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Die vorliegende Erfindung betrifft eine
Blochzeilenspeicheranordnung und insbesondere den Aufbau von
Streifenmagnetbereichen, der vertikale Blochzeilen als Informationsträger
speichert.
BESCHREIBUNG DES ENTSPRECHENDEN STANDES DER TECHNIK
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Wie eine Magnetblasenspeicheranordnung verwendet eine
Blochzeilenspeicheranordnung einen magnetischen
Granatfilm als ein Speichermedium. Der magnetische Granatfilm
wird so gebildet, daß seine Filmebene eine (111)-Fläche
hat. Jedoch ist eine Informationsspeicherart bei diesen
beiden Anordnungen sehr unterschiedlich. Und zwar
entspricht bei der Magnetblasenspeicheranordnung die
Anwesenheit oder Abwesenheit eines Blasenbereichs einer Information
von "1" oder "0". Bei der Blochzeilenspeicheranordnung
entspricht andererseits die Anwesenheit oder Abwesenheit
eines Blochzeilenpaares in einer magnetischen Wand, die
einen Streifenmagnetbereich einschließt, der eine
gestreckte Magnetbereichform hat, einer Information von
"1" oder "0". Diese Situation ist in Fig. 1 veranschaulicht.
In dieser Figur stellt ein Aufwartspfeil 103 in einem
Streifenmagnetbereich 2, der in einem magnetischen
Granatfilm 6 vorliegt, die Magnetisierungsrichtung im
Streifenmagnetbereich 2 dar, und ein Pfeil 5 in einer magnetischen
Wand 1 stellt die Magnetisierungsrichtung der magnetischen
Wand 1 dar. Besonders stellt ein Pfeil 101 auf einer
Mittellinie in der magnetischen Wand 1 die Magnetisierungsrichtung
der magnetischen Wand in einem mittleren Teil der
magnetischen Wand 1 dar. Ein zur Fläche der magnetischen Wand
1 senkrechter Pfeil 102 stellt die Magnetisierungsrichtung
in einem mittleren Teil einer vertikalen Blochzeile
(anschließend einfach als Blochzeile bezeichnet) dar. Ein
Teil 4a, wo ein Paar von Blochzeilen 3 vorliegt, entspricht
der Information von "1", während ein Teil 4b, wo keine
Blochzeile vorliegt, der Information von "0" entspricht.
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Das als Informationsträger verwendete Paar 4a von
Blochzeilen 3 ist ein Mikrogefüge einer Bereichswand, die in
der magnetischen Wand 1 vorliegt und den
Streifenmagnetbereich 2 einschließt, wie in Fig. 1 gezeigt ist. Die
Blochzeilen 3 existieren in der magnetischen Wand 1 stabil
und können sich in der magnetischen Wand 1 frei bewegen.
Daher kann, wenn eine Vielzahl von Streifenmagnetbereichen
2 in einer Gegenüberstellung mit den Blochzeilen 3 in
den magnetischen Wänden der zugehörigen
Streifenmagnetbereiche angeordnet werden, ein Speicherbereich wie eine
kleinere Schleife des Magnetblasenspeichers aufgebaut
werden.
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Die Existenz solcher Blochzeilen ist lange bekannt, und
Versuche und Analysen derselben haben gezeigt, daß die
Bewegungsgeschwindigkeit eines Magnetbereichs wegen der
Existenz der Blochzeilen langsamer wird. In der
Magnetblasenspeicheranordnung, in der Magnetbereiche bewegt
werden müssen, wird ein Blochzeilen enthaltender
Magnetbereich eine harte Blase genannt, und es wurden
Anstrengungen unternommen, um die Entstehung solcher harter
Blasen zu vermeiden. Andererseits wird in der
Blochzeilenspeicheranordnung die Existenz der Blochzeilen positiv
ausgenutzt.
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Die physikalische Abmessung einer Blochzeile ist etwa
ein Zehntel der Breite eines Streifenmagnetbereichs mit
der Blochzeile darin. Viele Blochzeilen können in einem
Streifenmagnetbereich enthalten sein. Beispielsweise kann
im Fall, wo ein magnetischer Granatfilm verwendet wird,
der zur Verwendung in einem Magnetblasenspeicher entwickelt
wurde, worin die Breite des Streifenmagnetbereichs 1 um
ist, der Streifenmagnetbereich etwa 5 x 10&sup8; Blochzeilen
je 1 cm² aufweisen. Demgemäß kann, wenn zwei Blochzeilen
paarweise als Informationsträger zugeordnet werden, ein
Speicher in der Größenordnung von 256 Mbit/cm² hergestellt
werden.
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Die Blochzeilen haben außer dem Aufweisen ihrer feinen
Abmessung noch einen Grund, weshalb ein Speicher hoher
Kapazität geschaffen werden kann. Und zwar nimmt, da in
der Blochzeilenspeicheranordnung ein Magnetfeld in einer
zu einer Oberfläche oder Filmebene des magnetischen
Granatfilms senkrechten Richtung zur Fortpflanzung oder
Übertragung von Information verwendet wird, während in der
Magnetblasenspeicheranordnung ein Informationsträger durch
Rotieren in einem innerebenigem Feld fortgepflanzt wird, ein
Fortpflanzungsspurmuster in der
Biochzeilenspeicheranordnung eine vereinfachte planare Ausbildung und Konstruktion
an, die eine Verbesserung der Dichte der Anordnung
erleichtert
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Fig. 2 zeigt ein Beispiel des Ausbreitungsspurmusters.
Ein Blochzeilenpaar 4 liegt in einer magnetischen Wand
vor, die einen Streifenmagnetbereich 2 einschließt, der
in einem magnetischen Granatfilm 6 vorhanden ist, der
auf einem Substrat 9 gebildet ist. Der Streifenmagnetbereich
2 liegt vor, um eine Nutenvertiefung 8 einzuschließen,
die in einem Teil des magnetischen Granatfilms 6 gebildet
ist. Die Nutenvertiefung 8 ist ein Mittel zum Anordnen
vieler Streifenmagnetbereiche 2 in Gegenüberstellung und
zum Festlegen ihrer Lagen. Das Blochzeilenpaar 4 wird
in der magnetischen Wand 1 durch ein senkrecht zur
Oberfläche des magnetischen Granatfilms 6 angelegtes
Magnetfeld HP bewegt. Damit das Blochzeilenpaar 4 zu dieser
Zeit um einen bestimmten Betrag bewegt wird, ist ein
Fortpflanzungsspurmuster 7 auf dem Streifenmagnetbereich 2
vorgesehen. Das Blochzeilenpaar 4 wird durch ein
innerebeniges Feld 104 mit der gleichen Richtung wie der
Magnetisierung 105 eines durch das Blochzeilenpaar eingeschlossenen
Bereichs festgelegt. Durch Wahl der Größen der senkrechten
und innerebenigen Felder HP und 104 derart, daß sie
innerhalb ihrer vorbestimmten Bereiche liegen, und durch
einmaliges Anlegen des senkrechten Feldes HP kann das
Blochzeilenpaar 4 unter das nächste Fortpflanzungsspurmuster
7 bewegt werden. Das Erfordernis des
Fortpflanzungsspurmusters 7 zur Durchführung dieses Vorgangs ist nur, eine
Funktion der Erzeugung des innerebenigen Feldes 104 zu
haben, und daher kann das Muster 7 durch Wiederholung
einer einfachen rechteckigen Form, wie in Fig. 2 gezeigt,
vorgesehen werden.
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Wie aus der vorstehenden Erläuterung ersichtlich, kann
sich das Blochzeilenpaar als ein Informationsträger frei
um den Streifenmagnetbereich bewegen. Um Information,
wie erfordert, einzuschreiben und abzulesen, ist es
erforderlich, Funktionsbereiche an der Außenseite des
Speicherbereichs anzuordnen. Ein Blochzeilenspeicher ist schematisch
in Fig. 3 gezeigt. Der Speicherbereich ist aus einer
Vielzahl von gegenübergestellten Streifenmagnetbereichen 2
aufgebaut. Das Fortpflanzungsspurmuster 7 ist so
vorgesehen, daß es die Streifenmagnetbereiche 2 angenähert
unter einem rechten Winkel kreuzt. Einschreib- und
Ablesefunktionsbereiche 121 und 120 sind auf der rechten bzw.
der linken Seite der Streifenmagnetbereiche 2 vorgesehen.
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Das Einschreiben der Blochzeilen wird durchgeführt, indem
man einen Strom durch einen Leiter fließen läßt, der in
der Nähe eines linksendigen Teils des Streifenmagnetbereichs
2 gebildet ist, um ein örtliches Magnetfeld zu erzeugen,
so daß die Magnetisierung der Magnetwand um 180º umgekehrt
wird. Und zwar wird die Magnetisierung des Bereichs 4b
von "0", die in Fig. 1 gezeigt ist, so umgekehrt, daß
sie die Magnetisierungsrichtung des Teils 4a von "1"
annimmt. Zu dieser Zeit ändert sich die Magnetisierung
kontinuierlich an einer Grenzfläche zwischen dem umgekehrten
Bereich und einem nicht umgekehrten Bereich, um einen
Zustand zu erzeugen, in dem die Magnetisierung bezüglich
der magnetischen Wand um 90º geändert wird. Dieser Zustand
liefert eine Blochzeile. Solche Blochzeilen werden
notwendigerweise in einer Paarform erzeugt, und daher wird ein
Speicher durch Zuordnung eines Blochzeilenpaars zu einer
Informationseinheit aufgebaut.
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Wenn es erwünscht ist, "0" oder kein Blochzeilenpaar in
den Streifenmagnetbereich einzuschreiben, wird ein Abstand
zwischen dem linken Endteil des Streifenmagnetbereichs
2 und dem Einschreibleiter groß gemacht, so daß ein
Magnetfeld, das die Magnetisierungsumkehr hervorruft, auf den
Streifenmagnetbereich 2 nicht einwirkt. Um nur einen
gewünschten Streifenmagnetbereich vom Einschreibleiter zu
beabstanden, wird ein Mittel verwendet, das die Existenz
einer Magnetblase 10 am Endteil dieses Streifenmagnetbereichs
verursacht. Die Magnetblase 10 ruft eine elektromagnetische
Abstoßkraft hervor, die am linken Endteil des
Streifenmagnetbereichs 2 wirkt, wodurch der Streifenmagnetbereich 2
kontrahiert wird. Als Ergebnis wird die oben erwähnte
Lagebeziehung zwischen dem Einschreibleiter und dem
Streifenmagnetbereich 2 verwirklicht. Um zu bewirken, daß
Magnetblasen im Einschreibfunktionsbereich 120 existieren, wird
der Einschreibfunktionsbereich 120 mit einer
Magnetblasenübertragungsspur 110 und einem Magnetblasenerzeuger 11
versehen. Die Magnetblasenfortpflanzungsspur 110
überträgt eine Magnetblase 10 vom Magnetblasenerzeuger 11
zur linken Seite eines vorbestimmten
Streifenmagnetbereichs 2.
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Das Ablesen von Information wird durchgeführt, indem man
die Anwesenheit ober Abwesenheit von Blochzeilen in die
Anwesenheit oder Abwesenheit einer Magnetblase umwandelt.
Für diese Umwandlung wird ein Verfahren angewendet, das
von Konishi auf den Seiten 1838-1840 und 1841-1843 von
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, vol. Mag-19, No. 5 (1983)
beschrieben ist. Und zwar werden, wenn eine Blochzeile
vorliegt, die Magnetisierungsrichtungen der magnetischen
Wand auf den entgegengesetzten Seiten der Blochzeile
bezüglich einander umgekehrt. Wegen dieser Änderung der
Bereichswandstruktur findet eine Änderung bezüglich der
Leichtigkeit des Zerhackens eines Endteils des
Streifenmagnetbereichs statt, wenn eine Blochzeile zum Endteil
des Streifenmagnetbereichs bewegt wird. Durch Auswahl
einer vorbestimmten Zerhackerbedingung kann daher das
Zerhacken einer Magnetblase vom Streifenmagnetbereich
nur in dem Fall erfolgen, wo eine Blochzeile am Endteil
des Streifenmagnetbereichs vorliegt. Dieses Zerhacken
wird am Ablesefunktionsbereich 121 durchgeführt. Die
abgetrennte Magnetblase wird durch eine Fortpflanzungsspur
111 zum Ablesen zu einem Magnetblasendetektor 12
übertragen, durch den die Anwesenheit der Magnetblase in ein
elektrisches Signal umgewandelt wird. Die Anwesenheit
oder Abwesenheit dieses elektrischen Signals entspricht
der Anwesenheit oder Abwesenheit der Magnetblase und somit
der Anwesenheit oder Abwesenheit der Blochzeilen (d. h.
Information) am Endteil eines vorbestimmten
Streifenmagnetbereichs. In dieser Weise wird der Ablesevorgang
durchgeführt. Eine solche Blochzeilenspeicheranordnung ist im
einzelnen im US-Patent 4 583 200 (= EP-A-0 106 358)
beschrieben.
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Die oben beschriebene Blochzeilenspeicheranordnung hat
ein Problem, daß eine Information oder Blochzeile an dem
Speicherbereich oder Funktionsbereich(en) eingefangen
wird, so daß die Information verloren geht oder von einer
gewünschten Adressenlage abweicht, wodurch ein genaues
Ablesen von Information unmöglich wird. Dieses Problem
wird unter Verwendung von Fig. 4 erläutert. Fig. 4 ist
eine Darstellung, die den Zustand eines
Streifenmagnetbereichs 2 zeigt, der in einem magnetischen Granatfilm
6 vorliegt, der auf einem Substrat 9 gebildet ist. Ein
Blochzeilenpaar 4 liegt in einer magnetischen Wand 1 des
Streifenmagnetbereichs 2 vor. Ein Leiter 14 ist zur
Steuerung der Lage des Blochzeilenpaars 4 vorgesehen.
Der Leiter 14 nimmt einen der in den in Fig. 3 gezeigten
Funktionsbereichen 120 und 121 enthaltenen Leiter an.
Wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, ist der Leiter 14, eine
Längsrichtung des Streifenmagnetbereichs 2 unter einem
angenähert rechten Winkel kreuzend, angeordnet.
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Der Leiter 14 wird durch Fotolithografie gebildet oder
erarbeitet. Üblicherweise bleibt, da der
Wärmeausdehnungskoeffizient des Leiters 14 von dem des magnetischen
Granatfilms 6 verschieden ist, eine Restspannung nach der Bildung
des Leiters 14. Diese Spannung liefert eine Änderung einer
senkrechten magnetischen Anisotropie des magnetischen
Granatfilms 6. Und zwar ist eine magnetische leichte Achse
des magnetischen Granatfilms 6 üblicherweise in einer
zur Filmebene senkrechten Richtung, doch die durch den
Leiter 14 hervorgerufene Restspannung ändert die
magnetische leichte Achse direkt unterhalb des Leiters 14 zu
einer Richtung in der Filmebene. Daher ergibt sich eine
Erscheinung, daß die Magnetisierung 103', die aufwärts
ander Außenseite des Streifenmagnetbereichs 2 ist, in
die Filmebene an einem Teil 150 direkt unterhalb des
Leiters 14 fällt. Diese Erscheinung tritt auch in der
magnetischen Wand 1 auf, in der Blochzeilen existieren. Wenn
das Fallen der Magnetisierung in die Filmebene auftritt,
wirkt diese innerebenige Magnetisierung als Widerstand
beim Bewegen eines Blochzeilenpaars. Als Ergebnis werden
die Blochzeilen durch die innerebenige Magnetisierung
eingefangen, wodurch eine glatte Ausbreitung der
Blochzeilen unmöglich wird.
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Ein ähnliches Problem tritt auch direkt unterhalb des
Fortpflanzungsspurmusters 7 auf. Dieses Problem ist allen
auf dem magnetischen Granatfilm gebildeten Mustern
gemeinsam.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine
Blochzeilenspeicheranordnung vorzusehen, die sich zum glatten
Bewegen eines Blochzeilenpaars in Speicher- und
Funktionsbereichen eignet, wodurch bessere Betriebseigenschaften
erreicht werden.
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Wie schon erwähnt wurde, bleibt, wenn ein Leitermuster
od. dgl. auf einem magnetischen Granatfilm gebildet wird,
eine Restspannung nach der Bildung des Musters zurück.
Diese Restspannung stört die uniaxiale magnetische
Anisotropie des magnetischen Granatfilms direkt unter dem
Muster. Die Störung der uniaxialen Anisotropie führt zu
einem Widerstand beim Bewegen eines Blochzeilenpaars oder
zum Auftreten einer Einfangerscheinung, die die glatte
Bewegung des Blochzeilenpaars beeinträchtigt.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung werden das obige Ziel
erreicht und dieses Problem durch eine
Blochzeilenspeicheranordnung gelöst, die einen senkrecht magnetisierten
Magnetfilm mit einer (111)-Fläche als Oberfläche, Schreibmittel
zum Einschreiben eines Blochzeilenpaares in einen
Streifenmagnetbereich entsprechend einer Information und
Lesemittel zum Lesen einer Information auf der Basis der
Anwesenheit oder Abwesenheit eines Blochzeilenpaares in
einem Streifenmagnetbereich aufweist, wobei eine Mehrzahl
von Streifenmagnetbereichen im Magnetfilm gebildet werden,
jeder der Streifenmagnetbereiche eine magnetische Wand
hat, in der ein Blochzeilenpaar als ein Informationsträger
gespeichert wird, und die Anordnung außerdem ein
Leitermuster enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die
Streifenmagnetbereiche
im wesentlichen mit ihrer Längsrichtung
parallel zu den kristallographischen Richtungen [ 2]
und [11 ], [ 2 ] und [1 1] oder [2 ] und [ 11] des
Magnetfilms angeordnet sind und das Leitermuster im wesentlichen
senkrecht zur Längsrichtung der Streifenmagnetbereiche
angeordnet ist.
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So kann jeder etwaige Einfluß, den die in die Filmebene
des magnetischen Granatfilms fallende Magnetisierung auf
ein Blochzeilenpaar ausübt, verringert werden, wodurch
eine glatte Ausbreitung des Blochzeilenpaares erreicht
wird.
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Die obigen Aufgaben und viele der zugehörigen Vorteile
der vorliegenden Erfindung werden beim Lesen der folgenden
näheren Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen ohne weiteres erkannt.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Fig. 1 ist eine Darstellung, die einen
Streifenmagnetbereich zusammen mit Blochzeilen zeigt, die
in einer magnetischen Wand des
Streifenmagnetbereichs vorliegen;
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Fig. 2 ist eine Darstellung, die einen Teil des
Streifenmagnetbereichs zeigt, der einen Speicherbereich
bildet;
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Fig. 3 ist eine Darstellung, die einen allgemeinen
Aufbau einer Blochzeilenspeicheranordnung zeigt;
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Fig. 4 ist eine Darstellung zur Veranschaulichung eines
Einflusses, den eine in einem Leiter od. dgl.
zurückbleibende Restspannung auf die uniaxiale
magnetische Anisotropie eines magnetischen
Granatfilms ausübt;
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Fig. 5A und 5B sind Darstellungen zur Veranschaulichung der
Anwesenheit und Abwesenheit des Auftretens eines
Blochzeilenpaar-Einfangfehlers, der von einer
Beziehung zwischen der magnetischen leichten
Achse eines magnetischen Granatfilms und der
Längsrichtung eines Streifenmagnetbereichs
herrührt; und
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Fig. 6A und 6B sind Darstellungen, die eine
Blochzeilenspeicheranordnung gemaß einem Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung zeigen.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird
nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben werden.
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Die meisten der Leitermuster, die Speicher- und
Funktionsbereiche einer Blochzeilenspeicheranordnung aufbauen,
kreuzen rechtwinklig Streifenmagnetbereiche 2, die eine
kleinere Schleife bilden, wie in Fig. 3 gezeigt ist. Dies
ist deshalb, weil ein magnetisches Feld in der
Tangentialrichtung einer Blochzeilen einschließenden magnetischen
Wand erforderlich ist, um die Blochzeilen zu steuern.
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Das Leitermuster bringt eine Restspannung mit sich, die
zum Betrieb der Anordnung unnötig ist. Die Restspannung
wird unvermeidlich bei der Herstellung der Anordnung
erzeugt. Diese Restspannung wird hauptsächlich wegen eines
Unterschieds des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen
dem Material des Leitermusters und eines magnetischen
Granatfilms erzeugt. Man wird verstehen, daß die
Restspannung hauptsächlich auf eine Längsrichtung des
Leitermusters einwirkt. Und zwar neigt die Restspannung dazu,
in der Richtung 122 der Breite des Streifenmagnetbereichs
2 zu entstehen. Wenn die Restspannung auf den senkrecht
magnetisierten Granatfilm wirkt, fällt die Magnetisierung
der Filmoberfläche, die die Spannung am stärksten annimmt,
in die innerebenige Richtung (siehe den Teil 150 in Fig. 4).
Diese Erscheinung wird Magnetostriktionseffekt genannt.
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Im Fall eines senkrecht magnetisierten Granatfilms ist
es bekannt, daß der Magnetostriktionseffekt in Abhängigkeit
von der kristallographischen Richtung wegen der dreizähligen
Symmetrie des Kristalls unterschiedlich ist. Die Richtungen,
die dem Magnetostriktionseffekt ausgesetzt sind, sind
[11 ] und [ 2], [ 11] und [2 ], und [1 1] und [ 2 ].
Wenn diese kristallographischen Richtungen parallel zur
Längsrichtung 21 eines Leitermusters 14 sind, wie in Fig.
5A gezeigt ist, neigt die Magnetisierung dazu, in die
innerebenige Richtung gelenkt zu werden. Demgemäß wird,
wenn das Leitermuster 14 parallel zu diesen
kristallographischen Richtungen gebildet wird, eine starke
innerebenige Magnetisierungsschicht direkt unterhalb des Leiters
14 gebildet. Die Magnetisierungsrichtung dieser
innerebenigen Magnetisierungsschicht wird festgelegt. Wenn
daher ein Blochzeilenpaar 4 direkt unterhalb des Leiters 14
verläuft, wird das Blochzeilenpaar 4 durch die innerebenige
Magnetisierungsschicht eingefangen, wodurch ein fehlerhafter
Betrieb verursacht wird.
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Andererseits tritt, wenn die Längsrichtung 21 des
Streifenmagnetbereichs 2 so gewählt wird, daß sie parallel zu
entweder den kristallographischen Richtungen [11 ] und
[ 2], oder [1 1] und [ 2 ], oder [ 11] und [2 ] ist,
wie in Fig. 5B gezeigt ist, die Bildung der innerebenigen
Magnetisierungsschicht kaum auf, da die Restspannung der
Längsrichtung des Leiters 14 nicht mit der magnetischen
leichten Achse des senkrecht magnetisierten Granatfilms
übereinstimmt. Demgemäß wird das Problem, daß das
Blochzeilenpaar 4 direkt unter dem Leiter 14 eingefangen wird,
beseitigt, und daher kann eine bessere Betriebsleistung
erhalten werden.
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Fig. 6A ist eine Darstellung, die einen allgemeinen Aufbau
einer Blochzeilenspeicheranordnung als Beispiel der
vorliegenden Erfindung zeigt. Die Aufbauten der Speicher-
und Funktionsbereiche der Blochzeilenspeicheranordnung
in Fig. 6A sind die gleichen wie die in Fig. 3. Jedoch
unterscheidet sich das Ausführungsbeispiel nach Fig. 6A
von der Anordnung nach Fig. 3 dadurch, daß die
Streifenmagnetbereiche 2 mit ihren Längsrichtungen 21 parallel
zu den kristallographischen Richtungen [11 ] und [ 2],
[1 1] und [ 2 ] oder [ 11] und [2 ] eines senkrecht
magnetisierten Granatfilms angeordnet sind, wie aus
Fig. 6B ersichtlich ist.
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Als der senkrecht magnetisierte Granatfilm wurde
(Y2,6Sm0,4) (Fe&sub4;Ga&sub1;)O&sub1;&sub2;, aufgewachsen auf einer (111)-
Fläche eines Gd&sub3;Ga&sub5;O&sub1;&sub2;-Substrats, verwendet. Ein Muster
von Nutenvertiefungen zur Festlegung von Streifenmagnet
bereichen wurde im senkrecht magnetisierten Granatfilm
gebildet. Anschließend wurde SiO&sub2; auf dem senkrecht
magnetisierten Granatfilm nach einem einem üblichen Verfahren
zur Herstellung von Halbleiteranordnungen ähnlichen
Verfahren abgeschieden. Ein Fortpflanzungsspurmuster 7 wurde
auf dem SiO&sub2;-Film gebildet. Auf dem Muster 7 wurde wiederum
SiO&sub2; abgeschieden. Weiter wurde Au durch Verdampfung
abgeschieden, und ein Leitermuster 14 wurde dann durch
Fotolithografie gebildet. Eine Vielzahl von
Streifenmagnetbereichen 2 wurde an Stellen angeordnet, wo sie das
Leitermuster unter rechten Winkeln schneiden, wodurch eine kleinere
Schleife oder ein Speicherbereich zum Speichern von
Information aufgebaut wurde.
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Die Längsrichtung 21 des Streifenmagnetbereichs 2 wurde
parallel zu den kristallographischen Richtungen [11 ]
und [ 2] gemacht, wie in den Fig. 6A und 6B gezeigt ist.
Ein gleichartiger Effekt wurde erhalten, wenn die
Längsrichtung 21 des Streifenmagnetbereichs 2 parallel zu
[2 ] und [ 11] oder [ 2 ] und [1 1] gewählt wird.
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Vorstehend wurde die vorliegende Erfindung in Verbindung
mit dem Ausführungsbeispiel beschrieben. Ein Merkmal der
vorliegenden Erfindung beruht darauf, daß die
Längsrichtungen der einen Speicherbereich zum Speichern von
Information bildenden Streifenmagnetbereiche parallel zu
den kristallographischen Richtungen [11 ] und [ 2],
[1 1] und [ 2 ] oder [ 11] und[2 ] des senkrecht
magnetisierten Granatfilms gemacht werden. Demgemäß gilt
natürlich, daß die vorliegende Erfindung aut eine
Blochzeilenspeicheranordnung
anwendbar ist, die einen anderen Aufbau
als das oben beschriebene Ausführungsbeispiel hat.
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Wenn die Streifenmagnetbereiche in den oben erwähnten
Richtungen angeordnet werden, wird die
Blochzeilenübertragungs- oder -fortpflanzungsleistung auch bei Auftreten
einer Restspannung im Leitermuster nicht verschlechtert,
da die Magnetisierungsrichtung der Blochzeile nicht mit
der magnetischen leichten Achse des magnetischen
Granatfilms direkt unterhalb des Leiters übereinstimmt.