DE3136696C2

DE3136696C2 - Oszillatorschaltung

Info

Publication number: DE3136696C2
Application number: DE19813136696
Authority: DE
Inventors: Siegfried Ing.(grad.) 8500 Nürnberg Renninger; Hans Robert Dipl.-Ing. Schemmel
Original assignee: Felten & Guilleaume Fernmeldeanlagen 8500 Nuernberg De GmbH; Felten & Guilleaume Fernmeldeanlagen 8500 Nuernberg GmbH
Current assignee: Felten and Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH
Priority date: 1981-09-16
Filing date: 1981-09-16
Publication date: 1985-04-25
Also published as: DE3136696A1

Abstract

Bei der Oszillatorschaltung ist ein Serienschwingkreis mit dem Eingang eines ersten und dem Ausgang eines zweiten Verstärkers verbunden. Zwischen den Ausgang des ersten Verstärkers und den Eingang des zweiten Verstärkers ist ein RC-Bandpaß geschaltet. Der Eingangswiderstand des ersten Verstärkers und der Ausgangswiderstand des zweiten Verstärkers sind klein, während der Eingangswiderstand des zweiten Verstärkers und der Ausgangswiderstand des ersten Verstärkers groß sind.

Description

— daß der Bandpaß aus der ersten Kapazität (C2) und einem dritten Widerstand (R 2) besteht, über den die Basen beider Transistoren miteinander verbunden sind, sowie aus der Parallelschaltung eines vierten Widerstandes (R 1) und einer zweiten Kapazität (Cl), durch die der Kollektor des ersten Transistors (Tl) mit dem zweiten Pol (+ Up) der Versorgungsspannungsquelle verbunden ist,

— daß die Basis des ersten Transistors (Tl) über eine Dkvie (D) mit Bezugspotential verbunden ist,

— daß die Ausgangsspannung (U_A) zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (T2) und Bezugspotential anliegt.

Die Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung, bei der der Emitter eines ersten, in Basisschaltung betriebenen Transistors über einen Schwingquarz mit dem Emitter eines zweiten, in Emitterschaltung betriebenen Transistors verbunden ist, bei der der Emitter des ersten Transistors über einen ersten hochohmigen Widerstand und der Emitter des zweiten Transistors über einen zweiten hochohmigen Widerstand mit dem ersten Pol einer Versorgungsspannungsquelle verbunden sind, bei der der Kollektor des ersten Transistors über eine erste Kapazität an die Basis des zweiten Transistors gekoppelt ist und bei der zwischen dem Ausgang des ersten Transistors und dem Eingang des zweiten Transistors ein Bandpaß angeordnet ist

Eine derartige Oszillatorschaltung ist aus der DE-AS 15 91 740 bekannt. Bei der bekannten Anordnung wird als Bandpaß, der für eine selektive Verstärkung nur einer Schwingung des Schwingquarzes sorgt, ein LC-Schwingkreis eingesetzt. Der Einsatz einer Induktivität ist jedoch kostenaufwendig.

Schließlich kann die bekannte Anordnung nicht unmittelbar an eine IC-Teilerschaltung angeschlossen werden. Zwischen der bekannten Oszillatorschaltung und einer IC-Teilerschaltung müßte eine Impulsformerstufe eingefügt werden.

Aus der GB-PS 12 82 853 ist eine Oszillatorschaltung mit vier Transistoren bekannt, bei der der Emitter eines ersten und der Emitter eines zweiten Transistors über einen Serienresonanzkreis miteinander gekoppelt sind.

Die Basis des ersten Transistors wird mit einer Zener-Diode auf festem Potential gehalten; außerdem ist der Kollektor des ersten Transistors über eine Kapazität an die Basis eines dritten Transistors gekoppelt In der Figur der GB-PS 12 82 853 ist eine Verbindung zwischen der Basis des ersten und der des zweiten Transistors über einen Widerstand eingetragen.

Auch'bei dieser Oszillatorschaltung müßte eine Impulsformerstufe eingesetzt werden, wollte man mit ihr

ίο eine IC-Teilerschaltung betreiben. -

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine möglichst einfache und kostengünstige Oszillatorschaltung der eingangs genannten Art anzugeben, die unmittelbar an eine IC-Teilerschaltung angeschlossen v.· erden kann.

Diese Aufgabe wird durch die Maßnahmen gelöst, die dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches zu entnehmen sind.

Die Figur zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfin-

dung, das nun erläutert wird.

Der negative Po! ^ i/p einer Vsrsorgungsspannungsquelle ist über einen hochohmigen Widerstand R 5 mit dem Emitter eines ersten Transistors Tl und einem Anschluß eines Schwingquarzes S verbunden. Ober einen weiteren hochohmigen Widerstand R 6 ist der negativei*bl — i/pder^Versorgungsspannungsquelle mit dem

. Emitter eines zweiter. Transistors T2 und mit dem zweiten Anschluß des Schwingquarzes verbunden.
Der Kollektor des Transistors Tl ist über eine Paralleischaltung aus einem Widerstand R I und einer Kapazität CI mit dem positivem Pol + Up der Versorgungsspannungsquelle und über eine Kapapzität C2 mit der Basis des Transistors T2 verbunden. Die Basis des Transistors Ti ist über einen Widerstand R 2 mit der Basis des Transistors 72 verbunden. Der positive Pol + Up der Versorgungsspannungsquelle ist über einen Widerstand R4 mit der Basis des Transistors Ti verbunden, die über eine Diode an Bezugspotential liegt Die Diode D und der Widerstand R 4 dienen dc<r Arbeitspunktein-Stellung. Über einen Widerstand R 3 ist der positive Pol + Up der Versorgungsspannungsquelle mit dem Kollektor des Transistors T2 verbunden. Die Ausgangsspannung Ua liegt zwischen dem Kollektor des Transistors T2 und Bezugspotential.

Die Basisschaltung des Transistors Tl bildet einen ersten Verstärker, während ein zweiter Verstärker aus dem Transistor T2 gebildet wird. Der niederohmige Emitterausgang des Transistors T2 treibt über den Schwingquarz 5 den Transistor Ti in Basisschaltung,

so deren Eingangswiderstand ebenfalls klein ist.

Zwischen dem Ausgang der Basisschaltung des Transistors Ti und dem Eingang der Emitterschaltung des Transistors T2 liegt ein /?C-Bandpaß, der aus den Widerständen R I und R 2 sowie aus den Kapazitäten CI und C 2 gebildet wird. Weil sowohl der Ausgangswiderstand der Basisschaltung als auch der Eingangswiderstand der Emitterschaltung groß sind, ist der /?C-Bandpaß auf beiden Seiten hochohmig abgeschlossen. Die Mittenfrequenz des RC-Bandpaßes bestimmt die Schwingfrequenz der Schaltungsanordnung. Sie ist so gewählt, daß sie der Resonanzfrequenz des Schwingquarzes oder ganzzahligen vielfachen davon entspricht. Dadurch werden störende Schwingungen bei höheren und tieferen Frequenzen als der gewünschten Frequenz vermieden. Weil sich am Kollektor des Transistors T2 ein großer Ausgangshub erzielen läßt, ist die direkte Ansteuerung nachgeschalteter IC-Teilerschaltungen möglich.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentanspruch:

Osziliatorschaltung. bei der der Emitter eines ersten, in Basisschaltung betriebenen Transistors (Ti) über einen Schwingquarz (S) mit dem Emitter eines zweiten, in Emitterschaltung betriebenen Transistors (T2) verbunden ist, bei der der Emitter des ersten Transistors (Ti) über einen ersten hochohmigen Widerstand (R 5) und der Emitter des zweiten Transistors (TT) über einen zweiten hochohmigen Widerstand (R 6) mit dem ersten Pol (— U_P) einer Versorgungsspannungsquelle verbunden sind, bei der der Kollektor des ersten Transistors (Ti) über eine erste Kapazität (C2) an die Basis des zweiten Transistors gekoppelt ist, bei der zwischen dem Ausgang des ersten Transistors (Ti) und dem Eingang des zweiten Transistors ein Bandpaß angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet,