DE3322481A1 - Duennschicht-gassensor zum nachweis und zur messung von gasfoermigen kohlenwasserstoff-verunreinigungen mit doppel- und dreifachbindungen, insbesondere von acetylen, in luft sowie ein verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Duennschicht-gassensor zum nachweis und zur messung von gasfoermigen kohlenwasserstoff-verunreinigungen mit doppel- und dreifachbindungen, insbesondere von acetylen, in luft sowie ein verfahren zu seiner herstellung

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DE3322481A1 DE19833322481 DE3322481A DE3322481A1 DE 3322481 A1 DE3322481 A1 DE 3322481A1 DE 19833322481 DE19833322481 DE 19833322481 DE 3322481 A DE3322481 A DE 3322481A DE 3322481 A1 DE3322481 A1 DE 3322481A1
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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA 53 ρ \ 4 2 O DE
Dünnschicht-Gassensor zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen mit Doppel- und Dreifachbindungen, insbesondere von Acetylen, in Luft sowie ein Verfahren zu seiner Her-
stellunq
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft einen Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen-Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen mit Doppel- und mit Dreifachbindungen, insbesondere von Acetylen, in Luft auf der Basis von halbleitendem Wolframoxid auf Substraten aus Isolatormaterialien, bei dem der elektrische Widerstand der Wolframoxidschicht in Abhängigkeit von der Art und Konzentration des zu detektierenden Gases gemessen wird, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Aufgrund des Funktionsprinzips von Gassensoren auf der Basis Halbleitermetalloxide ist eine echte Selektivität für ein bestimmtes Gas schwierig. Dazu muß auf andere Meßverfahren, z.B. die Gaschromatographie oder die IR-Absorption, zurückgegriffen werden. Diese Meßmethoden bedingen in jedem Fall einen weitaus größeren Kosten- und Zeitaufwand. Soll jedoch ein Gassensor nur in Warn- und Meßgeräten geringerer Genauigkeit zur Überwachung des Auftretens unerwünschter oder gefährlicher Gase eingesetzt werden, so haben die Metalloxid-Gassensoren eindeutig Vorteile, weil sie an vielen Meßstellen ohne großen Aufwand angebracht und gleichzeitig überwacht werden können.
Edt 1 Sti/8.6.1983
VPA 83 P H 2 O DE
Je nach Präparation, Materialauswahl und der verschiedenen Zusätze, sowie ihrer Betriebstemperatur erzielt man mit Metalloxid-Gassensoren verschiedene Empfindlichkeiten für verschiedene Gase.
5
Ein Gassensor der eingangs genannten Art ist beispielsweise aus der europäischen Patentanmeldung 0 046 989 zu entnehmen und ist zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft einsetzbar. Mit diesem Gassensor auf der Basis von halbleitendem Wolframoxid auf Substraten aus Quarzglas, oxidiertem Silizium oder Keramik werden ganz allgemein kohlenwasserstoffhaltige Gase wie Methan, Propan, Butan, Äthylen, Acetylen und auch Wasserstoff detektiert. Eine besondere Empfindlichkeit für spezielle Kohlenwasserstoffverbindungen konnte nicht festgestellt werden.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Dünnschicht-Gassensor der eingangs genannten Art anzugeben, der speziell für aus gasförmigen Kohlenwasserstoffverbindungen mit Doppel- und Dreifachbindung bestehenden Verunreinigungen, wie insbesondere Acetylen, in Luft anwendbar ist.
Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch einen Dünnschicht-Gassensor auf der Basis von Wolframoxid-Halbleitern gelöst, der erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß das Substrat aus einem Lithiumniobateinkristall (LiNbO,) besteht und die Wolfraraoxid-Dünnschicht auf dem Substrat durch reaktives HF-Sputtern erzeugt ist.
Es liegt im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß das Substrat aus einem in (001)-Richtung orientierten
"*" VPA 83 P 1.42 ODE
Lithiumniobatemknstall besteht.
Die Wolframoxiddünnschicht, deren Dicke im Bereich von 100 bis 1000 nra liegt, wird auf dem einkristallinen Lithxumniobatsubstrat durch reaktives HF-Sputtern von einem metallischen Wolfram-Target in einer Inertgasatmosphäre mit einem Sauerstoffanteil von 1 bis 10 % bei einer Substrattemperatur von 4000C mit einer Sputterrate von 10 nm/min hergestellt. Durch thermische Nachbehandlung mit Sauerstoff bei 6000C während einer Zeitdauer von 100 Stunden wird eine gute Kristallinität und Haftfestigkeit der Schicht erreicht. Die Wolframoxiddünnschicht kann durch ein Edelmetall, vorzugsweise Platin, oder ein Metalloxid aktiviert werden, wobei die Aktivatorschicht keine größeren zusammenhängenden Bereiche der Oberfläche bedeckt, den Gesamtleitwert nicht beeinflußt und keine direkte Verbindung mit den Meßkontakten hat.
Durch die Erfindung wird ein Gassensor geschaffen, der sehr empfindlich und schnell auf Acetylen (CpHp) mit seiner Dreifachbindung, weniger empfindlich auf Kohlenwasserstoffe mit Doppelbindungen und praktisch gar nicht auf Methan oder seine Homologen anspricht.
Für den Anzeigeprozeß sind Adsorptions- und Katalysatorvorgänge mitbestimmend. Es ist bekannt, daß diese Oberflächenprozesse stark von der Struktur und Orientierung des Adsorbers abhängig sind. Die Struktur von Wolframoxid (WO,) läßt sich aus der Perowskitstruktur ABO, ableiten, wobei die Α-Plätze unbesetzt bleiben; die B-Kationen (hier Wolfram) sind oktaedrisch von Sauerstoffionen umgeben; die WO^-Oktaeder sind über Ecken verknüpft. Die Real struktur von WO, hat aufgrund von Verzerrungen und gegenseitigen Verkippungen dieser Oktaeder keine kubische Symmetrie mehr, die Abweichungen der Winkel und Längen von den kubischen Idealwerten
-/- VPA 83 P H 2 O DE
sind jedoch nur gering. Eine gemittelte "kubische" Gitterkonstante der triklinen bzw. raonoklinen WO,-Modifikation beträgt etwa 3,7 A0 bis 3,8 A0.
Auch die Lithiumniobat-Struktur läßt sich analog mittels eckenverknüpfter Oktaeder, hier NbO,--Oktaeder, beschreiben. Die dabei entstehende pseudokubische rhomboedrische Elementarzelle hat bei acht Formeleinheiten pro Elementarzelle eine Gitterkonstante von 7,532 A (siehe A. Räuber, Chemistry and Physics of Lithium Niobate, in E. Kaldis (Ed.), Current Topics in Materials Science, Vol. 1, North Holland, Publishing Company, 1978). In der auch bei WO, verwendeten idealisierten kubischen Beschreibung mit einer Formeleinheit pro Elementarzelle entspricht dies einer Gitterkonstante von 3,766 A . Somit ist unter geeigneten Herstellungsbedingungen ein geordnetes Aufwachsen von WO,-Schichten auf LiNbO,-Substraten zu erwarten.
Die Herstellung der WO,-Schichten und der Gassensor-An-Ordnung ist in der eingangs genannten europäischen Patentanmeldung 0 046 989 eingehend beschrieben. Man erhält eine speziell auf Acetylen ansprechende Dünnschicht, wenn die Substrattemperatur auf 4000C und die Dicke der Schicht auf 200 nm eingestellt wird.
Rontgenbeugungsuntersuchungen bestätigen, daß die Schichten hochgeordnet auf dem LiNbO, aufwachsen. Es ist nur der (001)-Reflex von WO, meßbar; (001) von LiNbO, ist aufgrund eines Auslöschungsgesetzes nicht vorhanden, der erste Einkristallreflex vom Substrat ist (002).
Die Schichten sind sehr hochohmig; bis zu Temperaturen von 4000C konnten bei einer angelegten Spannung von 1 V der Frequenz 35 Hz nur Ströme von <10 nA an Luft gemessen werden. Erst bei höheren Temperaturen steigt die Leitfähigkeit merklich an.
- ff - VPA 83 P H 2 O DE
Weitere Einzelheiten über die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Anordnung (WO, auf LiNbO, (001)) werden nachfolgend anhand der Figuren 1 und 2 erklärt. Dabei zeigt die Figur 1 die Empfindlichkeit, definiert als relative Stromänderung 4p gegen verschiedene Gase bei einer Meßtemperatur T« = 3000C. Die Meßgaskonzentration betrug 0,2 %. Die Figur 2 zeigt die Empfindlichkeit ~~f~ gegen Acetylen in Abhängigkeit von der Meßtemperatur TM· Die angelegte Spannung U ff = 1 V; die Frequenz f = 35 Hz.
Figur 1: Bringt man verschiedene gasförmige Kohlenwasserstoffe in die Sensorumgebung, so ergeben sich deutliche Unterschiede zu Proben, die mit amorphen Substratmaterial hergestellt wurden. Gesättigte Kohlenwasserstoffe (nur Einfachbindung!) werden bei 300 bis 40O0C überhaupt nicht oder nur sehr schwach angezeigt. Ganz im Gegensatz zu den bekannten WO,-Dünnschicht-Sensoren, die z.B. sehr hohe Empfindlichkeit für Butan zeigen. Kohlenwasserstoffe mit Doppel- oder Dreifachbindungen werden dagegen sehr empfindlich und schnell angezeigt. Auch gegen Alkohole und organische Lösungsmittel sind die erfindungsgemäßen Schichten nur wenig empfindlich. Wie aus Figur 1 ersichtlich ist, spricht Wasserstoff, der von allen bisher untersuchten Sensoren äußerst empfindlich nachgewiesen werden konnte (Empfindlichkeiten meist /" 10.000 für eine Wasserstoffkonzentration von 0,2 % I) nur schwach an.
Figur 2: Als technisch wichtiger Kohlenwasserstoff wurde Acetylen (Aethin, HC CH) in seinem Einfluß auf die WO,-Schichten genauer untersucht. Die F_igur zeigt den Temperaturverlauf der Empfindlichkeit ~^p- für verschiedene Meßgaskonzentrationen; die "wahren" Empfindlichkeiten liegen sicher noch höher, da in dem sehr niedri-
3322481 83 P H2 0DE
gen Grundstrom I ein Teil von Isolationsströmen und Einstreuungen enthalten ist. Bei 3000C liegen die Ansprech- und Abfallzeiten im Sekundenbereich. Ganz im Gegensatz zu den Sensoren auf amorphem Substrat wird keine Vergiftung durch eine schwefelhaltige Verbindung, wie z.B. Tetrahydrothiophen, beobachtet.
2 Figuren 7 Patentansprüche
-3-
- Leerseite -

Claims (7)

  1. - / - VPA
    ο * * ..„ 83 ^ H 2 0 GE
    Patentansprüche
    ( 1./Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und
    Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen mit Doppel- und mit Dreifachbindungen, insbesondere von Acetylen, in Luft auf der Basis von halbleitendem Wolframoxid auf Substraten aus Isolatormaterialien, bei dem der elektrische Widerstand der Wolframoxidschicht in Abhängigkeit von der Art und Konzentration des zu detektierenden Gases gemessen wird, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat aus einem Lithiumniobateinkristall (LiNbO,,) besteht und die Wolframoxid-Dünnschicht auf dem Substrat durch reaktives HF-Sputtern erzeugt ist.
  2. 2. Dünnschicht-Gassensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat aus einem in (001)-Richtung orientierten Lithiumniobatkristall besteht.
  3. 3e Dünnschicht-Gassensor nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der aufgesputterten Wolframoxidschicht im Bereich von 100 nm bis 1000 nm liegt.
  4. 4» Dünnschicht-Gassensor nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wolframoxid-Dünnschicht durch ein Edelmetall oder ein Metalloxid aktiviert ist, wobei die Aktivatorschicht keine größeren zusammenhängenden Bereiche der Oberfläche bedeckt, den Gesamtleitwert nicht beeinflußt und keine direkte Verbindung mit den Meßkontakten hat.
    - zf- VPA -83 P 14 2 Q DE
  5. 5. Dünnschicht-Gassensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Aktivatormetall aus Platin besteht.
  6. 6. Verfahren zum Herstellen eines Dünnschicht-Gassensors zum Nachweis von Acetylen in Luft nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Wolframoxidschicht auf der, vorzugsweise in (001)-Richtung orientierten Lithiumniobateinkristall-Scheibe als Substrat durch reaktives HF-Sputtern von einem metallischen Wolfram-Target in einer Inertgasatmosphare mit einem Anteil an Sauerstoff von 1 bis 10 % bei einer Substrattemperatur von 4000C mit einer Sputterrate von 10 nm/min hergestellt wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat mit der aufgesputterten Dünnschicht bei 6000C 100 Stunden in Sauerstoff getempert wird.
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