DE3044257A1 - Freitragende maske, verfahren zur herstellung sowie verwendung derselben - Google Patents

Freitragende maske, verfahren zur herstellung sowie verwendung derselben

Info

Publication number
DE3044257A1
DE3044257A1 DE19803044257 DE3044257A DE3044257A1 DE 3044257 A1 DE3044257 A1 DE 3044257A1 DE 19803044257 DE19803044257 DE 19803044257 DE 3044257 A DE3044257 A DE 3044257A DE 3044257 A1 DE3044257 A1 DE 3044257A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mask
film
frame
masking
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19803044257
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Dr. Wien Löschner
Gerhard Prof. Dr. Purkersdorf Stengl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sacher Rudolf Drphil Wien At
Original Assignee
Rudolf Sacher Wien GmbH
RUDOLF SACHER GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rudolf Sacher Wien GmbH, RUDOLF SACHER GmbH filed Critical Rudolf Sacher Wien GmbH
Publication of DE3044257A1 publication Critical patent/DE3044257A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

LEINE & KdNIG
fMENtAKWAUE - 24. November 1980
tartJdwr! ». oaom Ηαηηον« ι uns.Zeichen: 211/5
Telefon "OS 1?! *ϊ » OS
Freitragende Maske, Verfahren zur Herstelluncj sowie Verwendung derselben"
Die Erfindung betrifft eine freitragende Maske für die Verwendung bei der Behandlung von Substraten durch Strahlung oder durch einen Teilchenstrom (Abbildungsmedium) mit einer an einem Rahmen befestigten Maskenfolie, in der mindestens ein gegenüber dem Abbildungsmedium durchlässiges Gebiet vorgesehen ist.
Derartige Masken werden bei der Behandlung von Substraten durch Strahlung oder einen Teilchenstrom verwendet, um bestimmte Bereiche des Substrates nicht der Wirkung der Teilchen- oder Strahlenbelastung auszusetzen.
Um Masken mit dünnen und großflächigen Maskenfolien handhaben zu können, ist die Halterung der Maskenfolien durch einen Rahmen bekannt, in welchem Zusammenhang beispielsweise auf die US-PS 4 101 782 und die DE-AS 2 512 086 verwiesen wird.
Der Rahmen kann hiebei aus demselben Material wie die Maskenfolie bestehen. Aus technologischen Gründen wird jedoch häufig ein anderes Material gewählt, wie etwa gemäß der DE-AS 2 512 086 ein Glasrahmen zur Halterung einer Nickelmaskenfolie oder gemäß der US-PS 4 101 782 ein Aluminiumrahmen zur Halterung einer Maskenfolie aus Aluminiumoxid verwendet wird.
Eine Maskenfolie sollte nach dem Herstellungsprozeß keine Unebenheiten aufweisen und frei von lokalen inneren Spannungen sein, wie dies auch in der US-PS 3 271 gefordert wird.
Als Maskenmaterial findet häufig Nickel Verwendung (DE-AS 2 512 086), da mit Hilfe von galvanischen Techniken aus diesem Material Maskenstrukturen sehr hoher Präzision herstellbar sind.
Die bekannte Halterung einer Maskenfolie durch einen Rahmen allein genügt jedoch nicht, um bei einer Teilchen-
130027/0888
oder Strahlenbelastung eine Verformung der Maskenfolie und damit Fehler in der Strukturübertragung zu vermeiden.
So werden etwa bei einem, bekannten Verfahren
der Elektronen-Projektion (B. Lischke, K. Anger, W. Münchmeyer, A. Oelmann, J. Frosien, R. Schmitt and M. Sturm, Investigations about High Performance Electron-Microprojection Systems, 8th Int. Conf. on Electron and Ion Beam Science and Technology, Seattle, USA, May 1978) Maskenfolien aus Nickel mit 50 mm Durchmesser und etwa 1 jam Dicke verwendet. Die Belastung dieser Maskenfolien durch Elektronenbeschuß mit 1 /uA/cm führt gemäß dieser Veröffentlichung zu einem Durchbiegen der Maskenfolie um 350 pm. Dieses Durchbiegen führt zu einem Fehler in der Strukturübertragung. Um diesen Fehler kleiner als 0,5 pm zu halten, muß nach einem kurzzeitigen Elektronenbeschuß eine hinreichende Zeit für ein Abkühlen der Maske vorgegeben werden. Damit muß die maximale
Belichtungsgeschwindigkeit auf 1 cm /see in der Maskenebene beschränkt werden.
Bei einem anderen bekannten Verfahren (H. Bohlen, J. Greschner, W. Kulcke and P. Nehmiz, Electron Beam Step and Repeat Proximity Printing, 8th Int. Conf. on Electron and Ion Beam Science and Technology, Seattle, USA, May 1978; H. Bohlen, J. Greschner and P. Nehmiz, Silicon Supported EB Proximity Masks, 8th Int. Conf. on Electron and Ion Beam Science and Technology, Seattle, USA, May 1978) besteht die Maskenfolie aus p-Silizium und wird von einem Ring aus η-Silizium gehalten. Die Maskenfläche wird mit etwa 5,5 χ
2
5,5 mm angegeben. Auf die Maskenfolie wurde noch eine dünne Chrom- und Goldschicht aufgebracht, so daß eine Maskendicke von etwa 3 pm vorlag. Bei derartigen Masken wurde kein Durchbiegen der Folie bis zu einer Temperatur von 120 C festgestellt. Die berichteten experimentellen Ergebnisse für 1:1 Elektronen-Projektion zeigen, daß die Maskenfolie ohne Verformung mit einem 12,5 keV Elektronenstrahl (Durchmesser 1 mm) und einer Stromstärke von 10 pA belastet werden kann, wenn der Elektronenstrahl genügend schnell zeilenweise über die Maskenfolie gescannt wird.
Bei dem veröffentlichten Verfahren der 1:1
130027/0888
Ionen-Projektion durch eine Maske aus Aluminiumoxid oder dünnem Silizium mit einer Gold-Absorberschicht (D.B. Rensch, R.L. Seliger, G. Csanky, R.D. Olney and H.L. Stover, Ion-beam lithography for IC fabrication with submicrometer features, J. Vac. Sei. Techn. 16(6), 1897 - 1900, Nov/Dez 1979; R.L. Seliger and P.A. Sullivan, Ion beams promise practical systems for submicrometer wafer lithography, Electronics, pp. 142-146, March 27, 1980) ist bei einer Ionen-Belichtung mit hohem Durchsatz das Aufheizen der Maske der beschränkende Faktor (J. Vac. Sei. Techn. 16(6), p. 1900).
Ein Problem bei den bekannten freitragenden
Masken ist also die Verformung der Maskenfolie, wenn sie einer dauernden ganz- oder teilflächigen Belastung, insbesondere einer Belastung mit höherer Intensität, ausgesetzt sind, wie sie für genügend kurze Einwirkzeiten (Belichtungszeiten) notwendig sind. Diese Verformungen - in der Regel ein Durchbiegen der Masken - führen zu Fehlern in der Strukturübertragung. Es war daher auch notwendig, die Behandlung des Substrates immer wieder zu unterbrechen, damit sich die Maskenfolie hinreichend abkühlen konnte.
Die sinnvolle Anwendbarkeit der vorstehend
beschriebenen Verfahren der Elektronen- und Ionen-Projektion wird unter den genannten Einschränkungen hinsichtlich der Belastbarkeit der bekannten Masken lediglich durch die hohe Empfindlichkeit von elektronen- bzw. ionen-empfindlichen Lacken möglich.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Planheit und Struktuigtreue der Maske auch bei dauernder sowie wesentlich stärkerer Teilchen- oder Strahlenbelastung der gesamten Maskenfolie zu gewährleisten.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß die Maskenfolie bei der Einsatztemperatur durch vom Rahmen auf die Maskenfolie ausgeübte Kräfte thermisch vorgespannt ist, wobei die Kräfte aus einem gegenüber dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Werkstoffes der Maskenfolie höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Werkstoffes des Rahmens resultieren.
Die bei den bekannten Masken auftretenden
130027/08Ö8
0044257
Wellungen und/oder Verzerrungen der Maskenfolie, die eine unexakte Abbildung zur Folge hatten, treten bei der erfindungsgemäßen Maske nicht auf. Da die Maskenfolie bei der Kinsatztemperatur auf Grund der erfindungsgemäß vorgeschlagenen Maßnahmen stets thermisch vorgespannt ist, führt eine Erwärmung der Maskenfolie lediglich zu einer teilweisen Aufhebung der vom Rahmen erzeugten Vorspannung, ohne daß sich dabei die Größenverhältnisse der Maske ändern oder in der Maske Verformungen, wie Wellungen, Buckel u. dgl., auftreten. Erst nach vollständiger Aufhebung der Vorspannung können Verformungen der Maskenfolie auftreten. Es ist ersichtlich, daß bei Verwendung der erfindungsgemäßen Maske erheblich höhere Intensitäten des Abbildungsmediums möglich sind als bisher. Sogar eine kontinuierliche Belastung der Maskenfolie ist ohne Verformung möglich, da bei der erfindungsgemäß ausgebildeten Maske die Temperatur der Maskenfolie die Temperatur des Rahmens beträchtlich übersteigen kann, ohne daß es zu einem Durchbiegen der Folie oder zu einer Änderung der Maskenstrukturen kommt.
Durch Wahl der Werkstoffe für Rahmen und Maskenfolie, bei der auch auf die Temperaturdifferenz zwischen Herstellungstemperatur der Maske und der Temperatur, welche die Folie unter Beschüß oder Bestrahlung annimmt, Rücksicht genommen werden kann, hat man es in der Hand, die Spannung der Maskenfolie bei Benutzung der erfindungsgemäßen Maske entsprechend einzustellen. Hiebei wird man die Wahl der Werkstoffe auch so treffen, daß die Vorspannung der Maskenfolie innerhalb des elastischen Bereiches des Maskenfolienwerkstoffes erfolgt, so daß es zu keinen plastischen Verformungen in der Maskenfolie kommen kann.
Es ist nicht wesentlich, daß die Maskenfolie bei Raumtemperatur vorgespannt ist. Wesentlich ist vielmehr, daß die Maskenfolie bei der Einsatztemperatur, d.i. die Temperatur, welche die Maske unter Beschüß mit dem Teilchenstrom bzw. unter der Einwirkung der Strahlung annimmt, vorgespannt ist.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung kennzeichnet sich dadurch, daß die Maskenfolie, wie an sich
130027/0888
bekannt, aus Metall, z.B. Nickel, und der Rahmen, wie an sich bekannt, aus Aluminium besteht. Diese Werkstoffkombination ist deswegen besonders günstig, weil der thermische Ausdehnungskoeffizient von Aluminium etwa zweimal so hoch wie jener von Nickel ist.
Eine der Anwendungsmöglichkeiten der Maske nach der Erfindung ist in einem Ionen-Projektions-System (R. Sacher, G. Stengl, P. Wolf and R. Kaitna, Novel Microfabrication Process without Lithography using an Ion-Projection System, Proc. 5th Int. Conf. Ion Impl. in Semiconductors and Other Materials, Boulder, Colorado, August 8-13, 1976; G. Stengl, R. Kaitna, H. Loeschner, P. Wolf and R. Sacher, Ion-Projection-System for IC Production, 15th Symp. Electron, Ion and Photon Beam Techn., Boston, Mass., USA, May/June 1979; G. Stengl, R. Kaitna, H. Loeschner, P. Wolf and R. Sacher, Ion-Projection-System for Microstructure Fabrication, Proc. Microcircuit Engineering '79, RWTH Aachen, BRD, Sept. 25-27, 1979) gegeben, wobei beschleunigte Ionen auf eine Maske auftreffen und entsprechend den öffnungen in der Maske Ionenteilstrahlen erzeugt werden. Diese Ionenteilstrahlen werden weiter beschleunigt und einem ionenoptisch verkleinernden oder vergrößernden System zugeführt, wodurch auf dem zu bearbeitenden Substrat ein verkleinertes oder vergrößertes Ionenbild der Öffnungen in der Maskenfolie entsteht.
Die Maske nach der Erfindung kann auch bei
Elektronen-Projektions-Systemen und bei Projektionssystemen eingesetzt werden, bei denen elektromagnetische Wellen, wie UV-Licht oder Röntgenstrahlen, verwendet werden.
Die Maske nach der Erfindung ist auch bei Systemen anwendbar, bei denen ein Aufbringen von dünnen Schichten in von einer Maske vorgegebenen Strukturbereichen erfolgt. Dies ist beispielsweise beim Aufdampfen von Metallschichten über eine Abdeckmaske oder bei der Herstellung von Dünn-Film-Bauteilen der Fall.
Weitere Anwendungsmöglichkeiten bestehen beim Siebdruckverfahren etwa für die Dick-Film-Technologie.
Elektronen- und insbesondere Ionen-Projektions-
130027/0888
Systeme gewinnen für die Erzeugung von Mikrostrukturen in der Halbleiterindustrie zunehmend an Bedeutung. Für derartige Systeme ist die Entwicklung von großflächigen, freitragenden Masken sehr wichtig.
Durch galvanotechnische Methoden, wie sie in R. Sacher, G. Stengl, P. Wolf and R. Kaitna, Novel Microfabrication Process without Lithography using an Ion-Projection System, Proc. 5th Int. Conf. Ion Impl. in Semiconductors and Other Materials, Boulder, Colorado, August 8-13, 1976; A. Politycki and A. Meyer, Herstellung freitragender Metall-Mikrostrukturen für elektronenoptische Geräte, Siemens Forsch.-u. Entwickl.-Ber. Bd. 4, Nr. 3, 162, 1975 beschrieben sind, ist die Herstellung von freitragenden Metallmasken mit Öffnungsund Stegbreiten im pm- und sub-pm-Bereich möglich geworden. Von der Buckbee-Mears Company, 245 East Sixth Street, St. Paul, Minn. 55101, USA sind Feinstgitter aus Ni, Cu, Ag oder Au mit 2000 Linien/inch erhältlich (Stegbreite 6,3 jura). Die Maskendicke beträgt zwischen 2,5 pm und 5 pm, die Maskenfläche bis
2
zu 11 χ 11 cm .
Aus A. Politycki and A. Meyer, Herstellung freitragender Metall-Mikrostrukturen für elektronenoptische Geräte, Siemens Forsch.- u. Entwickl.-Ber. Bd. 4, Nr. 3, 162, 1975; A. Politycki and A. Meyer, Demagnifying Electron Projection with Grid Masks, Siemens Forsch.- u. Entwickl.-Ber. Bd. 7, Nr. 1, 28, 1978 ist die Herstellbarkeit von Nickelgittern mit Stegbreiten bis zu 0,5 pm bekannt. Eine der Herstellungsmethoden ist in der DE-AS 2 512 086 beschrieben.
Erst mit der Erfindung kann der Vorteil von
Projektionssystemen (A.N. Broers, A review of high-resolution microfabrication techniques, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 40, pp. 155 - 167, 1978; siehe Seite 168) gegenüber scannenden Lithographiesystemen voll genützt werden. Durch die erfindungsgemäß erzielte Dauerbelastbarkeit der Maskenfolie kann der Durchsatz und damit die Wirtschaftlichkeit von Projektionssystemen optimiert werden. Die Erfindung erlaubt bei Ionen-Projektions-Systemen (G. Stengl, R. Kaitna, H. Loeschner, P. Wolf and R. Sacher, Ion-Projection-System for IC Production, 15th Symp. Electron, Ion and Photon Beam Techn., Boston,
130027/0888
Mass., USA, May/June 1979; G. Stengl, R. Kaitna, H. Loeschner, P.Wolf and R.Sacher, Ion-Projection-System for Microstructure Fabrication, Proc. Microcircuit Engineering '79, RWTII Aachen, BRD, Sept. 25-27, 1979) eine derartige Belastung der Maskenfolie, daß Strukturierungen von anorganischen, halbleitenden und metallischen Schichten mit Ionenbelichtungszeiten (H-, D - oder He -Ionen) von typisch einer Sekunde möglich werden. Bei organischen Schichten liegen die notwendigen Belichtungszeiten für einen Strukturbereich bei 1/100 bis 1/1000 see.
Die bisher bekannten freitragenden Gittermasken bestehen aus einer Maskenfolie einheitlicher Dicke, wobei die Maskenfolie durch einen Rahmen gehalten wird. Die Maskenstrukturen in derartigen Gittermasken sind gewöhnlich unterschiedlich groß und nicht regelmäßig über die Oberfläche verteilt. Dies führt - bedingt durch die inhomogene Absorption des Abbildungsmediums über die Folie - bei Maskenfolien, die durch einen Rahmen gehalten werden, zu lokalen Verwerfungen. Bei derartigen freitragenden Gittermasken gleichmäßiger Dicke werden die lokalen Verwerfungen durch die erfindungsgemäße thermische Vorspannung der Maskenfolie ganz erheblich vermindert.
Um lokale Verwerfungen von erfindungsgemäß thermisch vorgespannten Gittermasken mit beliebig vorgegebenen Maskenstrukturen gänzlich zu beseitigen, kann erfindungsgemäß vorgesehen sein, daß die durchlässigen Gebiete in der Maskenfolie eine Gitterstruktur mit vorzugsweise an sich bekannten quadratischen Gitteröffnungen aufweisen und daß die Stege der Gitterstruktur gegenüber der Maskenfolie verstärkt ausgebildet sind. Bevorzugt ist hiebei, daß die Verstärkung der Stege aus einem Werkstoff besteht, der den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie der Werkstoff der Maskenfolie besitzt. Gemäß einer besonders einfachen Ausführungsform ist vorgesehen, daß die Verstärkungen der Stege aus dem gleichen Werkstoff wie die Maskenfolie, z.B. aus Nickel, bestehen. Auf diese Weise wird der Festigkeitsverlust durch die vorhandenen öffnungen mit einer entsprechenden Dickenzunahme der Stege des Gitters kompensiert. Die Verstärkungen der Gitterstege haben dabei den Effekt, die Kraftliniendichte im Bereich der Stege in der Größenordnung der Kraftliniendichte in der Maskenfolie zu halten, so daß die Maskenfolie in allen Bereichen gleichmäßig vorgespannt ist.
130027/0888
304425?
Zur Herstellung der Maske nach der Erfindung hat sich ein Verfahren bewährt, bei dem man die Maskenfolie bei einer unter der Einsatztemperatur der Maskenfolie liegenden Temperatur in den auf derselben Temperatur befindlichen Rahmen einsetzt, wobei die Vorspannung der Maskenfolie gegebenenfalls durch willkürliches Erwärmen des Rahmens herbeigeführt wird.
Es kann also bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Maske so vorgegangen werden, daß man die Maskenfolie bei einer unter der Einsatζtemperatur der Maskenfolie liegenden Temperatur in den auf derselben Temperatur befindlichen Rahmen einsetzt. Durch den Temperaturhub zwischen der Einspanntemperatur und der Einsatztemperatur der Maske entsteht dann die Vorspannung, wobei man die Vorspannung auch durch willkürliches Erwärmen des Rahmens herbeiführen oder erhöhen kann.
Die Höhe der Einspanntemperatur wird je nach
der thermischen Belastung, der die Maske durch den Teilchenbeschuß oder durch die Strahlenbelastung ausgesetzt sein wird, gewählt. Häufig empfiehlt es sich, so vorzugehen, daß man die Maskenfolie und den Rahmen auf eine unter der Raumtemperatur liegende Temperatur abkühlt und dann die gekühlte Maskenfolie in den gekühlten Rahmen einsetzt. Die Abkühlung kann z.B. durch Einlegen von Rahmen und Maskenfolie in Eiswasser oder flüssigen Stickstoff erfolgen.
Die Planheit und Strukturstreue der thermisch vorgespannten Maske ist bei einer homogenen Erwärmung der Maskenfolie durch das Abbildungsmedium ohne weiteres gewährleistet. Wenn der Teilchenstrom oder die Strahlung, welche auf die Maske trifft, nicht genügend homogen ist, kann im Rahmen der Erfindung bei einem Verfahren zum Maskieren von Substraten unter Verwendung der erfindungsgemäßen Maske eine gleichmäßige Erwärmung der Maskenfolie erreicht werden, indem man die Maskenfolie z.B. durch Bestrahlung, gegebenenfalls mit Infrarotstrahlen, zum Ausgleichen einer inhomogenen Belastung der Maskenfolie durch das Abbildungsmedium gleichmäßig erwärmt. Durch diese Strahlungs-Hilfsquelle wird die Inhomogenität der durch das Abbildungsmedium hervorgerufenen Belastung der Maskenfolie ausgeglichen. Eine derartige Hilfsquelle kann beispielsweise ein ringförmiger Infrarotstrahler sein. Bei Verwendung von Ionen als Abbildungsmedium kann der
Ausgleich einer inhomogenen Belastung durch einen geeignet gescannten Elektronenstrahl niedriger Energie oder durch Scannen des Ionenstrahls selbst erfolgen.
Weitere Einzelheiten und Merkmale der
Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung, in welcher auf die schematischen Zeichnungen Bezug genommen wird. Es zeigen die
Fig. 1 bis 3 einzelne Stufen der Herstellung einer thermisch vorgespannten Maske,
Fig. 4 die Maske bei ihrer Verwendung,
Fig. 5 eine Maske, deren Öffnungen von einer Gitterstruktur durchzogen sind,
Fig. 6 die Anordnung der quadratischen Öffnungen in einer Metallmaske für die Vierfach-Implantation der Oxidstrukturen in Fig. 7,
Fig. 7 das Konzept der Vierfach-Implantation von Oxidschichten mit quadratischen Grundeinheiten,
Fig. 8 eine angenommene Damageverteilung bei nebeneinander implantierten Oxidstrukturen und
Fig. 9 eine unter Voraussetzung eines isotropen Ätzverfahrens konstruierte Kantenstruktur nach dem Ätzen der Damageverteilung von Fig. 8 bis auf Silizium.
An Hand der Fig. 1 bis 3 wird zunächst die Herstellung einer Maske näher beschrieben.
Angenommen wird, daß eine Maskenfolie 1 (Fig. 1) vorliegt, wobei bei einer freitragenden Maske die Maskenstege 1a und Maskenöffnungen 1b die Gesamtheit der MaskenStrukturen ergeben. Zwecks besserer Handhabung kann die Maskenfolie einen Verstärkungsrahmen 1c aufweisen, der aus demselben Werkstoff wie die Maskenfolie bestehen kann.
Die Herstellung von Maskenfolien mit Strukturen
technische hoher Präzision ist durch verschiedene/Verfahren möglich
und ist nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung.
Wie in Fig. 2 dargestellt, wird nun die Maskenfolie 1 in den Rahmen/2a eingelegt, und zwar bei einer Temperatur, die unter der späteren Einsatztemperatur liegt.
130027/0888
Liegt die Einsatztemperatur der Maske im Bereich der Raumtemperatur, dann sind Maskenfolie 1 und Rahmen 2 zu kühlen, z.B. durch Einlegen in einen Behälter 4, in dem sich eine kalte Flüssigkeit oder ein kaltes Gas 3 befindet. Geeignet ist etwa ein Behälter mit Eiswasser oder mit flüssigem Stickstoff. Mit dem Rahmenteil 2b wird dann die Maskenfolie in der kalten Umgebung 3 an den Rahmenteil 2a festgeklemmt, so daß die Maskenfolie 1 im Rahmen 2 an allen Rändern festliegt. Gewöhnlich wird eine quadratische Maske 1 und dementsprechend ein quadratischer Rahmen 2 verwendet.
Der Rahmen 2 besteht erfindungsgemäß aus einem Werkstoff, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient höher ist als jener des Maskenwerkstoffes. Im Falle von Maskenfolien aus Nickel kann ein Rahmen aus Aluminium gewählt werden, da der thermische Ausdehnungskoeffizient von Aluminium etwa doppelt so hoch wie jener von Nickel ist.
Nach dem Einspannvorgang gemäß Fig. 2 wird die Anordnung aus Maskenfolie 1 und Rahmen 2 langsam auf Zimmertemperatur erwärmt (Fig. 3). Dabei übt der Rahmen zunehmende Kräfte auf die Maskenfolie aus, wodurch die Maskenfolie thermisch vorgespannt wird. Durch die Wahl der Werkstoffe von Maskenfolie 1 und Rahmen.2 und der Einspanntemperatur wird gewährleistet, daß diese Vorspannung innerhalb des elastischen Bereiches des Maskenwerkstoffes erfolgt, so daß es auch bei der Benützung der Maske zu keinen plastischen Verformungen oder gar zu einem Einriß in der Maskenfolie 1 kommen kann.
Fig. 4 zeigt eine beispielsweise Anordnung einer derart vorgespannten Maske in einem Abbildungsgerät. Die Maskenfolie 1 wird vom Abbildungsmedium 5 (elektromagnetische Strahlung oder ein Teilchenstrom aus Elektronen, Ionen, Neutronen, Aufdampf- oder Sputterteilchen) beleuchtet, wobei entsprechend den Maskenstrukturen die Teilstrahlen 6 entstehen, die je nach dem vorliegenden Abbildungssystem verkleinert oder vergrößert oder auch 1:1 auf das Substrat projiziert werden. Durch eine Blende 7 wird verhindert, daß auch der Rahmen 2 vom Abbildungsmedium 5 getroffen wird. Der Rahmen 2 wird dabei auf konstanter Temperatur gehalten,
130027/0888
beispielsweise durch geregeltes Erwärmen mit Hilfe eines Heizdrahtes 8. Eine Änderung der Abmessungen des Rahmens 2 mittelbar durch das Abbildungsmedium 5 wird durch diese Maßnahmen verhindert.
Durch das Heizen des Rahmens 2 kann auch die thermische Vorspannung der Maskenfolie erhöht werden. Bei bestimmten Anwendungsfällen mit einer geringeren Belastung der Folie 1 durch das Abbildungsmedium 5 kann die Maskenfolie 1 bei Zimmertemperatur in derä|Rahmen 2 gelegt werden, wobei eine ausreichende thermische Vorspannung der Maskenfolie 1 allein durch Heizen des Rahmens 2 erreicht werden kann.
Die Bestrahlung der Maskenfolie mit dem Abbildungsmedium 5 führt nun zu einer Erwärmung der Maskenfolie 1. Durch die erfindungsgemäße thermische Vorspannung der Maskenfolie kann die dadurch bewirkte Temperatur der Maskenfolie 1 die Temperatur des Rahmens 2 beträchtlich übersteigen, ohne daß es zu einem Durchbiegen der Folie oder zu einer Änderung der Maskenstrukturen kommt.
Den Rahmen der Maske auf im wesentlichen
konstanter Temperatur zu halten, ist in den meisten Fällen, z.B. bei einer Strukturübertragung mit konstantem Abbildungsmaßstab, vorteilhaft.
Bei der erfindungsgemäßen Maske kann das Maskendesign mit Vorteil so ausgeführt werden, daß alle öffnungen (5x5 pm) der Maske (Dicke z.B. 2,5 pm) von einer Gitterstruktur durchzogen sind, wie dies in Fig. 5 an einem Beispiel gezeigt ist.
Der Festigkeitsverlust durch die vorhandenen Öffnungen wird mit einer entsprechenden Dickenzunahme der Stege 10 des Gitters kompensiert, wie dies in Fig. 5 verdeutlicht wird. Damit ist die Maskenfolie 1 in allen Bereichen gleichmäßig vorgespannt.
Dem Maskendesign kann ein reguläres Grundgitter mit quadratischen öffnungen zugrundegelegt werden. Ein Designbeispiel ist in Fig. 6 gezeigt, wobei quadratische öffnungen (der Kantenlänge A) mit Gitterstegen (der Breite B)
130027/0888
3Q44257
angeordnet sind. Das Design äußert sich lediglich in der Anzahl und in der Anordnung der quadratischen Öffnungen. Dieses Maskendesign kann durch eine Vierfachbelichtung mit dem Abbildungsmedium auf das Substrat in den gewünschten Strukturbereichen übertragen werden. Für den Fall einer 10:1 verkleinernden Ionenprojektion ist dies in Fig. 7 für das Designbeispiel von Fig. 6 gezeigt. In Fig. 7 sind die in den einzelnen Stufen implantierten Bereiche durch unterschiedliche Schraffüren gekennzeichnet. Mit derartigen Gittermasken ist das Problem der herausfallenden Strukturen von freitragenden Masken beseitigt, d.h. auf dem zu bearbeitenden Substrat kann eine in sich geschlossene Strukturierung erfolgen (vgl. Fig. 7, links). Dies ist für die meisten Maskierungsschichten eines Halbleiterdesigns sehr wichtig.
Die X- und Y-Versetzungen für die Vierfachbelichtung wurden bisher durch Ablenken des Teilchen- oder Strahlenbildes durchgeführt. Vgl.: M.B. Heritage, P.E. Stuckert, and V. DiMilia, A Solution to the Mask "Stencil Problem1 in Electron Projection Microfabrication, Proc. 7th Int. Conf. Electron and Ion Beam Science and Techn., Washington, May, 1976.
B. Lischke, K. Anger, J. Frosien, A. Oehlmann, and H. Schuster-Woldan, Pattern generation by 1:1 shadowprinting, Int. Conf. on Microlithography, Paris, June 1977.
Eine Möglichkeit besteht darin, die entsprechenden X- und Y-Bewegungen für die Vierfachbelichtung mit dem zu bearbeitenden Substrat auszuführen.
Wegen der einzuhaltenden mechanischen Toleranzen ist insbesondere bei reduzierenden Projektionsanlagen ein entsprechendes Bewegen der Maske relativ zum Substrat vorteilhafter als das Bewegen des zu bearbeitenden Substrates,
Die für die Vierfachbelichtung notwendigen X- und Y-Bewegungen der Maske bzw. des Substrates können durch piezoelektrische Weggeber genügend genau und rasch erfolgen. Die Bestrahlungszeiten werden durch ein z.B. mechanisches Shuttersystem bestimmt und mit den Bewegungen der Maske koordiniert.
130027/0888
Mit den beschriebenen Gittermasken sind
Strukturen herstellbar, deren Breite und Länge Vielfache der Grundeinheit 2·A-M sind, wobei A die Kantenlänge der quadratischen öffnungen in der Nickelmaske und deren Abstände und M den Abbildungsmaßstab (häufig M=1O) bezeichnet. Auch die Abstände zwischen den Strukturen sind Vielfache dieser Grundeinheit.
Um möglichst geradlinige Strukturkanten auf
dem zu bearbeitenden Substrat zu erreichen, kann die folgende Methode angewendet werden. Das Grundgitter wird bei dieser Methode so gewählt, daß die Breite der Gitterstege B größer als die Kantenlänge A der quadratischen Öffnungen ist. Die Größe der Differenz B-A wird in Abhängigkeit von den Eigenschaften des abbildenden Gerätes, von der Wahl des Abbildungsmediums und von der Art des zu bearbeitenden Substrates abhängen. Diese Methode wird an einem Strukturierungsbeispiel mit einem Ionenprojektor näher erläutert.
Hier wird angenommen, daß in einem Siliziumdioxid mit einer Dicke von 0,25 jum durch Implantation mit einem Ionenprojektor eine quadratische Öffnung in der Nickelmaske von 4 pm χ 4 pm mit 10:1 Verkleinerung in ein Quadrat von 0,4 /um χ 0,4 jum abgebildet wird (Fig. 8) . Vom Siliziumdioxid innerhalb dieses Bereiches wird angenommen, daß die durch Ionenimplantation erhöhte Ätzrate (f) den Wert 3 erreicht. In diesem Bereich wird das Oxid in verdünnter Flußsäure dreimal schneller geätzt als in nichtimplantierten Gebieten. Zusätzlich zu diesem Implantationsbereich wird angenommen, daß durch die Eigenschaften des abbildenden Ionenprojektors und vor allem durch eine laterale Streuung der Ionen im zu strukturierenden Substrat auch ein Gebiet um den quadratischen Bereich von 0,4 χ 0,4 jum verändert wird. In Fig. 8 wird ein Bereich von 0,05 jum mit einer Ätzrate von 2 angenommen. Entsprechende Querschnitte der Defektverteilungen sind in Fig. 8a gezeichnet. Weiters wird bei der Defektverteilung gemäß Fig. 8a angenommen, daß die überlagerung von Oxidbereichen mit f = 2 zu einer Defektverteilung mit f = 3 führt (dies entspricht einer Sättigung der ioneninduzierten Defekte).
Das Ätzverhalten dieser in Fig. 8 angenommenen
130027/0888
Damageverteilung wurde durch graphische Konstruktion ermittelt. Damit ergibt sich die in Fig. 9 wiedergegebene Kantenverteilung der in SiO„ geätzten Struktur. In Fig. 9 ist die Kante 11 die Oxidkante auf der Siliziumdioxidoberfläche 12 und die Kante 13 die Oxidkante auf Silizium
Die Maßnahme, die Gitterstege entsprechend breiter als die Kantenlänge der quadratischen öffnungen der Maske zu gestalten, ermöglicht daher beim Vierfachbelichten einen wesentlich höheren Grad an Geradlinigkeit von zusammengesetzt implantierten Strukturen.
Die optimale Differenz B-A für ein bestimmtes abbildendes Gerät, für das gewählte Abbildungsmedium und für das zu strukturierende Substrat kann jeweils einfach bestimmt werden.
Die Erfindung betrifft ebenso Gittermasken,
bei denen die Breite der Gitterstege kleiner als die Kantenlänge des Öffnungsquadrates ist. Bei genügend geringer Stegbreite kann mit einer derartigen Maske eine Einfachbelichtung erfolgen, wie dies in A. Politycki and A. Meyer, Demagnifying Electron Projection with Grid Masks, Siemens Forsch.-u. Entwickl.-Ber. Bd. 7 (1978) Nr. 1, pp. 28-33, beschrieben ist. Gegenüber dem Verfahren der Vierfachbelichtung sind dadurch etwa um einen Faktor 2 feinere Strukturen herstellbar.
Allerdings muß bei derartigen Masken die Breite der Gitterstege so gering sein, daß durch überstrahlung auf dem zu bearbeitenden Substrat eine kontinuierliche Strukturierung erreicht wird.
Auch bei diesen Masken kann zur Kompensation des Festigkeitsverlustes eine entsprechende Verstärkung der Gitterstege vorgesehen sein, wodurch auch eine gleichmäßige thermische Vorspannbarkeit erzielbar ist. Z.B. können die Stege gegenüber dem übrigen Maskenbereich einfach verdickt ausgebildet sein.
Von Bedeutung ist auch die optimale Wahl der Breite der Gitterstege bei derartigen Masken. Die Breite der Gitterstege derartiger Masken ist nicht so klein als herstellungstechnologisch möglich zu wählen, sondern ist auch auf die Eigenschaften des abbildenden Gerätes, des
130027/0888
INSPECTED
Abbildungsmediums und des zu bearbeitenden Substrats abzustimmen.
So wären für das oben angenommene Strukturierungsbeispiel (Fig. 8a) Masken mit quadratischen
öffnungen der Kantenlänge von 4 pm und mit einer Stegbreite von 0,9 pm als optimal für eine Einfachbelichtung zu wählen. Bei Masken mit Gitterstegen geringerer Breite könnte in diesem Fall nicht dasselbe Maß der Geradlinigkeit der geätzten Strukturen wie in Fig. 8a bzw. 9 erzielt werden.
Bei allen Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Maske kann die Maskenfolie z.B. aus Metall oder
aus Kunststoff, der gegebenenfalls eine Metallbeschichtung trägt, bestehen.
130027/0888

Claims (12)

·....*„.,„,.*. ι. ' - « — ι "ns. Zeichen : 211/5 :....„ r , f.- ■■'·■■·■ Patentansprüche:
1. Freitragende Maske für die Verwendung bei
der Behandlung von Substraten durch Strahlung oder durch einen Teilchenstrom (Abbildungsmedium) mit einer an einem Rahmen befestigten Maskenfolie, in der mindestens ein gegenüber dem Abbildungsmedium durchlässiges Gebiet vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskenfolie bei der Einsatztemperatur durch vom Rahmen auf die Maskenfolie ausgeübte Kräfte thermisch vorgespannt ist, wobei die Kräfte aus einem gegenüber dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Werkstoffes der Maskenfolie höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Werkstoffes des Rahmens resultieren.
2. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskenfolie, wie an sich bekannt, aus Metall, z.B. Nickel, und der Rahmen, wie an sich bekannt, aus Aluminium besteht.
3. Maske nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die durchlässigen Gebiete in der Maskenfolie eine Gitterstruktur mit vorzugsweise an sich bekannten quadratischen Gitteröffnungen aufweisen und daß die Stege der Gitterstruktur gegenüber der Maskenfolie verstärkt ausgebildet sind.
4. Maske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkung der Stege aus einem Werkstoff besteht, der den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie der Werkstoff der Maskenfolie besitzt.
5. Maske nach den Ansprüchen 3 oder 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Verstärkungen der Stege aus dem gleichen Werkstoff wie die Maskenfolie, z.B. aus Nickel, bestehen.
6. Maske nach einem der Ansprüche 3 bis 5 zur Verwendung beim Vierfachbelichtungsverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß die Stege der Gitterstruktur breiter sind als die Seitenlänge der quadratischen Gitteröffnungen.
7. Maske nach einem der Ansprüche 3 bis 5 zur Verwendung beim Einfachbelichtungsverfahren, dadurch gekenn-
130027/0888
ORIGINAL INSPECTED
Z ..■■■_ 3Q44257
zeichnet, daß die Stege der Gitterstruktur schmäler sind als die Seitenlänge der quadratischen Gitteröffnungen.
8. Verfahren zur Herstellung einer freitragenden Maske nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß man die Maskenfolie bei einer unter der Einsatztemperatur der Maskenfolie liegenden Temperatur in den auf derselben Temperatur befindlichen Rahmen einsetzt, wobei die Vorspannung der Maskenfolie gegebenenfalls durch willkürliches Erwärmen des Rahmens herbeigeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man die Maskenfolie und den Rahmen auf eine unter der Raumtemperatur liegende Temperatur abkühlt und dann die gekühlte Maskenfolie in den gekühlten Rahmen einsetzt.
0O. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß man die Maskenfolie und den Rahmen durch Einlegen in Eiswasser abkühlt.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß man die Maskenfolie und den Rahmen durch Einlegen in flüssigen Stickstoff abkühlt.
12. Verfahren zum Maskieren von Substraten
gegenüber einem Teilchenstrom oder Strahlung mit einer freitragenden Maske nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß man die Maskenfolie z.B. durch Bestrahlung, gegebenenfalls mit Infrarotstrahlen, zum Ausgleichen einer inhomogenen Belastung der Maskenfolie durch das Abbildungsmedium gleichmäßig erwärmt.
DE19803044257 1979-12-27 1980-11-25 Freitragende maske, verfahren zur herstellung sowie verwendung derselben Ceased DE3044257A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0815379A AT371947B (de) 1979-12-27 1979-12-27 Freitragende maske, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum maskieren von substraten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3044257A1 true DE3044257A1 (de) 1981-07-02

Family

ID=3603035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803044257 Ceased DE3044257A1 (de) 1979-12-27 1980-11-25 Freitragende maske, verfahren zur herstellung sowie verwendung derselben

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4370556A (de)
JP (1) JPS56120129A (de)
AT (1) AT371947B (de)
DE (1) DE3044257A1 (de)
FR (1) FR2475787A1 (de)
GB (1) GB2067785B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3601632A1 (de) * 1986-01-21 1987-07-23 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren zum herstellen von extraktionsgittern fuer ionenquellen und durch das verfahren hergestellte extraktionsgitter
US4775797A (en) * 1985-11-13 1988-10-04 Ims Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft Mbh Method of stabilizing a mask

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2159322A (en) * 1984-05-18 1985-11-27 Philips Electronic Associated Electron image projector
ATA331085A (de) * 1985-11-13 1994-05-15 Ims Ionen Mikrofab Syst Teilchen- oder strahlenbelastbare maske und verfahren zur herstellung derselben
AT393333B (de) * 1986-11-27 1991-09-25 Ims Ionen Mikrofab Syst Ionenprojektionseinrichtung fuer schattenprojektion
JPH052560Y2 (de) * 1987-04-15 1993-01-21
US4827138A (en) * 1988-02-26 1989-05-02 Texas Instruments Incorporated Filled grid mask
GB2241795A (en) * 1989-10-21 1991-09-11 British Aerospace Mask and method for the production of grooves or ribs in or on a surface.
GB2277998A (en) * 1993-05-13 1994-11-16 Marconi Gec Ltd Mask and apparatus for producing microlenses
AU2002951005A0 (en) * 2002-08-27 2002-09-12 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Method of removing carbon dioxide fouling from cryogenic equipment
JP4037809B2 (ja) * 2003-08-20 2008-01-23 日本電子株式会社 イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置
DE102006051550B4 (de) * 2006-10-30 2012-02-02 Fhr Anlagenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Strukturieren von Bauteilen unter Verwendung eines Werkstoffs auf der Basis von Siliziumoxid
JP2010113315A (ja) * 2008-10-10 2010-05-20 Jsr Corp フォトマスク
DE102010015124A1 (de) * 2010-04-16 2011-10-20 Karlsruher Institut für Technologie Röntgenlithographiemaske aus Nickel oder einer Nickelbasislegierung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4101782A (en) * 1975-10-28 1978-07-18 Hughes Aircraft Company Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB610228A (en) * 1945-03-31 1948-10-13 Marconi Wireless Telegraph Co Improvements relating to the manufacture of fine mesh screens
US3227880A (en) * 1963-08-29 1966-01-04 Bbc Brown Boveri & Cie Collimator for beams of high-velocity electrons
US3529960A (en) * 1967-01-24 1970-09-22 Hilbert Sloan Methods of treating resist coatings
NL6807091A (de) * 1968-05-18 1969-11-20
JPS5013833Y2 (de) * 1971-08-27 1975-04-26
US3742230A (en) * 1972-06-29 1973-06-26 Massachusetts Inst Technology Soft x-ray mask support substrate
DE2416186C3 (de) * 1974-04-03 1978-12-21 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Maske zur Strukturierung dünner Schichten
US4037111A (en) * 1976-06-08 1977-07-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Mask structures for X-ray lithography
GB1578259A (en) * 1977-05-11 1980-11-05 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing solid-state devices apparatus for use therein and devices manufactured thereby
JPS53144676A (en) * 1977-05-23 1978-12-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Electron beam mask and production of the same
US4171489A (en) * 1978-09-13 1979-10-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Radiation mask structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4101782A (en) * 1975-10-28 1978-07-18 Hughes Aircraft Company Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775797A (en) * 1985-11-13 1988-10-04 Ims Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft Mbh Method of stabilizing a mask
DE3601632A1 (de) * 1986-01-21 1987-07-23 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren zum herstellen von extraktionsgittern fuer ionenquellen und durch das verfahren hergestellte extraktionsgitter

Also Published As

Publication number Publication date
ATA815379A (de) 1982-12-15
FR2475787A1 (fr) 1981-08-14
AT371947B (de) 1983-08-10
GB2067785B (en) 1984-03-14
JPS6331099B2 (de) 1988-06-22
JPS56120129A (en) 1981-09-21
GB2067785A (en) 1981-07-30
US4370556A (en) 1983-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3044257A1 (de) Freitragende maske, verfahren zur herstellung sowie verwendung derselben
EP0244496B1 (de) Maske für die Ionen-, Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie und Verfahren zur ihrer Herstellung
EP0325575B1 (de) Anordnung zur Stabilisierung einer bestrahlten Maske
EP0136317A1 (de) Optisch strukturiertes filter und verfahren zu dessen herstellung
DE2922416A1 (de) Schattenwurfmaske zum strukturieren von oberflaechenbereichen und verfahren zu ihrer herstellung
DE19848070A1 (de) Niedrigenergie-Elektronenstrahllithographie
DE2048915B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines metallischen Musters für eine Halbleiteranordnung
DE19710798C1 (de) Herstellverfahren für Membranmaske mit Maskenfeldern
DE3820421C2 (de)
EP0222738A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Transmissionsmaske
EP0207528B1 (de) Verfahren zum Herstellung einer Lichtmaske
EP0829034A1 (de) Verfahren zur herstellung einer strukturierten maske
EP0020986B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Trenndüsenelementen zur Trennung gas- oder dampfförmiger Gemische, insbesondere Isotopengemische
EP0866372A1 (de) Membranmaske für Belichtungsverfahren mit kurzwelliger Strahlung
DE19946447A1 (de) Teilchenoptisches Abbildungssystem für Lithographiezwecke
DE102015204478B4 (de) Verfahren zum Glätten einer Oberfläche und optisches Element
DE102007058103A1 (de) Bestrahlung mit hochenergetischen Ionen zur Oberflächenstrukturierung und Behandlung oberflächennaher Bereiche von optischen Elementen
EP0104684B1 (de) Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10137398C1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Lochmaske für Teilchenstrahlung
DE10255605B4 (de) Reflektionsmaske zur Projektion einer Struktur auf einen Halbleiterwafer sowie Verfahren zu deren Herstellung
EP0003759A1 (de) Verfahren zur Belichtung einer strahlungsempfindlichen Schicht durch Röntgenstrahlen
DE3150056A1 (de) &#34;maske zur verwendung bei lithopraphischen verfahren&#34;
EP0140455A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie
DE3035200C2 (de) Maske für die Ionenstrahl-Schattenprojektion
DE2528666A1 (de) Verfahren zur herstellung einer maske fuer roentgenstrahl-lithographie

Legal Events

Date Code Title Description
8125 Change of the main classification

Ipc: G03F 1/00

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SACHER, RUDOLF, DR.PHIL., WIEN, AT

8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection