DE3138990A1 - Coaxial opposing field spectrometer of high acceptance for secondary electrons and an electron beam test set - Google Patents

Coaxial opposing field spectrometer of high acceptance for secondary electrons and an electron beam test set

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Klaus Dipl.-Ing. 8000 München Anger
Burkhard Prof. Dr.Ing. Lischke
Erich Dr.rer.nat. Phys. Plies
Reinhard Dr.rer.nat. Ing. 8019 Aßling Weyl
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Abstract

An electrostatic opposing field spectrometer having a device (SN) for evacuating secondary electrons, the device being rotationally symmetrical with respect to the direction of the primary electron beam (PE), is intended to take into account the spatial angle distribution of the velocity directions in the case of the secondary electrons (SE). According to the invention, an electrostatic opposing field spectrometer of the said type has an annular zone for guiding the secondary electrons (SE) outside the primary electron beam (PE). An opposing field spectrometer according to the invention images a measurement point of the sample (PR) in an astigmatic annular image on an annular detector. The invention is used for potential measurement at measurement points in a sample (PR). <IMAGE>

Description

Koaxiales Gegenfeld-Spektrometer hoher AkzeptanzHigh acceptance coaxial opposing field spectrometer

für Sekundärelektronen und Elektronenstrahl-MeBgerät.for secondary electrons and electron beam measuring devices.

Die Erfindung betrifft ein elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to an electrostatic opposing field spectrometer according to the preamble of claim 1.

Elektrostatische Gegenfeld-Spektrometer werden für die Potentialmessung an Meßpunkten in einer Probe insbesondere für die quantitative Potentialmessung an Gleitbahnen und Knoten von integrierten mikroelektronischen Bauelementen, mit Hilfe der Elektronenstrahl-Meßtechnik benötigt.Electrostatic opposing field spectrometers are used for potential measurement at measuring points in a sample, in particular for quantitative potential measurement on slideways and nodes of integrated microelectronic components, with Help of electron beam measurement technology needed.

In einem Elektronenstrahl-Meßgerät wird der zu vermessende Meßpunkt in einer Probe z.B. eine Leitbahn einer integrierten mikroelektronischen Schaltung, mit Primärelektronen bestrahlt, wobei u.a. Sekundärelektronen ausgelöst werden. Je nach dem Potential des Meßpunktes wird die Energieverteilungsfunktion der Sekundärelektronen verändert. In einem Sekundärelektronen-Spektrometer kann diese Veränderung der Energieverteilungsfunktion der Sekundärelektronen und damit das Potential des Meßpunktes auf der Probenoberfläche ermittelt werden. Aus der Veröffentlichung von H.P.In an electron beam measuring device, the measuring point to be measured is in a sample e.g. an interconnect of an integrated microelectronic circuit, irradiated with primary electrons, which among other things trigger secondary electrons. The energy distribution function of the secondary electrons depends on the potential of the measuring point changes. In a secondary electron spectrometer, this change in the energy distribution function of the secondary electrons and thus the potential of the measuring point on the sample surface be determined. From the publication by H.P.

Feuerbaum, SEM/1979/I, SEM Inc., AMF O'Hare, IL 60666, 285-296, ist ein Elektronenstrahl-Meßgerät mit einem Gegenfeld-Spektrometer für die Sekundärelektronen bekannt, welches jedoch keine elektronenoptischen Abbildungseigenschaften besitzt. Die am Meßpunkt auf der Probenoberfläche ausgelösten Sekundärelektronen haben jedoch eine Raumwinkel-Verteilung ihrer Geschwindigkeits- richtungen, welche von dem bekannten GegenSeld-Spektrometer nicht transmittiert werden kann. Dies bedingt bei dem bekannten Gegenfeld-Spektrometer einen Meßfehler von 5-10%. Da bei dem genannten Gegenfeld-Spektrometer der Primärelektronen-Strahl durch das Sekundärelektronen-Absaugnetz dieses Gegenfeld-Spektrometers auf den Meßpunkt auf der Probenoberfläche auftrifft, ist der Rasterbereich des genannten Elektronenstrahl-Meßgeräte 5 auf e00 x 2001um2 begrenzt. Außerdem zeigen Potentialkontrast-Aufnahmen mit dem genannten Elektronenstrahl-Meßgerät asymmetrische Kanteneffekte an Leitbahnen als Meßpunkten, da die Sekundärelektronen asymmetrisch besUglich des Primärelektronen-Strahls zum Detektor hin abgesaugt werden.Feuerbaum, SEM / 1979 / I, SEM Inc., AMF O'Hare, IL 60666, 285-296 an electron beam measuring device with an opposing field spectrometer for the secondary electrons known, which, however, has no electron-optical imaging properties. However, the secondary electrons released at the measuring point on the sample surface have a solid angle distribution of their velocity directions which cannot be transmitted by the known counter-field spectrometer. This requires with the known opposing field spectrometer a measurement error of 5-10%. Since with the said Opposing field spectrometer the primary electron beam through the secondary electron extraction network this opposing field spectrometer hits the measuring point on the sample surface, is the grid area of the aforementioned electron beam measuring device 5 to e00 x 2001um2 limited. In addition, potential contrast recordings with the aforementioned electron beam measuring device show asymmetrical edge effects on interconnects as measuring points, since the secondary electrons The primary electron beam can be aspirated asymmetrically towards the detector.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrostatisches Gegenfeld-Speltrometer der eingangs genannten Art anzugeben, welches die Raumwinkel-verteilung der Geschwindigkeitsrichtungen bei den Sekundärelektropen berücksichtigt.The present invention is based on the object of an electrostatic Opposite field Speltrometer of the type mentioned to indicate which the solid angle distribution of the velocity directions for the secondary electrons are taken into account.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein elektrosta tisches Gegenfeld-Spektrometer der eingangs genannten Art gelöst, welches die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 aufweist.According to the invention, this object is achieved by an electrostatic opposing field spectrometer solved the type mentioned, which the characterizing features of claim 1 has.

Ausgestaltungen und Vorteile der Erfindung sind in den Unteransprüchen, der Beschreibung und der Zeichnung dargestellt.Refinements and advantages of the invention are set out in the subclaims, the description and the drawing.

Ein erfindungsgemäßes elektrostatisches Gegenfeld-Spektro meter akzeptiert einen großen Raumwinkel-Bereich der Sekundärelektronen-Keule. Bei einem erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer werden die Sekundärelektronen nahezu senkrecht zu einem ebenen Gegenfeld- netzt geführt, wodurch der Meßfehler von 5-10,' beim oben zitierten bekannten elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer vermieden wird. Im Primärelektronen-Strahlengang befindet sich erfindungsgemäß kein Absaugnetz fUr Sekundärelektronen, wodurch ein großes Rasterfeld des Elektronenstrahl-Meßgeräte 5 ermöglicht wird.An electrostatic opposing field spectrometer according to the invention is accepted a large solid angle range of the secondary electron lobe. In an inventive electrostatic opposing field spectrometer, the secondary electrons are almost perpendicular to a flat opposing field mains led, whereby the measurement error of 5-10 'in the known electrostatic opposing field spectrometer cited above is avoided. According to the invention, there is none in the primary electron beam path Extraction network for secondary electrons, creating a large grid field of the electron beam measuring devices 5 is made possible.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are shown in the drawing and are explained in more detail below.

Fig.1 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometers.Fig.1 shows an embodiment of an electrostatic according to the invention Opposing field spectrometer.

Fig.2 zeigt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometers.Fig.2 shows a further embodiment of an electrostatic according to the invention Opposing field spectrometer.

Fig.3 zeigt ein erfindungsgemäßes Nachweissystem, wie es bei der Ausführungsform nach Fig.1 verwendet werden kann.3 shows a detection system according to the invention, as it is in the embodiment can be used according to Fig.1.

Fig.4 verdeutlicht die Wirkung eines erfindungsgemäßen Kugelkondensators.4 illustrates the effect of a spherical capacitor according to the invention.

Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometers. Bei einem erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer werden die Sekundärelektronen SE rotationssymmetrisch zur Richtung des Primärelektronen-Strahls PE abgesaugt.Fig. 1 shows an embodiment of an electrostatic according to the invention Opposing field spectrometer. In an electrostatic opposing field spectrometer according to the invention the secondary electrons SE are rotationally symmetrical to the direction of the primary electron beam PE sucked off.

Sodann werden die Sekundärelektronen SE in einer Ringzone außerhalb des Primärelektronenstrahls PE geführt.The secondary electrons SE are then outside in a ring zone of the primary electron beam PE guided.

Schließlich wird ein Meßpunkt der Probe PR in ein astigmatisches Ringbild auf einem ringförmigen Detektor abgebildet. Die in Fig.1 gezeigte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektro- meters ist in ein Spezial-Sondenobjektiv SO integriert und mit diesem Spezial-Sonderobjektiv SO koaxial. Das Sondenobjektiv SO ist asymmetrisch: Die targetseitige Polschuh-Bohrung ist wesentlich kleiner als die quellseitige Polschuh-Bohrung des Sondenobjektives SO, so daß die Targetebene magnetfeldfrei ist. Außerdem ist die Erregerwicklung EW asymmetrisch zum Linsenspalt, wodurch genügend Platz fUr das erfindungsgemäße elektrostatische Gegenfeld-Spektrometer geschaffen wird. Das erfindungsgemäße elektrostatische Gegenfeld-Spektrometer selbst besteht zunächst aus einem kegelförmigen Absaugnetz SN, welches gleichzeitig zur Randfeldbegrenzung des nachfol genden elektrostatischen Kugelkondensators ER diente Erfindungsgemäß ist die innere Kugelelektrode dieses Eugelkondensators ER identisch mit der Außenseite desjenigen targetseitigen Polschuhteiles, welcher aus Eisen besteht. Aus Eisen bestehende Teile sind in den Figuren schraffiert gezeichnet. Der Eisenmantel EM umschließt die Erregerwicklung EW. Targetseitig ist der Polschuh teilweise aus einem Stück Ferrit FT gestaltet. Isolator-Bereiche (IS) sind gepunktet dargestellt.Finally, a measuring point of the sample PR becomes an astigmatic ring image imaged on an annular detector. The embodiment shown in Fig.1 an electrostatic opposing field spectrometer according to the invention meters is integrated in a special probe objective SO and with this special special objective SO coaxial. The probe objective SO is asymmetrical: the target-side pole piece bore is much smaller than the source-side pole piece bore of the probe objective SO, so that the target plane is free of magnetic fields. In addition, the excitation winding is EW asymmetrical to the lens gap, which creates enough space for the inventive electrostatic opposing field spectrometer is created. The electrostatic according to the invention The opposing field spectrometer itself consists initially of a conical suction network SN, which simultaneously serves to limit the edge field of the subsequent electrostatic Spherical capacitor ER was used according to the invention, the inner spherical electrode is this Eugel capacitor ER identical to the outside of that target-side pole piece part, which is made of iron. Parts made of iron are hatched in the figures drawn. The iron jacket EM encloses the field winding EW. Is on the target side the pole piece is partially made from a piece of FT ferrite. Isolator areas (IS) are shown dotted.

Im Kugelkondensator ER wird das Bündel der Sekundärelektronen SE umgelenkt, bis die BUndelachse der Sekundärelektronen SE parallel zur Objektivachse OT ist. Die Richtungsdoppelfokussierung im Kugelkondensator ER erfüllt die BARBERsche Regel, nach welcher die Quelle Q der Mittelpunkt M des Kugelkondensators ER und das Quellenbild B au! einer Geraden liegen. Da die virtuelle Quelle Q der Sekundärelektronen SE nahe der optischen Achse OA des Sondenobjektivs SO liegt, verlassen die Sekundärelektronen SE den Kugelkondensator ER nahezu als Parallelbündel. Begnügt man sich mit dieser Parallelität des Bündels der Sekundärelektronen SE, so kann man die Sekundärelektronen SE in einem nachfolgenden quasi-homogenen Gegenfeld abbremsen und die durch das Gegenfeld- Analysatornetz GA durchgelassenen Sekundärelektronen SE mit einer beschleunigenden Ringlinse RL in eine astigmatische Ring-Brennlinie auf dem Nachweismittel fokussieren. Die Elektroden der elektrostatischen Ringlinse RL sind drei Innenrohre und drei Außenrohre, die alle koaxial zur optischen Achse OA des Sondenobjektivs SO sind. Die Elektroden der beschleunigenden Ringlinse RL haben die Spannungen U3, U4, US. Elektrostatische Ringlinsen sind rechnerisch und/oder experimentell z.B. aus dem Tagungsbeitrag von E. Plies zur 18. Tagung der Deutschen Gesellschaft für Elektronenmikroskopie (1977), Seiten 138 ff., bekannt.The bundle of secondary electrons SE is deflected in the spherical capacitor ER, until the bundle axis of the secondary electrons SE is parallel to the objective axis OT. The directional double focusing in the spherical capacitor ER fulfills BARBER's rule, according to which the source Q is the center point M of the spherical capacitor ER and the source image Building! lie in a straight line. Since the virtual source Q of the secondary electrons SE is close to the optical axis OA of the probe objective SO, the secondary electrons leave SE the spherical capacitor ER almost as a parallel bundle. If you are satisfied with this Parallelism of the bundle of secondary electrons SE, so one can see the secondary electrons Braking the SE in a subsequent quasi-homogeneous opposing field and the Opposing field Analyzer network GA transmitted secondary electrons SE with an accelerating ring lens RL in an astigmatic ring focal line focus on the means of detection. The electrodes of the electrostatic ring lens RL are three inner tubes and three outer tubes, all coaxial with the optical axis OA of the probe lens SO are. The electrodes of the accelerating ring lens RL have the voltages U3, U4, US. Electrostatic ring lenses are computational and / or experimental e.g. from the conference contribution by E. Plies to the 18th conference of the Germans Society for electron microscopy (1977), pages 138 ff., Known.

In Fig.1 sind zwischen Kugelkondensator ER und Gegenfeld-Analysatornetz GA zusätzlich zwei verzögernde Ringlinsen, nämlich eine Ringlinse RV und eine Eollimatorringlinse EL, vorgesehen, mit denen die Parallelität des BUndels der Sekundärelektronen SE im Meridianschnitt (nicht im Sagittalschnitt) eingestellt werden kann. Die Elektroden der Ringlinsen RV, EL werden mit den Spannungen Us, U1, U2 angesteuert.In Fig.1 are between the spherical capacitor ER and the opposing field analyzer network GA additionally two retarding ring lenses, namely a ring lens RV and an eollimator ring lens EL, provided with which the parallelism of the bundle of secondary electrons SE can be set in the meridional section (not in the sagittal section). The electrodes the ring lenses RV, EL are controlled with the voltages Us, U1, U2.

Meßpunkte auf der Oberfläche der Probe ER haben im nicht aktivierten Zustand das Potential Null. Die Spannung U5 des Saugnetzes SN ist etwa 600 V. Die Spannung UG des Gegenfeld-Analysatornetzes GA ist so bemessen, daß nur Sekundärelektronen SE durch das Gegenfeld-Analysatornetz GA durchgelassen werden, welche von aktivierten Meßpunkten auf der Oberfläche der Probe PR kommen.Measuring points on the surface of the sample ER are not activated State the potential zero. The voltage U5 of the suction network SN is about 600 V. The Voltage UG of the opposing field analyzer network GA is dimensioned so that only secondary electrons SE are allowed to pass through the opposing field analyzer network GA, which of activated Measuring points come on the surface of the sample PR.

Fig.2 zeigt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometers.Fig.2 shows a further embodiment of an electrostatic according to the invention Opposing field spectrometer.

Für Gegenstände in Fig.2, welche dasselbe Bezugszeichen wie entsprechende Gegenstände in Fig.1 aufweisen, gilt das bei der Fig.1 Gesagte entsprechend. Bei der Ausführungsform nach Fig.2 sind gegenüber der Ausführungs- form nach Fig.1 die Ringlinsen RV, KL weggelassen. Bei der Ausführungsform nach Fig.2 begnügt man sich mit der vom Kugelkondensator ER erzeugten Parallelität des Bündels der Sekundärelektronen SE. Nach Verlassen des Eugelkondensators ER werden bei der Ausführungsform nach Fig.2 die Sekundärelektronen SE direkt in einem nachfolgenden, quasi-homogenen Gegenfeld QA abgebremst. Die durch das Gegenfeld-Analysatornetz GA durchgelassenen Sekundärelektronen SE werden wie bei der Ausführungsform nach Fig.1 mit einer beschleunigenden Ringlinse RL in eine astigmatische Ring-Brennlinie auf dem Nachweismittel fokussiert.For items in Fig.2 which have the same reference numerals as corresponding Have objects in Figure 1, what was said in Figure 1 applies accordingly. at the embodiment according to Figure 2 are compared to the execution shape According to FIG. 1, the ring lenses RV, KL are omitted. In the embodiment according to FIG if one is satisfied with the parallelism of the bundle generated by the spherical capacitor ER of the secondary electrons SE. After leaving the Eugel capacitor ER, the Embodiment according to Figure 2, the secondary electrons SE directly in a subsequent, quasi-homogeneous opposing field QA decelerated. The through the opposing field analyzer network GA transmitted secondary electrons SE are as in the embodiment according to Fig. 1 with an accelerating ring lens RL in an astigmatic ring focal line focused on the means of detection.

Als Nachweismittel fUr die vom quasi-homogenen Gegenfeld QG durchgelassenen Sekundärelektronen SE ist bei der Ausführungsform nach Fig.2 eine ringförmige Kanalplatte KP mit einem anschließenden Detektor DT vorgesehen.As a means of detection for those allowed through by the quasi-homogeneous opposing field QG Secondary electrons SE is an annular channel plate in the embodiment according to FIG KP provided with a subsequent detector DT.

Fig.3 zeigt ein erfindungsgemäßes Nachweissystem, wie es für die Ausfühhungsform nach Fig.1 verwendet werden kann.3 shows a detection system according to the invention, as it is for the embodiment can be used according to Fig.1.

Bei der Ausführungsform nach Fig.1 ist ein Nachweissystem aus ringförmigem Szintillator SZ, einem Querschnittswandler QW und mehreren Lichtleitern LR vorgesehen. Das Nachweissystem der Ausführungsform nach Fig.1 ist in Fig.3 verdeutlicht. Der Querschnittswandler QW bildet einen Taper zwischen detn Querschnitt des Szintillatórs SZ und dem Durchmesser der Lichtleiter LR. Die Lichtleiter LR ihrerseits münden in eine Lichtleiter-Verzweigung VZ, welcher seinerseits an einen Fotovervielfacher PM ankoppelt.In the embodiment according to Figure 1, a detection system is made of an annular Scintillator SZ, a cross section converter QW and several light guides LR are provided. The detection system of the embodiment according to FIG. 1 is illustrated in FIG. Of the Cross-section converter QW forms a taper between the cross-section of the scintillator SZ and the diameter of the light guide LR. The light guides LR in turn open into a light guide branch VZ, which in turn is connected to a photomultiplier PM links.

Als ein Nachweismittel für die vom Gegenfeld durchgelas senen Sekundärelektronen SE können auch noch ringförmige Halbleiter'-Detektoren vorgesehen werden, welche in der Zeichnung nicht dargestellt sind. Mit einer Kanalplatte KP (Chevron) kann im Energiebereich von 0,1 bis 100 keV eine Auflösung von 25/um und eine Verstärkung bis zu 107 bei einer Totzeit von 2 ns ersielt werden. Bei einem konventionellen Fotovervielfacher PM kann eine Verstärkung bis zu 109 bei einer Totzeit von 1 ns erzielt werden. Ein Szintillator SZ kann im Energiebereich von 4 bis 20 keV bei einer Totzeit von 50 ns detektiert werden. Die Totzeit eines Szintillators SZ kann u.U. bis zu 800 ps vermindert werden. Mit einem Halbleiter-Detektor können Energien größer als 1 eV bei einer Totzeit von 0,1 µs (im gekühlten Zustand des Halbleiter-Detektors) detektiert werden.As a means of detection for the secondary electrons transmitted by the opposing field SE ring-shaped semiconductor detectors can also be provided, which are not shown in the drawing. With a channel plate KP (Chevron) can achieve a resolution of 25 μm and a gain of up to 107 can be achieved with a dead time of 2 ns. At a conventional photomultiplier PM can gain a gain of up to 109 at one Dead time of 1 ns can be achieved. A scintillator SZ can be used in the energy range of 4 to 20 keV can be detected with a dead time of 50 ns. The dead time of a scintillator SZ can possibly be reduced up to 800 ps. With a semiconductor detector you can Energies greater than 1 eV with a dead time of 0.1 µs (in the cooled state of the Semiconductor detector) can be detected.

Fig.4 verdeutlicht die Wirkung eines erfindungsgemäßen Kugelkondensators. Wie bei der Beschreibung der Ausführungsform nach Fig.1 erläutert worden ist, erfüllt die Richtungsdoppelfokussierung der Sekundärelektronen SE im Kugelkondensator ER die BARBERsche Regel, nach der die Quelle Q, der Mittelpunkt M des Kugelkondensators ER und das Quellenbild B auf einer Geraden liegen (siehe das Buch A.P. Banford, The Transport of Charged Particle Beams, E. & F.N.Spon Limited, London (1966)). Die mit der Absaugspannung Us angesteuerten Elektroden, wovon die näher bei'der Quelle Q liegende Elektrode das Absaugnetz SN bildet, bilden eine Feldklammer FK. Durch diese Feldklammer FK wird eine effektive Feldgrenze EF für das Feld des Kugelkondensators ER gebildet. Die äußere Eugelelektrode AK des Kugelkondensators ER liegt auf dem Potential USUA, während die innere Elektrode 1K des Kugelkondensators ER auf dem Potential Us+UA liegt. Leerseite4 illustrates the effect of a spherical capacitor according to the invention. As has been explained in the description of the embodiment according to FIG. 1, fulfilled the directional double focusing of the secondary electrons SE in the spherical capacitor ER BARBER's rule, according to which the source Q is the center point M of the spherical capacitor ER and the source image B lie on a straight line (see the book A.P. Banford, The Transport of Charged Particle Beams, E. & F.N.Spon Limited, London (1966)). The electrodes controlled by the suction voltage Us, of which the closer to'der Source Q lying electrode forms the suction network SN, form a field bracket FK. This field bracket FK becomes an effective field boundary EF for the field of the spherical capacitor He educated. The outer Eugelelectrode AK of the spherical capacitor ER lies on the Potential USUA, while the inner electrode 1K of the spherical capacitor ER on the Potential Us + UA is. Blank page

Claims (14)

PatentansprAche: Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer mit einer Vorrichtung zum Absaugen von Sekundärelektronen, wobei die Vorrichtung rotationssyinrnetrisch zur Richtung des Primärelektronen-Strahls (PE) ist, g e k e n n z e i c hn e t durch eine Ringzone zur FUhrung der Sekundärelektronen (SE) außerhalb des PrimErelektronen-Strahls (PE). Claim: Electrostatic opposing field spectrometer with a Device for sucking off secondary electrons, the device being rotationally symmetrical to the direction of the primary electron beam (PE) is, g e k e n n z e i c hn e t through a ring zone for guiding the secondary electrons (SE) outside the primary electron beam (PE). 2. Elektrostatisches Gegenfeld-SpeXtrometer nach Anspruch 1, g e k e n n z e i c h n e t durch Mittel zum Abbilden eines Meßplqnktes der Probe (PR) in ein astigma tisches Ringbild auf einem ringförmigen Detektor. 2. Electrostatic opposing field SpeXtrometer according to claim 1, g e not indicated by means for mapping a measuring point of the sample (PR) into an astigmatic ring image on a ring-shaped detector. 3. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 oder 2, g e k e n n z ei c h n e t durch einen hohen Akzeptanzraunwinkel der Sekundärelektronen (SE). 3. Electrostatic opposing field spectrometer according to claim 1 or 2, not shown by a high acceptance angle of the secondary electrons (SE). 4. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 3, g e k e n n z e i c h n e t durch etwa senkrechtes Auftreffen der Sekundärelektronen (SE) auf ein Gegenfeld-Analysatornetz (GA). 4. Electrostatic opposing field spectrometer according to claim 1 to 3, not shown by the approximately perpendicular impingement of the secondary electrons (SE) to an opposing field analyzer network (GA). 5. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 4, g e k e n n z e i c h n e t durch ein kegelförmiges Absaugnetz (SN). 5. Electrostatic opposing field spectrometer according to claim 1 to 4, not shown by a conical suction net (SN). 6. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nech Anspruch 1 bis 5, g e k e n n z e i c h n e t durch einen Kugelkondensator (KR) zur Umlenkung der Sekundärelektronen (SE). 6. Electrostatic opposing field spectrometer according to claims 1 to 5, g e k e k e n n n z e i c h n e t by a spherical capacitor (KR) to deflect the Secondary electrons (SE). 7. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 6, g e k e n n z e i c h n e t durch eine beschleunigende Ringlinse (RL) zur Fokussierung der Sekun- därelektronen (SE) in eine astigmatische Ring-Brennlinie. 7. Electrostatic opposing field spectrometer according to claim 1 to 6, not shown by an accelerating ring lens (RL) for focusing the second electron electrons (SE) in an astigmatic ring focal line. 8. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 7, g e k e n n z e i c h n e t durch zusätzliche verzögernde Ringlinsen (RV) zur Einstellung der Parallelität des Bündels der Sekundärelektronen (SE).8. Electrostatic opposing field spectrometer according to claim 1 to 7, not shown by additional retarding ring lenses (RV) for adjustment the parallelism of the bundle of secondary electrons (SE). 9. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 8, g e k e n n z e i c h n e t durch ringförmige Halbleiter-Detektoren.9. Electrostatic opposing field spectrometer according to claim 1 to 8, not shown by ring-shaped semiconductor detectors. 10. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 8, g e k e n n z e i c h n e t durch ringförmige Kanalplatten (KP), 10. Electrostatic opposing field spectrometer according to claim 1 to 8, not shown by ring-shaped channel plates (KP), 11. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 8, g e k e n n z e e i c h n e t durch ein Nachweissystem fUr die Sekundärelektronen (SE) bestehend aus einem ringförmigen Szintillator (SZ), mehreren Lichtleitern (LR) und einem Fotovervielfacher (PM).11. Electrostatic Opposing field spectrometer according to claims 1 to 8, g e k e n n z e i c h n e t through a detection system for the secondary electrons (SE) consisting of a ring-shaped Scintillator (SZ), several light guides (LR) and a photo multiplier (PM). 12. Elektronenstrahl-Meßgerät mit einem elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 11, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die targetseitige Polschuh-Bohrung des Sondenobåektivs (so) wesentlich kleiner ist als die quellseitige Polschuh-Bohrung.12. Electron beam measuring device with an electrostatic opposing field spectrometer according to claims 1 to 11, characterized in that the target-side Pole shoe bore of the probe lens (see above) is much smaller than the one on the source side Pole shoe bore. 13. Elektronenstrahl-Meßgerät nach Anspruch 12, g e -k e n n z e i c h n e t durch eine asymmetrische Erregerwicklung (EW) des Sondenobjektivs (so).13. Electron beam measuring device according to claim 12, g e -k e n n z e i c h n e t through an asymmetrical excitation winding (EW) of the probe lens (see above). 14. Elektronenstrahl-Meßgerät nach Anspruch 12 2 oder 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die innere Kugelelektrode (Ig) des Kugelkondensators (ER) identisch mit der Außenseite desjenigen targetseitigen Pol schuhteils ist, welcher aus Eisen besteht.14. Electron beam measuring device according to claim 12 2 or 13, characterized it is not noted that the inner spherical electrode (Ig) of the spherical capacitor (ER) identical with the outside of that target-side pole shoe part is made of iron.
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