DE1798021B2 - DEVICE FOR CONFIRMING A PRIMARY ION BEAM FROM A MICROANALYZER - Google Patents
DEVICE FOR CONFIRMING A PRIMARY ION BEAM FROM A MICROANALYZERInfo
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Description
ISIS
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Bündelung eines auf einen ausgewählten Oberflächenabschnitt einer Materialprobe gerichteten Primär-fonenstrahls eines Mikroanalysators mit zwei elektrischen Linsen, die als Kondensator- und als Objektivlinse im Stahlengang zwischen einer Ionenquelle und der Materialprobenoberfläche dienen.The invention relates to a device for bundling a surface section onto a selected one a material sample directed primary phone beam of a microanalyser with two electric lenses, as a condenser lens and as an objective lens in the beam path between an ion source and the Serve material sample surface.
Bei einer bekannten derartigen Einrichtung befindet -5 sich im Strahlengang ein Magnet, der die Massentren nung durchführt. Damit ist aber der Nachteil verbunden, daß der Primär-Ionenstrahl nur auf einen relativ großen Oberflächenbereich der Materialprobe scharf eingestellt werden kann.In a known device of this type, there is a magnet in the beam path that controls the mass centers execution. However, this has the disadvantage that the primary ion beam is only applied to a relatively large one Surface area of the material sample can be set in focus.
Fernerhin ist eine andere Einrichtung bekanntgeworden, bei der Sektorlinsen zur Ablenkung von Elektronen von einer Strahlenquelle zu einem Objekt dienen. Nachgeschaltete Äquipotentiallinsen dienen zur Bündelung der vom Objekt emittierten Sekundär-Ionen und -1^ zur Analyse dieser Ionen in einem Spektrographen.Furthermore, another device has become known in which sector lenses are used to deflect electrons from a radiation source to an object. Downstream unipotential lenses are used for focusing the light emitted from the object secondary ions and - 1 ^ for the analysis of ions in a spectrograph.
Eine weitere bekannte Einrichtung beschreibt eine geradachsige Linse in Reihe mit einer Sektorlinsc, jedoch ohne einen Hinweis darauf, daß eine Verringerung des Abstandes zwischen einem Eintrittsschlitz und einem Sektor der Sektorlinse erwünscht ist oder auftritt.Another known device describes a straight-axis lens in series with a sector lens, but without any indication that a reduction in the distance between an entry slot and a sector of the sector lens is desired or occurs.
Der Erfindung liegt ausgehend von einer Einrichtung der eingangs genannten An die Aufgabe zugrunde, diese dahingehend zu verbessern, daß der Primär-Ionenstrahl auf einen kleineren Oberflächenbereich der Materialprobe scharf eingestellt werden kann, wodurch eine Verzögerung der Strahlöffnung der in das Massenspektrometer eintretenden, von der Materialprobe ausgestrahlten Ionen erlaubt ist.On the basis of a device of the type mentioned at the beginning, the invention is based on the object to improve this to the effect that the primary ion beam on a smaller surface area of the Material sample can be brought into focus, causing a delay in the beam opening of the into the Mass spectrometer entering, emitted from the material sample ions is allowed.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist die Erfindung dadurch -s° gekennzeichnet, daß in dem genannten Strahlengang weiter eine an sich bekannte Sektorlinse angeordnet ist, die die Ionen aufgrund ihrer Masse trennt.To achieve this object the invention is characterized - in s °, that further a known sector lens is disposed in said optical path which separates the ions due to their mass.
Dadurch wird im wesentlichen eine Verkürzung des. Abstandes längs des Sirahlenganges zwischen der >> Objektebene und der Bildebene erreicht und die Erfindungsaufgabe gelöst. Der Ionenstrahl kann somit auf einem kleinen Oberflächenbezirk der Materialprobescharf eingestellt werden, und zwar auf eine Fläche, die kleiner ist als die lonenaustrittsöffnung der Ionenquelle. h0 Das anschließende Massenspektrometer kann eine große Blende und dadurch bedingt einen hohen Übertragungsfaktor besitzen. Es wird somit ein verhältnismäßig großer Anteil der ausgesendeten Ionen im Massenspektrometer gesammelt und analysiert. ('> Neben einer hohen Empfindlichkeit wird dadurch auch ein hoher Rauschabstand erzielt.As a result, a shortening of the distance along the Sirahlengang between the object plane and the image plane is achieved and the object of the invention is achieved. The ion beam can thus be focused on a small surface area of the material sample, specifically on an area which is smaller than the ion exit opening of the ion source. h0 The subsequent mass spectrometer can have a large aperture and therefore a high transmission factor. A relatively large proportion of the ions emitted is therefore collected and analyzed in the mass spectrometer. ( '> In addition to high sensitivity, this also results in a high signal-to-noise ratio.
Die Erfindung wird im folgenden anhand einesThe invention is based on a
Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigtEmbodiment explained in more detail. It shows
Fig. 1 schematisch eine Ansicht eines Ausführungs beispiels einer Einrichtung nach der Erfindung,Fig. 1 schematically shows a view of an embodiment example of a device according to the invention,
Fig. 2 in stärker detaillierter Darstellung als Quer schnitt eine Einzelheit der Einrichtung nach Fig. | J1 größerem Maßstab, und zwar die dort verwenden Sektorlinse,Fig. 2 in a more detailed representation as a cross section, a detail of the device according to FIG J 1 larger scale, namely the sector lens used there,
Fig. 3 schematisch eine abgeänderte Form eine: Linsensystems,3 schematically a modified form of a lens system,
Fig.4 schematisch eine Mikroanalysiervorrichtung die ein Linsensystem nach F i g. 1 - 3 verwendet,4 schematically shows a microanalysis device a lens system according to FIG. 1 - 3 used,
Fig.5 in teilweiser Seitenansicht und schematise! einen Abschnitt der in Fig.4 dargestellten Analysier vorrichtung.Fig. 5 in partial side view and schematize! a section of the analysis shown in Fig.4 contraption.
In den F i g. 1 - 3 sind Sektorfeldlinsen dargestellt, di< in der eingangs gekennzeichneten Art die Empfindlich keit der Mikroanalysiervorrichtung nach der Erfindung erhöhen.In the F i g. 1 - 3 sector field lenses are shown, ie, in the manner identified at the beginning, the sensitivity Increase speed of the microanalyzer according to the invention.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 ist dort die Wirkung der Serienschallung einer elektrischen Äquipotentialen se 10 mit einer elektrischen Sektorfeldlinse \1 dargestellt, die z. B. in Form eines sphärisch gekrümm ten ringförmigen Kondensators ausgebildet sein kann Wenn die Sektorlinse 12 allein betrieben wird, hat sie eine Winkelöffnung α, und ihre Objektbrennpunktebe ne, die wie in Fig. 1 zu sehen rechts ist, wäre verhältnismäßig weit von der Linse 12 entfernt, wie die; durch den Dingpunkt 16 angedeutet ist. Die winklige Bildabweichung der Linse 12 wird durch die Linie If dargestellt, die senkrecht zum Gaußschen Bildpunkt 2Ά auf der Hauptachse steht. Die winklige Bildabweichung deutet die Breite des Bildes des einzelnen, theoretisch dimensionslosen Dingpunkte 16 an.Referring to Fig. 1 there is shown the effect of the series sound of an electrical equipotential se 10 with an electrical sector field lens \ 1 , the z. B. in the form of a spherically curved th ring-shaped capacitor. If the sector lens 12 is operated alone, it has an angular opening α, and its Objektbrennpunktebe ne, which can be seen in FIG removed like that; is indicated by the thing point 16. The angular image deviation of the lens 12 is represented by the line If, which is perpendicular to the Gaussian image point 2Ά on the main axis. The angular image deviation indicates the width of the image of the individual, theoretically dimensionless thing point 16.
Wenn die Äquipotentiallinse 10 in Tandem bzw. ir Reihe und vor die Sektorlinse 12 geschaltet wird, wire die Dingebene näher zur Sektorlinse 12 bewegt, zu einer vom Bildpunkt 24 angedeuteten Stelle, und zwar mil einer entsprechenden Zunahme der Winkelöffnung, die nun zu α' wird. Die Streuung wird jedoch nicht wesentlich erhöht, und der Ort des Bildpunktes 22 wird nicht verändert.If the equipotential lens 10 is connected in tandem or in series and in front of the sector lens 12, wire the object plane is moved closer to the sector lens 12, to a point indicated by the image point 24, namely mil a corresponding increase in the angular opening, which now becomes α '. However, the scatter will not is increased significantly, and the location of the image point 22 is not changed.
In Fig. 2 ist eine Ionenquelle 26 schematisch dargestellt. Die Quelle 26 kann von irgendeiner geeigneten Art sein, wie z. B. in Form eines Gefäßes, in dem ein Edelglas durch eine Dauerfunkenentladung erregt wird. Ionen verlassen die Quelle 26 durch eine öffnung 28 und werden mit der Beschleuniger-Elektrode 30 beschleunigt. Anschließend durchlaufen sie einen Satz von Ablenkplatten 32, die steuerbar erregt werden, um die Richtung und die Position des Strahlenbündels einzustellen. Dann treten sie in die Äquipotentiallinse 10 ein, bestehend aus einer ersten, geerdeten Elektrdoe 34, einer zweiten geerdeten Elektrode 36 und einer geladenen Elektrode 38, die sich zwischen diesen beiden geerdeten Elektroden befindet und dagegen abisoliert ist. Zwischen der Äquipotentiallinse 10 und dem Kondensator 12 sitzt die Blende 40.An ion source 26 is shown schematically in FIG. The source 26 can be from any suitable type, such as B. in the form of a vessel in which a noble glass by a continuous spark discharge is excited. Ions leave the source 26 through an opening 28 and are with the accelerator electrode 30 accelerated. They then pass through a set of baffles 32 which are controllably energized, to adjust the direction and position of the beam. Then they step into the equipotential lens 10 one consisting of a first, grounded electrode 34, a second grounded electrode 36 and one charged electrode 38, which is located between these two grounded electrodes and stripped against it is. The diaphragm 40 is seated between the equipotential lens 10 and the capacitor 12.
Der Kondensator 12 enthält innere und äußere kugelförmige gekrümmte Platten 42 bzw. 44, deren gegenüberliegenden Oberflächen um einen gemeinsamen Mittelpunkt gekrümmt sind. Die Platten 42 und 44 sind an geeigneten Lagern befestigt, wie z. B. an den dargestellten Befestigern 46 und durch die Isolierabstandss'ücke 48 davon isoliert. Die Ionen treten längs der Achse 20 aus dem Kondensator 12 aus und diejenigen mit gewählter Energie verlaufen auf herkömmliche Weise zwecks Modulation mittels irgendwelcher geeigneter Vorrichtungen durch eineThe capacitor 12 includes inner and outer spherical curved plates 42 and 44, respectively, whose opposite surfaces are curved about a common center point. The plates 42 and 44 are attached to suitable bearings, such as B. on the illustrated fasteners 46 and through the Isolierstangess'ücke 48 of them isolated. The ions exit the capacitor 12 along the axis 20 and those with chosen energy run in a conventional manner for the purpose of modulation by means of any suitable devices by a
IOIO
ι«,ι «,
ittsblende (njcht dargestellt).ittsblende (n j c ht shown).
c' 3 zeigt die Wirkung der Verwendung zweier - ' otentiaüinsen in Verbindung mit einer einzelnen fflfeldlinse 12'. Sowohl die Objekt- als auch die ■\A bene werden dabei näher an die Sektorfeldlinie 12' gebracht, als dies ohne die Äquipotentiallinsen der ''st und trotz allem besteht noch keine bemerkens-1 'zunähme der winkligen Büdabweichung des . m, ;m Vergleich zur winkligen Büdabweichung der S angewandten Sektorfeldlinse 12'. Ein weiterer Vorteil der Anwendung der vorhegen-Erfindung besteht darin, daß sie die Scharfeinstell me mit elektrischen Vorrichtungen gestattet, anstelle HerWüschen Bewegung der Ionenquelle in bezug auf H Sektorfeldlinie. Die optimale Scharfeinstellung kann Jf weiteres dadurch erzielt werden, daß das Brchungsvermögen der Äquipotentiallinse verstellt ird indem das Potential auf der Mittelelektrode so * ' eingestellt wird, bis die Objekt- oder Bildebene jec '3 shows the effect of using two otentiau lenses in conjunction with a single field lens 12'. Both the object and the ■ \ A bene there are 'placed than without the unipotential of' closer to the sector field line 12 st 'and in spite of everything, there is no remarkable one were to increase the angular Büdabweichung of'. m ,; In comparison to the angular deflection of the sector field lens 12 'used. Another advantage of using the present invention is that it allows focusing with electrical devices rather than scrambling to move the ion source with respect to the H sector field line. The optimal focus can be further achieved by adjusting the refractive power of the equipotential lens by adjusting the potential on the center electrode until the object or image plane is each
h Fall mit der tatsächlichen Position des Objekts · "der mit derjenigen der bildaufnehmenden Vorrichtung ausfluchtet.h case with the actual position of the object "which is aligned with that of the image receiving device.
Im Falle erfindungsgemäßer Systeme, die zur Scharfeinstellung in nur einer Koordinaten-Richtung angeordnet sind, wie dies z. B. der Fall ist bei einem in Reihe mit einer elektrischen Äquipotential-Schlitzlinse angeordneten gleichmäßigen Magnetsektor, ist die Raumwinkelaufnahme größer als diejenige des Sektorfeldes und zwar proportional im Verhältnis der Objektentfernung des Sektorfeldes allein zur Objektentfernung der Reihenschaltung.In the case of systems according to the invention which are used for focusing in only one coordinate direction are arranged, as z. B. is the case with an in The series with an electrical equipotential slit lens arranged uniform magnetic sector is the Solid angle recording greater than that of the sector field and proportionally in the ratio of Object distance of the sector field solely for the object distance of the series connection.
Bei Systemen, die zur Scharfeinstellung in zwei zueinander senkrechten Koordinatenrichtungen angeordnet sind, wie z. B. im System der F i g. 1 und 2, bestehend aus einem elektrischen Kugelkondensator und einer äquipotentialen, koaxialen Blendenlinse, ist die Raumwinkelaufnahme um das Quadrat des Verhältnisses der betreffenden Objektenentfernung größer, verglichen mit der Sektorlinse allein.In systems that are arranged for focusing in two mutually perpendicular coordinate directions are, such as B. in the system of FIG. 1 and 2, consisting of an electric spherical capacitor and an equipotential, coaxial diaphragm lens, the solid angle recording is around the square of the ratio the object distance in question is greater compared to the sector lens alone.
In allen Fällen jedoch ist die Abweichungszunahme im Vergleich zu denjenigen der Sektorfeldlinsen allein um eine Größenordnung kleiner als die Abweichungen der Sektorfeldlinse und folglich bei den meisten Anwendungen von keiner praktischen Auswirkung.In all cases, however, the deviation increase is compared to that of the sector field lenses alone an order of magnitude smaller than the deviations of the sector field lens and consequently for most of them Applications of no practical impact.
Die Größe des Primär-Ionenstrahls an seinem Auftreffmittelpunkt auf der Materialprobe bestimmt das Auflösungsvermögen des Analysator und dies kann im Vergleich mit dem bisher erzielten Auflösungsvermögen gestellt werden. Die durch das Spektrometer geschossenen Ionen werden einfach demoduliert und nicht zur Erzeugung eines vergrößerten lonenbildes der erregten Oberfläche der Materialprobe verwendet. Es können somit verhältnismäßig große Streuungen ohne ins Gewicht fallenden Verlust des Auflösungsvermögens im Spektrometer toleriert werden, so daß es möglich ist, ein Spektrometer mit einer großen Öffnung zu verwenden, womit ein verhältnismäßig großer Anteil sekundärer Ionen in das Spektrometer gerichtet und von diesem analysiert werden kann.This is determined by the size of the primary ion beam at its center of impact on the material sample Resolving power of the analyzer and this can be compared with the resolving power achieved up to now be asked. The ions shot through the spectrometer are simply demodulated and not for generating an enlarged ion image of the excited surface of the material sample is used. There can thus be relatively large spreads without significant loss of resolution be tolerated in the spectrometer, so it is possible to use a spectrometer with a large aperture to use, with which a relatively large proportion of secondary ions are directed into the spectrometer and can be analyzed from this.
Fig.2 zeigt die Ausführung einer sektorförmigen Feldlinse. Es bezeichnen hierbei die gleichen Zahlen die gleichen Teile. Hinter einer Strahlenquelle 26 ist eine Vorrichtung 32 zur Erzeugung von elektrischen Äquipotentialen vorgesehen. Mechanische Einstellmoglichkeiten über kugelgelagerte Linsen 34, 38 gestatten die Fortleitung des Strahls entlang der Mittellinie durch eine Eingangsöffnung 40 und zu inneren Begrenzungsflächen 42,44 der sektorförmigen FeldlinseFig.2 shows the execution of a sector-shaped Field lens. The same numbers denote the same parts. Behind a radiation source 26 is a Device 32 for generating electrical equipotentials is provided. Mechanical adjustment options Ball-bearing lenses 34, 38 allow the beam to be propagated along the center line through an entrance opening 40 and to inner boundary surfaces 42, 44 of the sector-shaped field lens
Das Gehäuse 46 dieser Linse umschließt die eigentliche Linse, die in Halterungen 48 gehalten wird.The housing 46 of this lens encloses the actual lens, which is held in holders 48.
Gemäß Fig.4 und 5 umfaßt ein Analysator eine Ionenquelle 110, die von irgendeiner erwünschten Art sein kann. Sie kann z. B. aus einem Gefäß bestehen, das eine Atmosphäre eines Edelgases, wie z. B. Argon, unter einem Druck von ein paar wenigen Mikron Quecksilbersäule enthält. Elektroden (nicht dargestellt) innerhalb des Gefäßes werden zur Erzeugung einer Niederspannungslichtbogenentladung durch das Gas zur Hervorbringung von Ionen erregt, wobei die positiven durch eine Öffnung 112 in einen verhältnismäßig hoch evakuierten Abschnitt des Analysator entweichen. Die Ionenquelle 110 wird passenderweise unter einem verhältnismäßig hohen positiven Potential gehalten, etwa 20 kV in bezug auf Erdung, und die Ionen werden über eine geerdete Beschleunigungselektrode 114 von der Öffnung 112 weg gegen eine Filtervorrichtung 116 > beschleunigt.Referring to Figures 4 and 5, an analyzer includes an ion source 110 which is of any desired type can be. You can z. B. consist of a vessel that contains an atmosphere of a noble gas, such as. B. argon, under a pressure of a few microns of mercury. Electrodes (not shown) within of the vessel are used to produce a low voltage arc discharge through the gas to produce excited by ions, the positive through an opening 112 in a relatively high evacuated section of the analyzer. The ion source 110 is conveniently located under a held a relatively high positive potential, about 20 kV with respect to ground, and the ions will via a grounded acceleration electrode 114 away from the opening 112 against a filter device 116 > accelerates.
Die von der Öffnung 112 ausgestrahlten Ionen enthalten keinen größeren Anteil der Ionen des Edelgases, aber zugleich auch einen geringen Anteil verunreinigter Ionen, die von Gasen herrühren, welche von den Wandungen des das Gas umgebenden Gefäßes sowie von Teilchen herrühren, die von den den Lichtbogen erzeugenden Elektroden abgesprüht werden. Zweck dieser Filtervorrichtung 116 ist es, die Fremdionen von den Ionen des Edelgases abzulenken ,ο und die Edelgasionen in wesentlicher reiner Form in einer Richtung gegen die zu analysierende Materialprobe 124 zu konzentrieren. Wie dargestellt, besteht der Filter 116 aus einem keilförmigen magnetischen Sektorfeld, dessen Symmetrieebene in der Ebene der (5 Zeichnung liegt und das sich gegen die Ionenquelle 110 verjüngt. Ein derartiges Feld stellt sich sowohl in der Symmetrieebene als auch in der Richtung senkrecht dazu scharf ein, so daß die erwünschten Ionen mit gewähltem Moment aus diesen längs parallelen Wegen austreten.The ions emitted from the opening 112 do not contain a major proportion of the ions of the Noble gas, but at the same time also a small proportion of contaminated ions that come from gases, which from the walls of the vessel surrounding the gas as well as from particles originating from the Arc-generating electrodes are sprayed. The purpose of this filter device 116 is the Divert foreign ions from the ions of the noble gas, ο and the noble gas ions in a substantially pure form in one direction towards the material sample 124 to be analyzed. As shown, the Filter 116 from a wedge-shaped magnetic sector field whose plane of symmetry is in the plane of the (5 drawing lies against the ion source 110 rejuvenates. Such a field arises both in the plane of symmetry and in the direction perpendicular sharply in addition, so that the desired ions with the selected moment from these longitudinally parallel paths step out.
Nachdem die Edelgasionen durch den Filter verlaufen sind, durchstreichen sie eine elektrische Äq.'ipotcntialünse 118. Diese Linse 118 erzeugt ein lonenbilcl IVs der Öffnung 112, das ungefähr um dasAfter the noble gas ions have passed through the filter, they pass through an electrical equi-potentiometric lens 118. This lens 118 generates an ion beam IVs of the opening 112 which extends approximately around the
4.s Zehnfache des Durchmessers verkleinert ist. Die Linse 118 kann auch als Kondensatoriinse bezeichnet werden. Ein Teil der von der Kondensatorlinse 118 austretenden Ionen wird von einer Objektivlinse 122 aufgenommen, die wie dargestellt, ebenfalls eine Äquipotentiallinse ist4.s is reduced ten times the diameter. The Lens 118 can also be referred to as a condenser lens. Some of the ions emerging from the condenser lens 118 are picked up by an objective lens 122, which, as shown, is also an equipotential lens
so und oft auf der Oberfläche der zu analysierenden Materialprobe 124 eine weitere Verkleinerung erzeugt. Der Ionenstrahl wird somit gereinigt und auf eine Stelle auf der Oberfläche der Materialprobe konzentriert, die ungefähr '/ioo des Durchmessers der lonenöffnung s> beträgt, so daß ζ. B. eine Fläche von ungefähr nur einem Mikron Durchmesser vom 'onenstrahl beschossen wird, wenn die Öffnung 112 ungefähr 0,1 mm Durchmesser hatso and often a further reduction is generated on the surface of the material sample 124 to be analyzed. The ion beam is thus cleaned and concentrated on a point on the surface of the material sample, which about 1/100 of the diameter of the ion opening s>, so that ζ. B. an area of approximately only one Micron diameter is bombarded by the ion beam when the opening 112 is approximately 0.1 mm in diameter Has
Oberhalb der Objeküvlinse 122 befindet sich ein do Ablenkplattenpaar 126 zur Ablenkung des Ionenstrahl in zwei Koordinatenrichtungen. Der Ionenstrahl kann somit eine ausgewählte Fläche der Materialprobe abtasten.Above the objective lens 122 there is a do deflection plate pair 126 for deflecting the ion beam in two coordinate directions. The ion beam can thus cover a selected area of the material sample scan.
Wo immer der Ionenstrahl auf die Materialprobe auftritt, werden Teilchen der Materialprobe von der Oberfläche absprühen. Diese Teilchen sind vorherrschend neutrale Atome entsprechend der Zusammensetzung der Materialprobe. Ein kleiner Bruchteil derWherever the ion beam hits the material sample, particles of the material sample are removed from the Spray the surface. These particles are predominantly neutral atoms according to the composition the material sample. A small fraction of the
abgespritzten Teilchen jedoch besteht aus positiven Ionen. Die Materialprobe wird unter einem positiven Potential gehalten, das typischerweise 2,5 kg/Volt in bezug zur Erdung (Erde) beträgt, so daß die ausgestrahlten posiiiven Ionen über die geerdete Elektrode 128 gegen ein Massenspektrometer beschleunigt werden, weiches im allgemeinen durch 130 gekennzeichnet ist. Auf Grund der geringen Größe der ionenausstrahlenden Stelle auf der Oberfläche der Materialprobe braucht man keinen Eintrittsschlitz für das Massenspektrometer.Hosed particles, however, consist of positive ions. The material sample is under a positive Potential held, which is typically 2.5 kg / volt with respect to ground (earth), so that the Emitted positive ions are accelerated via the grounded electrode 128 against a mass spectrometer generally indicated by 130. Due to the small size of the ion-emitting point on the surface of the material sample, there is no need for an entry slot the mass spectrometer.
Das Spektrometer 130 besitzt eine doppelte Scharfeinstellung, was besagt, daß das Spektrometer gleichzeitig sowohl eine Winkel- als auch eine Energiescharfeinstellung erzeugt. Es handelt sich um stigmatische Bilderzeugung, d. h., daß der GauBsche Bildpunkt oder der Bildpunkt erster Ordnung in der radialen Ebene (die Ebene der Krümmung des mittleren Teilchenwegs 136, die zugleich die Ebene der Zeichnung darstellt) mit dem Bildpunkt erster Ordnung auf der axialen Ebene (der Ebene durch den mittleren Teilchenweg am Bildpunkt, die senkrecht zur Radialebene verläuft) zusammenfällt. Das Spektrometer besitzt ebenfalls einen verhältnismäßig großen Aufnahmewinkel. Diese Merkmale tragen zu einem verhältnismäßig hohen lonenübertragungsfaktor bei, wodurch die Analyse eines verhältnismäßig großen Anteils der von der Materialprobe 124 ausgestrahlten Ionen ermöglicht und somit eine hohe Empfindlichkeit geschaffen wird.The spectrometer 130 has a double focus setting, which means that the spectrometer has both angular and energy focusing at the same time generated. It is stigmatic imaging; that is, the Gaussian pixel or the first order image point in the radial plane (the plane of curvature of the mean particle path 136, which also represents the plane of the drawing) with the image point of the first order on the axial plane (the Plane through the mean particle path at the image point, which runs perpendicular to the radial plane) coincides. The spectrometer also has a relatively large recording angle. These features contribute to a relatively high ion transfer factor, whereby the analysis of a relatively large Part of the ions emitted by the material sample 124 enables and thus a high sensitivity is created.
Das erste Bestandteil des Massenspektrometers 130 ist eine elektrische Äquipotentiallinse 132, die von der Beschleunigungselektrode 128 aus Ionen auf einen gekrümmten, ringförmigen Kondensator 134 richtet, worin der mittlere Teilchenweg 136 um einen Winkel von ungefähr 45° abgelenkt wird. Die Eintrittsöffnung des Kondensators 134 wird von einer Blende 135 definiert, die vorzugsweise einstellbar ist, um somit die Einstellung des Auflösungsvermögens und der Empfindlichkeit dieses Spektrometers zu gestatten. Der Kondensator 134 wirkt als Energiefilter, um die Ionen gemäß ihren betreffenden Energien abzulenken. Ionen mit Energien innerhalb eines ausgewählten Bereiches verlaufen dann durch eine Blende 138, den Energiewähler, der ebenfalls vorzugsweise verstellbar ist und nur den Ionen im ausgewählten Energiebereich den Zutritt in ein keilförmiges, magnetisches Sektorfeld 140 ermöglicht. Das magnetische Sektorfeld 140 lenkt die Ionen gemäß ihrer betreffenden Momente oder Massen ab und bewirkt eine Scharfeinstellung von Ionen einei gewählten Masse auf die Austrittsöffnung 142, deren Breite ebenfalls vorzugsweise verstellbar ist. Die Breite der Austrittsöffnung 142 bestimmt das Masseauflösungsvermögen des Spektrometers. Dieses Auflösungsvermögen wird ebenfalls von den Größen der Eintrittsöffnung in der Blende 135 und der der Wähleröffnung in der Blende 138 bestimmt. Während des Betriebes werden all diese öffnungen für gewöhnlich miteinander eingestellt, um ein maximales Auflösungsvermögen zu erreichen, das mit einer erwünschten Empfindlichkeit übereinstimmt. (>oThe first component of the mass spectrometer 130 is an electrical equipotential lens 132, which is used by the Aiming accelerating electrode 128 of ions onto a curved, ring-shaped capacitor 134, wherein the central particle path 136 is deflected through an angle of approximately 45 °. The entrance opening of the capacitor 134 is defined by a diaphragm 135, which is preferably adjustable so as to achieve the Adjust the resolution and sensitivity of this spectrometer. Of the Capacitor 134 acts as an energy filter to deflect the ions according to their respective energies. Ions with energies within a selected range then run through a diaphragm 138, the energy selector, which is also preferably adjustable and only gives access to ions in the selected energy range in a wedge-shaped, magnetic sector field 140 made possible. The magnetic sector field 140 directs the Ions according to their respective moments or masses and effects a focusing of ions selected mass on the outlet opening 142, the width of which is also preferably adjustable. The width the outlet opening 142 determines the mass resolution of the spectrometer. This resolving power is also dependent on the sizes of the Entrance opening in the diaphragm 135 and that of the selector opening in the diaphragm 138 are determined. While During operation, all of these openings are usually adjusted together in order to achieve maximum resolving power to achieve that is consistent with a desired sensitivity. (> o
Ionen, die durch die Austrittsöffnung 142 verlaufen, treffen auf den Empfänger 144 eines Sekundärelektronenverstärkers 146, der entsprechend der Intensität des beim Empfänger 144 ankommenden lonenstromes ein elektrisches Signal erzeugt. Dieses Signal kann auf <>s einem Meßinstrument wiedergegeben werden oder — wie dargestellt — wird vorzugsweise verstärkt und verwendet, um die Intensität des Elektronenstrahls eines Oszilloskopes 148 zu modulieren.Ions passing through the exit port 142, hit the receiver 144 of a secondary electron amplifier 146, which corresponds to the intensity of the the ion stream arriving at the receiver 144 generates an electrical signal. This signal can be sent to <> s a measuring instrument or - as shown - is preferably amplified and used to modulate the intensity of an oscilloscope 148 electron beam.
In der dargestellten Ausführungsform ist die Strahlablenkung des Oszilloskopen 148 mit der Ablenkung des primären Ionenstrahl in beiden Koordinatenrichtungen synchronisiert, so daß beim Abtasten einer ausgewählten Fläche der Materialprobe durch das beschießende lonenbündel der Bildschirm des Oszilloskopen ein vergrößertes Bild darstellen wird. Dieses vergrößerte Bild zeigt die Verteilung eines gewählten Elements oder eines Isotops auf der Oberfläche der Materialprobe, wobei Unterschiede in Konzentration von Punkt zu Punkt durch Helligkeitsunterschiede aufgezeigt werden. Das betreffende Element oder die Isotope werden durch passende Absstimmung des Massenspektrometers nach bekannten Grundlagen gewählt.In the illustrated embodiment, the beam deflection of the oscilloscope 148 corresponds to the deflection of the primary ion beam in both coordinate directions synchronized so that when a selected area of the material sample is scanned by the bombarding ion beam the oscilloscope screen will display an enlarged image. This enlarged Image shows the distribution of a selected element or an isotope on the surface of the material sample, differences in concentration from point to point are shown by differences in brightness. The element in question or the isotopes are determined by appropriate tuning of the mass spectrometer known bases chosen.
Zwischen der zweiten Beschleunigungselektrode 128 und dem Eingang zum Massenspektrometer 130 befindet sich vorzugsweise ein Nebensatz von Ablenkplatten 150, um das Auflösungsvermögen der Mikrosonde auf ein Höchstmaß zu erhöhen, und zwar durch Kompensierung der Auswirkung, die durch das Abtasten der Oberfläche der Materialprobe mittels des Beschießungsstrahls entsteht. Beim NichtVorhandensein von Neben-Ablenkplatten 150 wird sich der Bündelknoten des sekundären Ionenstrahl an der Austrittsöffnung 142 des Massenspektrometers bewegen, sowie der primäre oder Beschießungsstrahl die Materialprobenoberfläche abtastet, und es wäre notwendig, daß die Austrittsöffnung 142 genügend erweitert wird, um diese Bewegung zu ermöglichen. Eine Vergrößerung der Austrittsöffnung 142 würde das Massenauflösungsvermögen des Spektrometers verringern. Die Anbringung von Neben-Ablenkungsplatten 150 macht die Vergrößerung der Austrittsöffnung 142 hinfällig, da durch die synchrone Erregung der Neben-Ablenkplatten 150 und der primären Ablenkplatten 126 der Bündelknoten an der Austrittsöffnung 142 ruhig gehalten werden kann.Between the second acceleration electrode 128 and the input to the mass spectrometer 130 there is preferably a subordinate set of baffles 150 to increase the resolution of the microprobe to the maximum by offsetting the impact caused by the The surface of the material sample is scanned by means of the bombardment beam. When not there secondary baffles 150 will form the bundle knot of the secondary ion beam at the exit opening 142 of the mass spectrometer, as well as the primary or bombardment beam scans the material sample surface and it would be necessary that the Exit opening 142 is widened enough to allow this movement. An enlargement of the Exit aperture 142 would reduce the mass resolution of the spectrometer. The attachment of sub-baffles 150 makes the magnification the outlet opening 142 is obsolete, since the synchronous excitation of the secondary baffles 150 and With the primary baffles 126 the bundle knot at the exit port 142 can be kept steady.
Zur Erhöhung der lonenausstrahlung der Materialprobe 124 ist eine Elektronenschleuder 152 vorgesehen. Nur ein kleiner Bruchteil der von der Materialprobe in Erwiderung auf die lonenbeschießung abgespritzten Teilchen verlassen die Materialprobe 124 in einem ionisierten Zustand. Die meisten der abgespritzten Teilchen sind in Form von neutralen Atomen und Molekülen. Gemäß der Erfindung ist die Elektronenschleuder 152 seitlich gegen das lonenbündel versetzt und so angeordnet, um einen Elektronenstrahl auf die Fläche der unter Prüfung stehenden Materialprobe 124 zu richten. Durch geeignete Wahl der Größe des Elektronenstrahls, des Stroms und der Energie, die passenderweise getrennt für jeden der der Analyse unterworfenen Bestandteile durch Ausprobieren ermittelt werden, kann ein wesentlicher Anteil der versprühten neutralen Teilchen durch den Elektronenbeschuß ionisiert werden, womit die Menge der für die Analyse zur Verfügung stehenden Ionen weiter vermehrt wird.To increase the ion emission of the material sample 124, an electron gun 152 is provided. Only a small fraction of that from the material sample in Particles ejected in response to the ion bombardment leave the material sample 124 in one ionized state. Most of the particles hosed are in the form of neutral atoms and Molecules. According to the invention, the electron gun 152 is offset laterally with respect to the ion beam and arranged to direct an electron beam onto the surface of the material sample 124 under test to judge. By properly choosing the size of the electron beam, the current and the energy that appropriately determined separately for each of the components subjected to the analysis by trial and error can be, a substantial proportion of the neutral particles sprayed by the electron bombardment ionized, which further increases the amount of ions available for analysis.
Typische Betriebsspannungen (alle relativ zur Er dung) der verschiedenen Elemente der Mikrosonde sine in der Zeichnung angegeben. Diese Werte stellen be der Ausübung der Erfindung keine beschränkender Faktoren dar, sondern wurden als innerhalb optimale! Bereiche für eine Ionenmikrosonde liegend gefunden, ii der die verschiedenen Elemente folgende, betreffende angenäherte Abmessungen und Abstände haben:Typical operating voltages (all relative to the earth) of the various elements of the microprobe sine indicated in the drawing. These values are not intended to be more restrictive in practicing the invention Factors, but were considered within optimal! Areas for an ion microprobe found lying flat, ii which the various elements have the following approximate dimensions and clearances:
Entfernung von der lonenauslaßöffnung 112 zum Filter 116:
Mittlerer Krümmungsradius des mitt-Distance from the ion outlet opening 112 to the filter 116:
Mean radius of curvature of the middle
127 mm127 mm
leren Ionenweges durch den Filter 116:
Abstand zwischen den betreffenden Mittelelektroden der Äquipotentiallinsen 118 und 126:
Abstand zwischen den Mittelelektroden der zweiten Äquipotentiallinse 126 und der Materialprobe 124:
Mittlerer Krümmungsradius des Kugelkondensators 134: Die Einlaßöffnung 135 und die Wähler-ler ion path through the filter 116: distance between the relevant center electrodes of the equipotential lenses 118 and 126:
Distance between the center electrodes of the second equipotential lens 126 and the material sample 124: Average radius of curvature of the spherical capacitor 134: The inlet opening 135 and the selector
88th
Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings
Claims (1)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US49449065A | 1965-10-11 | 1965-10-11 | |
| US49437865A | 1965-10-11 | 1965-10-11 | |
| US49438865A | 1965-10-11 | 1965-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1798021A1 DE1798021A1 (en) | 1971-08-26 |
| DE1798021B2 true DE1798021B2 (en) | 1977-10-20 |
Family
ID=27413976
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1539660A Expired DE1539660C3 (en) | 1965-10-11 | 1966-10-11 | Device for imaging and analyzing ions |
| DE19661798021 Pending DE1798021B2 (en) | 1965-10-11 | 1966-10-11 | DEVICE FOR CONFIRMING A PRIMARY ION BEAM FROM A MICROANALYZER |
| DE1966A0053727 Granted DE1539659B2 (en) | 1965-10-11 | 1966-10-11 | STIGMATIC IMAGING SYSTEM FOR A DOUBLE FOCUSING MASS SPECTROMETER |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1539660A Expired DE1539660C3 (en) | 1965-10-11 | 1966-10-11 | Device for imaging and analyzing ions |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1966A0053727 Granted DE1539659B2 (en) | 1965-10-11 | 1966-10-11 | STIGMATIC IMAGING SYSTEM FOR A DOUBLE FOCUSING MASS SPECTROMETER |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US3517191A (en) |
| DE (3) | DE1539660C3 (en) |
| FR (1) | FR1508152A (en) |
| GB (1) | GB1145107A (en) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3610921A (en) * | 1968-05-01 | 1971-10-05 | Perkin Elmer Corp | Metastable mass analysis |
| JPS4833903B1 (en) * | 1969-04-08 | 1973-10-17 | ||
| JPS5034439B1 (en) * | 1969-05-16 | 1975-11-08 | ||
| JPS5036397B1 (en) * | 1969-07-11 | 1975-11-25 | ||
| DE1937482C3 (en) * | 1969-07-23 | 1974-10-10 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Microbeam probe |
| BE758925A (en) * | 1969-11-14 | 1971-04-16 | Bayer Ag | METHOD FOR THE ANALYSIS OF SOLID BODY SURFACES BY MASS SPECTROMETRY |
| FR2087652A5 (en) * | 1970-05-27 | 1971-12-31 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | |
| DE2031811B2 (en) * | 1970-06-26 | 1980-09-25 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Double focusing stigmatic imaging mass spectrometer |
| US3659236A (en) * | 1970-08-05 | 1972-04-25 | Us Air Force | Inhomogeneity variable magnetic field magnet |
| US3842269A (en) * | 1971-10-05 | 1974-10-15 | Max Planck Gesellschaft | Mass spectrometer of high detection efficiency |
| US3930155A (en) * | 1973-01-19 | 1975-12-30 | Hitachi Ltd | Ion microprobe analyser |
| US4100409A (en) * | 1973-02-02 | 1978-07-11 | U.S. Phillips Corporation | Device for analyzing a surface layer by means of ion scattering |
| JPS5015594A (en) * | 1973-06-08 | 1975-02-19 | ||
| US3878392A (en) * | 1973-12-17 | 1975-04-15 | Etec Corp | Specimen analysis with ion and electrom beams |
| US3916191A (en) * | 1974-03-01 | 1975-10-28 | Minnesota Mining & Mfg | Imaging apparatus and method for use with ion scattering spectrometer |
| US4107527A (en) * | 1977-07-13 | 1978-08-15 | Valentin Tikhonovich Cherepin | Ion-emission microanalyzer microscope |
| AT353519B (en) * | 1978-03-07 | 1979-11-26 | Oesterr Studien Atomenergie | DEVICE FOR CONCENTRATING THE PRIMAERION BEAM |
| JPS5917500B2 (en) * | 1981-03-18 | 1984-04-21 | 株式会社東芝 | Neutral particle detection device |
| US4847504A (en) * | 1983-08-15 | 1989-07-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for ion implantation |
| DE3403254A1 (en) * | 1984-01-31 | 1985-08-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | METHOD AND DEVICE FOR COMPENSATING CHARGES IN SECONDARY ISSUE MASS SPECTROMETRY (SIMS) ELECTRICALLY BAD CONDUCTING SAMPLES |
| FR2575597B1 (en) * | 1984-12-28 | 1987-03-20 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | APPARATUS FOR VERY HIGH RESOLUTION ION MICROANALYSIS OF A SOLID SAMPLE |
| GB8703012D0 (en) * | 1987-02-10 | 1987-03-18 | Vg Instr Group | Secondary ion mass spectrometer |
| US4843239A (en) * | 1987-05-18 | 1989-06-27 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wisserschaften E.V. | Compact double focussing mass spectrometer |
| NL8701871A (en) * | 1987-08-10 | 1989-03-01 | Philips Nv | LOADED PARTICLE DEVICE WITH BUNDLE MIXER. |
| FR2624610B1 (en) * | 1987-12-11 | 1990-03-30 | Cameca | TIME-OF-FLIGHT, CONTINUOUSLY SCAN ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD |
| US4800273A (en) * | 1988-01-07 | 1989-01-24 | Phillips Bradway F | Secondary ion mass spectrometer |
| GB8812940D0 (en) * | 1988-06-01 | 1988-07-06 | Vg Instr Group | Mass spectrometer |
| US5220167A (en) * | 1991-09-27 | 1993-06-15 | Carnegie Institution Of Washington | Multiple ion multiplier detector for use in a mass spectrometer |
| GB2269934B (en) * | 1992-08-19 | 1996-03-27 | Toshiba Cambridge Res Center | Spectrometer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3103584A (en) * | 1963-09-10 | Electron microanalyzer system | ||
| US2772363A (en) * | 1952-03-21 | 1956-11-27 | Cons Electrodynamics Corp | Method and apparatus for ionization of solids |
| US2947868A (en) * | 1959-07-27 | 1960-08-02 | Geophysics Corp Of America | Mass spectrometer |
| US3061720A (en) * | 1960-02-29 | 1962-10-30 | Ewald Heinz | Spectrograph |
| FR1352167A (en) * | 1962-11-28 | 1964-02-14 | Ct Nat De La Rech Scient Et Cs | New device for microanalysis by secondary ionic emission |
-
1965
- 1965-10-11 US US494388A patent/US3517191A/en not_active Expired - Lifetime
- 1965-10-11 US US494378A patent/US3445650A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-10-04 GB GB44183/66A patent/GB1145107A/en not_active Expired
- 1966-10-11 DE DE1539660A patent/DE1539660C3/en not_active Expired
- 1966-10-11 DE DE19661798021 patent/DE1798021B2/en active Pending
- 1966-10-11 DE DE1966A0053727 patent/DE1539659B2/en active Granted
- 1966-10-11 FR FR79474A patent/FR1508152A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3517191A (en) | 1970-06-23 |
| DE1539660A1 (en) | 1970-04-09 |
| DE1798021A1 (en) | 1971-08-26 |
| US3445650A (en) | 1969-05-20 |
| GB1145107A (en) | 1969-03-12 |
| FR1508152A (en) | 1968-01-05 |
| DE1539659A1 (en) | 1969-12-18 |
| DE1539660C3 (en) | 1978-06-01 |
| DE1539659B2 (en) | 1977-07-07 |
| DE1539660B2 (en) | 1977-09-22 |
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