DE3879426T2 - METHOD FOR ALIGNING IMAGES ON BOTH SIDES OF AN OPAID CARRIER. - Google Patents

METHOD FOR ALIGNING IMAGES ON BOTH SIDES OF AN OPAID CARRIER.

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erhalten zueinander ausgerichteter Strukturen auf einer ersten und einer zweiten von gegenüber liegenden Flächen einer lichtundurchlässigen Scheibe, die auf der einen Fläche mindestens eine Markierungsstruktur aufweist.The invention relates to a method for obtaining mutually aligned structures on a first and a second of opposite surfaces of an opaque pane which has at least one marking structure on one surface.

Eine bereits bekannte Technik zum Realisieren einer solchen Ausrichtung nutzt eine spezielle Maschine, mit der zwei Masken zueinander ausgerichtet werden, wobei die Scheibe zwischen den beiden Masken liegt und zu einer der beiden ausgerichtet ist.A known technique for achieving such alignment uses a special machine to align two masks with each other, with the disk lying between the two masks and aligned with one of them.

Diese Technik erfordert eine kostspielige Apparatur, da sie einerseits spezialisiert und andererseits kompliziert ist, weil die Maschine eine Zweiflächenjustierung ausführen muß. Außerdem ist ihre Genauigkeit nicht gerade hervorragend (ungefahr ± 5 Mikrometer).This technique requires expensive equipment, as it is both specialized and complicated because the machine must perform a two-surface adjustment. In addition, its accuracy is not particularly excellent (approximately ± 5 microns).

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu verschaffen, mit dem ein nicht spezialisierter Einflächen-Apparat verwendet werden kann, wobei die Genauigkeit mindestens den Stand der Technik erreichen soll.The invention is based on the object of providing a method with which a non-specialized single-surface apparatus can be used, whereby the accuracy should at least reach the state of the art.

Der Grundgedanke der Erfindung besteht darin, die lichtundurchlässige Scheibe mit der Seite, auf der bereits eine Struktur vorhanden ist, auf einen transparenten Streifen zu kleben und photolithographisch auf den transparenten Streifen zu den bereits vorhandenen Strukturen ausgerichtete Muster zu übertragen. Diese Muster des Glasstreifens dienen ihrerseits als Markierung, um die gewünschten Strukturen auf der anderen Seite der lichtundurchlässigen Scheibe zu erzeugen.The basic idea of the invention is to glue the opaque pane with the side on which a structure is already present to a transparent strip and to transfer patterns aligned with the already existing structures to the transparent strip using photolithography. These patterns on the glass strip in turn serve as markings to create the desired structures on the other side of the opaque pane.

Diese Aufgabe wird durch das erfindungsgemäße Verfahren gelöst, wie in dem kennzeichnenden Teil von Anspruch 1 definiert.This object is achieved by the method according to the invention as defined in the characterizing part of claim 1.

Die lichtundurchlässige Scheibe kann ein Halbleiterkristall und der transparente Streifen aus Glas sein.The opaque pane can be a semiconductor crystal and the transparent strip can be made of glass.

Die Verbindung der lichtundurchlässigen Scheibe und des transparenten Streifens kann mit Hilfe einer transparenten Wachsschicht verwirklicht werden.The connection of the opaque pane and the transparent Stripes can be realized with the help of a transparent wax layer.

In dem speziellen Fali, daß das dritte Justiermuster in der Weise symmetrisch ist, daß es bei Klappung sich selbst gleich bleibt, sind die Justiermaske und die Nachjustiermaske vorzugsweise identisch.In the special case that the third adjustment pattern is symmetrical in such a way that it remains the same when folded, the adjustment mask and the readjustment mask are preferably identical.

Nach einer bevorzugten Ausführungsform, die eine sehr gute Ausrichtungsgenauigkeit ermöglicht, werden die Justier- und Belichtungsvorgänge mit Hilfe in Projektion arbeitender Einflächen-Apparatur verwirklicht.According to a preferred embodiment, which enables very good alignment accuracy, the adjustment and exposure processes are carried out using a single-surface apparatus working in projection.

Zum besseren Verständnis der Erfindung ist ein nicht-einschränkendes Ausführungsbeispiel in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:For a better understanding of the invention, a non-limiting embodiment is shown in the drawing and is described in more detail below. They show:

Figuren 1a bis 1h die Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens,Figures 1a to 1h show the steps of the method according to the invention,

Figur 2 eine an sich bekannte in Projektion arbeitende Ausrichtungsapparatur, wie sie zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet werden kann.Figure 2 shows a known alignment apparatus operating in projection, as can be used to carry out the method according to the invention.

Nach Figur 1a weist eine lichtundurchlässige Scheibe 2, insbesondere ein Halbleiterkristall mit beispielsweise lichtemittierenden Dioden, auf einer als "untere" bezeichneten Fläche eine Markierungsstruktur 3 und gegebenenfalls eine Struktur 7 leitender Verbindungen auf. Die Strukturen 3 und 7 können aus leitenden Materialien sein, beispielsweise Metallbahnen oder Metallkontaktflecken.According to Figure 1a, an opaque pane 2, in particular a semiconductor crystal with, for example, light-emitting diodes, has a marking structure 3 and, if appropriate, a structure 7 of conductive connections on a surface referred to as the "lower" surface. The structures 3 and 7 can be made of conductive materials, for example metal tracks or metal contact pads.

Die lichtundurchlässige Scheibe 2 ist auf den mittleren Teil der als "obere" bezeichneten Fläche eines transparenten Streifens 1 von viel größeren Abmessungen als die Scheibe 2 in der Weise geklebt, daß der transparente Streifen 1 bei 5 über den Umfang der Scheibe 2 hinausreicht. Die Klebung erfolgt mit Hilfe einer transparenten Klebschicht 4, beispielsweise einem transparenten Wachs, womit das spätere Lösen der Scheibe 2 von dem Streifen 1 möglich wird.The opaque pane 2 is glued to the central part of the surface referred to as the "upper" of a transparent strip 1 of much larger dimensions than the pane 2 in such a way that the transparent strip 1 extends beyond the perimeter of the pane 2 at 5. The gluing is carried out using a transparent adhesive layer 4, for example a transparent wax, which makes it possible to subsequently detach the pane 2 from the strip 1.

Nach Figur 1b wird eine Schicht positiven Photolacks 6 auf den überstehenden Teil 5 der oberen Fläche des Streifens 1 und auf die obere Fläche der Scheibe 2 aufgebracht.According to Figure 1b, a layer of positive photoresist 6 is applied to the projecting part 5 of the upper surface of the strip 1 and to the upper surface of the disk 2.

Nach Figur 1c wird eine Justiermaske 10 relativ zur Markierungsstruktur 3 positioniert. Diese Positionierung wird durch optisches Ausrichten der Justieröffnungen 11 der Maske zu der Markierungsstruktur 3 erreicht. Die Justiermaske 10 enthält auch Öffnungen 12 gegenüber dem überstehenden Teil des Streifens 1.According to Figure 1c, an alignment mask 10 is positioned relative to the marking structure 3. This positioning is achieved by optically aligning the alignment openings 11 of the mask with the marking structure 3. The alignment mask 10 also contains openings 12 opposite the protruding part of the strip 1.

Nach Figur 1d wird die Maske 10 mit Hilfe einer Strahlung 20, die eine chemische Umwandlung des Photolacks 6 bewirken kann, so belichtet, daß ein den Öffnungen 12 entsprechendes Justierrnuster erzeugt wird. Da diese Belichtung an der unteren Fläche des Streifens 1 erfolgt, schützt die lichtundurchlässige Scheibe 2 den Photolack 6, der deren obere Fläche überzieht.According to Figure 1d, the mask 10 is exposed with the aid of radiation 20 which can cause a chemical conversion of the photoresist 6 in such a way that an alignment pattern corresponding to the openings 12 is produced. Since this exposure takes place on the lower surface of the strip 1, the opaque disk 2 protects the photoresist 6 which covers its upper surface.

Nach Figur Ie wird der Photolack 6 so entwickelt, daß die Öffnungen 8, die die Umrisse des Justiermusters haben, erscheinen.According to Figure 1e, the photoresist 6 is developed so that the openings 8, which have the outlines of the alignment pattern, appear.

Nach Figur 1f werden die Öffnungen 12' einer auf der Seite der oberen Fläche des Streifens 1 und der Scheibe 2 angebrachten Nachjustiermaske 10' zu den Öffnungen 8 ausgerichtet. Die Nachjustiermaske 10' enthält auch Öffnungen 14, die einer Funktionsstruktur entsprechen, die auf der oberen Fläche der lichtundurchlässigen Scheibe 2 erzeugt werden soll.According to Figure 1f, the openings 12' of a readjustment mask 10' mounted on the side of the upper surface of the strip 1 and the disk 2 are aligned with the openings 8. The readjustment mask 10' also contains openings 14 which correspond to a functional structure which is to be produced on the upper surface of the opaque disk 2.

Nach Figur 1g wird mit Hilfe der Strahlung 20 an der oberen Fläche der Scheibe 2 belichtet, um die gewünschte Funktionsstruktur auf dem die obere Fläche der Scheibe 2 bedeckenden Photolack 6 zu erzeugen.According to Figure 1g, the upper surface of the disk 2 is exposed using the radiation 20 in order to produce the desired functional structure on the photoresist 6 covering the upper surface of the disk 2.

Nach Figur 1h wird der Photolack so entwickelt, daß die der gewünschten Funktionsstruktur entsprechenden Öffnungen 9 erscheinen.According to Figure 1h, the photoresist is developed so that the openings 9 corresponding to the desired functional structure appear.

Anschließend ist es möglich, vor oder nach dem Lösen der lichtundurchlässigen Scheibe 2 von dem transparenten Streifen 1 weitere Schritte auf der Scheibe 2 auszuführen, um die Öffnungen 9 der Funktionsstruktur auszunutzen.It is then possible to carry out further steps on the pane 2 before or after detaching the opaque pane 2 from the transparent strip 1 in order to utilize the openings 9 of the functional structure.

Es ist besonders vorteilhaft, ein symmetrisches Justiermuster zu wählen, so daß es bei Klappung sich selbst gleich bleibt. In diesem Fali ist es nämlich möglich, eine einzige Maske zu verwenden, die sowohl als Justiermaske als auch als Nachjustiermaske dient. Diese Maske enthält die Öffnungen 14, die zur Erzeugung der Öffnungen 9 im Photolack 6 dienen (Figuren 1g und 1h).It is particularly advantageous to choose a symmetrical alignment pattern, so that it remains the same when folded. In this case it is possible to use a single mask that serves both as an alignment mask and as a readjustment mask. This mask contains the openings 14 that serve to create the openings 9 in the photoresist 6 (Figures 1g and 1h).

Das Vorhandensein der Öffnungen 14 der Maske hat keine Nachteile beim Schritt d (Figur 1d), da die Tatsache, daß die Scheibe 2 lichtundurchlässig ist, jede Belichtung der oberen Fläche verhindert.The presence of the openings 14 of the mask has no disadvantages in step d (Figure 1d), since the fact that the disc 2 is opaque prevents any exposure of the upper surface.

Nach Figur 2 enthält ein in Projektion arbeitender Einflächen-Apparat, wie er beispielsweise unter der Bezeichnung MICOALIGN III von der Firma PERKIN- ELMER vertrieben wird, einen dichroitischen Planspiegel, der die zur Belichtung verwendeten ultravioletten Strahlen und die zur Sichtbarmachung der Ausrichtung der Maske gegenüber der Scheibe verwendete sichtbare Strahlung trennt.According to Figure 2, a single-surface projection device, such as that sold by PERKIN-ELMER under the name MICOALIGN III, contains a dichroic plane mirror which reflects the ultraviolet rays used for exposure and the rays used to visualize the alignment of the Mask used to separate visible radiation from the disc.

Das Projektionssystem enthält auch einen sphärischen Konvexspiegel 31, der einen ersten Spiegel darstellt, einen sphärischen Konkavspiegel 32, koaxial zum ersten und entlang der Achse verschiebbar, und einen in bezug auf die Achse symmetrisch zur Ebene des Spiegels 30 angeordneten Planspiegel 34.The projection system also includes a spherical convex mirror 31, which constitutes a first mirror, a spherical concave mirror 32, coaxial with the first and displaceable along the axis, and a plane mirror 34 arranged symmetrically with respect to the axis to the plane of the mirror 30.

Die Strahlung 20 belichtet die Maske 10, deren Bild nacheinander durch den Planspiegel 30, die sphärischen Spiegel 31 und 32 und den Planspiegel 34 hindurch auf die Scheibe 2 und den Streifen 1 projiziert wird, während die durch axiale Verschiebung des Spiegels 32 erreichte Ausrichtung durch ein Fernglas 35 durch den dichroitischen Spiegel 30 hindurch überwacht wird.The radiation 20 exposes the mask 10, the image of which is projected successively through the plane mirror 30, the spherical mirrors 31 and 32 and the plane mirror 34 onto the disk 2 and the strip 1, while the alignment achieved by axial displacement of the mirror 32 is monitored by binoculars 35 through the dichroic mirror 30.

Der oben erwähnte Apparat hat eine Genauigkeit der Ausrichtung in der Größenordnung von ± 2 Mikrometer möglich gemacht.The apparatus mentioned above has made an alignment accuracy of the order of ± 2 micrometers possible.

Claims (6)

1. Verfahren zum Erhalten zueinander ausgerichteter Strukturen auf einer ersten und einer zweiten von gegenüber liegenden Flächen einer lichtundurchlässigen Scheibe, die auf der einen Fläche mindestens eine Markierungsstruktur aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß es die folgenden Schritte enthält:1. Method for obtaining mutually aligned structures on a first and a second of opposite surfaces of an opaque pane which has at least one marking structure on one surface, characterized in that it contains the following steps: a) Verbinden der ersten Fläche der lichtundurchlässigen Scheibe (2) mit einer ersten Fläche eines transparenten Streifens (1), der viel größere Abmessungen als die lichtundurchlässige Scheibe (2) hat,a) connecting the first surface of the opaque pane (2) to a first surface of a transparent strip (1) which has much larger dimensions than the opaque pane (2), b) Aufbringen einer Photolackschicht (6) auf die zweite Fläche der Scheibe (2) und auf den Teil (5) der ersten Fläche des transparenten Streifens (1), der über den Umfang der lichtundurchlässigen Scheibe hinausreicht,b) applying a photoresist layer (6) to the second surface of the pane (2) and to the part (5) of the first surface of the transparent strip (1) which extends beyond the perimeter of the opaque pane, c) Ausrichten eines ersten, der Markierungsstruktur entsprechenden und zu einer Justierrnaske (10) gehörenden Justiermusters (11) in bezug auf die Markierungsstruktur (3), wobei die Justiermaske (10) zugleich ein zweites Justiermuster (12) aufweist, das über den Umfang der lichtundurchlässigen Scheibe (2) hinausreicht,c) aligning a first alignment pattern (11) corresponding to the marking structure and belonging to an alignment mask (10) with respect to the marking structure (3), the alignment mask (10) simultaneously having a second alignment pattern (12) which extends beyond the circumference of the opaque pane (2), d) Belichtung (20) durch die Justiermaske (10) hindurch und durch die zweite, gegenüber seiner ersten Fläche gelegene Fläche des transparenten Streifens (1) zum Erzeugen eines dritten Justiermusters (8) auf der über den Umfang der lichtundurchlässigen Scheibe (2) hinausreichenden Photolackschicht (6), das dem genannten zweiten Justiermuster (12) entspricht,d) exposure (20) through the alignment mask (10) and through the second surface of the transparent strip (1) located opposite its first surface to produce a third alignment pattern (8) on the photoresist layer (6) extending beyond the circumference of the opaque pane (2), which corresponds to the said second alignment pattern (12), e) Entwickeln der in Schritt d) der Strahlung ausgesetzten Photolackschicht, um das dritte Justiermuster (8) erscheinen zu lassen,e) developing the photoresist layer exposed to radiation in step d) to allow the third alignment pattern (8) to appear, f) Ausrichten eines Musters zur Nachjustierung (12'), das dem dritten Justiermuster (8) entspricht und zu einer der zweiten Fläche der Scheibe (2) gegenüberliegend angebrachten Nachjustiermaske (10') gehört, zum dritten Justiermuster (8), wobei die Nachjustiermaske (10') eine erste Funktionsstruktur (14) aufweist.f) aligning a pattern for readjustment (12'), which corresponds to the third adjustment pattern (8) and belongs to a readjustment mask (10') mounted opposite the second surface of the pane (2), to the third adjustment pattern (8), wherein the readjustment mask (10') has a first functional structure (14). g) Belichtung durch die Nachjustiermaske (10') hindurch, um auf der die zweite Fläche der Scheibe (2) bedeckenden Photolackschicht (6) eine zweite Funktionsstruktur (9) zu erzeugen, die der ersten Funktionsstruktur (14) identisch und bezüglich der Markierungsstzuktur ausgerichtet ist,g) exposure through the readjustment mask (10') to produce a second functional structure (9) on the photoresist layer (6) covering the second surface of the disk (2), which second functional structure (9) is identical to the first functional structure (14) and is aligned with respect to the marking structure, h) Entwickeln der in Schritt g) der Strahlung ausgesetzten Photolackschicht, um eine zweite Funktionsstruktur (9) erscheinen zu lassen.h) developing the photoresist layer exposed to radiation in step g) to allow a second functional structure (9) to appear. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtundurchlässige Scheibe (2) ein HaIbleiterkristall ist.2. Method according to claim 1, characterized in that the opaque pane (2) is a semiconductor crystal. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente Streifen (1) aus Glas ist.3. Method according to one of claims 1 and 2, characterized in that the transparent strip (1) is made of glass. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung der lichtundurchlässigen Scheibe (2) und des transparenten Streifens mit Hilfe einer transparenten Wachsschicht verwirklicht wird.4. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the connection of the opaque pane (2) and the transparent strip is realized by means of a transparent wax layer. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Justier- und Belichtungsvorgänge mit Hilfe in Projektion arbeitender Einflächen-Apparatur verwirklicht werden.5. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the adjustment and exposure processes are carried out with the aid of a single-surface apparatus operating in projection. 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Justiermuster (8) in der Weise symmetrisch ist, daß es bei Klappung sich selbst gleich bleibt und daß die Justiermaske (10) und die Nachjustiermaske (10') identisch sind.6. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the third adjustment pattern (8) is symmetrical in such a way that it remains the same when folded and that the adjustment mask (10) and the readjustment mask (10') are identical.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5099284A (en) * 1989-08-28 1992-03-24 Eastman Kodak Company Master sheet and drum assembly
US5503959A (en) * 1991-10-31 1996-04-02 Intel Corporation Lithographic technique for patterning a semiconductor device
US5471215A (en) * 1993-06-28 1995-11-28 Nissan Motor Co., Ltd. Radar apparatus
US5580831A (en) * 1993-07-28 1996-12-03 Fujitsu Limited Sawcut method of forming alignment marks on two faces of a substrate
US5627378A (en) * 1996-02-28 1997-05-06 Orc Electronic Products, A Divison Of Benson Eyecare Corporation Die set for automatic UV exposure system
US6621553B2 (en) 2001-03-30 2003-09-16 Perkinelmer, Inc. Apparatus and method for exposing substrates
JP4759764B2 (en) * 2005-05-31 2011-08-31 光洋機械産業株式会社 Pneumatic transport equipment for cement in batcher plant

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1060717B (en) * 1956-04-13 1959-07-02 Franz Wagner Process for the production of grids, drawings, etc. a. on films, glasses and other media
US3963489A (en) * 1975-04-30 1976-06-15 Western Electric Company, Inc. Method of precisely aligning pattern-defining masks

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EP0321029B1 (en) 1993-03-17
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EP0321029A1 (en) 1989-06-21
DE3879426D1 (en) 1993-04-22
FR2624625B1 (en) 1990-04-27
JPH022106A (en) 1990-01-08

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