DE3624384A1 - Device for removing a photoresist layer from a substrate - Google Patents

Device for removing a photoresist layer from a substrate

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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

Abstract

A device for quickly removing a layer of photoresist material is described in which an oxidising agent such as ozone is used. A narrow gap of 2 mm or less is produced adjoining the photoresist layer and ozone is fed in in a flow quantity which results in a high flow rate in the gap, whilst the substrate on which the photoresist layer is located is heated to a temperature above 300 DEG C. Additionally, the photoresist can be exposed to ultraviolet light with an exposure strength of approximately 800 mW/cm<2>. The narrow gap can be produced using a quartz plate. <IMAGE>

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Ent­ fernen einer Photoresistschicht von einem Substrat, und insbesondere auf eine Vorrichtung, mit deren Hilfe das Entfernen sehr schnell durchgeführt werden kann.The invention relates to a device for Ent removing a layer of photoresist from a substrate, and in particular to a device with the help of which Removal can be done very quickly.

Bei der Herstellung integrierter Schaltungen wird häufig das Verfahren der Photolithographie angewendet. Bei der Ausführung dieses Verfahrens wird ein Halbleiterplätt­ chen mit einem Photoresist beschichtet, der dann mit ul­ traviolettem Licht durch eine Maske hindurch bestrahlt wird, so daß ein gewünschtes Muster auf dem Photoresist abgebildet wird. Dies verursacht eine Veränderung der Löslichkeit der belichteten Bereiche des Photoresists, so daß nach Entwicklung in einem geeigneten Lösungsmit­ tel das gewünschte Muster auf dem Plättchen fixiert ist, worauf der Photoresist gehärtet wird, damit er der nach­ folgenden Bearbeitung widerstehen kann. When manufacturing integrated circuits is common applied the process of photolithography. In the Execution of this method is a semiconductor die Chen coated with a photoresist, which is then coated with ul irradiated with violet light through a mask so that a desired pattern on the photoresist is mapped. This causes a change in the Solubility of the exposed areas of the photoresist, so that after development in a suitable solution with the desired pattern is fixed on the plate, whereupon the photoresist is hardened so that it follows the can withstand the following processing.  

Bei dieser nachfolgenden Bearbeitung werden Komponenten integrierter Schaltungen, die dem gewünschten Muster entsprechen, durch Prozesse gebildet, die das Plasma ätzen oder die Ionenimplantation enthalten.In this subsequent processing, components integrated circuits that match the desired pattern correspond through processes formed by the plasma etch or contain the ion implantation.

Nach Bildung der Komponenten der integrierten Schaltung muß der Photoresist vom Halbleiterplättchen entfernt werden, der zu diesem Zeitpunkt bereits seinen Zweck erfüllt hat. Die relative Leichtigkeit oder Schwierig­ keit, mit der dieser Photoresist entfernt werden kann, hängt von dem Ausmaß ab, mit dem physikalische und che­ mische Änderungen im Photoresist während der speziellen Plasmaätz- oder Ionenimplantationsprozesse hervorgeru­ fen worden sind; eine weitere Abhängigkeit besteht vom Ausmaß, mit dem der Photoresist quervernetzt worden ist. Es ist allgemein bekannt, daß in einem beträchtlichen Ausmaß das Härten und in einem noch größeren Ausmaß die Plasmaätz- und Ionenimplantationsvorgänge physikalische und chemische Änderungen in dem Photoresist hervorrufen, so daß das Entfernen besonders schwierig ist.After forming the components of the integrated circuit the photoresist must be removed from the semiconductor die at that point its purpose has fulfilled. The relative ease or difficulty with which this photoresist can be removed depends on the extent to which physical and che mix changes in photoresist during the special Plasma etching or ion implantation processes have been opened; there is another dependency on Extent to which the photoresist has been cross-linked. It is well known that in a considerable Extent the hardening and to an even greater extent the Plasma etching and ion implantation processes physical and cause chemical changes in the photoresist, making removal particularly difficult.

Die bisher am häufigsten angewendeten Verfahren zum Ent­ fernen des Photoresists sind die Anwendung nasser Lö­ sungsmittelentwickler wie einer Schwefelsäure-Wasser­ stoffperoxid-Lösung und das Plasmaätzen. Diese Verfah­ ren haben sich jedoch nicht völlig befriedigend gezeigt, da der Umgang mit nassen Lösungsmittelentwicklern schwie­ rig und gefährlich ist und zu einer Oberflächenverunrei­ nigung führt, während das Plasmaätzen charakteristischer­ weise zu langsam ist und manchmal zu einer elektrischen Beschädigung des Halbleiterplättchens führte.The most commonly used methods for ent far away from the photoresist are the application of wet solder developer such as a sulfuric acid water peroxide solution and plasma etching. This procedure however, have not been entirely satisfactory since dealing with wet solvent developers was difficult is rigorous and dangerous and leads to surface imperfections lead leads to more characteristic during the plasma etching is too slow and sometimes too electric Damage to the semiconductor chip resulted.

Ein weiteres Verfahren zum Entfernen des Photoresists besteht darin, den Photoresist einer ozonhaltigen Gas­ atmosphäre auszusetzen, während das Substrat, auf dem sich die Photoresistschicht befindet, erhitzt wird. Die­ ses Verfahren ist in der US-PS 44 31 592 beschrieben, bei dem der Ozon in eine Reaktionskammer über den Pho­ toresist geschickt wird, während das Substrat auf eine nicht über 260°C liegende Temperatur erhitzt wird.Another method of removing the photoresist is the photoresist of an ozone-containing gas expose atmosphere while the substrate on which the photoresist layer is located, is heated. The This method is described in US Pat. No. 4,431,592,  in which the ozone in a reaction chamber via the Pho Toresist is sent while the substrate is on a temperature not exceeding 260 ° C is heated.

Bei einem damit in Zusammenhang stehenden Verfahren, das als "Ultraviolett-Ozon"-Verfahren bekannt ist, wird der Photoresist, der aus einem kohlenwasserstoffhalti­ gen Material besteht, Ozon ausgesetzt, während er mit ultraviolettem Licht bestrahlt wird, das Spektralkom­ ponenten unterhalb von 300 nm enthält. Die Kombination von ultraviolettem Licht und Ozon führt zu einer Oxida­ tion des Photoresists, wodurch er entfernt wird, indem er in flüchtige Nebenprodukte umgewandelt wird. Zusätz­ lich kann das die Photoresistschicht tragende Substrat im Zusammenhang mit dem Ultraviolett-Ozon-Verfahren er­ hitzt werden, obgleich bisher Temperaturen über 250°- 300°C nicht angewendet worden sind.In a related process, which is known as the "ultraviolet ozone" process the photoresist made from a hydrocarbon content material, exposed to ozone while using is irradiated with ultraviolet light, the spectral com contains components below 300 nm. The combination of ultraviolet light and ozone leads to an oxide tion of the photoresist, whereby it is removed by it is converted into volatile by-products. Additional Lich the substrate carrying the photoresist layer in connection with the ultraviolet ozone process be heated, although temperatures above 250 ° - 300 ° C have not been used.

Die oben erläuterten Ozon- und Ultraviolett-Ozon-Verfah­ ren zum Entfernen von Photoresist waren anfänglich viel­ versprechend, da sie sauber und gut handhabbar waren und zu weniger Problemen mit Oberflächenverunreinigun­ gen und elektrischen Beschädigungen als früher angewen­ dete Verfahren ergaben. Jedoch sind diese Verfahren bis­ her nicht merklich kommerziell angewendet worden, da sie in ihrer derzeit üblichen Ausführung für die mei­ sten Photoresist-Materialien zu langsam sind und nicht einmal die Fähigkeit haben, Photoresist-Materialien zu entfernen, die stark einer Ionenimplantation unterzogen worden sind.The ozone and ultraviolet ozone procedures discussed above Photoresist removal was initially a lot promising because they were clean and easy to handle and less problems with surface contamination and electrical damage than before procedures resulted. However, these procedures are up not been used noticeably commercially since they in their currently usual execution for mei Most photoresist materials are too slow and not once have the ability to use photoresist materials remove that heavily subjected to an ion implantation have been.

Beim Stand der Technik ist bekannt, daß das Entfernen durch Erhitzen des Substrats beschleunigt werden kann, während die Oberfläche des Photoresists Ozon oder Ozon und ultraviolettem Licht ausgesetzt wird. Es ist jedoch nicht offenbart worden, Substrattemperaturen über 300°C, typischerweise nicht über 260°C, anzuwenden. Es wird angenommen, daß der Grund für die Vermeidung höherer Temperaturen die Annahme ist, daß die Verwendung hö­ herer Temperaturen für Zeitintervalle, die mit den bisher zum Entfernen des Photoresists angewendeten Zeitintervallen vergleichbar sind, zu einer Beschä­ digung von Komponenten führen würde, beispielsweise durch Diffusion zwischen den Schichten der integrier­ ten Schaltung.It is known in the prior art that removal can be accelerated by heating the substrate, while the surface of the photoresist is ozone or ozone and exposed to ultraviolet light. However, it is not disclosed, substrate temperatures above 300 ° C, typically not to be used above 260 ° C. It will  assumed that the reason for avoiding higher Temperatures the assumption is that the use of high Herer temperatures for time intervals that with the previously used to remove the photoresist Time intervals are comparable to a damage component damage, for example by diffusion between the layers of integrier circuit.

Gemäß der Erfindung wurde erkannt, daß das Substrat Temperaturen deutlich über 300°C ausgesetzt werden kann, wenn das Erhitzen nur für kurze Zeit vorgenom­ men wird. Damit dies erreicht wird, wird ein Mittel vorgesehen, das angrenzend an den Photoresist einen engen Spalt mit einer Dicke von 2 mm oder weniger erzeugt; wenn dann durch diesen Spalt ein Oxidationsmittel mit einer genügend großen Strö­ mungsmenge geschickt wird, daß Strömungsgeschwindig­ keiten in dem Spalt erzeugt werden, die in den Be­ reich von 2-600 cm/s fallen und dabei Substrattem­ peraturen über 300°C angewendet werden, geschieht das Entfernen des Photoresists in wesentlich kürzeren Zeiten. Bei Anwendung der Erfindung können somit sehr kurze Zeitintervalle zum Entfernen des Photoresists erzielt werden, und schwierig zu entfernende Photo­ resist-Materialien, wie diejenigen, die einer Ionen­ implantation ausgesetzt worden sind, werden innerhalb kommerziell akzeptabler Zeitintervalle entfernt, d. h. in weniger als fünf Minuten und typischerweise inner­ halb von 1-3 Minuten.According to the invention it was recognized that the substrate Exposed to temperatures well above 300 ° C can, if the heating only for a short time men will. In order for this to be achieved, it becomes a means provided that one adjacent to the photoresist narrow gap with a thickness of 2 mm or less generated; if then through this gap Oxidizing agent with a sufficiently large current amount is sent that flow rate in the gap generated in the Be range from 2-600 cm / s and substrate temperatures above 300 ° C are used, this happens Removing the photoresist in a much shorter time Times. When using the invention can thus very short time intervals for removing the photoresist and difficult to remove photo resist materials, such as those that have an ion implantation will be exposed within removed commercially acceptable time intervals, d. H. in less than five minutes and typically within half of 1-3 minutes.

In der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der enge Spalt dadurch erzeugt, daß in geringem Ab­ stand über dem Photoresist eine Quarzplatte angeord­ net wird. Wenn zusätzlich Ultraviolettstrahlung ange­ wendet wird, minimiert die durch die Quarzplatte be­ grenzte dünne Schicht aus dem Oxidationsmit­ tel die Ultraviolettabsorption, so daß die Verwendung einer Ultraviolettquelle mit höherer Bestrahlungsstär­ ke verwendet werden kann, die in einigem Abstand von dem Photoresist angebracht werden kann. Wenn bei der Anwendung der Erfindung Ozon als Oxidations­ mittel angewendet wird, ergibt die Kombination aus der mit hoher Geschwindigkeit erfolgenden Ozonströmung durch einen engen Spalt bei Substrattemperaturen über 300°C schnellere Entfernungszeiten, als dies bisher mit ver­ gleichbaren Prozessen der Fall war. Eine weitere Verbes­ serung kann erzielt werden, wenn der Photoresist zusätz­ lich mit ultraviolettem Licht bestrahlt wird, das merk­ liche Spektralkomponenten unterhalb von 300 nm hat. Außerdem ist es möglich, das die Kombination aus dem Erhitzen des Substrats über 300°C bei Bestrahlung mit ultraviolettem Licht mit einer Bestrahlungsstärke über etwa 800 mW/cm2 auch bei Abwesenheit eines engen Spalts gemäß den obigen Ausführungen zu verbesserten Entfer­ nungsgeschwindigkeiten führt.In the preferred embodiment of the invention, the narrow gap is produced by a quartz plate being arranged in a small amount above the photoresist. If ultraviolet radiation is additionally used, the thin layer of the oxidizing agent bounded by the quartz plate minimizes the ultraviolet absorption, so that the use of an ultraviolet source with higher irradiance can be used, which can be arranged at a distance from the photoresist. If ozone is used as an oxidizing agent in the application of the invention, the combination of the high-speed ozone flow through a narrow gap at substrate temperatures above 300 ° C. results in faster removal times than was previously the case with comparable processes. A further improvement can be achieved if the photoresist is additionally irradiated with ultraviolet light which has noticeable spectral components below 300 nm. In addition, it is possible that the combination of heating the substrate above 300 ° C when irradiated with ultraviolet light with an irradiance above about 800 mW / cm 2 leads to improved removal speeds even in the absence of a narrow gap as described above.

Somit soll mit Hilfe der Erfindung eine Vorrichtung zum schnellen Entfernen von Photoresist-Materialien geschaf­ fen werden.Thus, with the help of the invention, a device for rapid removal of photoresist materials be opened.

Die mit Hilfe der Erfindung zu schaffende Vorrichtung ist besonders wirksam beim Entfernen von Photoresist- Materialien, die schwer zu entfernen sind, beispiels­ weise solche, die einer Ionenimplantation ausgesetzt worden sind.The device to be created with the aid of the invention is particularly effective in removing photoresist Materials that are difficult to remove, for example wise those exposed to ion implantation have been.

Gemäß der Erfindung soll das Verfahren des Entfernens des Photoresist-Materials mit einem Oxidati­ onsmittel und den damit verbundenen Vorteilen ange­ wendet werden, wobei jedoch mit diesem Verfahren ein schnelleres Entfernen erzielt werden soll, als dies bisher möglich war. According to the invention, the method of removal is intended of the photoresist material with an oxidati onsmittel and the associated advantages be used, however, with this method removal should be achieved faster than this was previously possible.  

Mittels der Erfindung soll ferner ein Verfahren zum Ent­ fernen von Photoresist-Material geschaffen werden, bei dem eine fokussierte Ultraviolettlichtquelle mit hoher Bestrahlungsstärke benutzt wird, die im Abstand von dem Resist-Material angebracht ist.The invention is also intended to provide a method for ent distant from photoresist material which is a focused ultraviolet light source with high Irradiance is used that is at a distance from that Resist material is attached.

Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispiels­ halber erläutert. Es zeigen:The invention will now be described with reference to the drawing explained for the sake of it. Show it:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform der Erfindung, Fig. 1 is a schematic representation of an embodiment of the invention,

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform der Erfin­ dung, Fig. Dung 2 is a schematic representation of another embodiment of OF INVENTION,

Fig. 3 und 4 eine Ausführungsform der Erfindung, bei der ein Spaltabstandselement mit mehreren Auslässen oder Öffnungen ver­ wendet wird, FIGS. 3 and 4, an embodiment of the invention in which a gap spacer having a plurality of outlets or openings turns ver is

Fig. 5 und 6 eine Ausführungsform der Erfindung, bei der ein Spaltabstandselement ver­ wendet wird und ein Oxida­ tionsmittel von einem Rand der Platte aus zugeführt wird, FIGS. 5 and 6, an embodiment of the invention in which a gap spacer is ver turns and a Oxida tion medium of an edge of the plate is supplied,

Fig. 7 und 8 eine Ausführungsform der Erfindung mit einem Spaltabstandselement mit mehreren parallelen Leitungen zum Zuführen eines Oxidationsmit­ tels, FIGS. 7 and 8, an embodiment of the invention, means of a gap spacer having a plurality of parallel lines for supplying a Oxidationsmit,

Fig. 9 eine Ausführungsform der Erfindung mit einem Spaltabstandselement, dem Leitungen zugeordnet sind, wobei je­ weils abwechselnd Leitungen ein Oxidationsmittel liefern, während dazwischenliegende Leitungen das Oxidationsmittel ab­ saugen, Fig. An embodiment of the invention with a gap spacer, the lines are assigned, wherein each weils lines alternately deliver an oxidizing agent, while intervening lines from the oxidant suck 9,

Fig. 10 eine Ausführungsform der Erfindung mit einem konischen Spaltabstandsele­ ment und Fig. 10 shows an embodiment of the invention with a conical gap spacer element

Fig. 11 ein Diagramm eines bevorzugten Ultra­ violettspektrums, das bei der Licht­ quelle angewendet werden kann. Fig. 11 is a diagram of a preferred ultra violet spectrum that can be applied to the light source.

In Fig. 1 ist ein Substrat, beispielweise ein Silicium­ plättchen, das auf einem Halter 2 angebracht ist, mit einem zu entfernenden Photoresist 6 beschichtet.In Fig. 1, a substrate, for example a silicon wafer, which is attached to a holder 2, is coated with a photoresist 6 to be removed.

Bei dieser Ausführungsform wird als Oxida­ tionsmittel Ozon verwendet; zur Erzeugung des Ozons wird reiner Sauerstoff einem Ozongenerator 18 zugeführt, der ein Generator mit stiller Entladung sein kann. Bei­ spielsweise ist der Ozonerzeuger TC 0.5C der Firma Griffin Techniques Corporation geeignet.In this embodiment, ozone is used as the oxidizing agent; To generate the ozone, pure oxygen is supplied to an ozone generator 18 , which can be a generator with a silent discharge. For example, the TC 0.5C ozone generator from Griffin Techniques Corporation is suitable.

Das Ozon wird über eine Leitung 10 durch eine Öffnung in einem Spaltabstandselement 20 zu dem unmittelbar über dem Photoresist 6 liegenden Bereich geleitet. Das Spalt­ abstandselement 20 wird zur Erzeugung eines schmalen Spalts über dem Photoresist verwendet, durch den eine dünne Schicht aus Ozon strömt. In der bevorzugten Aus­ führung ist das Element 20 eine ebene Platte aus Quarz. Die Platte muß aus einem Material hergestellt sein, das durch die Einwirkung von Ozon nicht beeinträchtigt wird und das keine übermäßig schnelle Zersetzung des Ozons bewirkt. Es können auch andere Materialien als Quarz verwendet werden, solange diese Materialien die obigen Eigenschaften besitzen. The ozone is conducted via a line 10 through an opening in a gap spacing element 20 to the area immediately above the photoresist 6 . The gap spacer 20 is used to create a narrow gap over the photoresist through which a thin layer of ozone flows. In the preferred embodiment, element 20 is a flat quartz plate. The plate must be made of a material which is not affected by the action of ozone and which does not cause the ozone to decompose excessively. Materials other than quartz can also be used as long as these materials have the above properties.

Die Platte 20 befindet sich im Abstand von 2 mm oder weniger von dem Photoresist, wobei der bevorzugte Ab­ stand für viele Resist-Materialien etwa 0,5 mm beträgt. Die Platte ist mit Hilfe geeigneter Befestigungsmittel, beispielsweise geeignete Abstandsglieder, im richtigen Abstand vom Photoresist angebracht, und vorzugsweise haben die Platte und die Halterung die Form kreisrun­ der Scheiben, so daß sie mit der Form des Halbleiter­ plättchens, von dem der Photoresist entfernt werden soll, kongruent sind. Gemäß der Erfindung wird das Ozon dem schmalen Spalt zwischen dem Photoresist und der Platte mit einer Strömungsmenge zugeführt, die so groß ist, daß in dem Spalt Strömungsgeschwindigkeiten hervorgeru­ fen werden, die in den Bereich von 2-600 cm/s fallen. Der schmale Spalt erleichtert das Erreichen von solchen hohen Geschwindigkeiten. In der Ausführungsform von Fig. 1, bei der ein Spaltabstandselement mit einer einzi­ gen, in der Mitte angebrachten Strömungsmittelöffnung verwendet wird, ergibt eine Strömungsmenge von 0,056- 0,14 m3/h (2-5 SCFH) Geschwindigkeiten zwischen 20 und 600 cm/s. Die Geschwindigkeit beträgt etwa 20 cm/s nahe der Außenseite des zu entfernenden Photoresists. Das Ozon strömt an der Außenseite nicht nur langsamer, sondern es ist auch mehr verunreinigt als in der Mitte und wenn an­ dere Ausführungsformen verwendet werden. In der Ausfüh­ rungsform von Fig. 3 wird mehr nicht verunreinigtes Ozon nahe der Außenseite zugeführt, so daß die Strö­ mungsgeschwindigkeit hier niedriger sein kann. In der bevorzugten Ausführungsform wird Ozon mit einer Konzentration von 4 % in Sauerstoff verwendet.The plate 20 is spaced 2 mm or less from the photoresist, with the preferred level for many resist materials being approximately 0.5 mm. The plate is attached with the aid of suitable fastening means, for example suitable spacers, at the correct distance from the photoresist, and preferably the plate and the holder have the shape of the circular disks, so that they have the shape of the semiconductor plate from which the photoresist is to be removed , are congruent. According to the invention, the ozone is supplied to the narrow gap between the photoresist and the plate with a flow rate which is so large that flow speeds are produced in the gap which fall in the range of 2-600 cm / s. The narrow gap makes it easier to reach such high speeds. In the embodiment of FIG. 1, in which a gap spacer with a single, centrally located fluid opening is used, a flow rate of 0.056-0.14 m 3 / h (2-5 SCFH) gives velocities between 20 and 600 cm / s. The speed is about 20 cm / s near the outside of the photoresist to be removed. The ozone not only flows more slowly on the outside, but it is also more contaminated than in the middle and when other embodiments are used. In the embodiment of FIG. 3, more uncontaminated ozone is supplied near the outside, so that the flow rate may be lower here. In the preferred embodiment, ozone is used at a concentration of 4% in oxygen.

Das Oxidationsmittel wird aus dem Bereich über dem Photoresist mit Hilfe von Abzugsleitungen 32 und 34 abgeführt, die zu einer Neutralisiervorrichtung führen oder zur Atmosphäre hin, beispielsweise über einen Kamin, offen sind. The oxidizing agent is removed from the area above the photoresist with the aid of extraction lines 32 and 34 , which lead to a neutralizing device or are open to the atmosphere, for example via a chimney.

Die Halterung 2 ist hohl und aus einem guten Wärmeleiter, beispielsweise aus Aluminium hergestellt. Ein elektri­ sches Widerstandsheizelement 24 ist innerhalb der Halte­ rung angebracht und so angeordnet, daß es das Halblei­ terplättchen vorheizt, ehe es dem Ozon ausgesetzt wird. Gemäß der Erfindung wird das Substrat auf eine Tempera­ tur über 300°C, vorzugsweise beträchtlich über 300°C erhitzt, damit das schnelle Entfernen des Photoresists erzielt wird.The holder 2 is hollow and made of a good heat conductor, for example made of aluminum. An electrical resistive heating element 24 is mounted within the holder and arranged so that it pre-heats the semiconductor plate before it is exposed to the ozone. According to the invention, the substrate is heated to a temperature above 300 ° C, preferably considerably above 300 ° C, so that the rapid removal of the photoresist is achieved.

Die schnelle Strömung durch den schmalen Spalt stellt sicher, daß der Photoresist ständig frischem Ozon aus­ gesetzt wird, so daß Effekte wie die Ozonrekombination auf ein Minimum herabgesetzt werden.The fast flow through the narrow gap poses sure that the photoresist is constantly out of fresh ozone is set so that effects such as ozone recombination be reduced to a minimum.

In der bevorzugten Ausführungsform wird als Oxidations­ mittel zwar Ozon verwendet, jedoch können auch andere bekannte Oxidationsmittel eingesetzt werden. Es wird angenommen, daß bei aktiveren Oxidationsmitteln Tempe­ raturen unterhalb von 300°C vorteilhafte Ergebnisse bringen, und es ist möglich, daß auf das Erhitzen ver­ zichtet werden kann. Auch bei Ozonkonzentrationen über 4 % ist eine geringere Erhitzung erforderlich.In the preferred embodiment it is used as an oxidation medium uses ozone, but others can known oxidizing agents are used. It will assumed that Tempe temperatures below 300 ° C advantageous results bring, and it is possible that ver can be waived. Even with ozone concentrations above 4% less heating is required.

Es sei bemerkt, daß eine übergroße Strömungsgeschwindig­ keit im engen Spalt zu einem Abkühlen des Photoresists führt, das das Entfernen verhindert; die Obergrenze der Strömungsgeschwindigkeit hängt vom verwendeten Photore­ sist-Material und auch von anderen Prozeßvariablen ab.It should be noted that an oversized flow rate in the narrow gap to cool the photoresist that prevents removal; the upper limit of Flow rate depends on the photore used sist material and also from other process variables.

In Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsform der Erfin­ dung dargestellt, bei der gleiche Bezugszeichen die gleichen Teile wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 kennzeichnen. Die Ausführungsform von Fig. 2 stimmt mit der von Fig. 1 überein mit der Ausnahme, daß der Photoresist während der Behandlung mit Ozon und Wärme mit ultraviolettem Licht bestrahlt wird, das merkliche Spektralkomponenten unterhalb von 300 nm hat. Die Be­ strahlung mit ultraviolettem Licht kann eine Verbesse­ rung der zum Entfernen des Photoresists benötigten Zeit­ dauer mit sich bringen, insbesondere dann, wenn größere Spaltbreiten in der Nähe von 2 mm angewendet werden.In Fig. 2, another embodiment of the inven tion is shown, in which the same reference numerals designate the same parts as in the embodiment of Fig. 1. The embodiment of FIG. 2 is the same as that of FIG. 1 except that the photoresist is irradiated with ultraviolet light having significant spectral components below 300 nm during treatment with ozone and heat. Irradiation with ultraviolet light can bring about an improvement in the time required to remove the photoresist, in particular when larger gap widths in the vicinity of 2 mm are used.

In Fig. 2 wird die ultraviolette Strahlung von einer Quelle 30 geliefert, deren Bestrahlungsstärke wenigstens 800 mW/cm2 betragen sollte. Die Anwendung der dünnen Ozon­ schicht gemäß der Erfindung setzt die Absorption des ultravioletten Lichts auf ein Minimum herab und ermög­ licht die Verwendung einer fokussierten, elektrodenlosen Quelle mit hoher Leistung, die von dem Photoresist aus mechanischen Gründen getrennt sein muß, wobei der Photo­ resist in der Brennebene der Quelle angeordnet sein kann, damit die gewünschte Bestrahlungsstärke erzielt wird. Ty­ pischerweise wird eine mit Mikrowellenenergie gespeiste elektrodenlose Lichtquelle zur Erzielung der benötigten Bestrahlungsstärke benutzt.In FIG. 2, the ultraviolet radiation is supplied from a source 30, the irradiation intensity should be at least 800 mW / cm 2. The application of the thin ozone layer according to the invention minimizes the absorption of the ultraviolet light and enables the use of a focused, electrodeless source with high power, which must be separated from the photoresist for mechanical reasons, with the photo resist in the Focal plane of the source can be arranged so that the desired irradiance is achieved. Typically, an electrodeless light source fed with microwave energy is used to achieve the required irradiance.

Eine Lichtquelle, die sich als besonders gut geeignet erwiesen hat, ist der Strahler des Typs M 150 PC der Firma Fusion Systems Corporation. In dieser Quelle werden ein sphärischer Kolben und ein segmentierter Reflektor angewendet, wie in der USA-Patentanmeldung SN 7 07 159 vom 1. März 1985 beschrieben ist. Ferner hat sich ge­ zeigt, daß für den Zweck der vorliegenden Erfindung ein Rückhaltering aus reflektierendem Material, der unter­ halb des Gitters 30 angebracht ist und um 5° gegen die Vertikale zur Außenseite hin geneigt ist, die Gleich­ mäßigkeit noch weiter verbessern kann.A light source that has proven to be particularly suitable is the M 150 PC spotlight from Fusion Systems Corporation. In this source, a spherical bulb and a segmented reflector are used, as described in U.S. Patent Application SN 7 07 159 dated March 1, 1985. Furthermore, it has been shown that, for the purpose of the present invention, a retaining ring made of reflective material, which is attached below half of the grating 30 and is inclined at 5 ° to the vertical towards the outside, the uniformity can further improve.

Ein bevorzugtes Spektrum für die Infrarotquelle ist in Fig. 11 dargestellt; es ist zu erkennen, daß merkliche Spektralkomponenten unterhalb von 300 nm vorhanden sind. Es können zwar auch andere spezifische Spektren mit tie­ fen UV-Wellenlängen unterhalb von 300 nm vorteilhaft ar­ beiten, doch hat sich gezeigt, daß das dargestellte Spek­ trum besonders gut arbeitet. A preferred spectrum for the infrared source is shown in Fig. 11; it can be seen that there are noticeable spectral components below 300 nm. Although other specific spectra with deep UV wavelengths below 300 nm can advantageously work, it has been shown that the spectrum shown works particularly well.

Wenn bei den Ausführungsformen von Fig. 1 und Fig. 2 der Vorgang des Entfernens des Photoresists durchge­ führt worden ist, ist es erwünscht, die Halterung schnell abzukühlen, damit das Halbleiterplättchen so kurz wie möglich auf der hohen Temperatur gehalten wird, damit eine Beschädigung des Plättchens vermieden und die an­ schließenden Transportvorgänge des Plättchens erleich­ tert werden. Eine Möglichkeit zur Erzielung der Kühlung besteht darin, ein Kühlmittel, beispielsweise entioni­ siertes Wasser, durch einen (nicht dargestellten) Kanal in der Halterung zu leiten. Dabei würde es sich um einen kontinuierlichen Kanal handeln, wobei in Fig. 1 das Kühlmittel über eine Leitung 14 zugeführt und eine Lei­ tung 16 abgeführt wird. Das Kühlen erfolgt durch einen Wärmeleitvorgang, und es wird schnell erreicht, da die Halterung aus einem guten Wärmeleiter hergestellt ist.Is when the operation of removing the photoresist Runaway in the embodiments of FIGS. 1 and Fig. 2 leads, it is desirable to quickly cool the holder, so that the semiconductor wafer is kept as short as possible at the high temperature, so that damage to the Platelets avoided and the subsequent transport operations of the platelet be tert tert. One way to achieve cooling is to pass a coolant, such as deionized water, through a channel (not shown) in the bracket. This would be a continuous channel, with the coolant being supplied via a line 14 in FIG. 1 and a line 16 being discharged. The cooling is done by a heat conduction process, and it is achieved quickly because the bracket is made of a good heat conductor.

Bei der Ausführung der Erfindung wird das Plättchen auf eine Temperatur über 300°C erhitzt, möglicherweise bis auf eine Temperatur von 350°C. Bei Ausführungsformen, bei denen eine Bestrahlung mit ultraviolettem Licht an­ gewendet wird, kann eine Erhöhung der Bestrahlungsstärke der Quelle auf 800 mW/cm2 und beträchtlich höher bis zu 2 W/cm2 oder mehr die zum Entfernen des Photoresists be­ nötigte Zeit herabsetzen, was höhere Substrattemperatu­ ren ohne daraus resultierende Schäden ermöglicht. Eine Obergrenze für die Substrattemperatur wird durch die chemischen Eigenschaften des Ozons gesetzt, das bei ho­ hen Temperaturen rekombiniert.In practicing the invention, the die is heated to a temperature above 300 ° C, possibly up to a temperature of 350 ° C. In embodiments where ultraviolet light irradiation is used, increasing the illuminance of the source to 800 mW / cm 2 and significantly higher up to 2 W / cm 2 or more may decrease the time required to remove the photoresist, which higher substrate temperatures without resulting damage. An upper limit for the substrate temperature is set by the chemical properties of the ozone, which recombines at high temperatures.

Die nachfolgenden Beispiele zeigen, wie die Erfindung in besonderen Fällen verwirklicht worden ist, bei denen die Vorrichtung nach Fig. 1 angewendet worden ist:The following examples show how the invention has been implemented in special cases in which the device according to FIG. 1 has been used:

Beispiel 1example 1

Es wurde ein Photoresist der Serie 1400 der Firma Shipley mit einer Dicke von 1,5 µm entfernt, der einer Ionenim­ plantation unterzogen und unter ultraviolettem Licht gehärtet worden war.It became a Shipley 1400 series photoresist with a thickness of 1.5 microns removed that an ion im  subjected to plantation and under ultraviolet light had been hardened.

Das Halbleiterplättchen wurde auf eine Temperatur von 330°C erhitzt; es erreichte während des Entfernungs­ vorgangs einen oberen Temperaturwert von 331°C. Einem engen Spalt von 0,5 mm über dem Photoresist wurde mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 0,11 m3/h (4 SCFH) eine Gasmischung zugeführt, die 4% Ozon in Sauerstoff enthielt.The semiconductor die was heated to a temperature of 330 ° C; it reached an upper temperature of 331 ° C during the removal process. A gas mixture containing 4% ozone in oxygen was fed into a narrow gap of 0.5 mm above the photoresist at a flow rate of 0.11 m 3 / h (4 SCFH).

Der Photoresist wurde auf einer Fläche mit einem Durch­ messer von 10 cm in 3 Minuten bis zu 98% entfernt.The photoresist was applied to a single pass area knife from 10 cm removed in 3 minutes up to 98%.

Beispiel 2Example 2

Es wurde ein Photoresist der Serie 1400 der Firma Shipley mit einer Dicke von 1,5 µm, der einer starken Ionenimplantation unterzogen worden war, entfernt.It became a 1400 series photoresist from the company Shipley with a thickness of 1.5 µm, that of a strong one Ion implantation had been removed.

Das Halbleiterplättchen wurde auf eine Temperatur von 320°C erhitzt. Eine 3%-4% Ozon in Sauerstoff ent­ haltende Gasmischung wurde einem schmalen Spalt von 2 mm oder weniger über dem Photoresist einer Strömungs­ menge von 0,09-0,11 m3/h (3-4 SCFH) zugeführt, und der Photoresist wurde einer UV-Strahlung (200-420 nm) bei einer Bestrahlungsstärke von etwa 1450 mW/cm2 aus­ gesetzt.The semiconductor die was heated to a temperature of 320 ° C. A gas mixture containing 3% -4% ozone in oxygen was supplied to a narrow gap of 2 mm or less above the photoresist at a flow rate of 0.09-0.11 m 3 / h (3-4 SCFH), and the photoresist was exposed to UV radiation (200-420 nm) at an irradiance of approximately 1450 mW / cm 2 .

Der Resist war nach 2,5 Minuten vollständig entfernt.The resist was completely removed after 2.5 minutes.

Beispiel 3Example 3

Ein PMMA-Photoresist mit einer Dicke von 1 µm wurde gehärtet.A PMMA photoresist with a thickness of 1 µm was made hardened.

Das Halbleiterplättchen wurde auf 320°C erhitzt. Eine 3%-4% Ozon in Sauerstoff enthaltende Gasmischung wurde einem engen Spalt von 2 mm oder weniger über dem Photoresist mit einer Strömungsmenge von 0,09-0,11 m3/h (3-4 SCFH) zugeführt, und der Photoresist wurde einer UV-Strahlung mit einer Bestrahlungsstärke von 1450 mW/cm2 ausgesetzt.The semiconductor die was heated to 320 ° C. A gas mixture containing 3% -4% ozone in oxygen was supplied to a narrow gap of 2 mm or less above the photoresist at a flow rate of 0.09-0.11 m 3 / h (3-4 SCFH), and the photoresist was applied exposed to UV radiation with an irradiance of 1450 mW / cm 2 .

Der Resist war nach 30-45 s vollständig entfernt.The resist was completely removed after 30-45 s.

Es sei bemerkt, daß bei der Ausführung in einer tatsäch­ lich existierenden Fertigungsstraße die Anwendung der Erfindung automatisiert werden kann. Halbleiterplättchen, von denen ein Photoresist entfernt werden soll, würden dabei automatisch zu der Halterung transportiert, wo sie dann auf eine vorbestimmte Temperatur erhitzt und an­ schließend dem Oxidationsmittel ausgesetzt würden.It should be noted that when executed in an actual Lich existing production line the application of Invention can be automated. Semiconductor wafers, from which a photoresist is to be removed automatically transported to the bracket where it then heated to a predetermined temperature and on finally exposed to the oxidizing agent would.

In der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform ist zwar eine Quarzplatte 20 mit einer einzigen, in der Mitte an­ geordneten Strömungsmittelzufuhröffnung dargestellt, doch sind auch andere Anordnungen möglich und können sogar wünschenswert sein. In diesem Zusammenhang ist es erwünscht, eine Schicht aus einem Oxidationsmittel mit gleichmäßiger Dicke und gleichmäßiger Strömungsmenge zu erzeugen, die nicht durch Bestandteile verunreinigt ist, die aus den vorkommenden chemischen Reaktionen resultieren, beispiels­ weise mit Kohlenstoffdioxid und Wasserdampf.In the embodiment shown in FIG. 1, although a quartz plate 20 is shown with a single, centrally arranged fluid supply opening, other arrangements are also possible and may even be desirable. In this connection, it is desirable to produce a layer of an oxidizing agent with a uniform thickness and a uniform flow rate, which is not contaminated by constituents which result from the chemical reactions occurring, for example with carbon dioxide and water vapor.

In der Ausführungsform von Fig. 2 hat die Ozonschicht die Neigung, beim Strömen von der Mitte zum Rand der Quarzplatte sich aufzulösen, während die Strömungsge­ schwindigkeit kleiner wird und das Ozon mit Kohlenstoff­ dioxid und Wasserdampf verunreinigt wird.In the embodiment of Fig. 2, the ozone layer has a tendency to dissolve when flowing from the center to the edge of the quartz plate, while the flow rate becomes lower and the ozone is contaminated with carbon dioxide and water vapor.

In Fig. 3 ist eine Ausführungsform dargestellt, bei der die Quarzplatte 40 mehrere Öffnungen 42, 44, 46 und 48 hat. Diese Anordnung führt dazu, daß eine Ozonschicht mit gleichmäßigerer Dicke bei einer gleichmäßigeren Strömungsgeschwindigkeit mit einer geringeren gesam­ ten und örtlichen Verunreinigung des Strömungsmittels erhalten wird. Es kann jedoch dabei zum Auftreten von Nullbereichen zwischen den Öffnungen beispielsweise an den in Fig. 3 mit 50 angegebenen Zonen kommen.In Fig. 3 shows an embodiment in which the quartz plate 40 a plurality of openings 42, 44, 46 and 48 has. This arrangement results in an ozone layer having a more uniform thickness being obtained at a more uniform flow rate with a lower overall and local contamination of the fluid. However, zero areas can occur between the openings, for example at the zones indicated by 50 in FIG. 3.

Diese Nullbereiche können durch Drehen des Photoresists in einem beträchtlichen Ausmaß kompensiert werden. In Fig. 4 ist eine Ausführungsform dargestellt, bei der die Halterung 56 durch den Motor 58 gedreht wird. Bei einer solchen Auführung sind zur Ermöglichung der Strö­ mungsmittelübertragung während des Drehens Gleitverbin­ dungen vorgesehen, während zur Ermöglichung der Übertra­ gung elektrischer Ströme Gleitringe verwendet werden.These zero ranges can be compensated for to a considerable extent by rotating the photoresist. In FIG. 4, an embodiment is shown in which the holder is rotated by the motor 58 56. In such an arrangement, sliding connections are provided to enable the flow of fluid to be transferred while rotating, while slip rings are used to enable the transmission of electrical currents.

In Fig. 5 ist eine Ausführungsform mit Randspeisung dargestellt, bei der die Quarzplatte 60 rechteckig ist und das Oxidationsmittel innerhalb einer Umlenkvorrich­ tung 70 durch eine Leitung 68 zugeführt wird, die sich längs des Randes der Platte 60 erstreckt. Die Leitung 68 ist in der Zeichenebene verlängert, und sie weist eine Öffnung auf, die sich an ihr entlang erstreckt. Das Oxidationsmittel wird dieser Leitung zugeführt, und es wird durch die darin angebrachte Öffnung in den Spalt zwischen der Quarzplatte 60 und dem Photore­ sist auf dem Halbleiterplättchen 62 eingespeist.In Fig. 5, an embodiment with edge feeding is shown, in which the quartz plate 60 is rectangular and the oxidizing agent is supplied within a Umlenkvorrich device 70 through a line 68 which extends along the edge of the plate 60 . The line 68 is elongated in the plane of the drawing and has an opening which extends along it. The oxidizing agent is fed to this line, and it is fed through the opening made therein into the gap between the quartz plate 60 and the photoresist on the semiconductor wafer 62 .

Die Dichte und die Strömungsgeschwindigkeit des Oxida­ tionsmittels sind in der Ausführung von Fig. 5 mit Randspeisung sehr gleichmäßig, jedoch zeigt das Oxida­ tionsmittel die Neigung, wegen der relativ großen Strek­ ke, die es zurücklegt, verunreinigt zu werden.The density and flow rate of the oxidizing agent are very uniform in the embodiment of FIG. 5 with edge feed, but the oxidizing agent shows a tendency to be contaminated because of the relatively large distances it travels.

Dies kann durch Drehen des Photoresists kompensiert werden; Fig. 6 zeigt einen Motor 72 zum Drehen der Halterung 64′. This can be compensated for by rotating the photoresist; Fig. 6 shows a motor 72 for rotating the bracket 64 '.

In den Fig. 7 und 8 ist eine Ausführungsform darge­ stellt, bei der zum Einleiten des Oxidationsmittels parallele Quarzleitungen angewendet werden. An die Quarzplatte 74 sind Leitungen 80 und 82 einstückig an­ geformt, wobei der Strömungsmittelfluß durch die Pfeile in Fig. 7 angegeben ist.In Figs. 7 and Darge 8 is an embodiment provides be applied in parallel for introducing the oxidant quartz lines. Lines 80 and 82 are integrally formed on the quartz plate 74 , the fluid flow being indicated by the arrows in FIG. 7.

In Fig. 9 ist eine weitere Ausführungsform dargestellt, bei der abwechselnd Quarzleitungen, die einstückig mit der Quarzplatte ausgebildet sind, der Strömungsmittel­ zufuhr und dem Absaugen von Strömungsmittel von dem Be­ reich zwischen der Platte und dem Photoresist dienen. Das Absaugen des Strömungsmittels, nachdem es eine kur­ ze Strecke zurückgelegt hat, führt zu einem relativ niedrigen Verunreinigungswert.In Fig. 9, another embodiment is shown, in which alternately quartz lines, which are integrally formed with the quartz plate, the fluid supply and the suction of fluid from the loading area between the plate and the photoresist serve. Sucking off the fluid after it has traveled a short distance results in a relatively low contamination level.

Zur Vermeidung möglicher Nullbereiche sowie einer Ab­ schattung durch die Quarzleitungen kann es erwünscht sein, den Photoresist in den Ausführungsformen der Fig. 7, 8 und 9 zu drehen.To avoid possible zero areas and shading from the quartz lines, it may be desirable to rotate the photoresist in the embodiments of FIGS. 7, 8 and 9.

Anstelle einer Drehung der Halterung in den oben be­ schriebenen Ausführungsformen kann ein vergleichbares Ergebnis erzielt werden, wenn die Halterung in Schwing­ bewegungen versetzt wird.Instead of rotating the bracket in the above be described embodiments may be comparable Result can be achieved when the bracket is vibrating is moved.

In Fig. 10 ist eine weitere Ausführungsform dargestellt, bei der das das Strömungsmittel eingrenzende Teil 102 konisch ausgebildet ist, damit die Einlaßgeschwindigkeit vergrößert und die Geschwindigkeit zur Außenseite hin erhöht wird, wo dies erforderlich ist, damit einer Ver­ dünnung und Verunreinigung des Strömungsmittels entge­ gengewirkt wird.In Fig. 10 another embodiment is shown in which the fluid restricting member 102 is tapered so that the inlet speed is increased and the speed is increased to the outside where necessary, so that a thinning and contamination of the fluid counteracted Ver becomes.

Somit sind eine Vorrichtung und ein Verfahren beschrie­ ben worden, mit deren Hilfe ein Photoresist schnell ent­ fernt werden kann. An apparatus and a method are thus described have been used to quickly remove a photoresist can be removed.  

Die Erfindung ist zwar im Zusammenhang mit der Verwen­ dung einer ozonhaltigen Gasatmosphäre beschrieben wor­ den, doch ist zu erkennen, daß es auch möglich ist, zusätzlich zu Ozon Oxidationsmittel zu verwenden; un­ ter dem Ausdruck "Oxidationsmittel" sollen daher in den Ansprüchen Substanzen einschließlich Ozon, Sauer­ stoff, Chlor, Fluor, Jod und Wasserstoffperoxid ver­ standen werden.The invention is in connection with the use tion of an ozone-containing gas atmosphere was described but it can be seen that it is also possible to use oxidizing agents in addition to ozone; un ter the term "oxidizing agent" should therefore in the claims substances including ozone, acid ver, chlorine, fluorine, iodine and hydrogen peroxide ver will stand.

Wie erwähnt, ist unter dem Ausdruck "Ultraviolettstrah­ lung" und "ultraviolett" eine Strahlung bei 200-420 nm zu verstehen.As mentioned, under the expression "ultraviolet ray lung "and" ultraviolet "radiation at 200-420 nm to understand.

Die Erfindung ist zwar im Zusammenhang mit dem Entfer­ nen von Photoresist-Materialien beschrieben worden, doch kann sie allgemein beim Entfernen organischer Substanzen Anwendung finden.The invention is in connection with the removal photoresist materials have been described, however, it can generally remove organic Use substances.

Claims (15)

1. Vorrichtung zum schnellen Entfernen einer Schicht aus Photoresist-Material von einem Substrat aus einem anderen Material, auf dem die Photoresistschicht ange­ bracht ist, gekennzeichnet durch Mittel zum Erzeugen eines an die Photoresistschicht angrenzenden engen Spalts von 2 mm oder weniger, der durch eine Fläche begrenzt ist, die sich im Abstand von der Photoresist­ schicht befindet, und Mittel zum Zuführen eines Oxida­ tionsmittels zu dem engen Spalt, wodurch in dem engen Spalt an der Photoresistschicht vorbei eine Strömung des Oxidationsmittels erzeugt wird.1. A device for rapidly removing a layer of photoresist material from a substrate made of another material on which the photoresist layer is attached, characterized by means for producing a narrow gap of 2 mm or less adjacent to the photoresist layer, through a surface is limited, which is spaced from the photoresist layer, and means for supplying an oxidizing agent to the narrow gap, whereby a flow of the oxidizing agent is generated in the narrow gap past the photoresist layer. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der Photoresist nur für die zum Entfernen er­ forderliche kurze Zeit auf eine Temperatur über 300°C erhitzt wird.2. Device according to claim 1, characterized net that the photoresist is only for removing it required short time to a temperature above 300 ° C is heated. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Oxidationsmittel in dem engen Spalt Strö­ mungsgeschwindigkeiten erreicht, die in dem Bereich zwischen 2 und 600 cm/s liegen. 3. Device according to claim 2, characterized net that the oxidizing agent in the narrow gap Strö speeds reached in the range are between 2 and 600 cm / s.   4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß die Strömungsgeschwindigkeiten im Bereich zwi­ schen 20 und 500 cm/s liegen.4. The device according to claim 3, characterized net that the flow velocities in the range between between 20 and 500 cm / s. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß das Oxidationsmittel ein ozonhaltiges gasför­ miges Mittel ist.5. The device according to claim 4, characterized net that the oxidizing agent is an ozone-containing gas is moderate. 6. Vorrichtung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch Mittel zum Bestrahlen der Photoresistschicht mit ultra­ violettem Licht mit einer Bestrahlungsstärke von wenig­ stens 800 mW/cm2, während das Substrat erhitzt wird und das Oxidationsmittel über die Photoresistschicht bewegt wird.6. The device according to claim 5, characterized by means for irradiating the photoresist layer with ultra violet light with an irradiance of at least 800 mW / cm 2 , while the substrate is heated and the oxidizing agent is moved over the photoresist layer. 7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der enge Spalt kleiner als 0,6 mm ist.7. The device according to claim 1, characterized in net that the narrow gap is less than 0.6 mm. 8. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Mittel zum Erzeugen eines engen Spalts aus einer Platte bestehen, die angrenzend an die Photore­ sistschicht angebracht ist und eine einzige Mittelöff­ nung zum Zuführen des Oxidationsmittels aufweist.8. The device according to claim 2, characterized in net that the means of creating a narrow gap consist of a plate that is adjacent to the photore layer is attached and a single central opening Has to supply the oxidizing agent. 9. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Mittel zum Erzeugen eines engen Spalts von einer Platte gebildet sind, die mehrere Öffnungen auf­ weist.9. The device according to claim 2, characterized in net that the means for creating a narrow gap of a plate are formed, which have multiple openings points. 10. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Mittel zum Erzeugen eines engen Spalts ei­ ne ebene Fläche mit einem geraden Rand enthalten und daß das Oxidationsmittel dem Bereich zwischen der ebe­ nen Fläche und der Photoresistschicht längs des Randes zugeführt wird.10. The device according to claim 2, characterized in net that the means for creating a narrow gap ei contain a flat surface with a straight edge and that the oxidizing agent the area between the ebe NEN surface and the photoresist layer along the edge is fed. 11. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß eine ebene Fläche ein Teil der Mittel zum Er­ zeugen eines engen Spalts ist und daß die ebene Fläche mehrere parallele Leitungen aufweist.11. The device according to claim 2, characterized in net that a flat surface is a part of the means to the Er  testify to a narrow gap and that the flat surface has several parallel lines. 12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich­ net, daß jede der Leitungen mit einer in ihrer Längs­ richtung verlaufenden Öffnung versehen ist und daß je­ weils abwechselnd Leitungen mit Mitteln zum Zuführen des Oxidationsmittels zu dem Raum zwischen der ebenen Fläche und der Photoresistschicht und mit Mitteln zum Absaugen des Oxidationsmittels aus diesem Raum versehen sind, wobei die Mittel zum Absaugen des Oxidationsmit­ tels jeweils zwischen den Leitungen zum Zuführen des Oxidationsmittels angeordnet sind.12. The apparatus according to claim 11, characterized in net that each of the lines with one in their longitudinal direction is provided opening and that each because alternating lines with means for feeding of the oxidant to the space between the planes Surface and the photoresist layer and with means for Extract the oxidant from this room are, the means for sucking off the oxidation with each between the lines for feeding the Oxidizing agent are arranged. 13. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Photoresistschicht gedreht wird.13. The apparatus according to claim 2, characterized in net that the photoresist layer is rotated. 14. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß die Mittel zum Erzeugen eines engen Spalts ein konisch ausgebildetes Teil enthalten, das nahe der Mitte einen breiteren Spalt und nahe der Außenseite ei­ nen engeren Spalt bildet.14. The apparatus according to claim 3, characterized net that the means to create a narrow gap contain a conical part that is close to the In the middle a wider gap and near the outside egg forms a narrower gap. 15. Vorrichtung zum schnellen Entfernen einer Schicht aus Photoresist-Material von einem Substrat aus einem anderen Material, auf dem die Photoresistschicht ange­ bracht ist, gekennzeichnet durch Mittel zum Erhitzen des Substrats auf eine Temperatur über 300°C, Mittel zum Aussetzen der Photoresistschicht einem Oxidations­ mittel während ihrer Bestrahlung mit Ultraviolettlicht mit einer Bestrahlungsstärke von wenigstens etwa 800 mW/cm2 und Mittel zum Aufrechterhalten einer Tem­ peratur des Substrats von mehr als 300°C nur für die relativ kurze Zeit, die für die Kombination der rela­ tiv hohen Temperatur und der relativ hohen Bestrahlungs­ intensität mit Ultraviolettlicht erforderlich ist, damit das Entfernen des Photoresists erhalten wird, wobei eine Beschädigung des Substrats aufgrund einer übermäßigen Erhitzung vermieden wird.15. A device for rapidly removing a layer of photoresist material from a substrate made of another material on which the photoresist layer is attached, characterized by means for heating the substrate to a temperature above 300 ° C, means for exposing the photoresist layer to oxidation medium during their exposure to ultraviolet light with an irradiance of at least about 800 mW / cm 2 and means for maintaining a temperature of the substrate of more than 300 ° C. only for the relatively short time required for the combination of the relatively high temperature and the relatively high irradiation intensity with ultraviolet light is required to obtain removal of the photoresist while avoiding damage to the substrate due to excessive heating.
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