DE3828211C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3828211C2 DE3828211C2 DE3828211A DE3828211A DE3828211C2 DE 3828211 C2 DE3828211 C2 DE 3828211C2 DE 3828211 A DE3828211 A DE 3828211A DE 3828211 A DE3828211 A DE 3828211A DE 3828211 C2 DE3828211 C2 DE 3828211C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silver
- deposition
- plasma
- metallization
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur haftfesten Abscheidung
von Silberfilmen.
Die Abscheidung metallischer Filme auf nichtleitenden Substraten
erfolgt in konventioneller Weise naßchemisch, indem die zu metallisierenden
Teile mit speziell für ein Substrat formulierten Reinigungs-,
Ätz-, Konditionierungs-, Aktivierungs- und Metallisierungsbäder
behandelt werden. Hierbei wird die Oberfläche nach der
Reinigung und Konditionierung zunächst mit edelmetallhaltigen Lösungen
bekeimt und danach auf den aktivierten Flächen nach herkömmlichen
Verfahren metallisiert.
Die Behandlungsbäder sind in der Regel wäßrige Lösungen, enthalten
zum Teil jedoch auch organische Lösungsmittel. Nachteile dieser
Formulierungen ist die zum Teil hohe Toxizität bei erheblicher
Flüchtigkeit der verwendeten Verbindungen, die entsprechende
Sicherheitsvorkehrungen voraussetzt.
Ein weiterer wesentlicher Nachteil der naßchemischen Verfahren
besteht darin, daß relativ komplizierte Vorbehandlungssequenzen
vorzusehen sind, ehe metallisiert wird, um die gewünschten Haftungswerte
zu erreichen. Dabei sind in jedem Falle die verfahrenstechnischen
Parameter, wie zum Beispiel Temperatur und Behandlungszeit
in engen Grenzen zu halten, so daß unter Umständen
eine umfangreiche Prozeßkontrolle benötigt wird. Die Gefahr der
Kontamination der Behandlungsbäder und hierdurch prozeßbedingte
Verfahrensschwankungen zur Folge haben. Die Aggressivität der Behandlungslösungen
wirkt sich unter Umständen qualitätsmindernd
auf Abdecklacke oder -folien aus.
Weiterhin nachteilig ist der recht große Aufwand zur abwassertechnischen
Behandlung der zahlreichen Behandlungsbäder und Spülwässer,
da vielfach starkätzende oder schwermetallhaltige Elektrolyte
eingesetzt werden.
Besonders schwerwiegend ist der nachteilige Umstand, daß umfangreiche
Prozeßanpassungen erforderlich werden, wenn verschiedenartige
Substrate metallisiert werden sollen. Die Anwendungsbreite
der naßchemischen Verfahren ist in aller Regel so klein, daß unter
Umständen sogar dann erhebliche Verfahrensänderungen nötig
werden, wenn in einem organischen Polymersubstrat unterschiedliche
Füllstoffmaterialien zum Einsatz kommen. Eine Übertragung der
Prozeßparameter von einem zu beschichtenden Material auf ein anderes
ist im Falle naßchemischer Metallisierungsverfahren nicht
möglich.
Ein anderes bekanntes Abscheidungs- beziehungsweise Beschichtungsverfahren
ist die thermische Zersetzung von flüchtigen Metallverbindungen.
Innerhalb der EP-A1 02 97 348 wird u. a. die
thermische Zersetzung von Silbercyclopentadienyl beschrieben.
Dieses Verfahren setzt sehr hohe Substrattemperaturen von mindestens
200°C bis zu 1000°C voraus, die aber für viele Materialien
nicht oder nur unter der Gefahr der Materialschädigung erreicht
werden dürfen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher die Bereitstellung
eines Verfahrens, welches die haftfeste Abscheidung von Silberfilmen
bei relativ niedrigen Temperaturen, in Abwesenheit von Lösungsmitteln
und unter Anwendung einer Glimmentladungszone ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gemäß dem
kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Kennzeichnungsteilen
der Unteranspüche zu entnehmen.
Die erfindungsgemäß mit einem Silberfilm beschichteten Materialien
werden als Halbzeuge in der Elektronikindustrie, zum Beispiel
für die Herstellung von elektrischen Kontakten auf isolierenden
Substraten eingesetzt. Andere Anwendungsbereiche nutzen
die vorteilhaften optischen Eigenschaften des Silbers als
guten Reflektor. Silber kann vorteilhaft als reflektierendes Metall
bei der Spiegelherstellung oder in optischen Speichermedien,
wie zum Beispiel Compact Discs, eingesetzt werden. Darüberhinaus
sind auch dekorative Anwendungen möglich. Für alle Anwendungen
ist ein haftfester Verbund zwischen Unterlage und Silber erforderlich.
Zum Teil werden grenzflächig metallisierte Halbzeuge erfordert,
teilweise, wie in der Anwendung in der Elektronikindustrie,
wird eine partielle Metallisierung gewünscht. Außerdem
kann eine dünne Silberschicht auch als Aktivator für eine nachfolgende
zu applizierende stromlose oder galvanische Metallisierung,
zum Beispiel mit stromlos arbeitenden Kupfer-, Nickel-,
Gold-, Zinn- oder anderen Elektrolyten aufgebracht werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren vermeidet die Nachteile der bekannten
Verfahren, indem der naßchemische Arbeitsablauf vermieden
wird. Erfindungsgemäß wird die Abscheidung der Silberfilme aus
der Gasphase durch Zersetzung von
und Pentafluorphenylsilber in
einem Plasma vorgenommen. Hierbei werden, je nach Behandlungszeit,
Schichten von ca. 10 nm bis etwa 200 nm erhalten, die gegebenenfalls
anschließend - ohne weitere Vorbehandlung - vorzugsweise
in einem chemischen Kupfer-, Gold-, Zinn- oder Nickelbad
oder nach einer Metallisierung in einem chemischen Bad, in einem
galvanischen Bad, vorzugsweise einem Kupfer-, Nickel-, Gold-,
Palladium oder Chrombad bis zur gewünschten Schichtstärke verstärkt
werden können.
Im Fall dickerer, nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter,
zusammenhängender Metallschichten kann es auch vorteilhaft
sein, eine galvanische Metallisierung direkt anzuschließen.
Eine Erzeugung metallischer Strukturen kann hierbei nach einem
der bekannten Verfahren (Additiv-, Semiadditiv-, Substraktivtechnik)
erfolgen, zum Beispiel indem die Substratoberfläche während
der Metallisierung durch eine Maske abgedeckt wird, so daß lediglich
die Stellen freigelassen werden, die die metallischen Strukturen
tragen sollen.
Andere Ausführungsformen der Strukturierung, zum Beispiel mit
Hilfe von Siebdrucklacken, Fotolacken oder Fotoresistfilmen können
ebenfalls eingesetzt werden.
Die erfindungsgemäß zu verwendenden flüchtigen Silberverbindungen
sind an sich bekannt oder können nach an sich bekannten Verfahren
hergestellt werden.
In das Verfahren können perfluorierte silberorganische Verbindungen,
bei denen Silber an das an einer CC-Doppelverbindung liegende
Kohlenstoffatom gebunden ist, eingesetzt werden. Vorteilhaft
einsetzbar sind die Verbindungen
und
Pentafluorphenylsilber.
Die Filmabscheidung erfolgt in normalen Plasmareaktoren, die
hauptsächlich als Rohr- oder Tunnelreaktoren oder als Parallelplattenreaktoren
für Coronaentladungen bekannt sind. Für die Herstellung
dieser metallischen Filme und Strukturen kann das Plasma
sowohl mit Gleichstrom als auch mit Wechselstrom oder Hochfrequenz
(inklusive Mikrowellen), im allgemeinen im KHz- oder MHz-Bereich
erzeugt werden. Der Druck in der Plasmakammer beträgt 0,2-1,0 hPa.
Als Substrate kommen beispielsweise organische Polymere
sowie anorganische Materialien wie Keramiken (Al₂O₃, AlN,
BN, W₂C, B₄C, und andere) und Quarz beziehungsweise Quarzglas und
deren Mischungen in den verschiedensten Ausführungsformen zum
Einsatz: als Platten, dreidimensionalen Formkörper oder Folien,
mit oder ohne Füllstoffen, einschichtig oder mehrschichtig. Weiterhin
sind zu nennen in der Elektronikindustrie verwendete Mehrlagenschaltungen,
die aus einem Schichtaufbau von Kupferlagen alternierend
mit Isoliermaterialien bestehen.
Die erfindungsgemäß verwendeten Silberverbindungen werden dem
Plasmareaktor gasförmig zugeführt, vorzugsweise durch Sublimation
oder Verdampfung. Sie können für sich allein benutzt werden, jedoch
vorteilhafterweise auch verdünnt mit Trägergasen, um gleichmäßige
porenfreie Schichten zu erhalten. Als Trägergase eignen
sich inerte Gase, wie Argon oder Helium, oder reduzierende Gase,
wie Wasserstoff; auch Gemische können eingesetzt werden. Die Einspeisung
der Silberverbindungen erfolgt nach Einstellung des Vakuums
außerhalb der Glimmentladungszone in den Strom des Trägergases,
so daß im eigentlichen Reaktionsbereich eine gleichmäßige
Gasmischung vorliegt. Der Vorratsbehälter für die Metallverbindung
wird zweckmäßigerweise mit einer Vorrichtung zum Heizen versehen,
um schwerere sublimierbare Metallverbindungen in ausreichender
Menge in den Gasstrom zu führen.
Eine besondere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
besteht darin, daß vor dem Metallisierungsprozeß in der Plasmaentladung
ein Plasmaätzprozeß vorgenommen wird, um die Substratoberfläche
zu reinigen und für die Aufnahme der Metallschicht
empfänglich zu machen. Die Ausführungsform des Reaktors und der
Verfahrensbedingungen unterscheiden sich im Prinzip nicht von dem
Plasma-Metallisierungsprozeß.
Es versteht sich, daß beim Plasma-Ätzprozeß keine metallorganischen
Verbindungen verwendet wurden. Vorteilhafterweise können
dem inerten Trägergas reaktive Gase, wie zum Beispiel Sauerstoff
oder Tetrafluormethan-Sauerstoff, zugesetzt werden.
Als weitere geeignete Substrate für die erfindungsgemäße Silberfilmabscheidung
sind zum Beispiel Glas, Keramik, PTFE und Metalle,
wie Aluminium, zum Beispiel Aluminiumelektroden, zu nennen.
Das folgende Beispiel dient der Erläuterung der Erfindung.
Reaktortyp: Parallelplattenreaktor
Frequenz: 13,56 MHz
Substrat: Glasplättchen 50×50 mm
Substrattemperatur: 120°C
Frequenz: 13,56 MHz
Substrat: Glasplättchen 50×50 mm
Substrattemperatur: 120°C
Die Apparatur wurde vor dem Versuch auf einen Druck P<10 Pa
leergepumpt. Dann wurden 15 Pa Argon und 10 Pa Wasserstoff in das
Arbeitsabteil eingelassen. Aus einem auf 90-95°C erwärmten
Vorratsgefäß wurde CF₃-CAg=CF-CF₃ in das Arbeitsabteil sublimiert
und unter ständigem Argon/Wasserstoff-Strom nachgeführt.
Das Plasma wurde bei einer Leistung von 45 Watt betrieben. Die
Abscheidungsgeschwindigkeit beträgt ca. 4,0 mm/min.
Man erhält einen hochglänzenden gut haftenden Silberspiegel mit
einer spezifischen Leitfähigkeit von ca. 4 · 10⁵ S · cm-1.
Claims (5)
1. Verfahren zur haftfesten Abscheidung von Silberfilmen, dadurch
gekennzeichnet, daß die Abscheidung in einer Glimmentladungszone
aus
oder Pentafluorphenylsilber
in der Gasphase erfolgt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich
Trägergase verwendet werden.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Silberfilm chemisch reduktiv und/oder galvanisch verstärkt wird.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß vorzugsweise
ein chemisch reduktives Kupfer- oder Nickelbad verwendet
wird.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Abscheidung der Silberfilme auf Nichtleitern oder leitenden Oberflächen
erfolgt.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3828211A DE3828211A1 (de) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | Verfahren zur haftfesten abscheidung von silberfilmen |
EP89113191A EP0357918B1 (de) | 1988-08-16 | 1989-07-19 | Verfahren zur haftfesten Abscheidung von Silberfilmen |
DE89113191T DE58906243D1 (de) | 1988-08-16 | 1989-07-19 | Verfahren zur haftfesten Abscheidung von Silberfilmen. |
AT0190989A AT396944B (de) | 1988-08-16 | 1989-08-09 | Verfahren zur haftfesten abscheidung von silberfilmen |
CA000608433A CA1336249C (en) | 1988-08-16 | 1989-08-15 | Procedure for the deposition of firmly adhering silver films |
US07/394,828 US5019415A (en) | 1988-08-16 | 1989-08-16 | Process for depositing an adherent silver film |
JP1210236A JP3016795B2 (ja) | 1988-08-16 | 1989-08-16 | 銀皮膜の固着性析出方法、銀皮膜及びこれから構成される導電性、反射性または装飾的皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3828211A DE3828211A1 (de) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | Verfahren zur haftfesten abscheidung von silberfilmen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3828211A1 DE3828211A1 (de) | 1990-02-22 |
DE3828211C2 true DE3828211C2 (de) | 1991-12-05 |
Family
ID=6361207
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3828211A Granted DE3828211A1 (de) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | Verfahren zur haftfesten abscheidung von silberfilmen |
DE89113191T Expired - Fee Related DE58906243D1 (de) | 1988-08-16 | 1989-07-19 | Verfahren zur haftfesten Abscheidung von Silberfilmen. |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE89113191T Expired - Fee Related DE58906243D1 (de) | 1988-08-16 | 1989-07-19 | Verfahren zur haftfesten Abscheidung von Silberfilmen. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5019415A (de) |
EP (1) | EP0357918B1 (de) |
JP (1) | JP3016795B2 (de) |
AT (1) | AT396944B (de) |
CA (1) | CA1336249C (de) |
DE (2) | DE3828211A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4438777A1 (de) * | 1994-10-18 | 1996-05-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung elektrischer Schaltungsträger |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5149596A (en) * | 1990-10-05 | 1992-09-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Vapor deposition of thin films |
US5506059A (en) * | 1993-05-14 | 1996-04-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Metallic films and articles using same |
EP0787224B1 (de) | 1994-10-18 | 1998-09-16 | ATOTECH Deutschland GmbH | Verfahren zur abscheidung von metallschichten |
US5674606A (en) * | 1995-04-06 | 1997-10-07 | Parker-Hannifin Corporation | Electrically conductive flame retardant materials and methods of manufacture |
AT405842B (de) | 1998-06-19 | 1999-11-25 | Miba Gleitlager Ag | Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf eine polymeroberfläche eines werkstückes |
US20040031404A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-19 | John Dixon | Seamless embossing shim |
JP5200304B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2013-06-05 | 国立大学法人群馬大学 | プラスチックへの銀担持方法及びプラスチックの銀担体、銀イオン水の製造方法 |
FR2964118B1 (fr) * | 2010-08-31 | 2013-10-11 | Gerflor | Revetement de sols avec des proprietes antiderapantes et son procede de fabrication |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2501563A (en) * | 1946-02-20 | 1950-03-21 | Libbey Owens Ford Glass Co | Method of forming strongly adherent metallic compound films by glow discharge |
GB791777A (en) * | 1954-11-24 | 1958-03-12 | Gen Electric | Improvements relating to the growing of single crystals |
US3087838A (en) * | 1955-10-05 | 1963-04-30 | Hupp Corp | Methods of photoelectric cell manufacture |
US4226896A (en) * | 1977-12-23 | 1980-10-07 | International Business Machines Corporation | Plasma method for forming a metal containing polymer |
DE2941896A1 (de) * | 1979-10-17 | 1981-04-30 | Ruhrchemie Ag, 4200 Oberhausen | Verfahren zur herstellung von haftfaehigen schichten auf polyolefinen |
DE3510982A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Schering AG, Berlin und Bergkamen, 1000 Berlin | Herstellung metallischer strukturen auf nichtleitern |
JPH0627327B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1994-04-13 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | Ib族金属の付着方法 |
-
1988
- 1988-08-16 DE DE3828211A patent/DE3828211A1/de active Granted
-
1989
- 1989-07-19 DE DE89113191T patent/DE58906243D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-19 EP EP89113191A patent/EP0357918B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-09 AT AT0190989A patent/AT396944B/de not_active IP Right Cessation
- 1989-08-15 CA CA000608433A patent/CA1336249C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-16 JP JP1210236A patent/JP3016795B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-16 US US07/394,828 patent/US5019415A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4438777A1 (de) * | 1994-10-18 | 1996-05-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung elektrischer Schaltungsträger |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5019415A (en) | 1991-05-28 |
EP0357918B1 (de) | 1993-11-24 |
DE3828211A1 (de) | 1990-02-22 |
AT396944B (de) | 1993-12-27 |
DE58906243D1 (de) | 1994-01-05 |
CA1336249C (en) | 1995-07-11 |
ATA190989A (de) | 1993-05-15 |
JP3016795B2 (ja) | 2000-03-06 |
EP0357918A1 (de) | 1990-03-14 |
JPH02125873A (ja) | 1990-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AT397328B (de) | Verfahren zur herstellung von elektrisch leitenden strukturen auf nichtleitern | |
EP0321734A1 (de) | Verfahren zur Herstellung fest haftender metallischer Strukturen auf Fluor-polymeren und thermoplastischen Kunststoffen | |
EP0787224B1 (de) | Verfahren zur abscheidung von metallschichten | |
DE3828211C2 (de) | ||
EP0133621A1 (de) | Verfahren zum Trockenätzen von Kupfer und seine Verwendung | |
EP0259754A2 (de) | Flexible Schaltungen | |
JPH0673545A (ja) | 表面を金属被覆する方法 | |
EP0402368B1 (de) | Cvd-verfahren zum niederschlagen einer schicht auf einer elektrisch leitfähigen dünnschichtstruktur | |
DE4222406C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Diamantschichten durch Dampfphasensynthese | |
EP0329845A1 (de) | Verfahren zur Herstellung fest haftender metallischer Strukturen auf Polyimid | |
EP0195332B1 (de) | Elektrische Leiterplatten | |
EP0135179B1 (de) | Verfahren zum Abscheiden von metallischem Kupfer | |
DE3716235C2 (de) | Herstellung von Polymer-Metallverbindungen durch Abscheidung in Glimmentladungszonen | |
EP0472897B1 (de) | Verfahren zur Abscheidung einer Kupfer enthaltenden Schicht II | |
DE4122473A1 (de) | Verfahren zur abscheidung von titan, zirkonium oder hafnium enthaltenden schichten | |
DE2153861A1 (en) | Protective coatings - esp of metal carbonitride on heat-sensitive supports eg aluminium glass,carbon-steel | |
AT395600B (de) | Verfahren zum galvanisieren von keramischen materialien | |
RU2020777C1 (ru) | Способ металлизации подложки из фторопласта | |
DE102020215293A1 (de) | Verfahren zur selektiven Nickelplattierung und Substrat | |
DE19538531A1 (de) | Verfahren zum Abscheiden von Metallschichten | |
DE4124699A1 (de) | Verfahren zur abscheidung einer kupfer enthaltenden schicht mit alkylcyclopentadienyl-kupfer-verbindungen | |
WO1993020263A1 (de) | Verfahren zur metallisierung von nichtleitern, insbesondere von leiterplatten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH, 10553 BERLIN, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |