DE3134877C1 - Identification unit for user terminals - Google Patents

Identification unit for user terminals

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DE3134877C1
DE3134877C1 DE19813134877 DE3134877A DE3134877C1 DE 3134877 C1 DE3134877 C1 DE 3134877C1 DE 19813134877 DE19813134877 DE 19813134877 DE 3134877 A DE3134877 A DE 3134877A DE 3134877 C1 DE3134877 C1 DE 3134877C1
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DE19813134877
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German (de)
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Klaus 1000 Berlin Hornburg
Karl Schramm
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ADC GmbH
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Krone GmbH
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00Current supply arrangements for telephone systems
    • H04M19/08Current supply arrangements for telephone systems with current supply sources at the substations

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
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Abstract

The identification unit is identified by the exchange as being of low impedance independently of polarity by means of two normally conducting bipolar field-effect transistors (FET1, FET2) connected in series with an identification resistor (R1) with the identification current connected, and is switched to be of high impedance when the feed current is switched on.

Description

Alle Zenerdioden D 1 bis D 6 sind während des Identifizierens unwirksam, so daß die Feldeffekttransi- All Zener diodes D 1 to D 6 are ineffective during identification, so that the field effect transi-

storen FET1 bis FET4 auf Grund der geringen Spannung leitend werden.interfere FET1 to FET4 become conductive due to the low voltage.

Für den Widerstandswert der Identifizierung ist nur der ldentifizierungswiderstand R í bestimmend, da die ON-Widerstände der Feldeffekttransistoren FET1 bis FET4 zu vernachlässigen sind. For the resistance value of the identification, only the identification resistance is used R í determining, since the ON resistances of the field effect transistors FET1 to FET4 increase neglect.

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Claims (3)

Patentanspruch: Identifiziereinheit als Zweipol für Teilnehmerendeinrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß - unabhängig von der Polarität der Anschlußklemmen (a, b) - mittels zweier selbstleitender bipolarer Feldeffekttransistoren (FET1, FET2) in Serienschaltung zu einem Identifizierungswiderstand (R 1) die Schaltungsanordnung der Identifiziereinheit (1) bei angeschaltetem ldentifizierungsstrom von der Vermittlungsstelle als niederohmig erkannt wird und sich bei angeschaltetem Speisestrom durch die Anordnung von zwei für den Steuerstrom der Feldeffekttransistoren (FET 1, FET2) erforderlichen Zenerdioden (D 1, D 2) entsprechend der Polarität hochohmig schaltet, wobei der Spannungswert der Zenerdioden (D 1, D 2) kleiner bemessen ist als der Spannungswert der für den Überspannungsschutz und die Potentialfestlegung der Feldeffekttransistoren (FET1, FET2) zuständigen Zenerdioden (D3, D4), von denen die entsprechend der Polarität mit ihrer Zenerspannung wirksame Zenerdiode durch den parallelgeschalteten Feldeffekttransistor (FET3 oder FET4) freigeschaltet wird, für dessen Steuerstrom der an seinem Gate angeschlossene Widerstand (R 2 oder R 3) zuständig ist und dessen Überspannungsschutz die diesem Widerstand zugeordnete Zenerdiode (D5 oder D6) übernimmt, die Zenerspannungen aller Zenerdioden (D 1 - D 6) während des Identifizierens unwirksam und alle Feldeffekttransistoren (FET1-FET4) auf Grund der geringen Spannung leitend werden, so daß nur der ldentifizierungswiderstand (R 1) den vorgegebenen Widerstandswert der Identifizierung festlegt. Claim: identification unit as a two-pole terminal for subscriber terminals, characterized in that - regardless of the polarity of the connection terminals (a, b) - by means of two self-conducting bipolar field effect transistors (FET1, FET2) the circuit arrangement in series with an identification resistor (R 1) the identification unit (1) with the identification current from the exchange switched on is recognized as low resistance and when the supply current is switched on by the arrangement of two required for the control current of the field effect transistors (FET 1, FET2) Zener diodes (D 1, D 2) switches to high resistance according to the polarity, the The voltage value of the Zener diodes (D 1, D 2) is smaller than the voltage value that for overvoltage protection and the determination of the potential of the field effect transistors (FET1, FET2) responsible Zener diodes (D3, D4), of which the corresponding polarity with its Zener voltage effective Zener diode through the field effect transistor connected in parallel (FET3 or FET4) is enabled, for whose control current the one at its gate connected resistor (R 2 or R 3) is responsible and its overvoltage protection the zener diode (D5 or D6) assigned to this resistor takes over the zener voltages all Zener diodes (D 1 - D 6) ineffective during the identification and all field effect transistors (FET1-FET4) become conductive due to the low voltage, so that only the identification resistor (R 1) defines the specified resistance value of the identification. Die Erfindung betrifft eine Identifiziereinheit als Zweipol für Teilnehmerendeinrichtungen. The invention relates to a two-terminal identification unit for subscriber terminals. Teilnehmereinrichtungen müssen unabhängig von der auf der Anschlußleitung herrschenden Polarität der Speisespannung arbeiten. Subscriber facilities must be independent of the one on the connection line prevailing polarity of the supply voltage. Dies läßt sich in bekannter Weise durch eine Gleichrichterbrücke lösen. This can be done in a known manner by means of a rectifier bridge to solve. Bei modernen elektronischen Vermittlungs- und Vorfeldeinrichtungen treten aber Probleme auf, wenn diese Brücke direkt zwischen der a- und der b-Ader angeordnet ist. With modern electronic switching and apron equipment but problems arise when this bridge is directly between the a- and the b-wire is arranged. Ursache hierfür ist, daß bei diesen Einrichtungen vor dem Zuteilen der normalen Speisung ein Anreizzustand (Identifizieren) vorausgeht. The reason for this is that with these facilities before the allocation the normal supply is preceded by an incentive state (identification). Hierfür darf der Widerstand der Endeinrichtung bei einem vorgegebenen Strom einen bestimmten Widerstandswert nicht überschreiten. For this, the resistance of the terminal device may be a specified Current do not exceed a certain resistance value. Bei vielen Vermittlungseinrichtungen sind nun die Vorgaben derart, daß an der Endeinrichtung nur eine Spannung kleiner als die Flußspannung einer Siliziumdiode anliegen darf (z. B. RAPP ~ 3,2kOhm bei 120 uA 384 mV). Diese Forderung kann also mit einer zentral angeordneten Brücke nicht eingehalten werden, weil mindestens zwei Dioden-Flußspannungen anstehen. For many switching facilities, the specifications are now such, that at the terminal device only a voltage smaller than the forward voltage of a silicon diode may be present (e.g. RAPP ~ 3.2kOhm at 120 uA 384 mV). So this requirement can are not complied with with a centrally arranged bridge because at least two diode forward voltages are present. Bisher war es üblich, daß jede Baugruppe der Endeinrichtung (wie z. B. Tastenwahlblock, Sprechkapsel Ts, Hörverstärker usw.) einen eigenen Verpolungsschutz hat und damit immer ein rein ohmscher Gleichstrompfad über die Übertragerwicklungen und den Nachbildwiderstand vorhanden war. Dieser Widerstand ist stromunabhängig und erfüllt die Widerstandsforderungen bezüglich des Anreizzustandes. Nachteilig ist der hohe Aufwand von je einer Gleichrichterbrücke pro Baugruppe. Ferner ist dieser Weg bei neuen aktiven Sprechschaltungen nicht mehr möglich. Up to now it has been customary for each module of the terminal equipment (such as z. B. keypad, speech capsule Ts, hearing amplifier, etc.) its own reverse polarity protection and thus always a purely ohmic direct current path through the transformer windings and the afterimage resistance was present. This resistance is independent of the current and meets the resistance requirements with regard to the incentive status. Disadvantageous is the high cost of one rectifier bridge per module. Furthermore is this way is no longer possible with new active speech circuits. Hier ist eine zentrale Gleichrichterbrücke zwingend notwendig. A central rectifier bridge is absolutely necessary here. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine ldentifizierungseinrichtung zu schaffen, die mit einer zentral angeordneten Brücke arbeitet. The invention is based on the object of an identification device to create that works with a centrally located bridge. Durch die Erfindung werden die folgenden drei Bedingungen erfüllt: 1. Die Einrichtung wird im Anreizzustand (Identifizierungsstrorr.) niederohmig. The invention fulfills the following three conditions: 1. The device has a low resistance in the stimulus state (identification current). 2. Im Sprechzustand hält sie die Bedingungen der Einfügungsdämpfungsvorschrift ein.2. In the speaking state, it maintains the conditions of the insertion loss rule a. 3. Während- -des nsi-Wahlimpulsesvwird der Sperrwiderstand des IWV-(Impulswahlverfahren)Tastenblockes nicht beeinträchtigt.3. During the nsi dialing pulse, the blocking resistance of the IWV (pulse dialing method) keypad is turned off not affected. Durch die Erfüllung dieser Bedingungen ist die Identifiziereinhe;t in vorteilhafter Weise als zweipoliges Bauelement integrationsfähig und kann in allen Teilnehmerendeinrichtungen angewandt werden. By fulfilling these conditions, the identification unit is; t advantageously integrable as a two-pole component and can be used in applied to all subscriber terminals. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Patentanspruch gekennzeichneten Merkmale gelöst. According to the invention, the object is characterized by what is stated in the patent claim Features solved. Die komplette Schaltungsanordnung der Identifiziereinheit wird so im Sprech- und Wählzustand extrem hochohmig, wodurch sowohl die Werte der Einfügungsdämpfung als auch die des Sperrwiderstandes eingehalten werden. The complete circuit arrangement of the identification unit will be like this extremely high impedance in the speaking and dialing states, reducing both the values of the insertion loss as well as that of the blocking resistance are complied with. Während des ldentifizierungsvorganges stellt sich ein definierter Widerstand ein, der fast ausschließlich durch den ldentifizierungswiderstand bestimmt wird. During the identification process, a defined Resistance, which is determined almost exclusively by the identification resistance will. Die Erfindung soll anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. The invention is based on the embodiment shown in the drawing are explained in more detail. Die Figur zeigt die Schaltungsanordnung der Identifiziereinheit nach der Erfindung. The figure shows the circuit arrangement of the identification unit the invention. Das Ausführungsbeispiel nach der Figur zeigt die Identifiziereinheit 1 als Zweipol. The embodiment according to the figure shows the identification unit 1 as a two-pole. Mittels zweier selbstleitender bipolarer Feldeffekttransistoren FET1, FET2 in Serienschaltung zu einem Identifizierungswiderstand R 1 wird die Identifiziereinheit 1 bei angeschaltetem Identifizierungsstrom von der Vermittlungsstelle als niederohmig erkannt. By means of two self-conducting bipolar field effect transistors FET1, FET2 in series with an identification resistor R 1 becomes the identification unit 1 when the identification current from the exchange is switched on as low-resistance recognized. Bei eingeschaltetem Speisestrom schaltet sich die Identifiziereinheit 1 durch die Anordnung von zwei für den Steuerstrom der Feldeffekttransistoren FET1, FET2 erforderlichen Zenerdioden D1, D 2 entsprechend der Polarität hochohmig. When the supply current is switched on, the identification unit switches itself on 1 by the arrangement of two for the control current of the field effect transistors FET1, FET2 required Zener diodes D1, D 2 according to the polarity high resistance. Hierbei ist der Spannungswert der Zenerdioden D 1, D 2 kleiner bemessen als der Spannungswert der für den Überspannungsschutz und die Potentialfestlegung der Feldeffekttransistoren FET1, FET2 zuständigen Zenerdioden D3, D 4. Here, the voltage value of the Zener diodes D 1, D 2 is dimensioned to be smaller than the voltage value for the overvoltage protection and the potential definition of the field effect transistors FET1, FET2 responsible Zener diodes D3, D 4. Die entsprechend der Polarität mit ihrer Zenerspannung wirksame Diode D 3 oder D 4 wird durch den parallel geschalteten Feldeffekttransistor FET3 oder FET4 freigeschaltet, für dessen Steuerstrom der zu seinem Gate angeschlossene Widerstand R 2 oder R 3 zuständig ist und dessen Überspannungsschutz die diesem Widerstand zugeordnete Zenerdiode D 5 oder D 6 übernimmt. The effective diode with its Zener voltage according to the polarity D 3 or D 4 is through the parallel connected field effect transistor FET3 or FET4 enabled, for its control current the resistor connected to its gate R 2 or R 3 is responsible and its overvoltage protection is responsible for this resistor assigned Zener diode D 5 or D 6 takes over.
DE19813134877 1981-09-03 1981-09-03 Identification unit for user terminals Expired DE3134877C1 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3313089A1 (en) * 1983-04-12 1984-10-18 Deutsche Fernsprecher Gesellschaft Mbh Marburg, 3550 Marburg Circuit arrangement for reducing the stimulus resistance of telephone sets

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NICHTS-ERMITTELT *

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3313089A1 (en) * 1983-04-12 1984-10-18 Deutsche Fernsprecher Gesellschaft Mbh Marburg, 3550 Marburg Circuit arrangement for reducing the stimulus resistance of telephone sets

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