DE3103852A1 - POWER AMPLIFIER - Google Patents

POWER AMPLIFIER

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DE3103852A1
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Teruji Fujisawa Mochizuki
Minoru Yokohama Ooishi
Yutaka Yokohama Suzuki
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/305Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply

Description

PATENTANWÄLTE FW. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GLOSSE · F. POLLV-FIERPATENTANWÄLTE FW. HEMMERICH GERD MÜLLER D. GLOSSE F. POLLV-FIER

73 * 7 U - bh -73 * 7 U - bh -

Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, 72 Horikawacho9 Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken (Japan)Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, 72 Horikawacho 9 Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken (Japan)

Lei stu ηgsverstärker Power amplification r

Diese Erfindung befaßt sich mit einem Leistungsverstärker, sie befaßt sich insbesondere aber mit einem solchen Leistungsverstärker, der eine Geräuschsperrschaltung oder Durchstimmschaltung aufzuweisen hat, die dann wirksam wird und arbeitet, wenn ein außergewöhnlich starkes Signal auf geschaltet wird.This invention is concerned with a power amplifier, however, it is concerned in particular with such a power amplifier, which has a noise suppression circuit or has to have a tuning circuit, which then takes effect and works when an exceptionally strong signal is switched on.

Eines der mit der Konstruktion und dem Bau von transistorbestückten Leistungsverstärkern verbundenen Probleme besteht darin, daß sofort nach dem Einschalten und Inbetriebnahmen des LeistungsVerstärkers ein Stoßstrom mit einer extrem großen Amplitude durch die Leistungstransistoren fließt, wobei als Folge davon im Verbraucher ein Geräusch oder sonstige unerwünschte Phänomene auftreten können, wobei.manchmal sogar die Leistungstransistoren und der Verbraucher zerstört werden können.One of those with the design and construction of transistor-populated Problems associated with power amplifiers is that they are instantly turned on and commissioning of the power amplifier a surge current with an extremely large amplitude flows through the power transistors, with as a result of which a noise or other undesirable phenomena can occur in the consumer, sometimes even the power transistors and the consumer can be destroyed.

Die Verwendung von Abstimmschaltungen/Geräuschsperrschaltungen, mit denen das Auftreten von Geräuschen und unerwünschten Phänomeneil sowie die Zerstörung der Leistungstransistoren und des Verbrauchers verhindert werden sollen, ist im Fachbereich des Leistungsverstärkerbaues allgemein bekannt. Ein Abschwächen oder eine Geräuschsperre wird dadurch erreicht, daß in den Strompfad eines vor dem Leistungstransistor angeordneten Verstärkungstransistors ein elektronischer Schalter eingesetzt wird. Bei den bisher bekannten Konstruktionen und Auführungen schaltet der elektronische Schalterden Verstärkungstran-The use of voting circuits / noise blocking circuits, with which the occurrence of noises and undesirable phenomena part as well as the destruction the power transistors and the consumer are to be prevented, is in the field of power amplifier construction well known. A weakening or a noise barrier is achieved by that in the current path of an amplifying transistor arranged in front of the power transistor electronic switch is used. In the previously known constructions and performances switches the electronic switch the amplification

13Ü067/052S13Ü067 / 052S

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH - GEFiD MÜLLEN · D. GHOSGc · F. POLL'/'FIER 7^PATENTANWÄLTE FW HEMMERICH - GEFiD MÜLLEN · D. GHOSGc · F. POLL '/' FIER 7 ^

- bn -- bn -

sistor jedoch nicht vollständig ab, so daß dann, wenn ein starkes Signal aufgeschaltet wird, -ein Teil des Eingangssignales durch den Verstärkungstransistor zum Leistungstransistor geführt wird und - zwar nicht ganz so stark, wie dies ohne elektronischen Regelschalter der Fall ist - Geräusche und andere Phänomene aufkommen läßt.However, the sistor does not turn off completely, so that when a strong signal is applied, -on Part of the input signal is passed through the amplification transistor to the power transistor and - not quite as strong as it is without an electronic control switch - noises and causes other phenomena to arise.

Die Erfindung stellt sich somit die nachstehend angeführten Aufgaben:-The invention thus has the following tasks:

Einen Leistungsverstärker zu schaffen, der eine Abs timmschaltung oder Geräuschsperrscahltung aufzuweisen hat, welche außergewöhnlich starke Signale unterdrückt und dadurch wirksam und vollständig eine Überlastung des Leistungsverstärkers verhindert. To create a power amplifier that one Have tuning circuit or noise blocking circuit has what exceptionally strong signals suppressed and thereby effectively and completely prevents overloading of the power amplifier.

Einen Leistungsverstärker zu schaffen, der eine Abs timmschaltung oder Geräuschsperrschaltung aufzuweisen hat, welche ein außergewöhnlich starkes Eingangssignal nach dem Einschalten und I ηbe triebnehmen des Verstärkers für eine vorgegebene Periode unterdrückt.To create a power amplifier that has a tuning circuit or noise blocking circuit which has an exceptionally strong input signal after switching on and I ηbe of the amplifier is suppressed for a given period.

Einen Leistungsverstärker zu schaffen, der eine Abstimmschaltung oder Geräuschsperrschaltung aufzuweisen hat, welche unerwünschte Veränderungen des an dem Ausgangsanschluß des Verstärkers anstehenden Potentials während des Abs t iminzus tandes oder Abschwächungszustandes unterdrücken kann.To create a power amplifier that one To have tuning circuit or noise blocking circuit has which undesirable changes in the pending at the output terminal of the amplifier Can suppress potential during the Abs t iminzus tandes or attenuation state.

Die Erfindung löst die ihr gestellten Aufgaben dadurch, daß sie einen Leistungsverstärker vorsieht,The invention solves the problems set for it in that it provides a power amplifier,

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PATENFAMWALTE F W. HEMMERICH · GEFfD MULLE* · D. GHOSSR · F.PATEN FAMWALTE F W. HEMMERICH · GEFD MULLE * · D. GHOSSR · F.

7 3 4 - bh 2 6.1.19817 3 4 - bh 2 6.1.1981

310 3 8310 3 8

der sich aus den nachstehend -angeführten Schal tungskomponenten zusammensetzt: - aus einer Vorverstärkerstufe mit mindestens einem Transistor, dieser Transistor mit ersten, zweiten und dritten Anschlüssen, von denen der ersten Transistoranschluß mit einer Einyangsschaltung verbunden ist, von denen der zweite Anschluß des vorerwähnten zumindest einen Transistors mit dem Eingang einer Lei s turujs verstärkerstufe verbunden ist; aus einer elektronischen Schaltvorrichtung, welche schaltungsmäßig zwischen dem dritten Anschluß des vorerwähnten zumindest einen Transistors und einem zweiten Stromversorgungsanschluß angeordnet ist und einen Steuerurigsan sch Iu[J aufzuweisen hat; aus einem Widerstandssystem, welches schaltungsmäßig zwischen dem dritten Anschluß des zuvor angeführten zumindest einen Transistors und dem ersten Stromversorgungsanschluß angeordnet ist, und dies parallel zu dem bereits genannten zumindest einen Transistor und dem Regelkreis, welcher mit dem Steuerungsanschluß der elektronischen Schaltvorrichtung verbunden und derart konstruiert und ausgelegt ist, daß eine zum Über 1 astungszustand führende Veränderung im Signalpegel gemessen und erfaßt wird und daß im Ansprechen auf diesen Signalpegel dem elektronischen Schalter ein Abstimmsignal oder Abschwächungssignal aufgeschal tet wird.from the circuit components listed below composed of: - a preamplifier stage with at least one transistor, this one Transistor with first, second and third terminals, of which the first transistor terminal is connected to a single circuit, of which the second connection of the aforementioned at least one transistor to the input of a Lei s turujs amplifier stage connected is; from an electronic switching device, which in terms of circuitry between the third terminal of the aforementioned at least one transistor and a second power supply terminal is arranged and has a Steuerurigsan sch Iu [J; from a resistance system, which circuit-wise between the third Connection of the aforementioned at least one transistor and the first power supply connection is arranged, and this in parallel to the already mentioned at least one transistor and the control circuit, which is connected to the control terminal of the electronic switching device and such is constructed and designed so that a change in the signal level leading to an overload condition is measured and detected and that in response to this signal level the electronic Switch a tuning signal or attenuation signal is switched on.

Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel gehören zum Leistungsverstärker:- eine Le istungsverstärkerstufe; eine für das Aussteuern und Treiben derIn the preferred embodiment, include to the power amplifier: - a power amplifier stage; one for the dowry and driving the

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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

PATENTAfJVvALIf" F V'J Hf-MMl PMJH · GH-L MIM ί [-Ί · [J GPf ir.F - f FO! Mr'IPF-. / .: 4'OPATENTAfJVvALIf "F V'J Hf-MMl PMJH · GH-L MIM ί [-Ί · [J GPf ir.F - f FO! M r 'IPF-. / .: 4'O

- bl. - ψ 7A-. 1.1981- bl. - ψ 7A-. 1.1981

31 0 3 B b31 0 3 B b

Le i stun.gs ve rs fat kers iuf e best i min te Vorvers t ärl- ungsstufe mit einem Transistor, dessen Basis mit der Eingangsschaltung verbunden ist, dessen Kollektor sowohl auf die Leistungsverstärkungsstuie geführt ist als auch übereine beiastungEvorrichtung auf den ersten Stromquellenanschluß und dessen Emitter mit einem zweiten Stromquellenanscliluß in Verbindung steht; eine elektronische Schaltvorrichtung, die in selektiver Weise den Emitter des zur Vorverstärkungsstufe gehörenden Transistors entweder mit dem einen Stromquellenanschluß oder mit dem zweiten Stromquellenanschluß im Ansprechen auf ein Abstimmsignal oder Abschwüchungssignal verbindet.Efficiency loss fat kers iuf e certain advance delivery level with a transistor whose base is connected to the input circuit, its collector both led to the power gain study is as well as a loading device on the first power source connection and its emitter with a second power source connection in connection stands; an electronic switching device that selectively either with the emitter of the transistor belonging to the preamplification stage to the one power source terminal or to the second power source terminal in response to a tuning signal or weakening signal connects.

Gegenstand der Erfindung ist somit ein Leistungsverstärker einer Abstimmschaltung oder Geräuschsperrenschaltung, welche dann den Leistungstransistor in einen Abschwächungszustand schaltet, wenn ihm ein außergewöhnlich starkes Signal aufgeschaltet wird» Zu dem Leistungsverstärker gehören:- eine Vorverstärkerstufe (10) und eine Leistungsverstärkerstufe (12). Die Vorverstärkungsstufe (10) weist zum Steuern und Treiben der Leistungsverstärkerstufe (12) zumindest einen Transistor (Qa) auf. Der Emitter dieses Transistors ist über einen elektronischen Schalter (26) zum einen auf den zweiten Stromquellenanschluß geführt und zum anderen über einen Widerstnad (32) auf den zweiten Stromquellenanschluß. Beim Erfassen einer anstehenden überbelastung wird der elektronische Schalter über den Emitter des Transistors geöffnet und von der zweiten StromquelTenanschlußklemme getrennt.The subject of the invention is thus a power amplifier of a tuning circuit or noise barrier circuit, which then switches the power transistor into an attenuated state when it receives an exceptionally strong signal. The power amplifier includes: a preamplifier stage (10) and a power amplifier stage (12). The preamplification stage (10) has at least one transistor (Q a ) for controlling and driving the power amplifier stage (12). The emitter of this transistor is led via an electronic switch (26) on the one hand to the second current source connection and on the other hand via a resistor (32) to the second current source connection. When a pending overload is detected, the electronic switch is opened via the emitter of the transistor and disconnected from the second power source connection terminal.

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PATENTANWÄLTE f .V»'. HFiMML RIUH · GERD MULLE* ■ O. Gf'OS'-F · Γ. FOLLMüKR 7? 4PATENTANWÄLTE f .V »'. HFiMML RIUH · GERD MULLE * ■ O. Gf'OS'-F · Γ. FOLLMüKR 7? 4th

<f £6.1.1981<f £ 6.1.1981

- -ir -- -ir -

31 0 3 3 b31 0 3 3 b

Die Erfindung soll nachstehend nun anhand des in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles (der in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele) näher erläutert werden. Die Zeichnung zeigt in:-The invention will now be based on the embodiment shown in the drawing (the Embodiments shown in the drawing) in more detail explained. The drawing shows in: -

Fig. 1 Die mit einem Leistungsverstärker verwendete Abstimmschaltung oder Geräuschsperrschal tu ng dieser Erfindung,Fig. 1 The one used with a power amplifier Tuning circuit or noise blocking circuit of this invention,

Fig. 2 Ein Schaltbild eines anderen Leistungsverstärker mit einer Abstimmschaltung oder Geräuschsperrschal tuny dieser Ertindugn.Fig. 2 is a circuit diagram of another power amplifier with a tuning circuit or Noise barrier scarf tuny this Ertindugn.

Fig. 3. Das Schaltbild einer wiederum anderen Ausführung des LeistungsVerstärkers mit einer Abs I i (um schal tung oder Ge räu se Ii sperr sch al tung dieser Erfindung.Fig. 3. The circuit diagram of yet another embodiment of the power amplifier with a Abs I i (switchover or noises Ii block switch of this invention.

Fig. 4 Das Schaltbild einer gegenüber Fig. 3 geänderten und modifizierten Ahstimmungsrege1ungsschaltung oder Geräuschsperr-Rege 1 uηgssch altung.Fig. 4 The circuit diagram of a compared to FIG. 3 changed and modified mood control circuit or noise control regulation 1 circuit.

Fig. 1 zeigt einen Leistungsverstärker mit einer AbstimtMschal turig- oder Geräuschsperrschaltung dieser Erfindung. Zu diesem Leistungsverstärker gehören:- eine Vorverstärkungsstufe lü; eine Leistungsverstärkerstufe (12) und ein Verbraucher, beispielsweise ein 1 aiiir-pt edier 14. Der Vorverstärkerstufe (10) ist ein Transistor Q zugeordnet und dieser Transistor \\ ist mit seinem Basisanschluß über einen Kopp lungskondensator C, auf den EingangsanschlufS 16 der Vorverstärkerstufe (10) geführt. Der Kollektor des Transitüfi Q. ist an das eine Ende eines Kollektorbe-Fig. 1 shows a power amplifier incorporating a tuning or noise cutoff circuit of this invention. This power amplifier includes: - a pre-amplification stage lü; a power amplifier stage (12) and a consumer, for example a 1 aiii r -pt edier 14. The preamplifier stage (10) is assigned a transistor Q and this transistor \\ is with its base terminal via a coupling capacitor C, to the input terminal 16 of the preamplifier stage (10) led. The collector of the Transitüfi Q. is at one end of a collector

elel

1 astungswiderstandes 18 angeschlossen, dessen anderes1 astungsverbindungen 18 connected, the other

130087/0525130087/0525

BADBATH

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLE* · D. GKuS:-"=. ■ F. K)LLl>/.tlfcFl 73 4PATENTANWÄLTE FW HEMMERICH · GERD MÜLLE * · D. GKuS: - "=. ■ F. K) LLl> /. Tl fc Fl 73 4

- b)\ - 3 26. i . 1981 - b) \ - 3 26. i. 1981

Ende wiederum über einen Anschluß 24 und über den Netzschalter 22 mit der Stromquelle/Spannungsquel-Ie 20 verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q ist über den elektronischen Schalter 26, der nachstehend noch in aller Ausführlichkeit beschrieben wird, auf das Erdungspotential 22 geführt.End again via a connection 24 and via the power switch 22 to the current source / voltage source 20 is connected. The emitter of transistor Q is via electronic switch 26, which follows will be described in great detail, led to the ground potential 22.

Der Eingangsanschluß 28 der Leistungsversfärkerstufe 12 ist zum übernehmen des Vorverstärkungssignales über einen Kopplungskondensator C? mit dem Kollektor des zur Vorverstärkerstufe 10 gehörenden Transistors C) verbunden. Das Ausgangssignal derThe input connection 28 of the power amplifier stage 12 is to take over the preamplification signal via a coupling capacitor C ? connected to the collector of the transistor C) belonging to the preamplifier stage 10. The output signal of the

LeistungsVerstärkerstufe 12 wird über den Ausgangsanschluß 30 auf den Lautsprecher 24 übertragen. Power amplifier stage 12 is transmitted to loudspeaker 24 via output terminal 30.

Zum elektronischen Schalter 26 gehört der Schalttransistor Q . Der Kollektor dieses Schalttransistors Q ist mit dem Emitter des Transistors Q vers aThe switching transistor Q belongs to the electronic switch 26. The collector of this switching transistor Q is with the emitter of transistor Q vers a

bunden, wohingegen der Emitter dieses Schalttransistors mit dem Erdungspotential E in Verbindung steht Der zum Schalttransistor Q gehörende Kollektor ist weiterhin auch noch über einen Widerstand 32 auf den Stromquellenanschluß/Spannungsquellenanschluß 24 geführt. Bei dem Eingangsanschluß 32 des elektronischen Schalters 26 handelt es sich um den Basisanschluß des Transistors Q , und mit diesem Eingangsanschluß 32 ist ein Regelkreis 34 derart verbunden, daß der Basis des Transistors Q ein Steuerungssignal auf geschaltet werden kann.bound, whereas the emitter of this switching transistor is connected to the ground potential E. The collector belonging to the switching transistor Q is furthermore also via a resistor 32 to the current source connection / voltage source connection 24 led. At the input terminal 32 of the electronic Switch 26 is the base terminal of transistor Q, and with this input terminal 32, a control circuit 34 is connected in such a way that the base of the transistor Q is a control signal can be switched on.

Nachstehend sollen nun Funktion und Arbeitsweise der mit Fig. 1 wiedergegebenen Schaltung beschrieben werden : -The function and mode of operation of the circuit shown in FIG. 1 will now be described below will : -

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PATENfANWALTE F.W. HEMMERICH · GERD MULLES · D. &Π05Γ,Ε · F. POLLVEIEH '' >PATENT ADVOCATE F.W. HEMMERICH GERD MULLES D. & Π05Γ, Ε F. POLLVEIEH ''>

/lo/ lo l6-\l 6 - \

Nach dem Schließen des fletzscha i ters 22 steht sofort ein Impulssignal an dem Eingangsanschiß 16 der VorverstärKungsstufe IO an, und dieses Signal wird der Basis des Transistors () auf geschal te t. Die Reg1 er sch al tung 34, diemit dem Netzteil 20 verriegelt ist, überträgtauf den elektronischen Schalter 26 ein Steuerungssignal oder Regelungssignal. Dieses Steuerungs-oder Regelungssignal bis zum Ablaufen einer vorgegebenen Zeit gleich Null, so daß als Folge davon der Schalttransistors Q<ini SPERRZUSTAND oder ABSCHALTZUSTAND gehalten wird. Während dieser Zeit werden über einen Widerstand 32, der mit dem Stromversorgungstei1 oder Netzteil 20 verbunden ist, der Emitter des Transistors L)After closing the fletzscha i ters 22 is immediately a pulse signal at the input connection 16 of the pre-amplification stage IO, and this signal the base of the transistor () is switched to. The regulator circuit 34 connected to the power supply unit 20 is locked, transmits to the electronic switch 26 a control signal or regulation signal. This control or regulation signal up for the lapse of a predetermined time equal to zero, so that as a result of this, the switching transistor Q <ini LOCKED STATE or SHUTDOWN STATE is held. During this time there will be a resistance 32, which is connected to the power supply part or power supply 20, the emitter of the transistor L)

und der Kollektor des Transistors Q am gleichen Potential gehalten. Das wiederum bedeutet, daß dabi
ist
and the collector of transistor Q is held at the same potential. That in turn means that dabi
is

dabei der Transistor Q vollständig abgeschaltetwhile the transistor Q is completely switched off

Somit wird der gesamte Leistungsverstärker während der auf das Schließen des Metzschalters 22 folgenden vorgegebenen Zeit derart in einem Abs tinimungszustand oder Abschwächungszustand gehalten, daß uerwünschte Phänomene, beispielsweise das Rauschen des Lautsprechers 14 oder die Beschädigung der Leistungstransistoren in der Verstärkerendstufe 12 verhindert werden.Thus, the entire power amplifier is during the one on the closing of the Metz counter 22 the following predetermined time is kept in a state of decline or weakening, that undesirable phenomena, for example the noise of the loudspeaker 14 or the damage to the power transistors in the amplifier output stage 12 can be prevented.

Nach dem Ablaufen der vorgegebenen Zeit T ändert das von der Reg lerscha 1 tutig 34 auf die Basis des Transistors Q übertragene Steuerungssignal oderAfter the specified time T has elapsed, this changes from the Reg lerscha 1 active 34 on the basis of the Transistor Q transmitted control signal or

OR|QiNAL OR | QiNAL

130067/0525130067/0525

EV-TFf-jTAf-JWAUE Γ-.W HtMWFRiCH - αν V-S) IJ1IH 1 S 'Λ ■ D GPGi1P f {f-.( Lf-'M. l·. <i 4'0EV-TFf-jTAf-JWAUE Γ-.W HtMWFRiCH - αν VS) IJ 1 IH 1 S 'Λ ■ D GPGi 1 P f {f -. ( L f-'M. L ·. <I 4'0

31038B231038B2

Regelungssignal seinen Signalpegel derart, daß mit' diesen Signal der Schal ttransi ;-1 or Q in den Durchlaßzustand oder EINSCHALTZUSTAMIi gebracht wird, wenn sich der Netzteilstrom auf den nornalen Betriebszustand eingepegelt hat. Der Transistor wird also durchlässig und legt den Kollektor an Lrdungspotential oder Massepotential, was wiederum zur Folge hat, daf3 nun auch der Transistor () in den Durch! ai'-zus fand geschaltet wird, das Lingangssiunal verstärkt und dieses verstärkte Eingangssignal dann auf die Leistungsverstärkerstufe 12 weiterleitet. Das ist der Zeitpunkt, an dem der Transistor Q durch die Ansteuerung über den Schal ttransi r· tor Qc an Lrde oder Marse gelegt wird und dabei in der Tat vom Netzteil getrennt wird, wobei dann die Lei c tungsve? st ärl.erstufe 12 unter normalen Bedingungen arbeitet, die ihr auf geschal teten Eingangssignale yerstärft und diese dann zum Lautsprecher 14 hin weitcrlcitet.The control signal has its signal level in such a way that with this signal the switch ttransi; -1 or Q is brought into the on state or ON STATUS when the power supply current has leveled itself to the normal operating state. The transistor becomes permeable and puts the collector to earth potential, which in turn means that the transistor () is now also in the through! ai'-zu found is switched, the input signal is amplified and this amplified input signal is then passed on to the power amplifier stage 12. This is the point in time at which the transistor Q is connected to Lrde or Marse by being controlled via the switch transistor Q c and is in fact disconnected from the power supply unit. If stage 12 is working under normal conditions, you amplify these on switched input signals and then forward them to loudspeaker 14.

Nun kann der Leistungsverstart er auch noch vor Überlastung geschützt werden. Dazu ist die Reglerschaltung 34- mit einer Obers t τ feinm^ßschal tang verbunden - (diese Schaltung ist nicht dargestellt);, die zur Leistungsverstärkers tute 12 gehört. Bei Normalbetrieb wird von der Reglerr.chal tunu 34 aus der Basis des Schal ttransis tor?. Q. ein Steuerungssignal oder Regelungssignal aufqescha]let, das diesen Schalttransistor Q im Out chiauzustami hält.Now the power start can also be protected from overload. For this purpose, the regulator circuit 34 is connected to an upper t τ feinm ^ ßschal tang - (this circuit is not shown); which belongs to the power amplifier tute 12 . During normal operation, the controller chal tunu 34 from the basis of the switching transistor ?. Q. aufqescha] let a control signal or regulation signal that keeps this switching transistor Q in the Out chi auzus tami.

FliefSt wegen eines außergewöhnlich starken fingany«- signales oder wegen eines kurzschluvi-.t.-i, ein zu starker Strom durch die Leis1ungstransistoren und durch den Lautsprecher 14s dann nimmt die Regler-FliefSt because of an exceptionally strong fingany "signal or because of a short-circuit, too strong a current through the power transistors and through the loudspeaker for 14 seconds then the regulator

130067/05130067/05

ΓΑΤΕ NTANW/ LT [■ Γ .VV. HtMMElHICH · GfRD MULLM · D. GIiOSi HΓΑΤΕ NTANW / LT [■ Γ .VV. HtMMElHICH · GfRD MULLM · D. GIiOSi H

• F . KT.ifAtlSR /-' 4• F. KT.ifAtlSR / - '4

- bh 26.1.1981 - bh 01/26/1981

schaltung 34 das Steuerungssignal von der Basis des Schalttransistors Q weg und bringt diesen Schalttransistor Qs dadurch in den ABSCHALTZUSTAND oder SPCRFiZUSTANt), was wiederum bewirkt, daß dann der Emitter des Transistors () nicht mehr an Erde odercircuit 34 removes the control signal from the base of the switching transistor Q and brings this switching transistor Q s thereby in the SWITCH-OFF STATE or SPCRFiZUSTANt), which in turn causes the emitter of the transistor () no longer to ground or

Masse liegt und wieder über den Widerstand 32 mit dem Stromversorgungstei1 oder Netzteil 20 verbunden ist. Der Transistor Q wird dadurch vollstän-Ground is connected to the power supply part or power supply unit 20 again via the resistor 32 is. The transistor Q is completely

dig in den Sperrzustand geschaltet und verhindert dann, daß das Signal die Leistungsverstärkerstufe passiert. Wenn der Zustand der Aufschaltung eines zu starken Stromes wieder rückgängig gemacht worden ist - und das Wegfallen des Überlastungszustandes wird von der überstror.imeßschal tung gemessen und erfaßt dann wird der Basis des Schalttransistors Q von der Reglerschaltung 34 aus, die mit der überstrommeßschaltung verriegelt ist, wieder das Steuerungssignal oder Regelungssignal aufgeschaltet und der Schalttransistors Q dadurch wieder in den EINSCHALTZUSTAHD oder DURCHLASSZU-STAHl) gebracht. Dieses bringt wiederum auch den Transistor Q. in den EINSCHALTZUSTAND oder DURCH-LASSZUSTAIH), was wiederum zur Folge hat, daß die Eingangssi gtidie verstärkt und die verstärkten Signale dann der Leistungsverstärkerstufe 12 auf geschaltet werden.dig is switched to the blocking state and then prevents the signal from entering the power amplifier stage happened. If the condition of the connection of an excessively strong current has been reversed is - and the elimination of the overload state is measured by the overcurrent measuring circuit and then the base of the switching transistor Q is detected by the regulator circuit 34, the is locked with the overcurrent measuring circuit, again the control signal or regulation signal switched on and the switching transistor Q thereby back to SWITCH-ON or DURCHLASSZU-STAHl) brought. This in turn also brings the transistor Q. into the ON STATE or THROUGH-LASSZUSTAIH), which in turn has the consequence that the input signal amplifies the signals and the amplified signals then the power amplifier stage 12 switched to will.

Mit E ig« 2 dargestellt ist das Schaltbild eines direktgchoppelten und quasikomplementären Gegentakt-Lei stungs versrkers dieser Erfindung.The circuit diagram of a is shown with E ig «2 direct-coupled and quasi-complementary push-pull lei stungs insurer of this invention.

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

1300G7/0B251300G7 / 0B25

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. K)LUlEiER / ~i '] /Q PATENTANWÄLTE FW HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. K) LUlEiER / ~ i '] / Q

- bh - - bra -

31030523103052

Eine Vorverstärkerstufe 10 besteht aus einem ersten Different!al verstärker 40, aus einem zweiten Differentialverstärker 42 und aus Treiberverstärker/Steu erverstärker 44. Zum ersten D ifferential verstärker 40 gehören die beiden Feldeffekttransistoren (FET) Q. τ und Quo' we 1 ehe jeweils über einen Widerstand 46 miteinander verbunden sind, der seinerseits wiederum über einen Mittelabgriff und einen Widerstand 48 mit Erde oder Masse verbunden ist. Das Steuergatt des Feldeffekttransistors (FET) Q, , ist auf den Eingangsanschluß 16 geführt, wohingegen das Steuergatt des Feldeffekttransistors (FET) Q, ^ über eine Rückkopplungsschaltung 34 mit dem Ausgangsanschluß 30 der Leistungsverstarkungsstufe 12 verbunden ist. Die Kollektoranschlüsse der Feldeffekttransistoren (FET) Q,, und (FET) Q,„ sind jeweils über die Widerstände 50 und 52 auf die Stromversorgung oder das Hetzteil 20 geführt.A preamplifier stage 10 consists of a first differential amplifier 40, a second differential amplifier 42 and a driver amplifier / control amplifier 44. The first differential amplifier 40 includes the two field effect transistors (FET) Q. τ and Quo 'we 1 before a resistor 46 are connected to one another, which in turn is connected to earth or ground via a center tap and a resistor 48. The control gate of the field effect transistor (FET) Q,, is connected to the input terminal 16, whereas the control gate of the field effect transistor (FET) Q, ^ is connected to the output terminal 30 of the power amplifier stage 12 via a feedback circuit 34. The collector connections of the field effect transistors (FET) Q 1 and (FET) Q 1 are each led to the power supply or the Hetzteil 20 via the resistors 50 and 52.

Zum zweiten Different!al verstärker 42 gehören die beiden MPN-Transistoren Q , und Q,?» deren Emitter jeweils miteinander verbunden sowie weiterhin auch noch über einen gemeinsamen Emitterwiderstand 56 und über den elektronischen Schalter 26 - dieser elektronische Schalter ist dem mit Fig. 1 wiedergegebenen elektronischen Schalter 26 entsprechend ausgeführt - mit Masse oder Erde verbunden sind. Die Kollektoranschlüsse der Transistoren Q3-, und The two MPN transistors Q, and Q,? »Belong to the second differential amplifier 42. the emitters of which are connected to one another and also via a common emitter resistor 56 and via the electronic switch 26 - this electronic switch is designed corresponding to the electronic switch 26 shown in FIG. 1 - are connected to ground or earth. The collector connections of the transistors Q 3 -, and

Q 0 sind jeweils über die jeweils zutreffenden a c Q 0 are in each case above the applicable a c

Kollektorwiderstände 181 und 182 auf die Stromversorgung oder auf das Netzteil 20 geführt. DieCollector resistors 181 and 182 on the power supply or led to the power supply unit 20. the

30067/052630067/0526

PATENTAMWALfE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER - D. GROCSE - F. POLLMEIF.P? /oPATENTAMWALfE F.W. HEMMERICH GERD MÜLLER - D. GROCSE - F. POLLMEIF.P? /O

- bh -- bra -

26.1.1981January 26, 1981

Transistoren Q , und Q2 sind mit ihren Basisanschlüssen jeweils auf die Kollektoranschlüsse der Feldeffekttransistoren (FET) Q, , und (FET) Q,2 geführt.Transistors Q 1 and Q 2 have their base connections to the collector connections of the field effect transistors (FET) Q 1 , 1 and (FET) Q 2.

Der Treiberverstärker/Steuerungsverstärker 44 weist einen PNP-Transistor Q auf, dessen Emitter auf die Stromversorgung oder das Netzteil 20 geführt ist, wohingegen der Transistor Q über seinen KoIlektoranschluß über die aus der Treiberschaltung 58 und dem Kollektor-Belastungswiderstand 60 bestehende Reihenschaltung an Erde oder Masse E gelegt ist. Mit seinem Basisanschluß ist der Transistor Q mit dem KoIlektoranschluß des Transistors Q ο verbunden.The driver amplifier / control amplifier 44 has a PNP transistor Q, the emitter of which is led to the power supply or the power supply 20 is, whereas the transistor Q via its KoIlektoranschluss via that from the driver circuit 58 and the collector load resistor 60 existing series connection is connected to earth or earth E. With its base connection is the transistor Q connected to the collector connection of the transistor Q o.

Die Endstufe oder Leistungsverstärkungsstufe 12 besteht aus den beiden zueinander komplementären Transistoren Q,, und Q,„ sowie aus den beiden NPN-Leistungstrans istoren Q -| und Qe2- üer Basisanschluß des NPN-Trans i stors Q,-, ist mit dem Kollektoranschluß des Treibertransistors Qc1 verbunden, während der PNP-Transistor Q.ρ mit seinem Basisanschluß über die Treiberschaltung 58 auf den Kollektoranschluß des Transistors Q-2 geführt ist. Die Emitter der der TRansistoren Q,2 sind jeweils über die Eiii tterwiderstände 62 und 62 mit dem Ausgangsanschluß 30 verbunden. Der KoIlektoranschluß des NPN-Transistors Q,, steht mit der Stromversorgung oder mit dem Netzteil 20 in Verbindung, wohingegen der KoIlektoranschluß des PNP-Transisors Q12 mit Erde oder Masse E verbunden ist.The output stage or power amplification stage 12 consists of the two mutually complementary transistors Q ,, and Q, "and the two NPN power transistors Q - | and Q e2 - via the base terminal of the NPN transistor Q, -, is connected to the collector terminal of the driver transistor Qc 1 , while the base terminal of the PNP transistor Q.ρ is connected to the collector terminal of the transistor Q-2 via the driver circuit 58 is. The emitters of the transistors Q, 2 are connected to the output terminal 30 via the Eiii tterwideristors 62 and 62, respectively. The collector connection of the NPN transistor Q 1 is connected to the power supply or to the power supply unit 20, whereas the collector connection of the PNP transistor Q 12 is connected to earth or earth E.

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- till - .^ 2 6.1.1981- till - . ^ 2 6.1.1981

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üie Basisansch 1 lisse (Jer NfMl-Leistungstransistören Q-i und Q1- sind jeweils auf cjie Emi tteranschlüsse der einander komplementären Transistoren Q,-, und Q,? geführt. Hit seinem Kollektor steht der Leistungstransistor Q ι mit der Stromversorgung oder dem Netzteil 20 in Verbindung und mit seinem Emitter über einen Emitterwiderstand 66 mildem Ausgangs arisch! uß 30. Der KoI lektoranschluß des Leistungstransistors Q1O ist mit dem Ausgangsanschluß 30 verbunden, während der Emitter dieses Transistors über einen Emitterwiderstand 68 an Erde oder Masse E ge legt i st.üie Basisansch 1 lisse (Jer NfMl power transistors Qi and Q 1 - are each led to cjie emitter connections of the complementary transistors Q, -, and Q, ? . At its collector is the power transistor Q ι with the power supply or the power supply 20 in compound and mild its emitter connected via an emitter resistor 66 output severally! ow 30. the KOI lector terminal of the power transistor Q 1 O is connected to the output terminal 30, i while the emitter of this transistor via an emitter resistor 68 to earth or ground e Ge puts st.

Zum elektronischen Schalter 26 gehört ein Nf1N-Schalttransistor Qc, dessen Kollektoranschluß über einen gemeinsamen Emitterwiderstand zum einen sowohl mit dem Emitteranschluß des Transistors Q-] als auch mit dem Emi lter ansch luß des Transistors Q0 verbunden ist und zum anderen auch noch über einen Widerstand 32 auf die Stromversorgung oder das Netzteil 20 geführt ist. Der Emitter des Transistors Q ist an Erde oder Masse L gelegt.The electronic switch 26 includes an Nf 1 N switching transistor Q c , the collector terminal of which is connected via a common emitter resistor to both the emitter terminal of the transistor Q-] and to the emitter terminal of the transistor Q 0 and also to the other is passed via a resistor 32 to the power supply or the power supply unit 20. The emitter of the transistor Q is connected to earth or ground L.

Zur Reglerschaltung 34 gehört eine Zeitgliedschaltung 70, welche sich aus einer Parallelschaltung eines Kondensators 72 und eines Widerstandes 74 zusammensetzt. Das mit der allgemeinen Hi nweisza ti 1 76 gekennzeichnete tndc der Zeitql iedschaltung 70 ist über den Widerstand 78 mil der Stromvorsorgung oder dem Netzteil 20 verbunden, während das andere Ende der Zeitgliedtchaltuny an Frde oder Masse E gelegt ist. Zur Reglerschal tuny 31 gehört aberA timing element circuit 70, which is composed of a parallel connection of a capacitor 72 and a resistor 74, belongs to the regulator circuit 34. The tndc of the timing circuit 70, marked with the general reference number 76, is connected to the power supply or the power supply 20 via the resistor 78, while the other end of the timing circuit is connected to ground or E. But tuny 31 is part of the controller scarf

130067/0S25130067 / 0S25

BADBATH

PATf.NTANWAl T [ Γ AV HLMMrRICH · (if HD MUl IΪ R ■ l>. GRO-.SL f . '1Ol ' Mf !LR 7 3 ί 7 ϋPATf.NTANWAl T [Γ AV HLMMrRICH · (if HD MUl IΪ R ■ l>. GRO-.SL f. ' 1 Ol' Mf! LR 7 3 ί 7 ϋ

- I)Il ZG.1.1981 - I) Il ZG.1.1981

fib?fib?

auch noch eine als Kopp! utigsgl ir;d ausgeführte Schaltung 80 mil einem NPH-Transistör Q., welcher schaltungsmäßig zvn sehen dem mit der allgemeinen Hinweiszahl 76 gekennzeichneten Anschluß der Zeitgliedschaltung 70 und dem Lmi t teransch luß des Leir.tungstransistors Q1^ angeordnet ist. Mit seinem KoIlektoranschluß ist der Transistor Q, mit dem Anschluß 7 G der Zei t gl i ed sch al t ung 70 Ii her den Widerstand 79 verbunden, r-iit seinem Em i t. ter ansch 1 uß liegt der Transistor \\. an Erde oder Hasse E, während der Basisanschluß dieses Transistors Qf über die aus der Diode !), und aus dem Widerstand 31 bestehende Gleichrichterschal tung auf den KoIlektoran schluß des Leistunystransistors Q „ geführt ist. Der mit der allgemeinen Hinweiszahl 76 gekennzeichnete .Anschluß der Znitgliedschaltuny ist schaltungsmäßig mit. dem Easisanschluß des Schal ttransi storr. Q verbunden, der zum elektronischen Schalter 26 gehört.also another one as a Kopp! Utigsgl ir; d executed circuit 80 with an NPH transistor Q., which circuit-wise is arranged to see the connection of the timer circuit 70 marked with the general reference number 76 and the Lmi t ter connection of the conduction transistor Q 1 ^. The transistor Q is connected to its collector connection and the resistor 79 is connected to the connection 7 G of the timing circuit 70 Ii with its emit. The connection is connected to the transistor \\. to earth or Hasse E, while the base terminal of this transistor Q f via the diode!), and from the resistor 31 existing rectifier circuit to the KoIlektoran circuit of the power unit transistor Q "is performed. The connection of the Zn itgliedschaltuny marked with the general reference number 76 is connected to the circuit. the base connection of the switch ttransi storr. Q associated with the electronic switch 26.

Nachstehend soll nun die Funktion und Arbeitsweise; der mit fig. :' dargest e 11 tt-n Schaltung - und diese Funktion und Arbeitsweise ist im allgemeinen der im ZUs aiimcnhang mit der Schaltung nach Fig. 1 beschriebenen Funktion und Arbeitsweise ahnlich erläutert werden :-The following is the function and mode of operation; the one with fig. : 'shown 11 tt-n circuit - and this Function and mode of operation is generally that described in connection with the circuit of FIG Function and mode of operation are explained in a similar way: -

Das Schließen des Netzschalters 2? bewirkt, daß an dem AnM.iiluh 76 der Ze i t gl iedschal 1 unq 70 das ansteheixif [:ot<-ntial von Null aus we;:eü dci Aufladung di-.: ! (itu.ieiii itors Ί?. allnählich starker wird. IJas v/it'di ι i:.--i hai tjy tol-je, daß der TriHisistor Qc sii 1 a ϋ [U- \\" ! !if>r r / !;v ' iiid oder Ahsrlial t zu? t at>d ver-Closing the power switch 2? causes that at the AnM.iiluh 76 the time element 1 unq 70 the ansteheixif [ : ot <-ntial from zero from we;: eü dci charge di- .:! (itu.ieiii itors Ί ?. becomes gradually stronger. IJas v / it'di ι i: .-- i hai tjy tol-je that the TriHisistor Q c sii 1 a ϋ [U- \\ " !! if> rr /;! v iiid 'or Ahsrlial t to t at> d comparable?

130067/0B25130067 / 0B25

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GEiHtJ MÜLLER ■ D. GROHSE F. I1ULi MEIER 7 3 4PATENTANWÄLTE FW HEMMERICH · GEiHtJ MÜLLER ■ D. GROHSE F. I 1 ULi MEIER 7 3 4

- Ml -2 6.1.1981- Ml - 2 6.1.1981

r> - J r> - J

bleibt und gehalten wird, bis daß das am Anschluß 76 der Zeitgliedschaltung 70 anstehende Potential eine Spannung erreicht hat, die stark genug ist,um eine Umschaltung des SChalttransistors Q in den EINSCHALTZUSTANÜ oder DURCHLASSZUSTAND herbeizuführen. remains and is held until the potential applied to terminal 76 of timing circuit 70 has reached a voltage which is strong enough to switch the holding transistor Q into the SWITCH-ON STATUS or PASSAGE STATUS.

Das wiederum bewirkt, daß das Potential der Stromversorgung oder des Netzteiles 20 über die Widerstände 32 und 56 den Emitteranschlüssen der Transistoren Q η und Q ,,derart auf aeschal tet wird, daßThis in turn causes the potential of the power supply or the power supply unit 20 via the resistors 32 and 56 to the emitter terminals of the transistors Q η and Q ,, is switched to aeschal in such a way that

3 1 ac. 3 1 ac.

dadurch die beiden zum zweiten Differentia 1verstärker 42 gehörenden Transistoren (K1 und Q o derartthereby the two transistors belonging to the second differential amplifier 42 (K 1 and Q o in this way

ai acai ac

angesteuert und getrieben werden, daß sie in den ABSCHALTZUSTAND oder SPERRZUSTAND umschalten und dann den Duchgangder Signale zur Eiaangsklemme 16 blockieren. Der Leistungsverstärker wird dadurch im Abschwächungszustand oder Abstimmzustand gehalten, was zur Folge hat, daß das Auftreten von Rauschen und anderen Phänomenen im Lautsprecher 14 verhindert wird, damit aber auch eine Beschädigung und Zerstörung des Lautsprechers 14 oder der Leistungstransistoren Q -j und Qpo·are controlled and driven so that they switch to the SWITCH-OFF STATE or LOCKED STATE and then block the passage of the signals to output terminal 16. The power amplifier is thereby held in the attenuated state or tuned state, with the result that the occurrence of noise and other phenomena in the speaker 14 is prevented, but also damage and destruction of the loudspeaker 14 or the power transistors Q -j and Qpo

Das Ansteigen des an der Basis des Schalttransistors Q anstehenden Potential auf eine genügend große Spannung bewirkt, daß der Transistor Q in den EINSCHALTZUSTAND oder DURCHLASSZUSTAND umschaltet und dabei das Erdungspotential oder Massepotential auf den Kollektor des Schalttransistors (Js führt. Dies bringt auch den zweiten üifferentiaiverstärker 42 in den normalen Arbeitszustand, wobeiThe rise of the potential at the base of the switching transistor Q to a sufficiently high voltage causes the transistor Q to switch to the ON STATE or CONDUCTED STATE and thereby the ground potential or ground potential leads to the collector of the switching transistor (J s . This also brings the second differential amplifier 42 in normal working condition, whereby

1 -J 'J '-'1 -J 'J' - '

PAFEMrAMWALTE F.W. HEMMERICH · GEHD MÜLLER · U. GROiSE · F. POLlMHE'·-; ·'? 1 7(JPAFEMrAMWALTE FW HEMMERICH · GEHD MÜLLER · U. GROiSE · F. POLlMHE '· -; · '? 1 7 (J.

- bn 26.1,19 a - bn 26.1.19 a

der zweite Different! al verstärker 42 dann das vorn ersten Differenti al verstärker 40 her auf geschaltete Signal verstärkt und auf den Treiberverstärker oder Steuerungsverstärker 44 weiterleitet. Das hat zur Folge, daß der Leistungsverstärker normal arbeitet, Das gemeinsame Emitterpotential des zweiten Differential Verstärkers 42 ist von der Stromversorgung oder dem Metzteil 20, weil das Ende des Widerstandes 30, mit dem der Kollektor des Transistors Q verbunden ist, an Erdungspotential oder Massepotential liegt.the second different! al amplifier 42 then the front first differential amplifier 40 switched on Signal amplified and passed on to the driver amplifier or control amplifier 44. That has result in the power amplifier working normally, The common emitter potential of the second Differential amplifier 42 is from the power supply or the Metzteil 20 because the end of the resistor 30, to which the collector of the transistor Q is connected, to ground potential or ground potential lies.

Wenn nun ein durch ein zu starkes Eingangssignal oder durch einen Kurzschluß hervorgerufener überstrom oder zu starker Strom durch die Leistungstransistoren Q - und Q 2 sowie durch den Lautsprecher 14 fließt, dann wird auch die am Widerstand 68 anstehende Spannung so groß, daß der Transistor Qf in den EIHSCHALTZUSTAND oder DURCHLASSZUSTAND umschaltet und dadurch beim Transistor Q eine Umschaltung des Basispotenti ales auf das Erdungspotential oder Massepotential bewirkt. Der Transistor Q geht in den SPERRZUSTAND oder AßSCHALTZU-STAND und steuert dabei den zweiten Differentialverstärker 42 derart an, daß auch dieser zweite Differentialverstärker 42 in denSPERRZUSTAND oder ABSCHALTZUSTAND umschaltet. Solange der überstromzustand besteht und nicht rückgängig gemacht wird, kann deshalb auch das Eingangssignal nicht mehr in die Leisturigsverstärkerstufe 12 gelangen. üa-3 aber bedeutet, daß der Leistungsverstärker so arbeitet uikI funktioniert, daß eine Beschädigung und Zerstörung der Le i s tun rj s trans i stören und de. L πι tfipr'icruirs durch überströme verhindert wird.If an overcurrent or excessive current caused by an input signal that is too strong or a short circuit flows through the power transistors Q - and Q 2 as well as through the loudspeaker 14, then the voltage across the resistor 68 will also be so great that the transistor Q f switches to EIHSCHALTSTAND or TRANSLATION STATE and thereby causes the transistor Q to switch the Basispotenti ales to the ground potential or ground potential. The transistor Q goes into the LOCKED STATE or SWITCHED OFF STATE and controls the second differential amplifier 42 in such a way that this second differential amplifier 42 also switches to the LOCKED STATE or SWITCHED OFF STATE. As long as the overcurrent condition exists and is not reversed, the input signal can therefore no longer reach the power amplifier stage 12. üa-3 but means that the power amplifier works uikI works in such a way that damage and destruction of the Le is tun r js trans i interfere and de. L πι tfipr'icruirs is prevented by overflows.

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- Is η Γ: ( .1,1901- Is η Γ: (.1,1901

31038^231038 ^ 2

Gegenstand des nil Mq. 3 dargestellten Schaltbildes ist -"ist ein ausnangskondensatnr1 oser I (Ji-L ) und direkt gekoppelter Leistungsverstärker diener Erfindung, und zwar ein ausgangskondensator loser, direkl gekoppelter Lei stunyi verst är \er der rein komplementären Ausführung. Die reit! komplementäre Ausführung ist im wesentlichen qleich der qua?· i L owp lenient a'ren Konstruktion und Aurrfuhruny nach Ma. ?. Auch die ausganurkondensator lor.-o Ausführung oder (JüL-Ausführung entspricht mit Aus η ahne der Stromversorgungsschaltung oder Hetzte i 1 schal tuny, dem ausgangsgekoppelten Kondetis atorkrei s nach Fig. ?. Subject of the nil Mq. Switching the displayed image 3 is -.! "Is a ausnangskondensatnr1 oser I (Ji-L) and direct-coupled power amplifier diener invention, namely an output capacitor-less, direkl coupled Lei stunyi reinforced är \ he purely complementary embodiment the riding complementary embodiment is substantially qleich the qua? · i L owp lenient a'ren construction and Aurrfuhruny by Ma.?. the ausganurkondensator lor.-o execution or (corresponds JUEL execution η with from the power supply circuit or incitement teeth i 1 scarf tuny, the output-coupled Kondetis atorkreis according to Fig. ?.

Die Arbeitsweise der iE.it Mg. 3 wiedergeyebenen komplementären Lei ί· tu ngst ransi stortai Q-, und Q0 entspricht jener der nit Fig. 2 dar yej.te 1 1 It ti Leistungstransistoren U-, und Q r>. Auch die anderen Scha 11. u η g s k omp ο η e η te η, d.h. de r e r s t e Π i f f e r e η t. i a I verstärker 40, üar /weite Dif f'erc-nt'i al \ei stat Ler 42, der Trei ber versfäri r r oder Steue! unqs ver* i är ker 44» die alle zur Vorverstä'rl· ungsstui ρ 10 gehören, arbeiten und funktionieren derart," wie dies füt die nit Fiy. 2 wiedergegebener Schal tungsl-onpcnenten gezeint und beschrieben worden ist.The operation of the iE.it Mg. 3 wiedergeyebenen complementary Lei ί · tu ngst ransi stortai Q-, and Q represents 0 corresponds to that of the nit Fig. 2 yej.te 1 1 It ti power transistors U-, and Q r>. The other Scha 11. u η gsk omp ο η e η te η, ie de rerste Π iffere η t. ia I amplifier 40, üar / wide Dif f'erc-nt'i al \ ei stat Ler 42, the driver versfäri rr or Steue! Unqs amplifiers 44 "all of which belong to the pre-amplification unit 10, work and function in such a way" as has been described and described for the circuit components shown in Fig. 2.

Der nii t Fig. 3 dargestellte Le i ■- tuuusvt; si arker wird mit ftusnahrte des zweiten Di t f eren ti al yi;i :> t at t ers <17-voii einem S^eizteil oder einer St ν n^vet · .oryunijs 1·- i 1 3 vitlc hc-s /*ns chi ü:-Si"i für i>(«s i t i ve*. ['■:.. t ft-i i ^ ί und für neqati.es Γό tpn t" i a I I-;;!, ine pf- iiiv N> / I >■ i 1 s μ.ιη-t'ung -i-Vtc viird de:'; tri-tcr ^sd'J-il·- .4 ·ΐ«-'. Ul 1 ι i !■- ε Γ;'j'.:r dor S I ϊ ·..-!-'= v"f- ϊ ι-·ί « ιιη_: ·μ:Ι <.\ι\ > U-i} ι ·: \ , \,nb ί MyegeuThe nii t Fig. 3 shown Le i ■ - tuuusvt; si arker is fed with the second di tf eren ti al yi; i:> t at t ers <17- voii a s ^ eizteil or a st ν n ^ vet · .oryunijs 1 · - i 1 3 vitlc hc-s / * ns chi ü: -Si "i for i> (« siti ve *. ['■: .. t ft-i i ^ ί and for neqati.es Γό tpn t "ia I I - ;;!, ine pf - iiiv N> / I> ■ i 1 s μ.ιη-t'ung -i-Vtc viird de: '; tri-tcr ^ sd'J-il · - .4 · ΐ «-'. Ul 1 / Λ ι i! ■ - ε Γ; 'j'.: r dor SI ϊ · ..-! - '= v "f- ϊ ι- · ί « ιιη_: · μ: Ι <. \ ι \> Ui} ι · : \ , \, Nb ί Myegeu

BADORSGiNALBADORSGiNAL

ι 3ο(;f.7 η)1./ ί-ι 3ο ( ; f.7 η) 1 ./ ί-

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GRGSSt · F. POLlMKIER 73PATENT LAWYERS F.W. HEMMERICH GERD MÜLLER D. GRGSSt F. POLlMKIER 73

-Dh-26.1.1981 ZO - -Dh-26.1.1981 ZO -

die negative Netzteilspannung -Vcc über den zweiten Anschluß 82 des Stromversorgungsteiles oder Netzteiles sowie über die Widerstände 46 und 48 den Etui tter arisch 1 üssen der Feldeffekttransistoren (FET) Q. , und (FET) Q, ? zugeführt und aufgeschaltet wird. Die negative Netzspannung -VCC wird weiterhin aucli noch über den Emitterwiderstand 60 und über die Treiberschaltung 58 dem Kollektoranschluß des Treibertransistors Q zugeführt. Die negative Netztei1 spannung wird weiterhin ebenfalls auch noch den Kollektoranschlüssen der NPN-Transistoren Q ? und Q ? jeweils auf geschaltet und zugeführt.the negative power supply voltage -Vcc via the second connection 82 of the power supply part or power supply and via the resistors 46 and 48 the case arisch 1 üssen of the field effect transistors (FET) Q., and (FET) Q ,? is supplied and activated. The negative line voltage -VCC is also still supplied to the collector terminal of the driver transistor Q via the emitter resistor 60 and via the driver circuit 58. The negative power supply voltage will also continue to be applied to the collector connections of the NPN transistors Q ? and Q ? each switched on and fed.

Die L:mi ti eranschl üsse der Transistoren Q ·, und Q 0 The L : mid-connections of the transistors Q ·, and Q 0

ai absind über den gemeinsamen Emitterwiderstand 56 und über deb zum elektronischen Schalter 26 gehörenden Schalttransistor Q an Erde oder Masse E gelegt. Wie nun aus Fig. 3 zu erkennen ist, gehört zum elektronischen Schalter 26 auch noch ein NPH-Transistor Q--, der schaltungsmäßig zwischen der Treiberschaltung 58 und den Uetztei1anschlüssen 82 angeordnet ist und zusammen mit den beiden Dioden, welche zwischen den asi sanschl uß und den Etui tteranschl uß dieses Transistors geschaltet sind, die Funktion eines Kollektorlastkreises übernimmt. Mit seinem Basisanschluß ist der Transistor Q über die NPH-Transistören Q. und Q. auf das Ende 76 der Zeitgliedschal tuny 70 geführt. ai absind across the common emitter resistor 56 and Connected via deb to the electronic switch 26 belonging switching transistor Q to ground or E ground. As can now be seen from FIG. 3, the electronic switch 26 also includes an NPH transistor Q--, the circuitry between the driver circuit 58 and the Uetzti1an connections 82 arranged and together with the two diodes, which are between the Asian connector and the case connector this transistor are switched, takes over the function of a collector load circuit. With his The base connection is the transistor Q via the NPH transistors Q. and Q. led to the end 76 of the tuny 70 timer.

Der mit Fig. 3 wiedergegebene Leistungsverstärker funktioniert nun derart, daß der Schalttrans is tor QThe power amplifier shown in FIG. 3 now works in such a way that the switching transistor is tor Q

130067/0525130067/0525

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH ■ GERD MÜLLER - D. GRGSSE · F. POLLMrIER 73 4"/CPATENT LAWYERS F.W. HEMMERICH ■ GERD MÜLLER - D. GRGSSE · F. POLLMrIER 73 4 "/ C

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26.1.1981January 26, 1981

24 - w - 24 - w -

derart funktioniert, wie dies im Zusammenhang mit Fig. 2 für den Schalttransistor Q beschrieben worden ist« Ist der Transistor Q nicht mit seinem Basisanschluß auf die Reglerschaltung 34 geschaltet, dann wird dieser Transistor Q immer im EIMSCHALT-ZUSTAND oder DURCHLASSZUSTAND gehalten, was wiederum zur Folge hat, daß die negative Anschlußspanuung, die am-zweiten Anschluß 82 ansteht, dann, wenn der Leistungsverstärker im Abschwächungszustand oder Abstimmzustand betrieben wird, danndem Kollektoranschluß des Transistors Q derart aufgeschaltet wird, daß die NPW-Transistoren Q.-, und Q , dabei so ausgesteuert werden, daß sie in den ElfiSCHALTZUSTAND oder DURCHLASSZUSTAfID gebracht werden. Das läßt eine Situation. entstehen3 in v/elcher die Transistoren Q.λ un^ ^e2 unc* ^ΘΓ Lautsprecher 14 der Gefahr einer Beschädigung oder Zerstörung ausgesetzt sind, und zwar auch dann, wenn der Verstärker im Abschwächungszustand oder Abstimmzustand gefahren wird, weil der Strom von der zweiten Anschlußklemme 82 aus über die Transistoren Q,2 und Q „ sowie über den Lautsprecher zur Erde oder zur Masse E fließt.functions as it has been described in connection with FIG The result is that the negative terminal voltage, which is present at the second terminal 82, when the power amplifier is operated in the attenuated state or tuning state, then connected to the collector terminal of the transistor Q in such a way that the NPW transistors Q.-, and Q, thereby are controlled in such a way that they are brought into the ELFI SWITCHING STATE or DURCHLASSZUSTAfID. That leaves a situation. arise 3 in v / elcher the transistors Q.λ un ^ ^ e2 unc * ^ ΘΓ loudspeaker 14 are exposed to the risk of damage or destruction, even if the amplifier is operated in the attenuated state or tuned state because the current is from the second connection terminal 82 from through the transistors Q, 2 and Q "as well as through the loudspeaker to earth or to earth E flows.

Die Aussteuerung und Ansteuerung des Transistors Q erfolgt zusammen mit derjenigen des Schalttransistors Q nach Fig. 3 durch die Reglerschaltung über dessen Basisansehluß zur Zeitgliedschaltung 70. Damit geht der Transistor Q zusammen mit dem Schalttransistor Qs ann in den ABSCHALTZUSTAND oder in den SPERRZUSTAND, wenn der Netzschalter 22 geschlossen wird oder wenn ein überstrom oder zu starker Strom durch die Transistoren Q , und Q „ fließt, so daß dadurch wiederum eine Zerstörung oder Beschädigung der Transistoreil Q j~ und Q „ und des Lautsprechers 14 verhindert wird.The modulation and control of the transistor Q takes place together with that of the switching transistor Q according to FIG. 3 by the regulator circuit via its base connection to the timer circuit 70. Thus, the transistor Q, together with the switching transistor Q s ann, goes into the SWITCH-OFF STATE or the BLOCKED STATE when the Mains switch 22 is closed or if an overcurrent or excessive current flows through the transistors Q 1 and Q ″, so that in turn destruction or damage to the transistor parts Q 1 and Q ″ and the loudspeaker 14 is prevented.

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PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GEHD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMCIER 73PATENT LAWYERS F.W. HEMMERICH · GEHD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMCIER 73

- bh -- bra -

26.1.1981January 26, 1981

Bei dem mit Fig. 4 wiedergegebenen Schaltbild einer anderen Reglerschaltung handelt es sich um eine gegenüber Fig. 3 geänderte und modifizierte Reglerschaltung. Der zum elektronischen Schalter 26 gehörende Schalttransistor Q ist mit seinem Basisanschluß über einen Schmidt-Trigger 84 auf die Zeitgliedschaltung 70 geführt. Der Ausgang 86 des Schmidt-Triggers 84 steht mit dem Transistor Q in Verbindung, der zur Treiberschaltung 44 gehört. Die Kollektoranschluß des Transistors Q ist über einen gemeinsamen Emitterwiderstand 56 mit den Emitteranschlüssen der Transistoren Q , und Q Q The circuit diagram of another regulator circuit shown in FIG. 4 is a regulator circuit that is changed and modified compared to FIG. The base terminal of the switching transistor Q belonging to the electronic switch 26 is fed to the timing circuit 70 via a Schmidt trigger 84. The output 86 of the Schmidt trigger 84 is connected to the transistor Q, which belongs to the driver circuit 44. The collector terminal of the transistor Q via a common emitter resistor 56 to the emitter terminals of the transistors Q, and Q is Q

al ac. al ac.

verbudnen, während der KoIlektoranschluß des Transistors Q über eine Treiberschaltung 58 auf den Kollektoranschluß des Treibertransistors Q geführt ist. Der Schmidt-Trigger 84 besteht aus den beiden kaskadengeschalteten NPN-Transistoren Q. und Q, , deren Ein i tteranschlüsse miteinander verbunden und über den Widerstand 88 an Erde oder Masse E gelegt sind« Mit seinem Kollektoranschluß ist derVerbudnen, while the collector connection of the transistor Q is fed to the collector terminal of the driver transistor Q via a driver circuit 58 is. The Schmidt trigger 84 consists of the two cascaded NPN transistors Q. and Q, whose input terminals are connected to one another and are connected to earth or earth E via resistor 88

Transistor Q. auf die Transistoren Q und Q ge-K s gTransistor Q. to transistors Q and Q ge-K s g

führt, wahrend der Transistor Q. über seinen Basisanschluß mit der Zeitgliedschaltung 70 verbunden ist.leads, while the transistor Q. via its base terminal connected to the timer circuit 70 is.

Der Ausgangspegel an der Ausgangsklemme 86 des Schmidt-Triggers 84 wird dann plötzlich stärkerm wenn das am B-is isanschl uß des Transistors Q- anstehende Potential einen Wert annimmt, der größer als die Schwellenspannung des Schmidt-Triggers ist, und fällt dann wieder ab, wenn das Basispotential unter dem Abschaltpegel des Schmidt-Triggers lietjt.. Wahrend des Betriebes übersteigt die Lade-The output level at output terminal 86 of the Schmidt trigger 84 then suddenly becomes stronger when that which is pending at the B-is connection of the transistor Q- Potential assumes a value that is greater than the threshold voltage of the Schmidt trigger is, and then drops again when the base potential below the switch-off level of the Schmidt trigger lietjt .. During operation, the loading

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PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERO MÜLLER · D. GROSSF- · F-. P(JL'.M--It R 7 3 4PATENT LAWYERS F.W. HEMMERICH · GERO MÜLLER · D. GROSSF- · F-. P (JL'.M - It R 7 3 4

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spannung der Zeitgliedschaltung 70, (und dies ist das Basispotential des Transistors (}■), den Ein-voltage of the timer circuit 70, (and this is the base potential of the transistor (} ■), the input

schaltpegel für die Dauer einer vorgegebenen Zeit nach dem Schließen des Netzschalters 22 oder nach dem Zurücknehmen eines überstromzustandes, was wiederum zur Folge hat, daß die Ausgangsspannung am Anschluß 86 - und damit auch das am Basisanschluß des Transitors Q anstehende Potential plätzlich ansteigt und so stark wird, daß der Transistors Q5 sofort in den EINSCHALTZUSTAND oder DURCHLASSSZUSTAND gebracht wird. Fällt demgegenüber die Ladespannung der Zeitgliedschaltung 70 ab - oder das an der Basis des Transistors Q. anstehende Potential - dann hat dies zur folge, daß der Transistor Q sofort, in den ABSCHALIZU-STAND oder SPERRZUSTAND geht. Das aber bedeutet, daß der Transistor Q in stabiler Weise ringsum den Schwellenwert des Transistors Q zwischen den Zuständen des üurchlassens und des Sperrens wechseln und umschalten kann.Switching level for the duration of a predetermined time after closing the power switch 22 or after removing an overcurrent condition, which in turn has the consequence that the output voltage at terminal 86 - and thus also the potential at the base terminal of the transistor Q suddenly increases and becomes so strong that the transistor Q 5 is immediately brought into the ON STATE or ON STATE. If, on the other hand, the charging voltage of the timing circuit 70 falls - or the potential applied to the base of the transistor Q. - then this has the consequence that the transistor Q immediately goes into the DISABLED STATE or the DISABLED STATE. This means, however, that the transistor Q can change and switch between the states of passing and blocking in a stable manner around the threshold value of transistor Q.

Diese Erfindung kann nun auch derart geändert.und modifiziert werden, daß die Reglerschaltung 34 nur mit der Leistungsverstarkerstuie 12 zusammenarbeitet. Diese Änderung laßt sich dadurch erreichen, daß die mit Fig. 2, fig. 3 oder Fig. 4 wiedergegebenen Schaltungen ohne Kondensator 72 betrieben werden. In diesem Falle arbeiten die mit Fig. 2 oder mit Fig. 3 gezeigten Wide»stände 74 und 78 nur als eine Vovspanriunyskreis mit einer Zeitkonstante von Null für den zum elektronischen Schalter 26 gehörenden Schal tt»ansistör U. ·This invention can now also be modified in this way be modified so that the regulator circuit 34 only cooperates with the power amplifier unit 12. This change can be achieved in that the with Fig. 2, fig. 3 or 4 reproduced Circuits without capacitor 72 are operated. In this case they work with FIG. 2 or the wide stands 74 shown in FIG. 3 and 78 only as a Vovspanriunyskreis with one Time constant of zero for the switch belonging to the electronic switch 26 »ansistör U. ·

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

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Claims (1)

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER - 21 -PATENT LAWYERS F.W. HEMMERICH GERD MÜLLER D. GROSSE F. POLLMEIER - 21 - 4. Februar 1981 gr.ni 73 470February 4, 1981 gr.ni 73 470 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, 72 Horikawachof Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken (Japan)Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, 72 Horikawacho f Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken (Japan) Patentansprüche:Patent claims: Leistungsverstärker,Power amplifier, gekennzeichnet durch eine Vorverstärkerstufe (10), die mindestens einen Transistor, der einen ersten, einen zweiten und einen dritten Anschluß hat, aufweist, wobei der erste Anschluß mit einem Eingangskreis verbunden ist, eine Leistungsverstärkerstufe (10), deren Eingang auf den zweiten Anschluß des Transistors geführt ist, einen elektronischen Schalter (26), welcher zwischen dem dritten Anschluß des Transistors und der zweiten Anschlußklemme eines Netzgerätes (20) angeordnet ist und einen Steueranschluß aufweist,characterized by a preamplifier stage (10) which has at least one A transistor having first, second and third terminals, the first terminal is connected to an input circuit, a power amplifier stage (10), the input of which is on the second terminal of the transistor is performed, an electronic switch (26) which between the third connection of the transistor and the second connection terminal of a power supply unit (20) is arranged and has a control connection, ein Widerstandssystem (32), welches parallel zu dem Transistor zwischen seinem dritten Anschluß und der ersten Anschlußklemme des Netzgerätes (20) angeordnet ist, und durch einen Kontrollkreis (34), der mit dem Steueranschluß verbunden ist und jedes zur überlastung tendierende Stärkerwerden des Signalpegels erfaßt und dann aufgrund des jeweils erfaßten Signalpegels ein Dämpfungssignal auf den elektronischen Schalter (26) aufschaltet.a resistor system (32) which is parallel to the transistor between its third terminal and the first connection terminal of the power supply unit (20) is arranged, and by a control circuit (34) connected to the control connection is connected and each signal level tending to become stronger is detected and then due to of the respectively detected signal level on an attenuation signal the electronic switch (26) switches on. 2. Leistungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontrollkreis (34) dem elektronischen Schalter2. Power amplifier according to claim 1, characterized in that the control circuit (34) is the electronic switch (26) ein Dämpfungssignal aufschaltet, um zu erreichen, daß das Netzgerät (2O) von der Leistungsverstärkerstufe(26) switches on a damping signal in order to achieve that the power supply unit (2O) from the power amplifier stage (12) für eine, mit dem Aktivieren des Netzgerätes (20) beginnende , vorgegebenen Zeit? getrennt wird.(12) for a specified time starting with the activation of the power supply unit (20)? is separated. - 22 -- 22 - ■130067/0526■ 130067/0526 PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GROSGE · F. POLLiv.Eltfi "22 -PATENT LAWYERS F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GROSGE · F. POLLiv.Eltfi "22 - 3. Leistungsverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Kontrollkreis (34) ein Zeitglied (70) gehört, welches vom Netzgerät (20) aufgeladen wird, und daß das Dämpfungssignal dem elektronischen Schalter (26) solange aufgeschaltet bleibt, wie die an dem Zeitglied (70) anstehende Spannung unter einem vorgegebenen Sollwert liegt. 3. Power amplifier according to claim 2, characterized in that that the control circuit (34) includes a timing element (70) which is charged by the power supply unit (20), and that the damping signal remains switched on to the electronic switch (26) as long as that on the timer (70) the applied voltage is below a specified nominal value. 4. Leistungsverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die an dem Zeitglied (70) anstehende Spannung dem elektronischen Schalter (26) direkt aufgeschaltet wird, wenn die Größe dieser Spannung kleiner als ein vorgegebener Sollwert ist.4. Power amplifier according to claim 3, characterized in that that the voltage present at the timing element (70) is switched directly to the electronic switch (26), when the magnitude of this voltage is smaller than a specified target value. 5. Leistungsverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zum Kontrollkreis (34) ein Schmitt-Trigger (84) gehört, der mit dem Zeitglied (70) verbunden ist, und daß das Dämpfungssignal über den Schmitt-Trigger (84) auf den elektronischen Schalter (26) aufgeschaltet wird.5. Power amplifier according to claim 3, characterized in that a Schmitt trigger (84) belongs to the control circuit (34), which is connected to the timer (70), and that the damping signal via the Schmitt trigger (84) the electronic switch (26) is switched on. 6. Leistungsverstärker nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5,6. Power amplifier according to at least one of claims 1 to 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontrollkreis (34) das Dämpfungssignal auf den elektronischen Schalter (26) aufschaltet, wenn in der Leistungsverstärkerstufe (12) ein Strom fließt, der größer als eine vorgegebene Stromstärke ist.characterized in that the control circuit (34) applies the damping signal to the electronic switch (26) switches on when in the Power amplifier stage (12) a current flows which is greater than a predetermined current strength. 7. Leistungsverstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kontrollkreis (34) ein Vorspannkreis (58) zugeordnet ist, wobei das Dämpfungssignal dem elektronischen Schalter (26) dann aufgeschaltet wird, wenn die Spannung des Vorspannkreises (58) aufgrund eines einen vorgegebenen Wert übersteigenden Stromes absinkt.7. Power amplifier according to claim 6, characterized in that that the control circuit (34) is assigned a bias circuit (58), the damping signal being the electronic Switch (26) is switched on when the voltage of the bias circuit (58) due to a predetermined Value of the exceeding current drops. 130067/0525130067/0525 PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER ■ D. GROSSE · ?. POLbVlEIEfi ?j PATENT LAWYERS FW HEMMERICH · GERD MÜLLER ■ D. GROSSE · ?. POLbVlEIEfi ? J 8. Leistungsverstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zum Kontrollkreis (34) eine Parallelschaltung gehört, welche zwischen dem Vorspannkreis (58) und der Leistungsverstärkerstufe (12) angeordnet ist, um die Klemmenspannung an dem Vorspannkreis (58) zu reduzieren, wenn in der Leistungsverstärkerstufe (12) ein Strom fließt, der stärker als eine vorgegebene Sollstromstärke ist.8. Power amplifier according to claim 7, characterized in that that the control circuit (34) includes a parallel circuit, which between the bias circuit (58) and the Power amplifier stage (12) is arranged to the To reduce the terminal voltage on the bias circuit (58) when there is a current in the power amplifier stage (12) flows, which is stronger than a predetermined nominal current strength. ο Leistungsverstärker nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8,ο power amplifier according to at least one of claims 1 to 8, dadurch ge k e nnzeichnet, daß es sich bei dem elektronischen Schalter (26) um einen Transistor handelt.characterized in that the electronic switch (26) is is a transistor. 10. Leistungsverstärker nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsverstärkerstufe (12) zwei Transistoren mit entgegengesetzter Leitfähigkeit aufweist, die zur Verstärkung der negativen und positiven Halbwellen des Eingangssignales dienen,
10. Power amplifier according to at least one of claims 1 to 9,
characterized in that the power amplifier stage (12) has two transistors with opposite conductivity, which serve to amplify the negative and positive half-waves of the input signal,
daß ein Treibertransistor (Qc) vorgesehen ist, dessen Kollektoranschluß mit den gemeinsamen Basisanschlüssen der beiden Transistoren verbunden ist, daß ein aktiver Belastungstransistor zwischen dem Kollektoranschluß des Treibertransistors (Qc) und der ersten Anschlußklemme des Wetzgerätes (20) angeordnet ist, und daß der Leistungsverstärker noch einen zweiten elektronischen Schalter besitzt, welcher zwischen dem Basisanschluß des aktiven Beleistungstransistors und dem Kollektorkreis angeordnet ist»that a driver transistor (Qc) is provided whose Collector connection is connected to the common base connections of the two transistors, that an active load transistor between the collector terminal of the driver transistor (Qc) and the first Terminal of the sharpening device (20) is arranged, and that the power amplifier has a second electronic Has switch, which between the base terminal of the active Beleistungstransistor and the collector circuit is arranged » 1 30087/082S1 30087 / 082S
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