DE3319573C2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Description
Die Erfindung geht aus von einem PIN-Dioden-Schalter nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie er z. B. aus Electronics Letters, Vol. 18 (1982), S. 541-542 bekannt ist.The invention is based on a PIN diode switch according to the Preamble of claim 1, as he. B. from electronics Letters, Vol. 18 (1982), pp. 541-542.
Diese bekannten Schalter, bei denen bis zu drei Dioden auf einer Finleitung aufgebracht sind, können maximal Schalt leistungen von 200 bis 500 mW verarbeiten. Bei vielen Anwendungen, z. B. Modulatoren, Sende/Empfangsschaltern, Schutz des Empfängers in Radargeräten, Formung von Oszillatorpulsen etc. treten jedoch höhere Leistungen auf. Im Prinzip wären zwar robuste Dioden einsetzbar, dann aber auf Kosten von Durchlaßdämpfung und Schaltzeiten.These known switches, in which up to three diodes on a fin line are applied, a maximum of switching process power from 200 to 500 mW. With many Applications, e.g. B. modulators, transmit / receive switches, Protection of the receiver in radar equipment, formation of However, oscillator pulses etc. have higher powers. In principle, robust diodes could be used, but then at the expense of transmission loss and switching times.
Ferner ist in "The Radio and Electronic Engineer", Vol. 52, No. 11/12, S. 506-512, Nov./Dec. 1982 ein Überblick über verschie dene Bauarten von Finleitungen gegeben sowie eine in einem Hohlleiter eingebaute Koplanarleitung gezeigt. Diese Koplanarlei tung besteht aus insgesamt drei Leiterstreifen, die wie die bereits erwähnten Finleitungen auf einem Substrat aufgebracht sind. Die beiden äußeren Leiterstreifen sind mit der metallischen Wandung des Hohlleiters verbunden.Furthermore, in "The Radio and Electronic Engineer", Vol. 52, No. 11/12, pp. 506-512, Nov./Dec. 1982 an overview of various given types of fin pipes and one in one Waveguide built coplanar line shown. This coplanarium tion consists of a total of three conductor strips, which like the Fin lines already mentioned applied to a substrate are. The two outer conductor strips are metallic Wall of the waveguide connected.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen einfachen Schalter der eingangs genannten Art mit erhöhter Leistungskapazität anzugeben. The object of the invention is a simple switch initially mentioned type with increased capacity specify.
Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet. Die weiteren Ansprüche beinhalten vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung.The invention is characterized in claim 1. The further claims contain advantageous further developments the invention.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to the figures explained.
Gemäß der Erfindung wird die zu schaltende mm-Wellen leistung auf mehrere parallel bzw. in Serie geschaltete PIN-Dioden bzw. Diodengruppen aufgeteilt. Dazu wird eine Finleitung 3 mit mehreren Schlitzen, vgl. Fig. 1, in einen Hohlleiter 1 gebracht. Über jedem Schlitz sind PIN-Dioden 5, vorzugsweise mehrere Dioden angebracht. Im Bereich des Sub strats 2 ist die Hohlleiterbreite reduziert.According to the invention, the mm-wave power to be switched is divided over several PIN diodes or diode groups connected in parallel or in series. For this purpose, a fin line 3 with several slots, cf. Fig. 1, placed in a waveguide 1 . PIN diodes 5 , preferably a plurality of diodes, are attached above each slot. In the area of the sub strate 2 , the waveguide width is reduced.
Die einzelnen Finleitungsschlitze sind jeweils durch gedruckte Übergänge 4 (Taper, λ/4-Transformatoren) an den Hohlleiter 1 angepaßt. An der oberen oder unteren Kante ist die Metallisierung des Substrats 2 HF-mäßig von der Halterung in der Hohlleiterwand getrennt, damit von außen eine Gleichspannung auf die Dioden 5 gegeben werden kann.The individual fin line slots are each adapted to the waveguide 1 by printed transitions 4 (taper, λ / 4 transformers). At the upper or lower edge, the metallization of the substrate 2 is HF-separated from the holder in the waveguide wall, so that a direct voltage can be applied to the diodes 5 from the outside.
Finleitungen eignen sich besonders gut zur Montage von Beam-Lead-Dioden und weisen einfache Übergänge zum Hohl leiter auf. Damit ist der erfindungsgemäße Schalter er heblich einfacher zu dimensionieren und reflexionsarm in den Hohlleiter einzubauen, als es z. B. mit einer Dioden matrix in einer Ebene quer zum Hohlleiter möglich ist, wie in IEEE Trans. on MTT-31 (1983), S. 238-241 vorgeschlagen.Fin pipes are particularly well suited for the assembly of Beam lead diodes and have simple transitions to the hollow head on. The switch according to the invention is thus he considerably easier to dimension and low reflection to install the waveguide when it z. B. with a diode matrix in a plane transverse to the waveguide is possible, such as in IEEE Trans. on MTT-31 (1983), pp. 238-241.
Claims (5)
- - Die Finleitung (3) weist mehrere Schlitze auf;
- - Über jedem Schlitz ist mindestens eine Diode (5) angeordnet;
- - Die einzelnen Finleitungsschlitze sind durch ge druckte Übergänge (4) an den Hohlleiter (1) angepaßt;
- - An einer Kante ist die Metallisierung des Substrats (2) HF-mäßig von der Hohlleiterhalterung getrennt, um die Steuerspannung für die PIN-Dioden zuzuführen;
- - Die Hohlleiterbreite ist im Bereich des Substrats (2) reduziert.
- - The fin line ( 3 ) has several slots;
- - At least one diode ( 5 ) is arranged above each slot;
- - The individual fin line slots are adapted by ge printed transitions ( 4 ) to the waveguide ( 1 );
- - At one edge, the metallization of the substrate ( 2 ) is HF-separated from the waveguide holder in order to supply the control voltage for the PIN diodes;
- - The waveguide width is reduced in the area of the substrate ( 2 ).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833319573 DE3319573A1 (en) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | PIN-diode switch for millimetric waves |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833319573 DE3319573A1 (en) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | PIN-diode switch for millimetric waves |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3319573A1 DE3319573A1 (en) | 1984-12-06 |
DE3319573C2 true DE3319573C2 (en) | 1992-04-16 |
Family
ID=6200241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833319573 Granted DE3319573A1 (en) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | PIN-diode switch for millimetric waves |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3319573A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3804205A1 (en) * | 1988-02-11 | 1989-08-24 | Licentia Gmbh | ELECTRIC SEMICONDUCTOR SWITCH |
RU2653088C1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-05-07 | Акционерное общество Центральное конструкторское бюро аппаратостроения | Waveguide switch |
-
1983
- 1983-05-30 DE DE19833319573 patent/DE3319573A1/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3319573A1 (en) | 1984-12-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TELEFUNKEN SYSTEMTECHNIK GMBH, 7900 ULM, DE |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: DEUTSCHE AEROSPACE AG, 80804 MUENCHEN, DE |
|
8320 | Willingness to grant licenses declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: DAIMLER-BENZ AEROSPACE AKTIENGESELLSCHAFT, 80804 M |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: DAIMLERCHRYSLER AEROSPACE AKTIENGESELLSCHAFT, 8099 |
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Owner name: EADS DEUTSCHLAND GMBH, 80995 MUENCHEN, DE |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: EADS DEUTSCHLAND GMBH, 85521 OTTOBRUNN, DE |