerleitungen auf unterschiedliche Potentialni
veaus gelegt werden können, sind für die Übernahme der photoinduzierten
Ladungen aus dem zugeordneten Sensorelement sowie für die anschließende
Ladungsverschiebung bestimmt. Charakteristisch ist, daß Zeilen- und
Spalten-Speicherzellen sich aneinander anschließen, d.h. direkt benach
bart sind, so daß Ladungen sozusagen um die Ecke sowohl in Zeilen- als
auch in Spaltenrichtung verschoben werden können. Die jeweils einander
gegenüberliegenden Zeilen- bzw. Spalten-Speicherzellen benachbarter Sen
sorelemente sind durch jeweils eine Potentialsperrzone voneinander ge
trennt, wodurch bewirkt wird, daß die Ladungen auf einer Sensorele
ment-Zeile nur über die jeweils angrenzenden Spalten-Speicherzellen ver
schoben werden können, und umgekehrt. Dies bewirkt gleichzeitig, daß die
Ladungen, die beispielsweise zunächst in einer Zeilen-Speicherzelle vor
handen sind, in die Speicherzellen der angrenzenden Sensorelement-Spalte
verschoben werden können. Hierdurch kommt quasi eine diagonale Ladungs
verschiebung zustande.
Ein solcher zweidimensionaler CCD-Bildsensor mit einer Vielzahl von in
Zeilen und Spalten angeordneten Sensorelementen mit ihnen jeweils zuge
ordneten Speicherzellen zur Übernahme und Verschiebung der photoindu
zierten Ladungen kann in der Bildebene einer Optik gelegen sein, welche
Teil einer Bildaufnahmevorrichtung ist, mit deren Hilfe relativ zu ihr
bewegte Szenen aufgenommen werden sollen. Ein hierbei verwendbares Bild
aufnahmeverfahren ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß
die einzelnen, aufeinanderfolgenden Aufnahmeperioden (Integrationsinter
valle) des Bildsensors jeweils in eine Vielzahl von aufeinanderfolgenden
Zyklen unterteilt werden und die während dieser Zyklen in den einzelnen
Sensorelementen durch die Belichtung jeweils generierten Ladungsanteile
nach Übernahme in die zugeordneten Speicherzellen so zu den Speicherzel
len benachbarter Sensorelemente verschoben werden, daß die Ladungsantei
le der Bewegung der jeweiligen Bildpunkte auf der Oberfläche des Bild
sensors während der einzelnen Zyklen nachgeführt werden.
Dieses Bildaufnahmeverfahren geht von der Tatsache aus, daß sich die
einzelnen Bildpunkte auf dem in der Bildebene der Kameraoptik gelegenen,
zweidimensionalen Bildsensor während eines Integrationsintervalles über
um so mehr Sensorelemente hinweg verschieben, je schneller die Relativ
bewegung der aufgenommenen Szene bzw. des Objektes ist. Ein Bildpunkt
verbleibt also nur während eines Bruchteils einer Integrationsperiode im
Bereich eines Sensorelementes und wandert dann kontinuierlich zum
nächsten. Die Erfindung besteht nun darin, den während dieser Verweil
zeit aufintegrierten Ladungsanteil dem Bildpunkt sozusagen nachzuschie
ben, so daß sich die gesamte durch den Bildpunkt während eines Integra
tionsintervalles induzierte Ladungsmenge am Schluß dieses Integrations
intervalles in etwa bei demjenigen Sensorelement befindet, an dem auch
der Bildpunkt dann angelangt ist. Zweckmäßig werden die Zykluslängen so
gewählt, daß die Ladungsanteile während eines Zyklus in Zeilen- oder
Spaltenrichtung oder diagonal jeweils um nicht mehr als ein Sensorele
ment verschoben werden müssen. Die Zykluslänge kann so kurz gewählt wer
den, daß damit die schnellste zu erwartende Relativbewegung kompensiert
werden kann.
Um alle möglichen Bildpunktbewegungen in zwei Dimensionen erfassen zu
können, wird ein Zyklus in vier aufeinanderfolgende Phasen unterteilt,
die jeweils einer Ladungsverschiebung in positiver Zeilenrichtung
(Rechtsverschiebung), negativer Spaltenrichtung (Verschiebung nach un
ten), negativer Zeilenrichtung (Linksverschiebung) oder positiver Spal
tenrichtung (Verschiebung nach oben) zugeordnet sind. Dadurch wird er
möglicht, den während eines Zyklus in einem Sensorelement angefallenen
Ladungsanteil nach rechts oder links, oben oder unten sowie auch diago
nal dazu zu verschieben.
Spezielle Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Bildsensors sowie des
zugehörigen Bildaufnahmeverfahrens sind Unteransprüchen zu entnehmen.
Eine spezielle Ansteuerungsvorrichtung für den Bildsensor zur Durchfüh
rung des zugehörigen Bildaufnahmeverfahrens ist Anspruch 13, ein zugehö
riges Ansteuerungsverfahren Anspruch 19 zu entnehmen. Weitere Unteran
sprüche geben zweckmäßige Ausgestaltungen dieser Ansteuerungsvorrichtung
bzw. des zugehörigen Ansteuerungsverfahrens wieder.
Anschließend wird die Erfindung in einem Ausführungsbeispiel anhand der
Abbildungen näher erläutert. Es zeigen in schematischer Weise:
Fig. 1 die Struktur eines Sensorelementes mit zugeordneten Speicherzel
len und Ansteuerleitungen,
Fig. 2 einen zweidimensionalen CCD-Bildsensor mit schematisch eingetra
genen Ladungsverschiebeoperationen,
Fig. 3 bis 7
fünf verschiedene Querschnitte wie in Fig. 1 angegeben,
Fig. 8a, b
einen zweidimensionalen CCD-Bildsensor mit zugehöriger Ansteu
erungsvorrichtung,
Fig. 9 einen weiteren Teil der Ansteuerungsvorrichtung,
Fig. 10a, 10b zwei Phasendiagramme mit angedeuteten Ladungsverschiebebewegun
gen.
In Fig. 1 ist in Draufsicht ein photoempfindliches Sensorelement 1 dar
gestellt, welches von insgesamt acht Speicherzellen 2 bis 9 umgeben ist.
Das Sensorelement 1 ist mindestens von seiner einen Oberfläche her dem
Lichteinfall zugänglich. Die Speicherzellen 2 und 3 sind dem Sensorele
ment 1 als Zeilen-Speicherzellen, die anschließenden beiden Speicherzel
len 4 und 5 als Spalten-Speicherzellen zugeordnet. Die beiden Zei
len-Speicherzellen 2 und 3 sind über Kontaktierungen 12 bzw. 13 mit ei
ner ihnen jeweils zugeordneten Zeilen-Ansteuerleitung A
bzw. B verbunden, ebenso wie die beiden Spalten-Speicherzellen 4 und 5
über Kontaktierungen 14 bzw. 15 mit zugeordneten Spalten-Ansteuerleitun
gen C bzw. D.
Die Speicherzellen 8 und 9 sind dem (nicht dargestellten) links benach
barten Speicherelement als Spalten-Speicherzellen zugeordnet, die beiden
Speicherzellen 6 und 7 dem (nicht dargestellten) nach oben hin
benachbarten Sensorelement als Zeilen-Speicherzellen.
Rechts und links von den beiden Zeilen-Speicherzellen 3 und 2 sind je
eine Potentialsperrzone 16 bzw. 17 angeordnet, welche die jeweiligen
Zeilen- bzw. Spalten-Speicherzellen 3 und 2 bzw. 4 und 9 von den ihnen
jeweils gegenüberliegenden Zeilen- bzw. Spalten-Speicherzellen 55 und 57 bzw. 54 und 56 benach
barter Sensorelemente trennen. Die Potentialsperrzonen 16 und 17 sind
über Kontaktierungen 18 und 19 jeweils mit Sperrzonen-Ansteuerleitungen
S verbunden. Das Sensorelement 1 ist über Kontaktierungen 22 und 20 so
wie eine dazwischenliegende Kontaktierungsleitung 21 mit einer Rücksetz
leitung R verbunden. Ebenso sind das Sensorelement 1 von den Spal
ten- bzw. Zeilen-Speicherzellen 8 und 9 bzw. 6 und 7 benachbarter Sen
sorelemente trennende Potentialsperrzonen 10 und 11 über Kontaktierungen
23 und 24 sowie eine dazwischenliegende Kontaktierungsleitung 25 mit der
Sperrzonen-Ansteuerleitung S verbunden.
Ein erfindungsgemäßer, zweidimensionaler CCD-Bildsensor besteht aus ei
ner Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneten photoempfindlichen
Sensorelementen, wie sie in Fig. 1 mit den jeweils zugehörigen Speicher
zellen und Ansteuerleitungen gezeigt sind. Die dort dargestellte Struk
tur setzt sich nach rechts und links sowie nach oben und unten in regel
mäßiger Weise fort.
Die Speicherzellen 2 bis 9 können, wie bei CCD-Elementen üblich, eine
MOS-Struktur aufweisen. Dies ist in den Fig. 3 bis 7 noch deutlicher
dargestellt. Ein wesentliches Element einer derartigen Speicherzelle ist
eine flächenhafte Elektrode 26, welche beispielsweise bei der Zei
len-Speicherzelle 3 der Fig. 1 in ihrer äußeren Berandung gestrichelt
dargestellt ist. Diese Elektrode 26 kann über die zugeordnete Zei
len-Ansteuerleitung B auf ein gewünschtes Potential gelegt werden. Das
selbe gilt für die Elektroden der benachbarten Speicherzellen 2, 4 sowie
5 mit Hilfe der ihnen zugeordneten Ansteuerleitungen A, C bzw. D. Auf
diese Weise wird es, wie bei CCD-Elementen üblich, ermöglicht, durch
entsprechend abgestufte Potentialgebung einmal die in dem Sensorelement
1 durch Lichteinfall induzierten Ladungen abzuziehen und sie zum anderen
in die jeweils gewünschte, benachbarte Speicherzelle zu verschieben.
Charakteristisch ist nun, daß durch die gewählte Anordnung der Speicher
zellen bzw. Ansteuerleitungen eine Ladungsverschiebung zwischen Zei
len- und Spalten-Speicherzellen möglich wird. Es können somit jederzeit
Ladungsanteile, welche während eines beliebigen Teils des Integrations
intervalles des Sensorelementes 1 angefallen sind, ausgehend beispiels
weise von einer diesen Ladungsanteil übernehmenden Zeilen-Speicherzelle
3, in beliebiger Weise nach rechts, links, oben oder unten sowie in Kom
bination davon auch diagonal verschoben werden.
Dies wird deutlicher anhand der Fig. 2, die einen CCD-Bildsensor, welcher
aus je vier Sensorelement-Zeilen und -Spalten besteht, darstellt. Die
Fig. 2 zeigt noch in schematischer Weise die ein jedes Sensorelement 1
umgebenden acht Speicherzellen, d.h. die zwei ihm direkt zugeordneten
Zeilen-Speicherzellen, welche hier ebenso wie die ihnen jeweils zugeord
neten Zeilen-Ansteuerleitungen mit A und B bezeichnet sind, sowie die
beiden Spalten-Speicherzellen, die in analoger Weise mit C und D be
zeichnet sind. Außerdem sind in der Fig. 2 die das einzelne Sensorele
ment 1 an zwei Seiten begrenzenden Potentialsperrzonen 10 und 11 als
dunkle Balken sowie die im Kreuzungsbereich der Zeilen- bzw. Spalten-An
steuerleitungen A, B bzw. C, D gelegenen Potentialsperrzonen 16 als
dunkle Quadrate dargestellt. In Fig. 2 ist als Vorgriff auf spätere nä
here Erläuterungen angedeutet, wie die vier möglichen Elementarverschie
bungen, nämlich nach rechts (a), nach links (c), nach oben (d) sowie
nach unten (b) ablaufen. Weiterhin ist eine Diagonalverschiebung (a+b)
dargestellt, welche sich aus einer Rechtsverschiebung sowie einer Ver
schiebung nach unten zusammensetzt. Vorausgesetzt ist hier immer, daß
der zu verschiebende Ladungsanteil zu Beginn der Operation jeweils von
der der Zeilen-Ansteuerleitung B zugeordneten Zeilen-Speicherzelle aus
dem jeweiligen Sensorelement 1 übernommen worden ist.
Die in Fig. 2 dargestellten unterschiedlichen Ladungsverschiebeoperatio
nen sind bei der hier näher beschriebenen speziellen Struktur des Bild
sensors nicht für jedes Sensorelement 1 separat durchführbar, vielmehr
geschieht dies zeilenweise, weil sämtliche einander entsprechenden Zei
len-Speicherzellen einer Sensorelement-Zeile jeweils mit derselben Zei
len-Ansteuerleitung A bzw. B verbunden sind. Dasselbe gilt für die ein
zelnen Spalten-Speicherzellen sowie die ihnen zugeordneten Spalten-An
steuerleitungen C bzw. D. Diese Art der Ansteuerung genügt, um die La
dungen einem Bild nachzuführen, das in der Bildebene eine kombinierte
Rotations- und Verschiebebewegung ausführt. Es ist allerdings denkbar
und liegt im Rahmen der Erfindung, daß bei einem CCD-Bildsensor die
Speicherzellen jedes einzelnen Sensorelementes jeweils separat ansteuer
bar sind. Dann wären innerhalb einer Sensorelement-Zeile jeweils unter
schiedliche Ladungsverschiebeoperationen möglich.
Die Fig. 3 bis 7 zeigen Teilquerschnitte, wie sie in Fig. 1 mit III bis
VII gekennzeichnet sind. Der in Fig. 3 dargestellte Teilquerschnitt geht
durch die Rücksetzleitung R. Der gesamte, zweidimensionale CCD-Bildsen
sor befindet sich auf einem scheibenförmigen, beispielsweise n-dotierten
Halbleitersubstrat 53, welches beispielsweise aus monokristallinem Sili
zium bestehen kann. Dieses ist auf seiner einen Oberfläche mit einer
entgegengesetzt dotierten, beispielsweise schwach p-leitenden (p-)
Epitaxialschicht 28 bedeckt. Darüber ist eine mit nur wenigen, gleich
mäßig verteilten Öffnungen versehene, ansonsten durchgehende dielektri
sche Schicht 30, beispielsweise aus Siliziumdioxid bestehend, aufge
bracht. Unterhalb dieser dielektrischen Schicht 30 sind in der Epitaxial
schicht 28 Bereiche unterschiedlicher Dotierung vorhanden, und zwar im
Bereich der Potentialsperrzonen 16 und 17 eine dem Vorzeichen nach der
Dotierung der Epitaxialschicht 28 entsprechende, jedoch im Vergleich zu
dieser stark erhöhte Dotierung, welche in diesem Falle einer starken
p-Leitfähigkeit (p⁺) entspricht, und im Bereich der Speicherzellen und
Sensorelemente eine der Dotierung der Epitaxialschicht 28 entgegengesetz
te Dotierung, in diesem Falle vom schwach n-leitenden Typ (n⁻). Die in
Fig. 3 dargestellten n⁻-leitenden Dotierungszonen 29 befinden sich
dort unterhalb zweier Elektroden 26 und 27, welche den Zeilen-Speicher
zellen 3 bzw. 2 der Fig. 1 angehören. Diese Elektroden 26 und 27, welche
elektrisch leitend sein müssen und beispielsweise aus polykristallinem
Silizium bestehen können, bilden zusammen mit der darunterliegenden di
elektrischen Schicht 30 sowie der im Halbleiter anschließenden n--lei
tenden Dotierungszone 29 jeweils eine MOS-Struktur.
Der Teilquerschnitt der Fig. 3 zeigt weiterhin eine erste sowie eine
zweite Isolationsschicht 31 bzw. 32 sowie darüberliegend die Rücksetz
leitung R. Die Isolationsschichten 31 und 32 können beispielsweise aus
Siliziumdioxid, Siliziumnitrid oder Polyimid, die Rücksetzleitung R bei
spielsweise aus Aluminium bestehen. In der Fig. 3 ist noch erkennbar,
daß die Spalten-Ansteuerleitungen D und C jeweils zwischen den beiden
Isolationsschichten 31 und 32 verlaufen. Die Sperrzonen-Ansteuerleitun
gen S sind über Kontaktierungen 18 und 19 durch entsprechende Öffnungen
in der dielektrischen Schicht 30 sowie der ersten Isolationsschicht 31
hindurch mit den Potentialsperrzonen 16 bzw. 17 verbunden. Die Rücksetz
leitung R liegt über der zweiten Isolationsschicht 32 und ist über die
durch diese hindurchgeführte Kontaktierung 20 mit der Kontaktierungslei
tung 21 verbunden, welche zum Sensorelement 1 hinführt.
Fig. 4 zeigt einen Teilquerschnitt durch die Zeilen-Ansteuerleitung A.
Zunächst ist auch hier zu erkennen, daß die Spalten-Ansteuerleitungen D
und C sowie die Sperrzonen-Ansteuerleitung S parallel zwischen den bei
den Isolationsschichten 31 und 32 geführt sind. Dasselbe gilt für die
Kontaktierungsleitung 21, welche die Verbindung zwischen der Rücksetz
leitung R sowie dem Sensorelement 1 herstellt (siehe Fig. 1). Die Zei
len-Ansteuerleitung A liegt auf der zweiten Isolationsschicht 32 und ist
über die Kontaktierung 12 durch eine entsprechende Öffnung in den beiden
Isolationsschichten 31 und 32 hindurch mit der Elektrode 27 der Zei
len-Speicherzelle 2 verbunden.
In dem Teilquerschnitt gemäß Fig. 5 sind außer den beiden Elektroden 26
und 27 der Zeilen-Speicherzellen 3 bzw. 2 noch zwei weitere Elektroden
33 und 34 zu erkennen, welche zu den beiden Spalten-Speicherzellen 9 und
4 gehören (siehe Fig. 1).
In Fig. 6 ist ein Teilquerschnitt durch das Sensorelement 1 dargestellt.
Die Kontaktierungsleitung 21 ist über die Kontaktierung 22 durch eine
entsprechende Öffnung in der dielektrischen Schicht 30 sowie der ersten
Isolationsschicht 31 hindurch an die Oberfläche der Epitaxialschicht
28 geführt, welche dort in einem flächenhaft ausgedehnten Oberflächenbe
reich eine n⁺-Dotierung und darunter eine n⁻-Dotierung aufweist.
Nach links, d.h. zu den dem benachbarten Sensorelement zugeordneten
Spalten-Speicherzellen 9 und 8 hin, ist das Sensorelement 1 durch die
Potentialsperrzone 10, welche eine p⁺-Dotierung aufweist, abgegrenzt.
Der Schnitt ist so geführt (VI-VI in Fig. 1), daß rechts noch die der
Spalten-Speicherzelle 5 zugehörige Elektrode 35 erscheint.
In Fig. 7 schließlich ist ein Teilquerschnitt durch die das Sensorele
ment 1 nach oben hin begrenzende Potentialsperrzone 11 dargestellt. Der
Schnitt führt weiterhin durch die Kontaktierungsleitung 25, welche die
beiden Potentialsperrzonen 10 und 11 über die durch entsprechende Öff
nungen in der dielektrischen Schicht 30 sowie den beiden Isolations
schichten 31 und 32 hindurchgeführte Kontaktierung 23 mit der Sperrzo
nen-Ansteuerleitung S verbindet, und zwar über die durch eine entspre
chende Öffnung in der zweiten Isolationsschicht 32 hindurchgeführte Kon
taktierung 24. In dem Teilquerschnitt erscheint noch die der Spal
ten-Speicherzelle 8 des links angrenzenden Sensorelementes angehörende
Elektrode 36.
Über der zweiten Isolationsschicht 32 sowie den auf dieser aufgebrachten
Zeilen-Ansteuerleitungen A und B, Rücksetzleitungen R und Kontaktie
rungsleitungen 25 kann noch eine Schutzschicht, beispielsweise aus Poly
imid bestehend, aufgebracht sein. Über dieser Schicht kann sich noch ei
ne weitere intransparente Schicht zur Abschirmung des Lichteinfalls im
Bereich der Speicherzellen befinden. Die Sensorelemente 1 müssen dem
Lichteinfall zugänglich sein, etwa der schraffierten Fläche in Fig. 1
oder der Flächenausdehnung der n⁺-dotierten Schicht in Fig. 6 entspre
chend. Das Sensorelement 1 hat eine Diodencharakteristik, und die Rück
setzleitung R ist normalerweise mit einem den Arbeitspunkt der Diode be
stimmenden Potential beaufschlagt. Lediglich während des Entladens des
CCD-Bildsensors nach Abschluß jeder Integrationsperiode wird das Poten
tial der Rücksetzleitung R so gewählt, daß die Diode kurzgeschlossen
ist. Das Potential der Sperrzonen-Ansteuerleitungen S ist so zu wählen,
daß die beiden Potential-Sperrzonen 10 und 11 eines jeden Sensorelemen
tes 1 für die während des Lichteinfalls generierten und durch die Spei
cherzellen zu verschiebenden Ladungen, d.h. im allgemeinen Elektronen,
eine unüberwindliche Potentialbarriere bilden. Dazu ist demnach ein ne
gatives Potential ausreichender Höhe erforderlich.
Fig. 8a zeigt einen mit je 8 Sensorelement-Zeilen sowie -Spalten ausge
statteten CCD-Bildsensor 37 mit zugehöriger Ansteuerungsvorrichtung. An
gedeutet sind die einzelnen Sensorelemente 1 mit den zugeordneten Spei
cherzellen, wie bereits in Fig. 2 gezeigt. Die zugehörigen Zeilen- und
Spalten-Ansteuerleitungen A, B sowie D, C sind nur außerhalb des Bild
sensors 37 dargestellt. Die Zeilen-Ansteuerleitungen A und B der einzel
nen Sensorelement-Zeilen führen jeweils zu eigenen Zeilenschaltern 38/1,
38/2 usw., welche insgesamt eine Zeilen-Schalterreihe 38 bilden. In Fig.
8b ist anhand des Zeilenschalters 38/2 stellvertretend für alle anderen
Zeilenschalter dargestellt, daß jeweils zwei Schaltzustände existieren,
in denen die zugeordneten Zeilen-Ansteuerleitungen A und B entweder auf
eine erste Gruppe von Zeilen-Steuerleitungen A1, B1 oder auf eine zweite
Gruppe von Zeilen-Steuerleitungen A2, B2 geschaltet sind. Die erforder
lichen Schaltimpulse zur Auswahl des jeweiligen Schaltzustandes werden
über Schaltleitungen 46/1, 46/2 usw. herangeführt, welche jeweils mit
einer eigenen Zeilen-Registerzelle 40/1 bis 40/8 eines ersten Zeilenre
gisters 40 verbunden sind. Die Auswahl des Schaltzustandes erfolgt je
nach dem Inhalt der zugeordneten Zeilen-Registerzelle 40/1 usw.
Zum Laden des Zeilenregisters 40 stehen wiederum zwei weitere Zeilenre
gister 42 und 44 zur Verfügung, welche, wie später noch näher erläutert
wird, einmal die positive und zum anderen die negative Verschieberich
tung für die Ladungsverschiebung innerhalb der Speicherzellen der ein
zelnen Sensorelement-Zeilen vorgeben. Diese Zeilenregister 42 und 44 be
stehen jeweils aus acht Zeilen-Registerzellen 42/1 bis 42/8 sowie 44/1
bis 44/8. Sobald der zwischen dem Zeilenregister 40 und dem Zeilenre
gister 42 angedeutete kollektive Schalter eines der beiden Zeilenre
gister 42 oder 44 mit dem Zeilenregister 40 verbunden hat, werden dessen
Zeilen-Registerzellen mit dem Inhalt der ihnen jeweils zugeordneten Zei
len-Registerzellen des entsprechenden Zeilenregisters 42 oder 44 gela
den. Dies geschieht jeweils über Datenleitungen 44/11 usw. bzw. 42/11
usw.
Eine entsprechende Spalten-Schalterreihe 39 mit Spaltenschaltern 39/1
usw. und zugeordnetem erstem Spaltenregister 41 (Spalten-Registerzellen
41/1 usw.) sowie weiteren Spaltenregistern 43 und 45 (Spaltenregister
zellen 43/1 usw. sowie 45/1 usw.) sind ebenfalls vorhanden, des weite
ren eine erste und eine zweite Gruppe von Spalten-Steuerleitungen C1, D1
sowie C2, D2.
Fig. 9 zeigt einen abschließenden Teil der Ansteuerungsvorrichtung für
die Sensorelement-Zeilen. Ein entsprechender Teil ist ebenfalls für die
Sensorelement-Spalten vorhanden, jedoch nicht dargestellt. Eine Zei
len-Teilerschaltung 47 hat zwei Eingänge 48 und 49 sowie jeweils einen
Ausgang 47/1 bis 47/8 für jede Sensorelement-Zeile, wobei an den Ausgän
gen 47/1 und 47/8 für die jeweils äußersten beiden Sensorelement-Zeilen
die jeweiligen Eingangswerte und an den übrigen Ausgängen 47/2 bis 47/7
der Reihe nach im Sinne einer linearen Interpolation zwischen den beiden
Eingangswerten abgestufte Ausgangswerte erscheinen. Jeder der Ausgänge
47/1 bis 47/8 der Zeilen-Teilerschaltung 47 ist an einen eigenen Inte
grator 50/1 usw. mit nachgeschaltetem Schwellwertglied 51/1 usw. ge
führt. Der erste, bei Erreichen eines positiven Schwellwertes ein Aus
gangssignal abgebende Ausgang beispielsweise des Schwellwertgliedes 51/4
ist mit der Zeilen-Registerzelle 44/4 des beispielsweise die positive
Verschieberichtung vorgebenden Zeilenregisters 44 verbunden, welche der
selben Sensorelement-Zeile zugeordnet ist. Der zweite Ausgang beispiels
weise des Schwellwertgliedes 51/4 ist mit der Zeilen-Registerzelle 42/4
des beispielsweise die negative Verschieberichtung vorgebenden Zeilenre
gisters 42 verbunden, welche wiederum derselben Sensorelement-Zeile zu
geordnet ist. Die beiden Ausgänge beispielsweise des Schwellwertgliedes
51/4 sind jeweils mit einem der beiden Eingänge eines ODER-Gatters 52/4
verbunden, dessen Ausgang über eine Rücksetzleitung zu dem dem Schwell
wertglied 51/4 vorgeschalteten Integrator 50/4 zurückgeführt ist.
Zum Verständnis der Funktionsweise der Ansteuerungsvorrichtung soll noch
einmal auf die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabenstellung eingegan
gen werden, nämlich Relativbewegungen zwischen der den Bildsensor tra
genden Kamera sowie der aufzunehmenden Szene bzw. dem aufzunehmenden Ob
jekt zu kompensieren, um damit Bewegungsunschärfen so weitgehend wie
möglich zu vermeiden. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht,
daß innerhalb jedes einzelnen Integrationsintervalles des Bildsensors
die während vieler aufeinanderfolgender Zyklen in den einzelnen Sensor
elementen jeweils aufintegrierten Ladungsanteile zwischen den Sensorele
menten bzw. deren Speicherzellen so verschoben werden, daß diese La
dungsanteile der Bewegung des zugehörigen Bildpunktes auf der Oberfläche
des Bildsensors annähernd nachgeführt werden. Zunächst einmal muß also
Information darüber vorliegen, welcher Art diese Relativbewegung ist,
woraus dann folgt, wie die einzelnen Ladungsanteile zu verschieben sind.
Maßgebend ist der optische Fluß, d.h. die Bewegung der einzelnen Bild
punkte auf der Oberfläche des Bildsensors. Dieser optische Fluß stellt
ein Vektorfeld dar, dessen Einzelvektoren die jeweilige Geschwindigkeit
des Bildpunktes angeben. Ist die Kamera auf einem Land- oder Luftfahr
zeug oder auch in einem Flugkörper befestigt, so können Drehungen um die
Roll-, Nick- sowie Gierachse und Kombinationen davon auftreten. Bei ei
ner Nickbewegung weisen die Einzelvektoren des optischen Flusses bei
spielsweise in die Richtung der Sensorelement-Spalten. Dann ist bei ei
ner Gierbewegung das Vektorfeld des optischen Flusses in Richtung der
Sensorelement-Zeilen orientiert. Bei einer Rollbewegung liegen die Vek
toren des optischen Flusses tangential auf konzentrischen Kreisen, deren
gemeinsamer Mittelpunkt mit dem Durchstoßpunkt der Rollachse der Kamera
in der Bildebene zusammenfällt. Bei einer reinen Nickbewegung kann die
Bewegungsunschärfe durch eine gleichmäßige Verschiebung der Ladungsan
teile in Spaltenrichtung kompensiert werden, etwa mit einer Frequenz von
250 Hz, falls die Bewegung der Bildpunkte während einer Integrationspe
riode von 40 msec beispielsweise über zehn einzelne Sensorelemente
führt. Die Analyse einer überlagerten Roll- und Nickbewegung kann bei
spielsweise ergeben, daß die Ladungsanteile der obersten Sensorele
ment-Zeile z.B. mit 200 Hz nach links, diejenigen der untersten Sensor
element-Zeile mit 200 Hz nach rechts, diejenigen der ganz links gelege
nen, ersten Sensorelement-Spalte mit 50 Hz nach unten und diejenigen der
ganz rechts gelegenen, letzten Sensorelement-Spalte mit 350 Hz nach oben
zu verschieben sind. Die auf die dazwischenliegenden Sensorelement-Zei
len bzw. -Spalten anzuwendenden Verschiebefrequenzen ergeben sich dann
durch lineare Interpolation zwischen den angegebenen Werten. Eine zuneh
mende Nick- und abnehmende Gierbewegung der Kamera kann durch zeitlich
variierende Verschiebungen in Zeilen- und Spaltenrichtung kompensiert
werden, beispielsweise eine Verschiebung in Zeilenrichtung mit über die
Integrationsperiode bzw. Belichtungszeit hin von 250 Hz auf 100 Hz ab
nehmender Frequenz sowie eine Verschiebung in Spaltenrichtung mit ent
sprechend von 100 Hz auf 200 Hz zunehmender Frequenz.
Die Bewegung jedes einzelnen Bildpunktes kann in zwei Komponenten zer
legt werden, die einmal parallel zur Zeilen- und zum anderen parallel
zur Spaltenrichtung orientiert sind. Die Analyse der oben erwähnten ein
fachen oder überlagerten Bewegungen ergibt, daß das gesamte Vektorfeld
des optischen Flusses so zerlegt werden kann, daß die jeweiligen Ge
schwindigkeitskomponenten in Richtung einer Zeile bzw. einer Spalte über
alle Sensorelemente dieser Zeile bzw. Spalte hin nahezu gleich sind,
zwischen den Sensorelement-Zeilen bzw. -Spalten jedoch variieren können.
Diese Variationen ergeben sich aus den den jeweils äußersten Sensorele
ment-Zeilen bzw. -Spalten zuzuordnenden Geschwindigkeitskomponenten
durch lineare Interpolation.
Demnach ist vorgesehen, der Zeilen-Teilerschaltung 47 an ihrem oberen
Eingang 48 ein Signal zuzuführen, welches stets der der obersten bzw.
ersten Sensorelement-Zeile zuzuordnenden Geschwindigkeitskomponente nach
Größe und Richtung entspricht. Dem unteren Eingang 49 der Zeilen-Teiler
schaltung 47 ist dann ein Signal zuzuführen, welches nach Größe und
Richtung der der unteren bzw. letzten Sensorelement-Zeile zuzuordnenden
Geschwindigkeitskomponente entspricht. Diese Eingangssignale werden an
den beiden äußersten Ausgängen 47/1 und 47/8 der Zeilen-Teilerschaltung
47 unverändert ausgegeben, während an den weiteren, den dazwischenlie
genden Sensorelement-Zeilen zugeordneten Ausgängen 47/2 bis 47/7 Aus
gangssignale erscheinen, welche sich aus den beiden Eingangssignalen
durch lineare Interpolation ergeben. Das beispielsweise am Ausgang 47/4
anstehende Ausgangssignal gelangt zu einem Integrator 50/4, welcher die
ses Signal über der Zeit aufintegriert und den ständig im positiven oder
negativen Bereich absolut zunehmenden Integrationswert an das Schwell
wertglied 51/4 weitergibt. Dieses gibt bei Erreichen eines positiven
oder negativen, vorgebbaren Schwellwertes ein Ausgangssignal an jeweils
einem seiner beiden Ausgänge ab. Das Eingangssignal des Integrators 50/4
entspricht einer Geschwindigkeit, das Zeitintegral davon einer Weg
strecke, und die Schwellwerte des Schwellwertgliedes 51/4 entsprechen
gerade dem Abstand der Mittelpunkte zweier benachbarter Sensorelemente.
Es soll nur dann eine Ladungsverschiebung in Zeilenrichtung stattfinden,
wenn die aufintegrierte Geschwindigkeitskomponente bezüglich dieser Zei
le gerade dem Sensorelement-Abstand entspricht. Dies kann bei den unter
schiedlichen Sensorelement-Zeilen zu unterschiedlichen Zeitpunkten der
Fall sein. Wird dementsprechend der eine Schwellwert eines der Schwell
wertglieder 51/1 usw. erreicht, so wird in die zugeordnete Zeilen-Re
gisterzelle des der entsprechenden Ladungsverschieberichtung zugeordne
ten Zeilenregisters 44 oder 42 ein Ladungsverschiebebefehl eingespei
chert, beispielsweise in Form einer logischen 1. Gleichzeitig wird über
das zugeordnete ODER-Gatter 52/1 usw. und die an dessen Ausgang liegende
Rücksetzleitung der entsprechende Integrator 50/1 usw. zurückgesetzt.
Die Zeilen-Registerzelle der Zeilenregister 44 und 42 enthalten also
dann, wenn in den zugeordneten Speicherelement-Zeilen eine Ladungsver
schiebung um jeweils ein Sensorelement in positiver bzw. negativer Rich
tung erfolgen soll, einen entsprechenden Ladungsverschiebebefehl. Bei
spielsweise kann das Zeilenregister 42 der negativen Zeilen-Verschiebe
richtung (Linksverschiebung) zugeordnet sein, das Zeilenregister 44 der
positiven Zeilen-Verschieberichtung (Rechtsverschiebung).
Wie oben bereits erwähnt, ist eine Aufnahmeperiode (Integrationsinter
vall, Belichtungszeit) in eine Anzahl von Zyklen unterteilt, welche wie
derum in jeweils vier aufeinanderfolgende Phasen zerfallen. Davon ist
die erste Phase a einer Verschiebung in Zeilenrichtung nach rechts, die
zweite Phase b einer Verschiebung in Spaltenrichtung nach unten, die
dritte Phase c einer Verschiebung in Zeilenrichtung nach links sowie die
vierte Phase d einer Verschiebung in Spaltenrichtung nach oben zugeord
net. Jeweils zu Beginn der Phase a wird daher das Zeilenregister 44 über
den in Fig. 8a dargestellten kollektiven Schalter 58 und entsprechende
Datenleitungen 44/11 usw. mit dem Zeilenregister 40 verbunden, wodurch
der Zelleninhalt des Zeilenregisters 44 in die Zeilen-Registerzellen
(40/1 usw.) des Zeilenregisters 40 geladen wird. Enthält nun eine dieser
Zeilen-Registerzellen einen Ladungsverschiebebefehl, so führt dies dazu,
daß über die entsprechende Schaltleitung der zugeordnete Zeilenschalter
(38/1 usw.) der Zeilen-Schalterreihe 38 in denjenigen der beiden Schalt
zustände gebracht wird, in dem die zugeordneten Zeilen-Ansteuerleitungen
A und B mit der ersten Gruppe von Zeilen-Steuerleitungen, d.h. also den
Zeilen-Steuerleitungen A1 und B1, verbunden sind. Enthält eine Zei
len-Registerzelle des Zeilenregisters 40 keinen Ladungsverschiebebefehl,
so verharrt der zugeordnete Zeilenschalter der Zeilen-Schalterreihe 38
in dem zweiten Schaltzustand, in dem die zugeordneten Zeilen-Ansteuer
leitungen A und B mit der zweiten Gruppe, d.h. den Zeilen-Steuerleitun
gen A2 und B2, verbunden sind.
Zu Beginn der Phase c wird nun durch den kollektiven Schalter 58 das der
negativen Zeilen-Verschieberichtung zugeordnete Zeilenregister 42 mit
dem Zeilenregister 40 verbunden, so daß dessen Zelleninhalt in die Zei
len-Registerzellen (38/1 usw.) des Zeilenregisters 40 geladen wird. Die
Einstellung der Schaltzustände in den Zeilenschaltern der Zeilen-Schal
terreihe 38 erfolgt dann auf eine zur oben beschriebenen analogen Weise.
Damit ist gesichert, daß immer dann, wenn während einer Phase die ent
sprechende Zeilenverschiebung in einer bestimmten Sensorelement-Zeile
stattfinden soll, die zugeordneten Zeilen-Ansteuerleitungen A und B mit
der ersten Gruppe A1, B1 von Zeilen-Steuerleitungen, anderenfalls mit
der zweiten Gruppe A2, B2 verbunden sind.
Entsprechendes gilt für die Sensorelement-Spalten und die diesen zuge
ordnete Ansteuerungsvorrichtung, welche neben den in Fig. 8a bereits
dargestellten Elementen noch die zu den in Fig. 9 gezeigten analogen
Elemente enthält.
In Fig. 10a ist dargestellt, welche Spannungsimpulsfolgen während eines
Zyklus, der in vier aufeinanderfolgende Phasen a bis d zerfällt, über
die Zeilen-Steuerleitungen A1, B1, A2, B2 sowie die Spalten-Steuerlei
tungen C1, D1 und C2, D2 laufen. Die Abszisse weist in Richtung der Zeit
t, die Ordinate jeweils in Spannungsrichtung. Es sind lediglich zwei
Spannungsniveaus vorhanden, nämlich 0 und U < 0. Innerhalb einer jeden
Phase existiert ein aus sieben aufeinanderfolgenden, gleichlangen Zeit
takten bestehender Zeitbereich. Dieser ist in Fig. 10a jeweils durch
senkrechte Linien abgegrenzt. Im jeweils ersten und letzten der sieben
Zeittakte befinden sich lediglich die beiden Zeilen-Steuerleitungen B1
und B2 auf dem Potentialniveau 0, alle übrigen hingegen auf dem Poten
tialniveau U. Da die Zeilen-Ansteuerleitungen B jeweils, unabhängig vom
Schaltzustand der zugeordneten Zeilenschalter, mit einer dieser beiden
Zeilen-Steuerleitungen verbunden sein müssen, so bedeutet dies, daß zu
Beginn und am Ende dieser sieben Zeittakte jeweils die in Fig. 2 mit B
bezeichneten Zeilen-Speicherzellen der einzelnen Sensorelemente auf dem
niedrigen Potentialniveau 0 liegen, alle anderen jeweils drei Speicher
zellen A, C sowie D auf dem höheren Potentialniveau U. Bei dieser ge
wählten Ansteuerung hinsichtlich der Potentialniveaus ist also die Zei
len-Speicherzelle B immer diejenige, welche zunächst den zu verschieben
den Ladungsanteil aus dem zugeordneten Sensorelement übernehmen kann.
Die sieben Zeittakte der einzelnen Phasen in Fig. 10a folgen nicht un
mittelbar aufeinander, weil hier möglicherweise Raum bleiben muß für je
weils eine Lade- und eine Schaltphase, während der die Zeilen- bzw.
Spaltenregister 40 bzw. 41 geladen werden und die Zeilen- bzw. Spal
ten-Schalterreihen 38 und 39 gegebenenfalls zwischen ihren beiden
Schaltzuständen umgeschaltet werden. Es ist aber auch möglich, daß die
sieben Zeittakte aufeinanderfolgender Phasen jeweils unmittelbar anein
anderschließen, nämlich dann, wenn beispielsweise die Lade- und Schalt
operationen, welche die Phase b vorbereiten, bereits während der Phase a
vorgenommen werden, usw.
Soll während der Phase a die zugehörige Ladungsverschiebeoperation, näm
lich eine Rechtsverschiebung in Zeilenrichtung, in einer der Sensorele
ment-Zeilen stattfinden, so werden die dieser Sensorelement-Zeile zuge
ordneten Zeilen-Ansteuerleitungen A und B vor Beginn der entsprechenden
sieben Takte mit den Zeilen-Steuerleitungen A1 und B1 verbunden. Das Po
tential der zugehörigen Zeilen-Speicherzellen A und B folgt dann den
Spannungsimpulsfolgen der Zeilen-Steuerleitungen A1 und B1. Das Poten
tial der Spalten-Speicherzellen C und D dieser Sensorelement-Zeile folgt
dann den Spannungsimpulsfolgen, welche auf den Spalten-Steuerleitungen
C1 und D1 oder C2 und D2 laufen, welche sich paarweise gleichen. In dem
Diagramm der Phase a in Fig. 10a ist durch eine mit Pfeilen versehene
Linie angedeutet, wie der zunächst in der Zeilen-Speicherzelle B enthal
tene Ladungsanteil verschoben wird. Dies ist ebenfalls in Fig. 2 darge
stellt, worauf der Pfeil bei a hinweist. Der Ladungsanteil fließt dem
nach während des zweiten Zeittaktes der Phase a von der Zeilen-Speicher
zelle B in die benachbarte Spalten-Speicherzelle C und von da aus zu
nächst in die Zeilen-Speicherzelle A des rechts benachbarten Sensorele
mentes. Dies wird dadurch erzwungen, daß die Zeilen-Speicherzelle B des
Ausgangs-Sensorelementes nunmehr das höhere Potentialniveau angenommen
hat, die Ladungsmenge also nicht dahin zurückfließen kann, die beiden
Spalten-Speicherzellen D jeweils auf dem höheren Potentialniveau verhar
ren und gleichzeitig die angrenzende Zeilen-Speicherzelle A des nach
rechts hin benachbarten Sensorelementes auf das niedrige Potentialniveau
gelegt wird. Während des sechsten Zeittaktes wird auch die rechts an
schließende Zeilen-Speicherzelle B auf niedriges Potential gelegt, so
daß der Ladungsanteil dorthin fließen kann, während die links benachbar
te Zeilen-Speicherzelle A wieder auf das höhere Potentialniveau gelangt.
Damit ist die Verschiebung des Ladungsanteils nach rechts um ein Sensor
element vollendet. Soll während desselben Zyklus keine weitere Ladungs
verschiebung innerhalb dieser Sensorelement-Zeile stattfinden, so wird
der Ladungsanteil während der folgenden drei Phasen b bis d nur mehr
zwischen der Zeilen-Speicherzelle B und den angrenzenden beiden Spal
ten-Speicherzellen D und C hin- und hergeschoben, wie es in Fig. 2 links
oben dargestellt ist. Dies ist mittels der mit Pfeilen versehenen Linien
in den Phasen b bis d der Fig. 10b schematisch dargestellt, wo vorausge
setzt ist, daß in keiner der vier Phasen die zugeordnete Phasenverschie
bung stattfinden soll, während in Fig. 10a vorausgesetzt ist, daß in je
der der dort dargestellten Phasen a bis d die zugeordnete Ladungsver
schiebung stattfindet. Der Darstellung in Fig. 10b liegt also die Bedin
gung zugrunde, daß dort die entsprechenden Zeilen-Ansteuerleitungen A
und B immer mit den Zeilen-Steuerleitungen A2 und B2 verbunden sind, und
die Spalten-Ansteuerleitungen C und D mit den Spalten-Steuerleitungen C2
und D2. Bezüglich der in Fig. 2 links oben bei a dargestellten Ladungs
verschiebung kann der Fig. 10b also entnommen werden, daß während der
Phase b die Ladung lediglich von der Zeilen-Speicherzelle B vorüberge
hend in die Spalten-Speicherzelle D verschoben wird, um dann wieder in
die Zeilen-Speicherzelle B zurückzugelangen, in der Phase c die Ladung
aus der Zeilen-Speicherzelle teilweise und vorübergehend in die angren
zende Spalten-Speicherzelle C gelangt und in der Phase d dieser Ladungs
anteil vorübergehend ganz in dieselbe angrenzende Spalten-Speicherzelle
C verlagert wird.
Bei Phase b in Fig. 10a ist eine Ladungsverschiebung in negativer Spal
tenrichtung, d.h. nach unten, dargestellt (siehe auch Fig. 2 links bei
b), in Phase c der Fig. 10a eine Ladungsverschiebung in negativer Zei
lenrichtung, d.h. nach links (siehe auch Fig. 2 bei c) und schließlich
in Phase d der Fig. 10a eine Ladungsverschiebung in positiver Spalten
richtung, d.h. nach oben (siehe auch Fig. 2 bei d). In Fig. 2 ist bei
(a+b) noch eine diagonale Ladungsverschiebung dargestellt, welche sich
aus den Phasen a und b der Fig. 10a sowie den Phasen c und d der Fig.
10b ergibt.
Claims (27)
1. Zweidimensionaler CCD-Bildsensor, mit einer Vielzahl von in Zei
len und Spalten angeordneten photoempfindlichen Sensorelementen sowie
den einzelnen Sensorelementen jeweils zugeordneten, der Übernahme der
photoinduzierten Ladungen vom Sensorelement und der Ladungsverschiebung
dienenden Speicherzellen, deren Elektroden jeweils mit Ansteuerleitungen
verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß
- - jedes Sensorelement (1) von mindestens acht aneinandergereihten Spei cherzellen (2 bis 9) ringförmig umgeben ist, von denen jeweils min destens zwei aneinandergrenzende als Zeilen-Speicherzellen (2, 3) so wie mindestens zwei anschließende, ebenfalls aneinandergrenzende als Spalten-Speicherzellen (4, 5) diesem Sensorelement (1) zugeordnet und die übrigen mindestens vier durch Potentialsperrzonen (10, 11) von dem Sensorelement (1) getrennt und zum einen Teil dem ihnen in Zei lenrichtung jeweils benachbarten Sensorelement als Spalten-Speicher zellen (8, 9) und zum anderen Teil dem ihnen in Spaltenrichtung je weils benachbarten Sensorelement als Zeilen-Speicherzellen (6, 7) zu geordnet sind,
- - die Elektroden (26, 27) der einander entsprechenden Zeilen-Speicher zellen (2, 3) einer Sensorelement-Zeile mit je einer gemeinsamen Zei len-Ansteuerleitung (A, B) sowie die Elektroden (34, 35) der einander entsprechenden Spalten-Speicherzellen (4, 5) einer Sensorele ment-Spalte mit je einer gemeinsamen Spalten-Ansteuerleitung (C, D) verbunden sind,
- - die jeweils einander gegenüberliegenden Zeilen-Speicherzellen (3, 55) ebenso wie die jeweils einander gegenüberliegenden Spalten-Speicher zellen (4, 54) benachbarter Sensorelemente durch eine Potential sperrzone (16) voneinander getrennt sind,
so daß die Ladungen zwischen den Zeilen-Speicherzellen (3, 55) von in
Zeilenrichtung einander benachbarten Sensorelementen nicht unmittelbar,
sondern nur über eine der angrenzenden Spalten-Speicherzellen (4, 54)
verschiebbar sind.
2. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sen
sorelemente einer Sensorelement-Zeile jeweils mit einer gemeinsamen
Rücksetzleitung (R) verbunden sind.
3. Bildsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Potentialsperrzonen (10, 11) der Sensorelemente einer Sensorele
ment-Spalte jeweils mit einer gemeinsamen Sperrzonen-Ansteuerleitung (S)
verbunden sind.
4. Bildsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß ein einziges, eine erste Dotierung (n) aufweisendes,
scheibenförmiges Halbleitersubstrat (53) vorhanden ist, welches an sei
ner einen Oberfläche mit einer eine zweite, der ersten entgegengesetzte
Dotierung (p-) versehenen Schicht (28) und darüber mit einer dielek
trischen Schicht (30) bedeckt ist, unter dieser dielektrischen Schicht
(30) im Bereich der Speicherzellen sowie der Sensorelemente eine der
zweiten Dotierung entgegengesetzte Dotierung (n⁻) und im Bereich der
Potentialsperrzonen (16, 17) eine dem Vorzeichen nach der zweiten Dotie
rung (p⁻) entsprechende, jedoch im Vergleich zu dieser stark erhöhte
Dotierung (p⁺) aufweist, und auf der dielektrischen Schicht (30) im
Bereich jeder Speicherzelle zur Bildung einer MOS-Struktur jeweils eine
als Elektrode (26, 27) dienende, elektrisch leitende Schicht trägt.
5. Bildsensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß über der
dielektrischen Schicht (30) und den diese bereichsweise bedeckenden Elek
troden (26, 27) der Speicherzellen eine erste sowie eine zweite Isolati
onsschicht (31, 32) aufgebracht sind, erste Ansteuerleitungen (D, C, S)
(beispielsweise die Spalten- und die Sperrzonen-Ansteuerleitungen) zwi
schen den beiden Isolationsschichten (31, 32) und zweite Ansteuerleitun
gen (A, R) (beispielsweise die Zeilenansteuer- und die Rücksetzleitun
gen) auf der zweiten Isolationsschicht (32) verlaufen.
6. Bildsensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zei
len- und Spalten-Ansteuerleitungen (A, B; C, D) mit den Elektroden der
zugeordneten Zeilen- bzw. Spalten-Speicherzellen durch Öffnungen in den
jeweils dazwischenliegenden Isolationsschichten (31, 32) hindurch lei
tend verbunden sind.
7. Bildsensor nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die den Potentialsperrzonen (16, 17) entsprechenden Dotierungsbereiche
durch Öffnungen in der dielektrischen Schicht (30) sowie mindestens der
ersten Isolationsschicht (31) hindurch mit den Sperrzonen-Ansteuerlei
tungen (S) entweder direkt oder über Kontaktierungsleitungen (25) lei
tend verbunden sind.
8. Bildsensor nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeich
net, daß die Rücksetzleitungen (R) auf der zweiten Isolationsschicht
(32) aufgebracht sind und die den Sensorelementen entsprechenden Dotie
rungsbereiche mit der jeweils zugeordneten Rücksetzleitung über je eine
zwischen den beiden Isolationsschichten (31, 32) verlaufende Kontaktie
rungsleitung (21) sowie durch entsprechende Öffnungen einmal in der di
elektrischen Schicht (30) und der ersten Isolationsschicht (31) und zum
anderen in der zweiten Isolationsschicht (32) hindurch leitend verbunden
sind.
9. Bildaufnahmeverfahren für eine relativ zur verwendeten Bildaufnah
mevorrichtung bewegten Szene, wobei die Bildaufnahmevorrichtung einen in
der Bildebene einer Optik gelegenen, zweidimensionalen CCD-Bildsensor
mit einer Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneten Sensorelemen
ten mit ihnen jeweils zugeordneten Speicherzellen zur Übernahme und Ver
schiebung der photoinduzierten Ladungen aufweist, dadurch gekennzeich
net, daß die einzelnen, aufeinanderfolgenden Aufnahmeperioden (Integra
tionsintervalle) des Bildsensors jeweils in eine Vielzahl von aufeinan
derfolgenden Zyklen unterteilt werden und die während dieser Zyklen in
den einzelnen Sensorelementen durch die Belichtung jeweils generierten
Ladungsanteile nach Übernahme in die zugeordneten Speicherzellen so zu
den Speicherzellen benachbarter Sensorelemente verschoben werden, daß
die Ladungsanteile der Bewegung der jeweiligen Bildpunkte auf der Ober
fläche des Bildsensors während der einzelnen Zyklen nachgeführt werden.
10. Bildaufnahmeverfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß während eines Zyklus die Ladungsanteile in Zeilen- oder Spaltenrich
tung oder diagonal jeweils um nicht mehr als ein Sensorelement verscho
ben werden.
11. Bildaufnahmeverfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß jeder Zyklus in vier aufeinanderfolgende Phasen zerfällt,
die jeweils einer Ladungsverschiebung in positiver Zeilenrichtung
(Rechtsverschiebung, Phase a), negativer Spaltenrichtung (Verschiebung
nach unten, Phase b), negativer Zeilenrichtung (Linksverschiebung, Phase
c) oder positiver Spaltenrichtung (Verschiebung nach oben, Phase d) zu
geordnet sind.
12. Bildaufnahmeverfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß zu Beginn jeder Phase zeilen- und spaltenweise bestimmt wird, ob die
zugeordnete Ladungsverschiebung stattfinden soll.
13. Ansteuerungsvorrichtung für den Bildsensor gemäß Anspruch 1 zur
Durchführung des Bildaufnahmeverfahrens gemäß einem der Ansprüche 9 bis
12, gekennzeichnet durch
je zwei Gruppen von Spannungsimpulsfolgen führenden Zeilen- sowie Spal ten-Steuerleitungen (A1, B1, A2, B2; C1, D1, C2, D2), deren Anzahl pro Gruppe jeweils der Anzahl der Zeilen- bzw. Spalten-Speicherzellen pro Sensorelement entspricht,
eine Zeilen- und eine Spalten-Schalterreihe (38, 39) mit einer jeweils der Anzahl der Sensorelement-Zeilen bzw. -Spalten entsprechenden Anzahl von Zeilen- bzw. Spaltenschaltern (38/1 usw., 39/1 usw.), von denen ein jeder einer eigenen Sensorelement-Zeile bzw. -Spalte zugeordnet ist und die entsprechenden Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuerleitungen in einem ersten Schaltzustand mit der ersten Gruppe von Zeilen- bzw. Spal ten-Steuerleitungen und in einem zweiten Schaltzustand mit der zweiten Gruppe von Zeilen- bzw. Spalten-Steuerleitungen verbindet.
je zwei Gruppen von Spannungsimpulsfolgen führenden Zeilen- sowie Spal ten-Steuerleitungen (A1, B1, A2, B2; C1, D1, C2, D2), deren Anzahl pro Gruppe jeweils der Anzahl der Zeilen- bzw. Spalten-Speicherzellen pro Sensorelement entspricht,
eine Zeilen- und eine Spalten-Schalterreihe (38, 39) mit einer jeweils der Anzahl der Sensorelement-Zeilen bzw. -Spalten entsprechenden Anzahl von Zeilen- bzw. Spaltenschaltern (38/1 usw., 39/1 usw.), von denen ein jeder einer eigenen Sensorelement-Zeile bzw. -Spalte zugeordnet ist und die entsprechenden Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuerleitungen in einem ersten Schaltzustand mit der ersten Gruppe von Zeilen- bzw. Spal ten-Steuerleitungen und in einem zweiten Schaltzustand mit der zweiten Gruppe von Zeilen- bzw. Spalten-Steuerleitungen verbindet.
14. Ansteuerungsvorrichtung nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch
je ein erstes Zeilen- sowie Spaltenregister (40, 41) mit jeweils einer
der Anzahl der Zeilen- bzw. Spaltenschalter (38/1 usw., 39/1 usw.) ent
sprechenden Anzahl von Zeilen- bzw. Spalten-Registerzellen (40/1 usw.,
41/1 usw.), deren jede mit einem ihr zugeordneten Zeilen- bzw. Spalten
schalter durch eine Schaltimpulse übertragende Schaltleitung (46/1 usw.)
verbunden ist, um den jeweiligen Schalter je nach dem Inhalt der zuge
ordneten Registerzelle in einen der beiden Schaltzustände zu bringen.
15. Ansteuerungsvorrichtung nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch
je zwei dem ersten Zeilen- sowie dem ersten Spaltenregister (40, 41) zu
geordnete, jeweils die positive oder die negative Verschieberichtung
vorgebende, weitere Zeilen- bzw. Spaltenregister (42, 44; 43, 45) mit
jeweils einer der Anzahl der Sensorelement-Zeilen bzw. -Spalten entspre
chenden Anzahl von Zellen, welche über Datenleitungen mit den entspre
chenden Zeilen- bzw. Spalten-Registerzellen der zugeordneten ersten Zei
len- bzw. Spaltenregister (40, 41) verbindbar sind.
16. Ansteuerungsvorrichtung nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch
eine Zeilen- (47) sowie eine Spalten-Teilerschaltung mit je zwei Eingän
gen (48, 49) sowie jeweils einem Ausgang (47/1 usw.) für jede Sensorele
ment-Zeile bzw. -Spalte, wobei an den Ausgängen (47/1, 47/8) für die je
weils äußersten beiden Sensorelement-Zeilen bzw. -Spalten je einer der
beiden Eingangswerte und an den übrigen Ausgängen (47/2 bis 47/7) der
Reihe nach im Sinne einer linearen Interpolation zwischen den jeweiligen
beiden Eingangswerten abgestufte Ausgangswerte erscheinen.
17. Ansteuerungsvorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeich
net, daß jeder der Ausgänge der Zeilen (47) - sowie der Spalten-Teiler
schaltungen an einen eigenen Integrator (50/4) mit nachgeschaltetem
Schwellwertglied (51/4) geführt ist, dessen erster, bei Erreichen eines
positiven Schwellwertes ein Ausgangssignal abgebender Ausgang mit der
derselben Sensorelement-Zeile bzw. -Spalte zugeordneten Zelle des die
positive Verschieberichtung vorgebenden, weiteren Zeilen- bzw. Spalten
registers (44, 45) und dessen zweiter, bei Erreichen eines negativen
Schwellwertes ein Ausgangssignal abgebender Ausgang mit der derselben
Sensorelement-Zeile bzw. -Spalte zugeordneten Zelle des die negative
Verschieberichtung vorgebenden, weiteren Zeilen- bzw. Spaltenregisters
(42, 43) verbunden ist.
18. Ansteuerungsvorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich
net, daß die beiden Ausgänge jedes Schwellwertgliedes (51/4) mit den
beiden Eingängen eines ODER-Gatters (52/4) verbunden sind, dessen Aus
gang über eine Rücksetzleitung zu dem dem Schwellwertglied (51/4) vorge
schalteten Integrator (50/4) zurückgeführt sind.
19. Ansteuerungsverfahren unter Verwendung der Ansteuerungsvorrich
tung gemäß einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß
während der einzelnen Phasen folgende Schritte durchgeführt werden:
in Abhängigkeit von der der jeweiligen Phase zugeordneten Verschiebe richtung Laden des Zelleninhalts des entsprechenden weiteren Zei len- bzw. Spaltenregisters (42, 44; 43, 45) in das zugeordnete erste Zeilen- bzw. Spaltenregister (40; 41),
Schalten der einzelnen Zeilen- bzw. Spaltenschalter der dem so geladenen ersten Zeilen- bzw. Spaltenregister (40; 41) zugeordneten Zeilen- bzw. Spalten-Schalterreihe (38; 39) in den ersten oder zweiten Schaltzustand in Abhängigkeit davon, ob die dem jeweiligen Zeilen- bzw. Spaltenschal ter zugeordnete Zeilen- bzw. Spalten-Registerzelle einen Verschiebebe fehl enthält oder nicht,
Ableiten der auf den Zeilen- bzw. Spalten-Steuerleitungen (A1, B1, A2, B2; C1, D1, C2, D2) der jeweils auf die Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuer leitungen (A, B; C, D) durchgeschalteten Gruppe laufenden Spannungsim pulsfolgen auf die mit den jeweiligen Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuerlei tungen verbundenen Elektroden, womit die in der entsprechenden Phase ge gebenenfalls gewünschte Ladungsverschiebung bewirkt wird.
in Abhängigkeit von der der jeweiligen Phase zugeordneten Verschiebe richtung Laden des Zelleninhalts des entsprechenden weiteren Zei len- bzw. Spaltenregisters (42, 44; 43, 45) in das zugeordnete erste Zeilen- bzw. Spaltenregister (40; 41),
Schalten der einzelnen Zeilen- bzw. Spaltenschalter der dem so geladenen ersten Zeilen- bzw. Spaltenregister (40; 41) zugeordneten Zeilen- bzw. Spalten-Schalterreihe (38; 39) in den ersten oder zweiten Schaltzustand in Abhängigkeit davon, ob die dem jeweiligen Zeilen- bzw. Spaltenschal ter zugeordnete Zeilen- bzw. Spalten-Registerzelle einen Verschiebebe fehl enthält oder nicht,
Ableiten der auf den Zeilen- bzw. Spalten-Steuerleitungen (A1, B1, A2, B2; C1, D1, C2, D2) der jeweils auf die Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuer leitungen (A, B; C, D) durchgeschalteten Gruppe laufenden Spannungsim pulsfolgen auf die mit den jeweiligen Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuerlei tungen verbundenen Elektroden, womit die in der entsprechenden Phase ge gebenenfalls gewünschte Ladungsverschiebung bewirkt wird.
20. Ansteuerungsverfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß die einer Phase (a, b, c, d) zugeordnete Ladungsverschiebung in ei
ner Sensorelement-Zeile bzw. -Spalte während dieser Phase nur dann
durchgeführt wird, wenn die zugeordneten Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuer
leitungen (A, B; C, D) auf die erste Gruppe der Zeilen- bzw. Spal
ten-Steuerleitungen (A1, B1; C1, D1) geschaltet sind.
21. Ansteuerungsverfahren nach Anspruch 20 in Anwendung auf Sensor
elemente mit je zwei ihnen zugeordneten Zeilen- sowie Spalten-Speicher
zellen, dadurch gekennzeichnet, daß in den Spannungsimpulsfolgen nur
die zwei konstanten Spannungsniveaus 0 und U < 0 vorkommen.
22. Ansteuerungsverfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet,
daß in jeder Phase nach dem Abschluß des auf den jeweiligen Ladevorgang
folgenden Schaltvorganges sieben Zeittakte ablaufen und während des je
weils ersten und letzten dieser Zeittakte lediglich die zwei (B1, B2)
der insgesamt acht Zeilen- oder Spalten-Steuerleitungen das Spannungsni
veau 0 führen, deren zugeordnete Zeilen- bzw. Spalten-Ansteuerleitungen
(B) jeweils mit derjenigen Zeilen- bzw. Spalten-Speicherzelle eines je
den Sensorelementes verbunden sind, welche für die Übernahme des La
dungsanteiles während des jeweiligen Zyklus bestimmt ist, wobei die
übrigen sechs Zeilen- und Spalten-Steuerleitungen (A1, A2; C1, D1, C2,
D2) während dieser beiden Zeittakte das Spannungsniveau U führen.
23. Ansteuerungsverfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet,
daß während der jeweils sieben Zeittakte der Phasen a und c die einander
entsprechenden Spalten-Steuerleitungen (C1, C2; D1, D2) und während der
jeweils sieben Zeittakte der Phasen b und d die einander entsprechenden
Zeilen-Steuerleitungen (A1, A2; B1, B2) der jeweils beiden Gruppen die
selben Spannungsimpulsfolgen führen.
24. Ansteuerungsverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, da
durch gekennzeichnet, daß immer dann, wenn während einer beliebigen
Phase in einer oder mehreren der Sensorelement-Zeilen und/oder -Spalten
keine Ladungsverschiebung stattfinden soll, bei allen betreffenden Sen
sorelementen jeweils zwei der insgesamt drei Zeilen- und Spalten-Spei
cherzellen, welche unmittelbar an die Speicherzelle angrenzen, die zu
Phasenbeginn den von dem zugeordneten Sensorelement übernommenen La
dungsanteil enthält und auf dem Potentialniveau 0 liegt, während dieser
gesamten Phase auf dem Potentialniveau U gehalten werden und die dritte
dieser drei Speicherzellen während dieser Phase nur vorübergehend auf
das Potentialniveau 0 gelegt wird.
25. Ansteuerungsverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, da
durch gekennzeichnet, daß immer dann, wenn während einer beliebigen
Phase in einer oder mehreren der Sensorelement-Zeilen und/oder -Spalten
die der Phase zugeordnete Ladungsverschiebung stattfinden soll, bei al
len betreffenden Sensorelementen lediglich jeweils eine der insgesamt
drei Zeilen- und Spalten-Speicherzellen, welche unmittelbar an die Spei
cherzelle angrenzen, die zu Phasenbeginn den von dem zugeordneten Sen
sorelement übernommenen Ladungsanteil enthält und auf dem Potentialni
veau 0 liegt, während dieser gesamten Phase auf dem Potentialniveau U
gehalten wird, und die anderen beiden dieser drei Speicherzellen nach
einander und mit zeitlicher Überlappung vorübergehend auf das Potential
niveau 0 gelegt werden.
26. Ansteuerungsverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 25, da
durch gekennzeichnet, daß die Zeilen- sowie Spalten-Steuerleitungen die
im Diagramm der Fig. 10a wiedergegebenen Spannungsimpulsfolgen führen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893909394 DE3909394A1 (de) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | Zweidimensionaler ccd-bildsensor, bildaufnahmeverfahren fuer eine bewegte szene sowie ansteuerungsvorrichtung und -verfahren fuer den bildsensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893909394 DE3909394A1 (de) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | Zweidimensionaler ccd-bildsensor, bildaufnahmeverfahren fuer eine bewegte szene sowie ansteuerungsvorrichtung und -verfahren fuer den bildsensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3909394A1 DE3909394A1 (de) | 1990-09-27 |
DE3909394C2 true DE3909394C2 (de) | 1992-01-09 |
Family
ID=6376946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19893909394 Granted DE3909394A1 (de) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | Zweidimensionaler ccd-bildsensor, bildaufnahmeverfahren fuer eine bewegte szene sowie ansteuerungsvorrichtung und -verfahren fuer den bildsensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3909394A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4440613C1 (de) * | 1994-11-14 | 1996-07-25 | Leica Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion und Demodulation eines intensitätsmodulierten Strahlungsfeldes |
DE10342388A1 (de) * | 2003-09-13 | 2005-04-07 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Optoelektronische Überwachungseinrichtung für Kraftfahrzeuge |
-
1989
- 1989-03-22 DE DE19893909394 patent/DE3909394A1/de active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4440613C1 (de) * | 1994-11-14 | 1996-07-25 | Leica Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion und Demodulation eines intensitätsmodulierten Strahlungsfeldes |
DE10342388A1 (de) * | 2003-09-13 | 2005-04-07 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Optoelektronische Überwachungseinrichtung für Kraftfahrzeuge |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3909394A1 (de) | 1990-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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