DE317456C - - Google Patents
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- DE317456C DE317456C DENDAT317456D DE317456DA DE317456C DE 317456 C DE317456 C DE 317456C DE NDAT317456 D DENDAT317456 D DE NDAT317456D DE 317456D A DE317456D A DE 317456DA DE 317456 C DE317456 C DE 317456C
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
Ein großer Teil der Mißerfolge, welche man bei der praktischen Verwendung von Selenzellenanordnungen
erzielt hat, ist darauf zurückzuführen, daß der Dunkelwiderstand einer Selenzelle seinem Werte nach von der
Temperatur abhängig ist; besonders stark ausgeprägt ist diese Abhängigkeit gerade bei
solchen Zellen, deren Verwendung infolge sonstiger günstiger Eigenschaften, namentlich
ίο hoher Empfindlichkeit, geringer Trägheit usw.
besonders erwünscht ist. Die schädliche Wirkung dieser Temperaturabhängigkeit, welche
sich auf 25 Prozent und mehr bei nur wenigen Celsiusgraden Temperaturdifferenz
belaufen kann, äußert sich naturgemäß überall da besonders stark, wo die zur Strahlungsmessung benutzte Selenzelle oder Selenzellenanordnung
im Freien (z. B. Leuchtfeuer, Bojenbeleuchtung usw.) angebracht sein muß. . Die gerade auf diesem Gebiet immer wieder erzielten
Mißerfolge sind zu einem erheblichen Teil darauf zurückzuführen, daß dieser Temperaturabhängigkeit
keine Beachtung geschenkt wurde; es ist daher auch niemals der Versuch
gemacht worden, sie zu beseitigen.
Das Verfahren nach der Erfindung verwendet zur Aufnahme der in Frage kommenden
Strahlungswirkungen zwei Selenzellen oder Selenzellengruppen in einer der mannigfach
30. bekannten Schaltanordnungen, in welchen sie. gegeneinander geschaltet sind (Brücken-·
schaltung, Kompensationsschaltung ο. dgl.), indem es die Zellen oder Zellengruppen bei
beliebig gewählter Empfindlichkeit, Trägheit, Ermüdung usw. so vereinigt, daß Zellen oder
Zellengruppen möglichst genau überein- stimmenden Temperaturganges verwendet
werden und die eine Zelle odef Zellengruppe auch bei Bestrahlung der anderen dauernd durch geeignete
Abblendung, Umhüllung oder ähnliches im unbestrahlten Zustande, also auf Dunkelwiderstand,
gehalten wird, dabei jedoch so angeordnet ist, daß sie stets die gleiche Temperatur,
wie die andere Zelle, oder Zellengruppe, besitzt. Alle Widerstandsänderungen, welche durch den Temperaturgang verursacht
werden, heben sich dann aus der Meßanordnung heraus, und die Gesamtanordnung arbeitet unbeeinflußt von der Außentemperatur
lediglich unter der Einwirkung der Energieeinstrahlung auf die der letzteren ausgesetzte
Zelle oder Zellengruppe.
An Stelle von zwei Selenzellen oder Selenzellengruppen kann man auch eine einzige
Selenzelle nach Patent 317457 verwenden, indem man bei dieser den auf einer Seite der
Unterbrechungsstelle des einen Leiters liegenden Teil der Zelle dauernd gegen die Strahlungseinwirkung schützt.
Claims (2)
- Patent-Ansprüche:i. Verfahren zur Beseitigung der schädlichen Wirkung der Temperaturabhängigkeit von Selenzellen bei Selenzellenanordnungen, in welchen Zellen, Zellengruppen oder Teile von Zellen in an sich bekannter Weise gegeneinander geschattet sind(Brückenschaltung, · Kompensationsschaltung ο. dgl.), dadurch gekennzeichnet, daß· Zellen eder' Zeilengpuppen von gleicher oder nahezu gleicher Temperatur abhängig ketV so der Strarllungs ein wirkung ausgesetzt werden, daß die eine Zelle oder-Zellengruppe auch während der Strahlungseinwirkung auf die andere Zelle oder Zellen-, gruppe dauernd gegen die Strahlungseinwirkung durch an sich bekannte Mittel (Umhüllung oder ähnliches) geschützt und dabei so angeordnet ist, daß sich in jedem Augenblick sämtliche Selenzellen oder Selenzellengruppen auf einer unter sich möglichst gleichen Temperatur befinden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Selenzelle nach Patent 317457 so der Strahlungseinwirkung ausgesetzt wird, daß der auf einer Seite der Unterbrechungsstelle des einen Leiters liegende Teil der Zelle auch während der Strahlungseinwirkung auf den anderen Teil dauernd gegen die Strahlungseinwirkung geschützt ist.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE317456C true DE317456C (de) |
Family
ID=570111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT317456D Active DE317456C (de) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE317456C (de) |
-
0
- DE DENDAT317456D patent/DE317456C/de active Active
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