DE3150056A1 - "MASK FOR USE IN LITHOPRAPHIC PROCESSES" - Google Patents
"MASK FOR USE IN LITHOPRAPHIC PROCESSES"Info
- Publication number
- DE3150056A1 DE3150056A1 DE19813150056 DE3150056A DE3150056A1 DE 3150056 A1 DE3150056 A1 DE 3150056A1 DE 19813150056 DE19813150056 DE 19813150056 DE 3150056 A DE3150056 A DE 3150056A DE 3150056 A1 DE3150056 A1 DE 3150056A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- support frame
- mask
- foil
- mask according
- frequency band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 241000533867 Fordia Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
- f"- WS 292 P - 2422- f "- WS 292 P - 2422
Maske zur Verwendung bei lithographischen VerfahrenMask for use in lithographic processes
Die Erfindung bezieht sich auf die Bearbeitung von Halbleitern, insbesondere auf lithographische Verfahren, bei denen mit u/eichen Röntgenstrahlen oder mit Ionenstrahlen gearbeitet uiirti.The invention relates to the processing of semiconductors, in particular to lithographic processes those who worked with x-rays or ion beams.
Ein grundsätzlicher Grenzu/ert für hohe Integrationsdichte bei Halbleiterschaltungen ist durch die bei dem lithographischen Prozeß arzielbare Auflösung gegeben. Die größten Aussichten für Fortschritte bei der Lithographie bieten heute das sogenannte Elektronenstrahlschreiben und Verfahren, bai denen gerichtete kurzuiellige Strahlung, z3 Röntgenstrahlung oder gerichtete Ionenstrahlung eingesetzt warden. Das Elektronenstrahlschreiben ergibt zwar hohe Auflösung, ist aber wegen des für den Strahlschreibvorgang erforderlichen hohen Zeitaufwands ein verhältnismäßig langsames Verfahren. Lithographie mit Röntgenstrahlung und gerichteter Ionenstrahlung bietet Schwierigkeiten, weil die Masken brüchig sind, denn bei der bevorzugten Maske handeltA fundamental limit for high integration density in the case of semiconductor circuits, the resolution achievable in the lithographic process is given. The biggest Today, so-called electron beam writing and processes offer prospects for advances in lithography. where directed short-term radiation, x-ray radiation or directed ion radiation are used. Although electron beam writing gives high resolution, it is necessary for the beam writing process because of that time consuming a relatively slow process. X-ray and directional lithography Ion radiation presents difficulties because the masks are brittle because the preferred mask acts
2Q es sich um dünne Metallfolien, beispielsweise aus Beryllium, Diese Maske ist aber nicht nur zerbrechlich, sondern sie läßt sich auch nur mit großer Mühe ausrichten, weil zur Ausrichtung optische Techniken bevorzugt werden (zB Anwendung sichtbaren Lichts) und die aus Metallfolie bestehende Maske im Sichtbaren undurchsichtig ist.2Q it is thin metal foils, for example made of beryllium, This mask is not only fragile, but it can also only be aligned with great difficulty because it is used for alignment optical techniques are preferred (e.g. application of visible light) and the mask made of metal foil is opaque in the visible.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, eine lithographische Maske zu entwickeln, die mit optischen Mitteln ausrichtbar ist.The invention is based on the object of developing a lithographic mask that uses optical means is alignable.
- r- WS 292 P - 2422- r- WS 292 P - 2422
Die Maske meist einen für sichtbares Licht durchlässigen Tragrahmen mit daran angebrachten', Mustern auf, die Markierungen für die optische Ausrichtung darstellen. Eine vorzugsweise aus Metall bestehende Folie, die für weiche Röntgenstrahlung oder für Ionan durchlässig ist, ist an dem Bleirahmen befestigt und wird von ihm in gespanntem Zustand gehalten. Eine vorzugsweise aus einem zweiten Metall be- . stehende, mit Mustsr versehene Schicht ist an der Folie angebracht, um ausgewählte Bereiche der Folie für weiche Röntgenstrahlung oder Ionsnstrahlung undurchlässig zu machen.The mask usually allows visible light to pass through Support frame with attached 'patterns, which represent markings for the optical alignment. One preferably Foil made of metal, which is permeable to soft X-rays or to Ionan, is attached to the Fastened lead frame and is held by him in a tensioned state. One preferably made of a second metal. upright, patterned layer is attached to the film, to make selected areas of the film opaque to soft X-rays or ion radiation.
Bsi der Ausübung des beschriebenen lithographischen Verfahrens wird die Maske dazu benutzt, Resistschichtan, deren chemischer Aufbau je nach der Belichtung durch weiche Röntgenstrahlung oder Iononstrahlan verändert warden kann, solektiv zu belichten. Nach der Belichtung werden dia Rssistschichten entwickelt, so daß sich ein mit Huster versehener Schutzüberzug ergibt, der bsi dsm lithographischen Verfahren 3ingesstzt werden kann.Bsi the practice of the lithographic process described the mask is used to apply a resist layer, the chemical structure of which depends on exposure to soft X-rays or ionon beam can be changed, individually to expose. After the exposure, the layers become rssist developed so that a coughed protective coating results, the bsi dsm lithographic process 3 can be used.
Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausführungsbsispiei und an Hand der Zeichnungen erläutert.The invention is illustrated below in an exemplary embodiment and explained with reference to the drawings.
Fig.1 ist ein Querschnitt durch den tragenden Maskenrahmsn und dia daran angebrachte Folie;Figure 1 is a cross-section through the supporting mask frame and the film attached thereto;
Fig.2 zeigt die Herstellungsweise der ebenen Fläche, die aus Teilen des tragenden Rahmens und der Folie besteht; Fig.3 verdeutlicht dan Vorgang des Verbindens der Folie mit dem tragenden Rahmen;Fig.2 shows the manufacturing method of the flat surface, the consists of parts of the supporting frame and the foil; FIG. 3 illustrates the process of connecting the film with the supporting frame;
Fig.4 ist ein Querschnitt durch den tragenden Rahmen mit daran befestigter Folia und darüberlisgenden Schichten aines Metalls und des Photorasists;Fig.4 is a cross section through the supporting frame with attached folia and overlying layers aines Metal and photoresist;
Fig.5 zeigt den Vorgang des Einschreibens mit dem Elektronenstrahl,
welches Verfahren für die Herstellung der Maske benutzt wird;
Fig.6 ist ein Querschnitt durch die fertige Maske.Fig. 5 shows the process of writing with the electron beam, which method is used for the production of the mask;
Figure 6 is a cross-section through the finished mask.
- *5" - WS 292 P - 2422- * 5 "- WS 292 P - 2422
" S-"S-
Fig.1 zeigt als Schnittbild den Tragrahmen 10 und die dünne ι1 jf.allfolie 12, die vorzugsweise aus Beryllium besteht und e.ne Dicke von größenordnungsmäßig 25^m hat; sie ist mit dem Tragrahmen fest verbunden. Bei der bevorzugten Ausführungsform können die äußere bzw die innere Umgrenzung 11 bzui 13 des Tragrahmens Kreis- oder RechteckPorm oder eine anaere geeignete Form haben. Da der Tragrahmen 10 aus Glas besteht, ist sr normalerweise für weiche Röntgenstrahlung nicht durchlässig. Dadurch wird die für die Herstellung von Maskenmustern, die für die lithographische Technik mit tuaichcr Röntgenstrahlung geeignet sind, nutzbare Fläche auf das Fenster begrenzt, das von der inneren Umgrenzung 13 des Tragrahmens 10 gebildet luird. Bereiche des Tragrahmens 10, die über dsn äußaran Rand 15 der Folie 12 hinausreichen, warden zur Anbringung von Markierungen für das Ausrichten dar Maske mit sichtbarem Licht benutzt.1 shows a sectional view of the support frame 10 and the thin ι 1 j f .all film 12, which is preferably made of beryllium and has a thickness of the order of 25 ^ m; it is firmly connected to the support frame. In the preferred embodiment, the outer or inner boundary 11 or 13 of the support frame can have a circular or rectangular shape or some other suitable shape. Since the support frame 10 is made of glass, sr is normally not transparent to soft X-rays. As a result, the area which can be used for the production of mask patterns which are suitable for the lithographic technique with normal X-ray radiation is limited to the window which is formed by the inner boundary 13 of the support frame 10. Areas of the support frame 10 which extend beyond the outer edge 15 of the film 12 are used to apply markings for aligning the mask with visible light.
Dia Oberfläche der Folie 12 und dar Tragrahmen 10 bilden ains praktisch ebene, gemeinsame Unterseite 14. Die Folie 12 ist unter solchen Bedingungen mit dem Tragrahmen 10 verbunden morden, daß die Folie 12 ständig in allen Richtungen unter Spannung steht, so daß eine stabile ebene Flächa der Folie entstanden ist.Form the surface of the film 12 and the support frame 10 ains practically even, common underside 14. The foil 12 is connected to the support frame 10 under such conditions that the film 12 is constantly in all directions is under tension, so that a stable flat surface of the film is created.
Fig.2 zeigt den ersten Schritt des Vorgangs, durch den die Folie 12 mit dem Tragrahmen 10 verbunden uiird. Eine erste, praktisch abene, beispielsweise aus rostfreiem Stahl gefertigte Platte 16 wird als Unterlage für die Folie 12 benutzt. Der Tragrahmen 10 aus Glas wird so angeordnet, daß die innere Umgranzung 13 des Tragrahmens 10 über den Außanrand 15 der Folie 12 nach innen übergreift. Eine zweite ebene Platte 13 wird auf den Tragrahmen 10 aus Glas gelegt. Dann tuird auf die beidan Platten 16 und 18 Druck ausgeübt, und der ganze Aufbau luird bis zum Erweichungspunkt des gläsernen Tragrahmans 10 erhitzt. Unter diesen Bedingungen wird der Glasrahman 10 darart varformt, daß seine unteren KantenFigure 2 shows the first step in the process by which the Foil 12 is connected to the support frame 10. A first, A plate 16 made in practice, for example made of stainless steel, is used as a base for the foil 12. The support frame 10 made of glass is arranged so that the inner Border 13 of the support frame 10 over the outer edge 15 the film 12 overlaps inwards. A second flat plate 13 is placed on the support frame 10 made of glass. Then do exerted pressure on the two plates 16 and 18, and the The entire structure is heated to the softening point of the glass support frame 10. Under these conditions the Glasrahman 10 darart varformt that its lower edges
WS 292 P - 2422WS 292 P - 2422
praktisch bündig mit der Untarseita der Folis 12 liegen. Dadurch entsteht die praktisch ebene Unterseite, die in Fig.1 gezeichnet ist und oben erwähnt luurde.are practically flush with the underside of the Folis 12. This creates the practically flat underside, which is drawn in FIG. 1 and mentioned above.
Fig.3 erläutert das Vorgehen zum Verbinden der Folie 12 mit dem Glasteil 10. Die Folie 12 ist von Haus aus leitend, ujsil dafür vorzugsweise Beryllium oder ein anderes Metall verwendet uird. Durch Erhitzen des Glasrahmens 10 bis auf die Temperatur, bei der er plastisch verformbar ist, iuird dieses Teil auch geringfügig elektrisch leitend. Eine ausraichsnd große Spannungsquella 17 wird so angeschlossen, daß **·" :ine Spannung zu/ischen der Folie 12 und dem Tragrahmsn 103 explains the procedure for connecting the film 12 with the glass part 10. The foil 12 is inherently conductive, preferably beryllium or another metal used. By heating the glass frame 10 up to the temperature at which it is plastically deformable, iuird this part is also slightly electrically conductive. One sufficient The large voltage source 17 is connected in such a way that a voltage is applied to the film 12 and the support frame 10
liegt; jetzt fließt zwischen diesen Teilen ein elektrischer Strom. Die für das Verbinden arfordarlicha Zeit hängt von der Temperatur und dam StromfluÖ ab. Diese Art des Varbindens ist an sich bekannt und wird im einzelnen in dsrlies; now an electric current flows between these parts Current. The time for joining arfordarlicha depends on the temperature and the current flow. This kind of binding is known per se and is described in detail in dsr
US-Patentschrift 3 397 278 (D.I.Pomerantz) beschrieben.U.S. Patent 3,397,278 (D.I. Pomerantz).
~ Als Erläuterung für die Art und Waisa der Herstellung dar~ As an explanation of the type and waisa of manufacture
Glas/Metall-Verbindung wird auf die genannte US-Patentschrift ausdrücklich Bezug genommen,Glass / metal connection is expressly referred to the said US patent,
Das obanbeschriebena Verbinden findet, ja nach der für den Tragrahmen 10 gewählten Glasart, normalerweise bai ainer Temperatur zwischen 300 und 800eC statt. Der Glasrahmen —" hat im allgemeinen einen geringfügig kleineren WärmeausThe bonding described above takes place, depending on the type of glass selected for the support frame 10, normally at a temperature between 300 and 800 ° C. The glass frame - "generally has a slightly smaller heat dissipation
dehnungskoeffizienten als die Metallfolie 12. Wann der Varbindevorgang abgeschlossen ist und der Glasrahman 10expansion coefficient than the metal foil 12. When the The binding process is complete and the glass frame 10
und dia Folie 12 abgekühlt sind, wird in der Folia 12 sin Spannungszustand aufrechterhalten, dar dazu führt, da3 die gemeinsama Oberfläche 14 von Glasrahman 10 und Folia 12 praktisch eben ist, wie das oban im Zusammenhang mit Fig.1 3rörtart wurde.and the foil 12 has cooled down, the foil 12 will be sin Maintaining the state of tension, which leads to the common surface 14 of Glasrahman 10 and Folia 12 is practically flat, as the above in connection with Fig.1 3rörtart was.
Mach dgm Abkühlen das Tragrahmens 10 und der Folie 12 wird dia von dam Tragrahmen 10 und dsr Folie 12 gebildets Unt-3rs^it^ mit einer dünnen Schicht Gold 20 bslsgt, dio vorzu.jsw..;iso eine Dicke zwischen 0,5 und 1 lim hat. Damit dinMake dgm cooling the support frame 10 and the foil 12 is formed by the support frame 10 and the foil 12 Unt-3rs ^ it ^ with a thin layer of gold 20 bslsgt, dio vorzu.jsw ..; iso a thickness between 0.5 and 1 lim has. So that din
-T- WS 292 P - 2422 -T- WS 292 P - 2422
Goldschicht 20 besser haftet, kann die Unterseite von Tragrahmt.-' 10 aus Glas und Folie 12 aus Beryllium zunächst mit ainer äußerst dünnen Beschichtung, beispielsweise aus Titan, versehen werden. Auf die Oberseite der Goldschicht 20 wird sine dünne Schicht 22 aus Photoresist aufgetragen.Gold layer 20 adheres better, the underside of the supporting frame can. 10 made of glass and foil 12 made of beryllium initially with an extremely thin coating, for example made of titanium, be provided. On top of the gold layer 20 is a thin layer 22 of photoresist is applied.
Das schamatisch dargestallte Elektronanstrahlgerät 24 wird zum selektiven Belichten das Photoresists 22 benutzt. Das für Zwecks der Röntganstrahl-Photolithographie zu verwendende Muster ist beschränkt auf einen Bereich innerhalb des Fanstars, das durch die innere Umgrenzung 13 des Tragrah-.Tiäna 13 definiert ist, weil der Tragrahmen aus Glas für dia uiaicha .Töntgenstrahlung nicht durchlässig ist. Die auf dan Tindarn d3s Tragrahmens 10 aufliegenden Bereiche des Photoresists, die über die Kante der Folie 12 hinausgreifen, warden zur Anbringung von Markierungen für die optische Ausrichtung ausgenutzt; diese Markierungen werden dazu varwendat, in an sich bekannter Waise die Maske mit Hilfe von sichtbarem Licht auszurichten. Das Elektranenstrahl-Einschrüibgerät 24 kann in üblicher Weise gesteuert werden und kann sowohl das geforderte Muster für die lithographischen Techniken als auch die Markierungen für die Ausrichtung erzeugen. The electron exposure device 24, which is presented in a shamatic manner, is the photoresist 22 is used for selective exposure. That to be used for the purpose of X-ray photolithography Pattern is restricted to an area within the Fanstars, which by the inner boundary 13 of the Tragrah-.Tiäna 13 is defined because the support frame made of glass for dia uiaicha. X-ray radiation is not permeable. The on dan Tindarn d3s support frame 10 overlying areas of the photoresist, which reach beyond the edge of the film 12, are used to make markings for optical alignment; these markings are varwendat, to align the mask with the help of visible light in an orphan known per se. The electric screw-in device 24 can be controlled in the usual way and can both the required pattern for the lithographic Create techniques as well as the markings for alignment.
Nach d-3tn Elektronsnstrahlschreiben wird die Photoresistschicht 22 in üblicher Weise entwickelt, und die GoIdschicht 20 wird geätzt, so daß ein Muster für lithographische Verfahransschritte innerhalb des durch die innere Umgrenzung 13 dos Tragrahmens 10 definierten Fensters entstaht; außerdam werden Markierungen für die optische Ausrichtung in dam über den Außenrand 15 dar Folie 12 hinausgreifenden Bereich gebildet. Die fertige Maske ist in Fig.6 uiadergageban.After d-3tn electron beam writing, the photoresist layer is 22 developed in the usual way, and the gold layer 20 is etched, so that a pattern for lithographic Traversing steps within the through the inner Boundary 13 of the support frame 10 defined window arises; there are also markings for optical alignment in dam over the outer edge 15 of the film 12 reaching out Area formed. The finished mask is shown in Fig. 6 uiadergageban.
- ir - WS 292 P - 2422- ir - WS 292 P - 2422
-8--8th-
Die Goldbilder lassen sich auch durch Sperrverfahren oder Galvanisierverfahren herstellen. Die technischen Schritte zur Herstellung dsr Goldbilder sind in Jedem Falle bekannt.The gold images can also be produced by locking processes or electroplating processes. The technical steps for the production of gold pictures are known in any case.
Die in Fig.6 dargastelLte Maske ist besonders geeignet für lithographische Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiterplättchen mit Röntgenstrahlung und gerichteter Ionenstrahlung, Ein typisches lithographisches Verfahren ist schematisch in Fig.7 dargestellt. Auf ein Halbleitersubstrat wird nach einer der üblichen Methoden eins dünne Schicht 28 von Photo-IQ resist aufgetragen. Dann wird die Maske so ausgerichtet, daß die Musterschicht 20 aus Gold sich in dar Nähe der Photoresistschicht 28 befindet oder sie sogar berührt. Die Ausrichtungsmarken und diB Kanten der Maske werden dazu benutzt, die Maske gegenüber dem Substrat richtig auszuricnten; bai diesem Vorgang bedient man sich der üblichen Methoden zur optischen Ausrichtung. Anschließend wird sine weiche Röntgenstrahlung oder eine Ionenstrahlung gegen die Oberseita der Maske gerichtet. Die iueich-3 Röntgenstrahlung oder die Ionenstrahlung durchdringt weder das den Tragrahmen 10 bildende Glas noch die Teile der Metallfolie 12, dia von der gemusterten Goldschicht 20 bedeckt werden. An den Stallen aber, ujo sich Öffnungen in der Musterschicht 20 aus Gold bsfinden, soiuait diese öffnungen innerhalb der inneren Umgrenzung 13 des Tragrahmens 10 liegen, durchdringen die u/eichen Röntganstrahlen oder die Ionenstrahlen die Folie 12 und treffen auf die Photoresistschicht 28. Der chemische Aufbau dsr Photoresistschicht wird von den Röntgenstrahlen oder dan Iononstrahlan verändert. Dann wird die Photoresistschicht entwickelt und weiterbahandelt, damit sis in üblicher Weise verwendbar ist.The mask shown in Fig. 6 is particularly suitable for lithographic processes for processing semiconductor wafers with X-rays and directed ion radiation, A typical lithographic process is shown schematically in FIG. On a semiconductor substrate is after a Apply a thin layer 28 of Photo-IQ resist using the usual methods. Then the mask is aligned so that the pattern layer 20 of gold is in the vicinity of the photoresist layer 28 or even touches it. the Alignment marks and the edges of the mask are used to properly align the mask with the substrate; The usual methods of optical alignment are used for this process. Then it becomes soft X-rays or ion radiation against the top the mask directed. The iueich-3 X-rays or the Ion radiation penetrates neither that which forms the support frame 10 Glass nor the parts of the metal foil 12 which are covered by the patterned gold layer 20. At the stables but, ujo there are openings in the pattern layer 20 made of gold, soiuait these openings within the inner perimeter 13 of the support frame 10, the u / cal X-rays or the ion beams penetrate the film 12 and hit on the photoresist layer 28. The chemical structure of the photoresist layer is from the X-rays or dan Ionon beam changed. Then the photoresist layer is applied developed and further developed so that sis in the usual way is usable.
3ai dam obenbeschriebenen Verfahren werden weiche Röntgenstrahlung und Ionenstrahlung eingesetzt, weil die heute verfügbaren Resistarten für die Anwendung harter Röntgenstrahlung nicht geeignet sind. Bei der photolithographischan Her-3ai of the method described above are soft X-rays and ion radiation because the types of resists available today are used for hard X-ray radiation are not suitable. In the photolithographic manufacture
- /Γ - WS 292 P - 2422- / Γ - WS 292 P - 2422
stellung von Halbleiterplättchen ist die eru/ähnte Ausrichtung iw \tisch nur während des zweiten und u/eiterer photolithographischer Herstellungsschritte. Die erste Maske sollte daher so aufgebaut sein, daß die innere Umgrenzung das Tragrahmens 10 weiter ausgedehnt ist als die aktive Fläche d r Schaltung. Während des ersten Herstellungsschrittes müssen Ausrichtungsmuster Für das Ausrichten mit den Ausrichtungsmarkierungen hergestellt werden. Daraus ergibt sich ohne weiteres, daß die obenbeschriebene Maske dem Typ zuzurechnen ist, der bei dem zweiten und bei u/eiteren Herstallungsschritten benutzt wird, u/eil sie Ausrichtungsmarkierungen in den Teilen des Tragrahmens 10 aufweist, die über den Rand 15 der Folie 12 hinausragen.Position of semiconductor wafers is the orientation mentioned iw \ tisch only during the second and further photolithographic Manufacturing steps. The first mask should therefore be constructed in such a way that the inner boundary the support frame 10 is wider than the active area of the circuit. During the first manufacturing step Alignment patterns need to be made for alignment with the alignment marks. From this it follows It is clear that the mask described above is to be assigned to the type that is used in the second and subsequent production steps is used because it has alignment marks in the parts of the support frame 10 which protrude over the edge 15 of the film 12.
Claims (1)
daß die Folie aus Beryllium bsstaht.4.) Mask according to claim 1, 2 or 3, characterized in that
that the foil is made of beryllium.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US21734280A | 1980-12-17 | 1980-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3150056A1 true DE3150056A1 (en) | 1982-07-15 |
Family
ID=22810664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19813150056 Ceased DE3150056A1 (en) | 1980-12-17 | 1981-12-17 | "MASK FOR USE IN LITHOPRAPHIC PROCESSES" |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57124352A (en) |
| DE (1) | DE3150056A1 (en) |
| GB (1) | GB2089524B (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3232498A1 (en) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | MASK FOR PATTERN PRODUCTION IN LACQUER LAYERS BY MEANS OF X-RAY RAY LITHOGRAPHY AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION |
| DE3339624A1 (en) * | 1983-11-02 | 1985-05-09 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | METHOD FOR PRODUCING A MASK FOR PATTERN PRODUCTION IN LACQUER LAYERS BY MEANS OF X-RAY RAY LITHOGRAPHY |
| DE3703582C1 (en) * | 1987-02-06 | 1988-04-07 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Irradiation mask for the lithographic generation of patterns |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3435177A1 (en) * | 1983-09-26 | 1985-04-11 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | MASK FOR LITHOGRAPHIC PURPOSES |
| JPS6365621A (en) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Nec Corp | Mask for x-ray exposure |
| US5781607A (en) * | 1996-10-16 | 1998-07-14 | Ibm Corporation | Membrane mask structure, fabrication and use |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3963489A (en) * | 1975-04-30 | 1976-06-15 | Western Electric Company, Inc. | Method of precisely aligning pattern-defining masks |
| GB1544787A (en) * | 1976-06-15 | 1979-04-25 | Siemens Ag | Masks for x-ray lithography |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7412033A (en) * | 1973-09-17 | 1975-03-19 | Siemens Ag | DEVICE FOR FITTING SEMICONDUCTOR DISCS WITH REGARD TO AN IRRADIATION MASK, FOR FORMING A STRUCTURE IN PHOTO PAINT BY IRRADIATION WITH X-RAYS. |
| JPS5286778A (en) * | 1976-01-14 | 1977-07-19 | Toshiba Corp | Mask aligning method for x-ray exposure |
-
1981
- 1981-12-02 GB GB8136287A patent/GB2089524B/en not_active Expired
- 1981-12-14 JP JP20026181A patent/JPS57124352A/en active Pending
- 1981-12-17 DE DE19813150056 patent/DE3150056A1/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3963489A (en) * | 1975-04-30 | 1976-06-15 | Western Electric Company, Inc. | Method of precisely aligning pattern-defining masks |
| GB1544787A (en) * | 1976-06-15 | 1979-04-25 | Siemens Ag | Masks for x-ray lithography |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3232498A1 (en) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | MASK FOR PATTERN PRODUCTION IN LACQUER LAYERS BY MEANS OF X-RAY RAY LITHOGRAPHY AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION |
| DE3339624A1 (en) * | 1983-11-02 | 1985-05-09 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | METHOD FOR PRODUCING A MASK FOR PATTERN PRODUCTION IN LACQUER LAYERS BY MEANS OF X-RAY RAY LITHOGRAPHY |
| DE3703582C1 (en) * | 1987-02-06 | 1988-04-07 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Irradiation mask for the lithographic generation of patterns |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57124352A (en) | 1982-08-03 |
| GB2089524B (en) | 1984-12-05 |
| GB2089524A (en) | 1982-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2628099C2 (en) | Method of making a mask | |
| DE2431960C3 (en) | Method for producing a structured layer on a substrate with the aid of photo-etching processes and device for carrying out this method | |
| DE3420353C2 (en) | Process for correcting and modifying lithographic masks | |
| DE3030653C2 (en) | Process for the production of semiconductor devices | |
| DE2739502C3 (en) | Method for exposure by corpuscular ray shadows and device for carrying out the method | |
| DE2346719A1 (en) | RADIATION MASK FOR CREATING A STRUCTURE IN PHOTO LACQUERES WITH X-RAY EXPOSURE | |
| DE2723902C2 (en) | Method for parallel alignment and adjustment of the position of a semiconductor wafer relative to an irradiation mask in X-ray photolithography | |
| DE3524196C3 (en) | Lithography mask | |
| DE3150056A1 (en) | "MASK FOR USE IN LITHOPRAPHIC PROCESSES" | |
| DE10295952T5 (en) | Mask, method for producing the same and method for producing a semiconductor device | |
| DE2915058C2 (en) | Magnetic bubble memory device and method for making the same | |
| DE102004031079A1 (en) | Reflection mask, use of the reflection mask and method for producing the reflection mask | |
| DE3631804A1 (en) | Process and apparatus for producing microfilters, and a microfilter produced accordingly | |
| EP0104684B1 (en) | Mask for obtaining textured patterns in resist layers using x-ray lithography and method of manufacturing the same | |
| EP0112509A2 (en) | Optical heat-insensitive mask for X-ray lithography, and manufacturing process thereof | |
| DE2122617C3 (en) | ||
| DE10106861C1 (en) | Production of fine resist structures in a photoresist layer during the manufacture of microelectronic components by applying a photoresist layer, applying and exposing 2 masks at different wavelengths and developing resist | |
| DE60027883T2 (en) | PHOTLITHOGRAPHIEVERFAHREN | |
| DE2727646C2 (en) | Process for the production of fine lattice structures with two crossed web panels and use | |
| DE3435178A1 (en) | OBJECT WITH MASK STRUCTURE FOR LITHOGRAPHY | |
| DE4408507A1 (en) | Lithographic process | |
| DE2001535A1 (en) | Method and device for the production of metallic patterns | |
| DE2528666A1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING A MASK FOR X-RAY LITHOGRAPHY | |
| DE3624566C2 (en) | ||
| DD250400A1 (en) | STENCIL IMAGING METHOD FOR REDUCING STRUCTURE GRID |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8131 | Rejection |