DE3744308A1 - Power semiconductor component and method for its production - Google Patents
Power semiconductor component and method for its productionInfo
- Publication number
- DE3744308A1 DE3744308A1 DE19873744308 DE3744308A DE3744308A1 DE 3744308 A1 DE3744308 A1 DE 3744308A1 DE 19873744308 DE19873744308 DE 19873744308 DE 3744308 A DE3744308 A DE 3744308A DE 3744308 A1 DE3744308 A1 DE 3744308A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- emitter
- layer
- mask
- cathode
- power semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0839—Cathode regions of thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselek tronik. Sie betrifft insbesondere ein Leistungshalbleiter-Bau element mit einer Anode, einer Kathode und einem Gate, bei welchem BauelementThe invention relates to the field of power electronics tronics. It concerns in particular a power semiconductor construction element with an anode, a cathode and a gate which component
- - zwischen der Anode und der Kathode eine Schichtenfolge aus einer p-Emitterschicht, einer n-Basisschicht, einer p-Basisschicht und einer n⁺-Emitterschicht vorgesehen ist; und- A layer sequence between the anode and the cathode from a p-emitter layer, an n-base layer, one p base layer and an n⁺ emitter layer provided is; and
- - die kathodenseitige n⁺-Emitterschicht von einer Mehrzahl von Emitterkurzschlüssen durchbrochen wird, welche die unter der n⁺-Emitterschicht liegende p-Basisschicht mit einer über der n⁺-Emitterschicht liegenden Kathodenme tallisierung verbinden.- The cathode-side n⁺ emitter layer of a plurality is broken by emitter shorts, which the p-base layer under the n⁺ emitter layer a cathode layer lying over the nschicht emitter layer connect tallization.
Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungshalbleiter-Bauelements, bei welchem Verfahren zum Erzeugen der Emitterkurzschlüsse eine Maske verwendet wird, welche das Muster der Emitterkurzschlüsse enthält.The invention further relates to a method of manufacture of such a power semiconductor device, in which Process for creating the emitter short circuits a mask is used, which is the pattern of the emitter short circuits contains.
Ein Bauelement der eingangs genannten Art ist z.B. aus der DE-OS 26 48 159 bekannt. A component of the type mentioned is e.g. from the DE-OS 26 48 159 known.
In der Technik der Leistungshalbleiter-Bauelemente ist es seit langem bekannt, die unerwünschte Zündung von Thyristoren bei einem steilen Anstieg der Anodenspannung, d.h. bei hohen dv/dt-Werten, durch sogenannte Emitterkurzschlüsse (shorts) zu verbinden, die auf der Kathodenseite des Bauelements die n⁺- Emitterschicht an definierten Stellen durchbrechen und die darunterliegende p-Basisschicht mit der darüberliegenden Kathodenmetallisierung verbinden (die Prinzipien dieser Tech nologie können z.B. dem Artikel von P.S. Radebrecht, Int. J. Electronics, 1971, Vol. 31, No. 6, S. 541-564, entnommen wer den).In the technology of power semiconductor components, it has long been known to connect the undesired ignition of thyristors in the event of a steep rise in the anode voltage, ie at high dv / dt values, by means of so-called emitter shorts, which on the cathode side of the component Break through the n⁺ emitter layer at defined points and connect the underlying p base layer to the overlying cathode metallization (the principles of this technology can be found, for example, in the article by PS Radebrecht, Int. J. Electronics, 1971, Vol. 31, No. 6, p 541-564, taken from who).
Wichtig für eine richtige Wirkungsweise der Emitterkurz schlüsse ist unter anderem ihre Verteilung über die gesamte Kathodenfläche des Bauelements (siehe z.B. C.K. Chu, IEEE Trans. On Electron Devices, Vol ED-17, No. 9 (1970), S. 687- 690).Important for correct functioning of the emitter short conclusions include their distribution across the whole Cathode area of the component (see e.g. C.K. Chu, IEEE Trans. On Electron Devices, Vol ED-17, No. 9 (1970), p. 687- 690).
Üblicherweise haben die Emitterkurzschlüsse im Stand der Technik einen kreisförmigen Querschnitt, weil eine solche Form am ehesten kompatibel mit der Kreissymmetrie des gesamten Bauelements ist.Usually the emitter short circuits in the state of the Technique a circular cross section because of such a shape most compatible with the circular symmetry of the whole Component is.
In anderen Fällen sind jedoch auch bereits ovale Querschnitts formen (DE-S 25 42 901) oder aber kreuzähnliche Kurzschlüsse (US-PS 35 79 060) vorgeschlagen worden.In other cases, however, are already oval cross-section shape (DE-S 25 42 901) or cross-like short circuits (US-PS 35 79 060) has been proposed.
Alle diese Querschnittsformen der Kurzschlußemitter können bei der Herstellung der Bauelemente vergleichsweise einfach und schnell realisiert werden, wenn bei der Anfertigung der dafür erforderlichen Masken Geräte eingesetzt werden, die be liebige Geometrien mit gleicher Schnelligkeit und Präzision erzeugen können. All of these cross-sectional shapes of the short-circuit emitters can comparatively simple in the manufacture of the components and can be quickly realized if the necessary masks devices are used, the be lovely geometries with the same speed and precision can generate.
Werden beispielsweise die Masken für die Photoprozesse zur nachfolgenden Diffusion der Emitterkurzschlüsse mit Hilfe ei nes CAD-Systems auf Photoplottern hergestellt, ergeben sich mit dem herkömmlichen kreisförmigen Querschnitt der Emitter kurzschlüsse keine Probleme, weil kreisförmige Emitterkurz schlüsse die für einen Photoplotter optimale Geometrie dar stellen.For example, are the masks for the photo processes subsequent diffusion of the emitter short circuits with the help of an egg nes CAD system manufactured on photoplotters with the conventional circular cross section of the emitters short circuits no problems, because circular emitter short conclude the optimal geometry for a photoplotter put.
Die Situation ändert sich jedoch, wenn zur Erstellung der Mas ken Geräte eingesetzt werden, die alle zu erzeugenden Muster aus rechteckigen Elementen zusammensetzen müssen. Solche Ge räte, wie z.B. Patterngeneratoren und Elektronen- oder Laser strahlgeneratoren geben ein stark fokussiertes Strahlenbündel ab, welches von zwei senkrecht zueinander stehenden und beweg lichen Blendensystemen oder durch elektronische Ablenkung be grenzt wird.The situation changes, however, when creating the Mas ken devices are used, all the patterns to be generated must be composed of rectangular elements. Such Ge advice, such as Pattern generators and electron or lasers beam generators give a highly focused beam of rays which moves and moves from two mutually perpendicular diaphragm systems or by electronic distraction is bordered.
Auf diese Weise wird auf der Maskenebene ein rechteckiger, im speziellen Fall quadratischer Strahlfleck abgebildet, der als Grundelement für die Erzeugung der verschiedenen Maskenstruk turen dient.In this way, a rectangular, in the special case of a square beam spot depicted as Basic element for the creation of the different mask structure doors serves.
Der Strahl eines solchen Generators und die Maske lassen sich zu diesem Zweck relativ zueinander in zwei unabhängigen Rich tungen verschieben. Darüberhinaus kann die Apertur schrittwei se in ihrer Größe verändert, aber auch um einen bestimmten Winkel gedreht werden.The beam of such a generator and the mask can be for this purpose relative to each other in two independent directions move. In addition, the aperture can gradually se changed in size, but also by a certain Angles can be rotated.
Man erkennt aus dem Gesagten unmittelbar, daß es schwierig ist, mit dieser Art von Generatoren auf der Maske die sehr kleinen, kreisförmigen Strukturen der bekannten Emitterkurz schlüsse zu erzeugen.One can immediately see from what has been said that it is difficult is the very, with this kind of generators on the mask small, circular structures of the well-known emitter short to draw conclusions.
Man ist daher bei auf dem Markt befindlichen Thyristoren dazu übergegangen, anstelle der kreisförmigen sechseckige Quer schnitte zu verwenden, weil ein solches Sechseck aus nur drei um 60° gegeneinander verdrehten Rechtecken zusammengesetzt werden kann.One is therefore with thyristors on the market passed over instead of the circular hexagonal cross cuts to use because such a hexagon consists of only three rectangles rotated by 60 ° can be.
Aber selbst diese Annäherung der Kreisform durch ein Sechseck hat noch gravierende Nachteile. Bei zum Beispiel 20000 Emit terkurzschlüssen pro Bauelement müssen für die Herstellung ei ner entsprechenden Maske vom Generator 60000 Rechtecke erzeugt werden.But even this approximation of the circular shape through a hexagon has serious disadvantages. For example at 20000 emit Short-circuits per component must have an egg ner corresponding mask generated by the generator 60000 rectangles will.
Die Zerlegung der Maskenstruktur in derartig viele Elemente bedeutet jedoch sowohl beim CAD-Entwurf als auch bei der ei gentlichen Maskenherstellung einen erheblichen Zeitaufwand. Damit verbunden ist zugleich auch eine unerwünschte Reduzie rung der Maskengenauigkeit.The breakdown of the mask structure into such many elements means both in CAD design and in egg conventional mask manufacture a considerable amount of time. An undesirable reduction is also associated with this mask accuracy.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nun, ein Leistungs halbleiter-Bauelement mit Emitterkurzschlüssen zu schaffen, welches ohne Abstriche an den elektrischen Eigenschaften eine Vereinfachung bei der Herstellung der erforderlichen Masken ermöglicht, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anzuge ben.The object of the present invention is now a performance to create semiconductor components with emitter short circuits, which, without sacrificing electrical properties, is a Simplification in the manufacture of the required masks enables, as well as a process for its manufacture ben.
Die Aufgabe wird bei einem Bauelement der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß die Emitterkurzschlüsse einen im we sentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen.The task is for a component of the aforementioned Art solved in that the emitter short circuits in the we substantial rectangular cross-section.
Der Kern der Erfindung besteht also darin, die Querschnitts form der Kurzschlußemitter im Hinblick auf die zu verwendenden Masken-Generatoren optimal zu wählen, und so die Maskenher stellung für das Bauelement zu vereinfachen und verbessern.The essence of the invention is therefore the cross section form of the short circuit emitter with regard to the ones to be used Optimal choice of mask generators, and so the mask makers position for the component to simplify and improve.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird der Querschnitt quadratisch gestaltet. Bei geeigneter Di mensionierung ist die elektrische Wirksamkeit solcher quadra tischer Emitterkurzschlüsse praktisch identisch mit den bisher verwendeten runden Emitterkurzschlüssen.According to a preferred embodiment of the invention the cross section is made square. With a suitable Tue Dimensioning is the electrical effectiveness of such a quadra emitter short circuits are practically identical to the previous ones used round emitter shorts.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichent, daßThe method according to the invention is characterized in that that
- - die Strukturen der Maske mittels eines Generators erzeugt werden, welcher jedes zu generierende Muster aus einzel nen rechteckigen Elementen zusammensetzt; und- The structures of the mask are generated by means of a generator which each pattern to be generated from individual rectangular elements; and
- - die Struktur jedes einzelnen Emitterkurzschlusses in ei nem einzigen Schritt erzeugt wird.- the structure of each individual emitter short in egg is generated in a single step.
Auf diese Weise kann mit herkömmlichen Generatoren eine Maske im direkten Massstab 1 : 1 mit besonders geringem Zeitaufwand und erhöhter Genauigkeit hergestellt werden.In this way, a mask can be used with conventional generators on a direct scale 1: 1 with particularly little expenditure of time and increased accuracy.
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich aus den Unteransprü chen.Further exemplary embodiments result from the subclaims chen.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispie len im Zusammenhang mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigtIn the following, the invention is intended to be based on exemplary embodiments len are explained in connection with the drawing. It shows
Fig. 1 den Querschnitt durch einen Thyristor mit Emitter kurzschlüssen nach dem Stand der Technik; Fig. 1 shows the cross-section short-circuits by a thyristor having emitter according to the prior art;
Fig. 2 einen sektorförmigen Ausschnitt aus einer Maske für die Erzeugung herkömmlicher Emitterkurzschlüsse; Figure 2 shows a sector-shaped section of a mask for the production of conventional emitter shorts.
Fig. 3 die Struktur eines sechseckigen Emitterkurzschlusses nach dem Stand der Technik; und Fig. 3 shows the structure of a hexagonal emitter short-circuit according to the prior art; and
Fig. 4 die Struktur eines quadratischen Emitterkurzschlus ses gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Fig. 4 shows the structure of a square emitter short circuit according to a preferred embodiment of the invention.
Der Querschnitt durch einen Thyristor mit Emitterkurzschlüs sen, wie er aus der eingangs genannten Offenlegungsschrift be kannt ist, ist in Fig. 1 wiedergegeben.The cross section through a thyristor with emitter short circuits, as is known from the aforementioned publication BE, is shown in FIG. 1.
Der Thyristor hat eine Anode A, eine Kathode K und ein Gate G, über welches er eingeschaltet werden kann. Zwischen der Anode A und der Kathode K sind in einer Schichtenfolge eine p-Emit terschicht 5, eine n-Basisschicht 4, eine p-Basisschicht 3 und eine n⁺-Emitterschicht 1 angeordnet.The thyristor has an anode A , a cathode K and a gate G , via which it can be switched on. Between the anode A and the cathode K , a p-emitter layer 5 , an n-base layer 4 , a p-base layer 3 and an n⁺-emitter layer 1 are arranged in a layer sequence.
Die Kathode K steht über eine flächige Kathodenmetallisierung 8 mit der n⁺-Emitterschicht 1 in Kontakt, das Gate G über eine Gatemetallisierung 9 und eine p⁺-dotierte Gatezone 2 mit der p-Basisschicht 3, und die Anode A über eine Anodenmetallisie rung 7 und eine p⁺-Schicht 6 mit der p-Emitterschicht 5.The cathode K is in contact with the n⁺ emitter layer 1 via a flat cathode metallization 8 , the gate G with a gate metallization 9 and a p⁺-doped gate zone 2 with the p base layer 3 , and the anode A with an anode metallization 7 and a p⁺ layer 6 with the p-emitter layer 5 .
Auf der Kathodenseite wird die großflächige n⁺-Emitterschicht 1 von einer Vielzahl verteilt angeordneter Emitterkurzschlüsse 10 durchbrochen, die z.B. p⁺-dotierte Bereiche umfassen, und die p-Basisschicht 3 mit der Kathodenmetallisierung 9 direkt verbinden.On the cathode side, the large-area n⁺ emitter layer 1 is broken through by a large number of distributed emitter short circuits 10 , which, for example, comprise p⁺-doped regions, and connect the p-base layer 3 directly to the cathode metallization 9 .
Form und Verteilung der Emitterkurzschlüsse im Stand der Tech nik lassen sich am Beispiel der in Fig. 2 dargestellten Maske erläutern. Bei dieser Maske, von der aus Platzgründen nur ein sektorförmiger Ausschnitt wiedergeben ist, handelt es sich um eine sogenannte n⁺-Maske, wie sie bei der Herstellung von her kömmlichen Frequenzthyristoren eingesetzt wird. The shape and distribution of the emitter short circuits in the prior art can be explained using the example of the mask shown in FIG. 2. This mask, of which only a sector-shaped section is shown for reasons of space, is a so-called n⁺ mask, as is used in the manufacture of conventional frequency thyristors.
Die n⁺-Maske dient zur Strukturierung einer Abdeckschicht auf dem Thyristorsubstrat, mit der die Diffusion der n⁺-Emitter schicht 1 maskiert wird. Die schraffierten Bereiche entspre chen dabei den Bereichen im Substrat, in welche die n⁺-Schicht eindiffundiert werden soll.The n⁺ mask is used to structure a cover layer on the thyristor substrate, with which the diffusion of the n⁺ emitter layer 1 is masked. The hatched areas correspond to the areas in the substrate into which the n⁺ layer is to be diffused.
In dem breiten Außenring der Maske, welcher dem späteren Kathodenbereich des Bauelements entspricht, erkennt man eine Vielzahl von kreisrunden Öffnungen 11. Diese Öffnungen 11 markieren die Bereiche, in denen keine n⁺-Dotierung stattfin det, und in denen die Emitterkurzschlüsse des Bauelements lokalisiert sind.A large number of circular openings 11 can be seen in the wide outer ring of the mask, which corresponds to the later cathode region of the component. These openings 11 mark the areas in which no n⁺ doping takes place and in which the emitter short-circuits of the component are localized.
Eine weitere, entsprechend invertierte Maske wird dann für die Diffusion der p⁺-Bereiche in den Emitterkurzschlüssen verwen det.A further, correspondingly inverted mask is then used for the Use diffusion of the p⁺ regions in the emitter short circuits det.
Solange derartige Maskenstrukturen zunächst auf einer vergrößerten Vorlage erzeugt und anschließend photographisch ver kleinert werden, führen die kreisförmigen Querschnitte der Emitterkurzschlüsse (bzw. Öffnungen 11) zu keinen Problemen.As long as such mask structures are first created on an enlarged template and then photographically reduced, the circular cross sections of the emitter short circuits (or openings 11 ) do not lead to any problems.
Wird jedoch, wie heute üblich, direkt eine Maske im Maßstab 1 : 1 photographisch erstellt, müssen die kreisförmigen oder an nähernd kreisförmigen Querschnitte, die einen Durchmesser von nur einigen Mikrometern haben, relativ aufwendig aus rechteckigen Elementen zusammengesetzt werden.However, as is common today, it becomes a mask on a scale Created 1: 1 photographically, the circular or must approximately circular cross-sections that have a diameter of have only a few micrometers, relatively expensive from rectangular Elements.
Beim Beispiel eines sechseckigen Querschnitts gemäß Fig. 3 sind dazu nacheinander drei Belichtungen mit jeweils um 60° gegeneinander verdrehten Rechtecken 12 a, b, c notwendig.In the example of a hexagonal cross section according to FIG. 3, three exposures, each with rectangles 12 a , b , c rotated relative to one another by 60 °, are necessary for this.
Demgegenüber wird nach der Erfindung die einzelne Strukur ei nes Emitterkurzschlusses auf einer solchen Maske in einem ein zigen Belichtungsschritt in Form eines Rechtecks erzeugt. Be sonders günstig ist dabei die Verwendung eines Quadrats 13 gemäß Fig. 4. Die mit der entsprechenden Diffusion erzeugten Emitterkurzschlüsse haben dann einen im wesentlichen rechtec kigen bzw. quadratischen Querschnitt. Gewisse Abweichungen von diesen geometrischen Grundformen ergeben sich beim fertigen Bauelement allerdings durch die nicht vernachlässigbare Late raldiffusion.In contrast, according to the invention, the individual structure of an emitter short-circuit is generated on such a mask in a single exposure step in the form of a rectangle. The use of a square 13 according to FIG. 4 is particularly favorable here . The emitter short-circuits generated with the corresponding diffusion then have an essentially rectangular or square cross section. Certain deviations from these basic geometric shapes arise in the finished component due to the non-negligible late diffusion.
Wird für die Herstellung der Masken z.B. ein Patterngenerator vom Typ 3600 F der amerikanischen Firma GCA Corporation, Bur lington Division, verwendet, steht für die rechteckigen bzw. quadratischen Grundelemente ein Aperturbereich von 4 bis 3000 Mikrometern zur Verfügung, der in Schritten von 1 Mikrometer überstrichen werden kann.Is used for the production of masks e.g. a pattern generator 3600 F of the American company GCA Corporation, Bur lington division, used, stands for the rectangular or square basic elements an aperture range from 4 to 3000 Micrometers available in increments of 1 micron can be painted over.
Mit diesem Aperturbereich kann eine einzelne Emitterkurz schluß-Struktur auf der oder den Masken in einem einzigen Be lichtungsschritt erzeugt werden, was zu erheblichen Vereinfa chungen bei der Maskenherstellung und zu deutlicher Verbesse rung in der Maskengenauigkeit führt.A single emitter can be short with this aperture area closing structure on the mask or masks in a single loading clearing step are generated, which leads to considerable simplification improvements in mask production and significant improvements leads in mask accuracy.
Vergleichbare Vorteile ergeben sich für rechteckige Emitter kurzschlüsse auch bei der Verwendung von Elektronen- oder La serstrahlgeneratoren.Comparable advantages result for rectangular emitters short circuits even when using electron or La jet generators.
Claims (6)
- a) zwischen der Anode (A) und der Kathode (K) eine Schichtenfolge aus einer p-Emitterschicht (5), einer n- Basisschicht (4), einer p-Basisschicht (3) und einer n⁺- Emitterschicht (1) vorgesehen ist; und
- b) die kathodenseitige n⁺-Emitterschicht (1) von einer Mehrzahl von Emitterkurzschlüssen (10) durchbrochen wird, welche die unter der n⁺-Emitterschicht (1) liegende p-Ba sisschicht (3) mit einer über der n⁺-Emitterschicht (1) liegenden Kathodenmetallisierung (8) verbinden;
- a) between the anode ( A ) and the cathode ( K ) a layer sequence of a p-emitter layer ( 5 ), an n-base layer ( 4 ), a p-base layer ( 3 ) and an n⁺-emitter layer ( 1 ) is provided is; and
- b) the cathode-side n⁺-emitter layer ( 1 ) is broken through by a plurality of emitter short-circuits ( 10 ) which the p-base layer ( 3 ) lying under the n⁺-emitter layer ( 1 ) with a layer above the n⁺-emitter layer ( 1 ) connect horizontal cathode metallization ( 8 );
- c) die Emitterkurzschlüsse (10) einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen.
- c) the emitter short circuits ( 10 ) have a substantially rectangular cross section.
- a) die Strukturen der Maske mittels eines Generators erzeugt werden, welcher jedes zu generierende Muster aus einzelnen rechteckigen Elementen zusammensetzt; und
- b) die Struktur jedes einzelnen Emitterkurzschlusses (10) in einem einzigen Schritt erzeugt wird.
- a) the structures of the mask are generated by means of a generator which assembles each pattern to be generated from individual rectangular elements; and
- b) the structure of each individual emitter short circuit ( 10 ) is generated in a single step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873744308 DE3744308A1 (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Power semiconductor component and method for its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873744308 DE3744308A1 (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Power semiconductor component and method for its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3744308A1 true DE3744308A1 (en) | 1989-07-06 |
Family
ID=6343743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19873744308 Withdrawn DE3744308A1 (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Power semiconductor component and method for its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3744308A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016016427A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Abb Technology Ag | Phase control thyristor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1107497A (en) * | 1966-02-12 | 1968-03-27 | Siemens Ag | Method of producing electric shunts for bridging a pn-junction in a semiconductor body |
| DE2056806A1 (en) * | 1970-11-02 | 1972-05-25 | Bbc Brown Boveri & Cie | Bistable semiconductor component |
| DE2648159A1 (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-13 | Bbc Brown Boveri & Cie | THYRISTOR WITH EMITTER SHORT CIRCUITS AND USING THE SAME |
| DE2752448A1 (en) * | 1976-12-27 | 1978-06-29 | Ibm | ELECTRON BEAM LITHOGRAPH PROCESS |
| EP0064715A2 (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor having controllable emitter shorts inserted in the emitter |
-
1987
- 1987-12-28 DE DE19873744308 patent/DE3744308A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1107497A (en) * | 1966-02-12 | 1968-03-27 | Siemens Ag | Method of producing electric shunts for bridging a pn-junction in a semiconductor body |
| DE2056806A1 (en) * | 1970-11-02 | 1972-05-25 | Bbc Brown Boveri & Cie | Bistable semiconductor component |
| DE2648159A1 (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-13 | Bbc Brown Boveri & Cie | THYRISTOR WITH EMITTER SHORT CIRCUITS AND USING THE SAME |
| DE2752448A1 (en) * | 1976-12-27 | 1978-06-29 | Ibm | ELECTRON BEAM LITHOGRAPH PROCESS |
| EP0064715A2 (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor having controllable emitter shorts inserted in the emitter |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016016427A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Abb Technology Ag | Phase control thyristor |
| CN107078154A (en) * | 2014-07-31 | 2017-08-18 | Abb瑞士股份有限公司 | Phase controlled thyristors |
| US10355117B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-07-16 | Abb Schweiz Ag | Phase control thyristor |
| CN107078154B (en) * | 2014-07-31 | 2021-01-26 | Abb电网瑞士股份公司 | Phase-controlled thyristor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3124988C2 (en) | ||
| EP0343369A1 (en) | Process for manufacturing a thyristor | |
| DE2312413B2 (en) | METHOD OF PRODUCING A MATRIX CIRCUIT | |
| DE1514304A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing process therefor | |
| DE69611218T2 (en) | Electron source for a multi-beam electron lithography system | |
| DE1544275B2 (en) | PROCESS FOR THE FORMATION OF ZONES OF DIFFERENT CONDUCTIVITY IN SEMICONDUCTOR CRYSTALS BY ION IMPLANTATION | |
| DE19522362C2 (en) | Electron beam writing device and method | |
| DE3440109C2 (en) | ||
| DE102018213786A1 (en) | Processing method for a wafer | |
| DE1589918A1 (en) | Process for the production of integrated circuits with switching elements that are mutually electrically insulated by embedded separating joints made of dielectric material | |
| DE3022122C2 (en) | ||
| DE2837762C2 (en) | Process for making triacs | |
| DE2500235A1 (en) | PLANAR UNIJUNCTION TRANSISTOR | |
| DE2922250A1 (en) | LIGHT CONTROLLED TRANSISTOR | |
| DE3744308A1 (en) | Power semiconductor component and method for its production | |
| DE102008038342B4 (en) | Semiconductor device with edge region in which a zone of porous material is formed and method for its production and semiconductor wafer | |
| EP0370186A1 (en) | Process for axially adjusting the life time of carriers | |
| DE2721912A1 (en) | PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF SEMICONDUCTOR DEVICES, IN PARTICULAR DIODES AND THYRISTORS | |
| DE2801271C2 (en) | Method for implanting ions in a semiconductor substrate | |
| DE69507924T2 (en) | MANUFACTURING METHOD FOR AN ARRANGEMENT WHERE A LONGITUDE IS PROVIDED WITH ELECTRICAL CONTACT FOR A SEMICONDUCTOR ELEMENT | |
| DE2543651A1 (en) | Integrated circuit semiconductor substrate - has position marks on its surface for contacting of electrode terminals | |
| DE4333956A1 (en) | Method for attaching integrated circuit chips with a TAB structure to a substrate | |
| DE3913123A1 (en) | Generation of recombination centres in semiconductor devices - by electron beam irradiation then stabilisation in medium temp. anneal after metallisation | |
| DE2527191A1 (en) | THYRISTOR | |
| DE1289187B (en) | Method for producing a microelectronic circuit arrangement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |