DE3319573A1

DE3319573A1 - PIN-diode switch for millimetric waves

Info

Publication number: DE3319573A1
Application number: DE19833319573
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Dr.-Ing. 7913 Senden Menzel
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Airbus Defence and Space GmbH
Priority date: 1983-05-30
Filing date: 1983-05-30
Publication date: 1984-12-06
Also published as: DE3319573C2

Abstract

A fin line (3) in a waveguide (1) has a plurality of slots. At least one diode (5) is arranged over each slot. The individual fin-line slots are matched to the waveguide (1) by means of printed crossovers (4). On one edge, the metallisation of the substrate (2) is isolated in RF-terms from the waveguide holder in order to supply the control voltage for the PIN-diodes (Fig. 1). <IMAGE>

Description

PIN-Dioden-Schalter für MillimeterwellenPIN diode switch for millimeter waves

Die Erfindung betrifft einen PIN-Dioden-Schalter nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie er z. B. aus Electronics Letters, Vol. 18 (1982), S. 541-542 bekannt ist.The invention relates to a PIN diode switch according to the preamble of claim 1 as z. From Electronics Letters, Vol. 18 (1982), pp. 541-542 is known.

Diese bekannten Schalter, bei denen bis zu drei Dioden auf einer Finleitung aufgebracht sind, können maximal Schaltleistungen von 200 bis 500 mW verarbeiten. Bei vielen Anwendungen, z. B. Modulatoren, SendelEmpfangsschaltern, Schutz des Empfängers in Radargeräten, Formung von Oszillatorpulsen etc. treten jedoch höhere Leistungen auf.These known switches, in which up to three diodes on one fin line are applied, can process a maximum switching power of 200 to 500 mW. In many applications, e.g. B. Modulators, transmitter / receiver switches, protection of the receiver In radar devices, formation of oscillator pulses, etc., however, higher powers occur on.

Im Prinzip wären zwar robuste Dioden einsetzbar, dann aber auf Kosten von Durchlaßdämpfung und Schaltzeiten.In principle, robust diodes could be used, but then at a cost of transmission attenuation and switching times.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen einfachen Schalter der eingangs genannten Art mit erhöhter Leistungskapazität anzugeben.The object of the invention is to provide a simple switch of the initially specified type with increased power capacity.

Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet. Die weiteren Ansprüche beinhalten vorteilhafte Weiterbildungen bzw. Ausbildungen der Erfindung.The invention is characterized in claim 1. The others Claims contain advantageous developments or developments of the invention.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to the figures.

Gemäß der Erfindung wird die zu schaltende mm-Wellenleistung auf mehrere parallel bzw. in Serie geschaltete PIN-Dioden bzw. Diodengruppen aufgeteilt. Dazu wird eine Finleitung 3 mit mehreren Schlitzen, vgl. FIG. 1, in einen Hohlleiter 1 gebracht. Über jedem Schlitz sind PIN-Dioden 5, vorzugsweise mehrere Dioden angebracht.According to the invention, the mm-shaft power to be switched is increased to several PIN diodes or groups of diodes connected in parallel or in series. In addition a fin line 3 with several slots, see FIG. 1, into a waveguide 1 brought. PIN diodes 5, preferably a plurality of diodes, are attached over each slot.

In einer vorteilhaften Ausführung sind die Schlitze und Dioden 5 auf beiden Seiten des Substrats 2 angebracht, FIG. 2. Um eine einfache Montage der Dioden zu gewährleisten, besteht das Substrat in diesem Fall vorteilhafterweise aus zwei einseitig bestückten und dann zusammengelegten Teilen.In an advantageous embodiment, the slots and diodes 5 are on attached to both sides of the substrate 2, FIG. 2. To make it easy to assemble the diodes To ensure, the substrate in this case advantageously consists of two Parts assembled on one side and then collapsed.

Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind zwei oder mehr entsprechend bestückte Substrate in geeignetem Abstand parallel nebeneinander im Hohlleiter angeordnet.According to a further development of the invention, two or more are corresponding Equipped substrates arranged parallel to one another in the waveguide at a suitable distance.

In einer anderen Weiterbildung der Erfindung ist zur Erzielung einer höheren Sperrdämpfung im Bereich des Substrats 2 die Hohlleiterbreite reduziert.In another development of the invention is to achieve a higher blocking attenuation in the area of the substrate 2 reduces the waveguide width.

Die einzelnen Finleitungsschlitze sind jeweils durch gedruckte Ubergänge 4 (Taper, A/4-Transformatoren) an den Hohlleiter 1 angepaßt. An der oberen oder unteren Kante ist die Metallisierung des Substrats 2 HF-mäßig von der Halterung in der Hohlleiterwand getrennt, damit von außen eine Gleichspannung auf die Dioden 5 gegeben werden kann.The individual fin line slots are each through printed transitions 4 (taper, A / 4 transformers) adapted to the waveguide 1. At the top or lower edge is the metallization of the substrate 2 in terms of HF the holder in the waveguide wall separated so that a direct voltage from the outside on the diodes 5 can be given.

Finleitungen eignen sich besonders gut zur Montage von Beam-Lead-Dioden und weisen einfache Ubergänge zum Hohlleiter auf. Damit ist der erfindungsgemäße Schalter erheblich einfacher zu dimensionieren und reflexionsarm in den Hohlleiter einzubauen, als es z. B. mit einer Diodenmatrix in einer Ebene quer zum Hohlleiter möglich ist, wie in IEEE Trans. on MTT-31 (1983), S. 238-241 vorgeschlagen. - LeerseiteFin lines are particularly suitable for assembling beam lead diodes and have simple transitions to the waveguide. This is the inventive Switches are considerably easier to dimension and have low reflections in the waveguide to be built in, as it z. B. with a diode matrix in a plane transverse to the waveguide is possible, as suggested in IEEE Trans. on MTT-31 (1983), pp. 238-241. - Blank page

Claims

Patent claims PIN diode switch for mm waves in fin line technology, with a plurality of diodes on a substrate arranged in a waveguide, characterized by the following features: - The fin line (3) has several slots; - Above at least one diode (5) is arranged in each slot; - The individual fin line slots are adapted to the waveguide (1) by means of printed transitions (4); - On an edge the metallization of the substrate (2) is HF-wise separated from the waveguide holder, to supply the control voltage for the PIN diodes.

2. Switch according to claim 1 ,. characterized in that above each Several diodes (5) are arranged in the slot.

3. Switch according to claim 1, characterized in that the slots and diodes (5) are arranged on both sides of the sub-penalty (2).

4. Switch according to claim 3, characterized in that the substrate (2) consists of two parts fitted on one side and then put together.

5. Switch according to one of the preceding claims, characterized in that that two or more substrates are arranged parallel to one another at a suitable distance are.

6. Switch according to one of the preceding claims, characterized in that that in the area of the substrate (2) the waveguide width is reduced.