DE3310362A1 - Verfahren zur veraenderung der optischen eigenschaft der grenzflaeche zwischen halbleitermaterial und metallkontakt - Google Patents
Verfahren zur veraenderung der optischen eigenschaft der grenzflaeche zwischen halbleitermaterial und metallkontaktInfo
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0214674A1 (en) * | 1985-09-05 | 1987-03-18 | Agfa-Gevaert N.V. | Method of adjusting the light-emission of a light emitting diode at a given driving current |
EP0399361A2 (de) * | 1989-05-24 | 1990-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement mit optischer Absorberfläche im III-V-Halbleitermaterial |
DE19648309A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-07-03 | Hewlett Packard Co | Stark reflektierende Kontakte für Licht-emittierende Halbleiterbauelemente |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1540991A1 (de) * | 1964-11-19 | 1970-02-19 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper |
DE1514288B2 (de) * | 1964-12-11 | 1974-10-31 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterkörpers an einer Trägerplatte |
DE2423619A1 (de) * | 1973-05-17 | 1974-12-05 | Western Electric Co | Lichtemittierende dioden-wiedergabeeinrichtung |
US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
DD140716A1 (de) * | 1978-12-18 | 1980-03-26 | Heinz Hentschel | Fasenrollvorrichtung fuer zylindrische nietstifte |
DE2849716A1 (de) * | 1978-10-31 | 1980-05-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an halbleiterbauelementen |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
-
1983
- 1983-03-22 DE DE19833310362 patent/DE3310362A1/de active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1540991A1 (de) * | 1964-11-19 | 1970-02-19 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper |
DE1514288B2 (de) * | 1964-12-11 | 1974-10-31 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterkörpers an einer Trägerplatte |
DE2423619A1 (de) * | 1973-05-17 | 1974-12-05 | Western Electric Co | Lichtemittierende dioden-wiedergabeeinrichtung |
US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
DE2849716A1 (de) * | 1978-10-31 | 1980-05-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an halbleiterbauelementen |
DD140716A1 (de) * | 1978-12-18 | 1980-03-26 | Heinz Hentschel | Fasenrollvorrichtung fuer zylindrische nietstifte |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
US-Z: Electronics, 21. April 1982, S.42 * |
US-Z: IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol.25, No.2, Juli 1982, S.601-602 * |
US-Z: J. of Vacuum Science and Technology, Bd.20, Nr.3, März 1982, S.734-737 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0214674A1 (en) * | 1985-09-05 | 1987-03-18 | Agfa-Gevaert N.V. | Method of adjusting the light-emission of a light emitting diode at a given driving current |
EP0399361A2 (de) * | 1989-05-24 | 1990-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement mit optischer Absorberfläche im III-V-Halbleitermaterial |
EP0399361A3 (de) * | 1989-05-24 | 1991-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement mit optischer Absorberfläche im III-V-Halbleitermaterial |
DE19648309A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-07-03 | Hewlett Packard Co | Stark reflektierende Kontakte für Licht-emittierende Halbleiterbauelemente |
DE19648309B4 (de) * | 1995-12-21 | 2007-10-18 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Stark reflektierende Kontakte für Licht-emittierende Halbleiterbauelemente |
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