DE3034980A1 - METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE BODIES - Google Patents
METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE BODIESInfo
- Publication number
- DE3034980A1 DE3034980A1 DE19803034980 DE3034980A DE3034980A1 DE 3034980 A1 DE3034980 A1 DE 3034980A1 DE 19803034980 DE19803034980 DE 19803034980 DE 3034980 A DE3034980 A DE 3034980A DE 3034980 A1 DE3034980 A1 DE 3034980A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- silicon
- inorganic material
- silicon dioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 28
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66848—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Description
-4- 3Q3498Q-4- 3Q3498Q
GENERAL ELECTRIC COMPANYGENERAL ELECTRIC COMPANY
1 River Road Schenectady, N.Y./U.S.A.1 River Road Schenectady, N.Y./U.S.A.
Verfahren zur Herstellung von VerbundkörpernProcess for the production of composite bodies
Die Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zur Herstellung von Verbundkörpern für integrierte Schaltungen, insbesondere zur Herstellung von Teilen einer großen Vielfalt von Materialien kleiner Abmessungen auf vielfältigen Substraten.The invention relates generally to a method of making composite bodies for integrated circuits , particularly for making parts of a wide variety of small size materials on a wide variety of substrates.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einer Ausführungsform wird ein Substrat mit einer Oberfläche und aus einem ersten Material bestehend vorgelegt. Eine erste Schicht eines anorganischen, ätzbaren Materials wird auf der Substratoberfläche gebildet. Eine zweite Schicht eines ätzfesten Materials mit einem entfernten Teil und einem Paar erhalten gebliebener Teile wird auf der ersten Schicht mit beieinander liegenden Kanten des Paares erhalten gebliebener Teile mit vorbestimmtem Abstand gebildet. Die erste Schicht wird durch den entfernten Teil der zweiten Schicht zur Bildung einer Öffnung unter Preilegung der Oberfläche des Substrats geätzt. Die Wände der Öffnung liegen unter der zweiten Schicht und halten Abstand von den benachbarten Kanten der erhalten gebliebenen Teile der zwei-When carrying out the method according to the invention according to One embodiment is a substrate with a surface and presented consisting of a first material. A first layer of an inorganic, etchable material is applied formed on the substrate surface. A second layer of etch resistant material with a portion removed and a pair of preserved parts is on the first Layer formed with adjacent edges of the pair of preserved parts with a predetermined spacing. The first layer is preened by the removed portion of the second layer to form an opening Etched surface of the substrate. The walls of the opening lie under the second layer and keep a distance from the adjacent edges of the preserved parts of the two
1300U/12791300U / 1279
ten Schicht. Ein zweites Material wird durch den entfernten Teil der zweiten Scnicht und die Öffnung aus der Dampfphase auf dem Substrat abgeschieden, um darauf das Teil zu bilden. Die erhalten gebliebenen Teile der zweiten Schicht schützen die Abscheidung des zweiten Materials auf dem Substrat. So wird der Abstand des Paares der Kanten des abgeschiedenen Teils durch den vorerwähnten vorbestimmten Abstand der Kanten der erhalten gebliebenen Teile der zweiten Schicht bestimmt.th layer. A second material is evacuated from the vapor phase through the removed portion of the second notch and the opening deposited on the substrate to form the part thereon. The remaining parts of the second layer protect the deposition of the second material on the substrate. So the distance of the pair becomes the edges of the deposited part by the aforementioned predetermined distance between the edges of the remaining parts of the second Layer determined.
Die Erfindung wird am besten unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den Figuren verstanden, von diesen zeigt:The invention is best understood with reference to the following description in conjunction with the figures, of these shows:
Fig. 1 eine Planansich'.: eines Verbundkörpers mit einem Substrat aus einem ersten Material, auf dem ein Teil aus einem zweiten Material gemäß einer Ausführungsform der Erfindung gebildet ist,Fig. 1 is a plan view '.: a composite body with a Substrate made of a first material on which a part made of a second material according to one embodiment the invention is formed,
Fig. 2 einen Querschnitt des Körpers der Fig. 1 entlang den Schnittlinien 2-2,FIG. 2 shows a cross section of the body of FIG. 1 along the section lines 2-2,
Fig. 3A bis 3E Querschnitte von Strukturen, die aufeinanderfolgende Stufen eines Herstellungsverfahrens für den erfindungsgemäßen Verbundkörper darstellen.FIGS. 3A through 3E are cross-sections of structures showing successive Represent stages of a manufacturing process for the composite body according to the invention.
In Fig. 1 ist ein erfindungsgemäß hergestellter Verbundkörper dargestellt. Der Verbundkörper 10 umfaßt ein Substrat 11 aus Silicium mit einer Oberfläche 12, auf der ein leitfähiges Teil 13 aus Platin gebildet worden ist. Der Körper 10 weist auch eine Schicht 14 aus Siliciumdioxid auf der Oberfläche 12 des Substrats 11 beim Vorgang der Bildung des Körpers 10 avf und wird darauf als passivierendes Element des Verbundkörpers erhalten. Die Schicht 14 hat eine Öffnung 15, in der das leitfähige Teil 13 im Ab-In Fig. 1, a composite body produced according to the invention is shown. The composite body 10 includes a substrate 11 made of silicon with a surface 12 on which a conductive part 13 has been formed from platinum. The body 10 also has a layer 14 of silicon dioxide on the surface 12 of the substrate 11 in the process of Formation of the body 10 avf and is then obtained as a passivating element of the composite body. Layer 14 has an opening 15 in which the conductive part 13 in the Ab-
1300U/12791300U / 1279
stand von den Wänden 17 und 18 liegt. Das leitfähige Teil 13 kann eine Elektrode einer Schottky-Diode darstellen, in der das Halbleitersubstrat die andere Elektrode ist. Natürlich wäre in einem solchen Falle das Substrat 11 aus einkristallinem Halbleiter-Silicium. Die Schottky-Diode könnte das Gate eines JFET (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors) bilden. Das leitfähige Teil 13 kann auch eine Leitung darstellen, die Elemente einer integrierten Schaltung miteinander verbindet. Die Schicht 14 aus Siliciumdioxid liefert eine Passivierung und Schutz der Oberfläche 12 des Halbleitersubstrats.stood from walls 17 and 18. The conductive part 13 can represent an electrode of a Schottky diode, in which the semiconductor substrate is the other electrode. Of course, the substrate would be 11 in such a case made of monocrystalline semiconductor silicon. The Schottky diode could be the gate of a JFET (junction field effect transistor) form. The conductive part 13 can also represent a line, the elements of an integrated Circuit connects together. Layer 14 of silicon dioxide provides passivation and protection of the Surface 12 of the semiconductor substrate.
Nachfolgend wird das Verfahren zur Herstellung der Verbundstruktur oder des Körpers der Fig. 1 und 2 in Verbindung mit den Fig. 3A bis 3E beschrieben. Elemente der Fig. 3A bis 3E, die mit den Elementen der Fig. 1 und 2 identisch sind, sind identisch bezeichnet. Ein Substrat 11 aus Silicium-Halbleitermaterial von etwa 254 |j.m (10 mils) Dicke ist auf einer Oberfläche 12 mit einer Schicht 14 eines ersten Siliciumdioxids etwa 500 nm (5000 A) dick vorgesehen. Eine zweite Schicht 21 eines Photoresists von etwa 500 nm (5000 2) Dicke wird über der ersten Schicht 14 aus Siliciumdioxid liegend vorgesehen, wie in Fig. 3A dargestellt. Die zweite Schicht 21 wird nach auf dem Fachgebiet gut bekannten Photoresist-Maskierungstechniken bemustert, um eine Maske mit einem entfernten Teil 22 unc einem Paar erhaltener Teile 23a und 23b zu liefern, wie in Fig. 3B dargestellt. Die Kante 24a des erhalten gebliebenen Teils 23a hält von der Kante 24b des erhalten gebliebenen Teils 23b einen vorbestimmten Abstand 25, der sehr klein sein kann, z.B. unter 1 μΐη oder 1000 nm (10.000 A). Sodann wird die Siliciumdioxid-Schicht 14 durch den entfernten Teil 22 der Schicht des Photoresists 21 mit einem Ätzmit-The following is the method of making the composite structure or the body of Figures 1 and 2 in conjunction with Figures 3A to 3E. Elements of Figure 3A through 3E, which are identical to the elements of FIGS. 1 and 2, are identified identically. A substrate 11 from Silicon semiconductor material approximately 10 mils thick is provided on surface 12 with a layer 14 of first silicon dioxide about 500 nm (5000 Å) thick. A second layer 21 of photoresist about 500 nm (5000 square meters) thick is made over the first layer 14 Silica provided horizontally as shown in Figure 3A. The second layer 21 is according to the art well known photoresist masking techniques patterned to form a mask with a removed portion 22 and a pair obtained parts 23a and 23b, as shown in Fig. 3B. The edge 24a of the preserved part 23a maintains a predetermined distance 25 from the edge 24b of the remaining part 23b, which distance must be very small can, e.g. below 1 μΐη or 1000 nm (10,000 A). Then the silicon dioxide layer 14 is removed by the Part 22 of the layer of photoresist 21 with an etchant
130014/1279130014/1279
tel geätzt, demgegenüber die Schicht 21 beständig ist, z.B. gepufferte Flußsäure, um eine Öffnung 15 in der Siliciumdioxidschicht 14 unter Freilegung der Oberfläche 12 des Substrats 11 zu bilden, wie in Fig. 3C dargestellt. Die Wände 17 und 18 der Öffnung 15 liegen jeweils unter nicht entfernten Teilen 23a und 23b der zweiten Schicht 21. Die Wand 17 hält von der Kante 24a des erhalten gebliebenen Teils 23a und die Wand 13 von der Kante 24b des erhalten gebliebenen Teils 23b Abstand. Im nächsten Verfahrensschritt wird das Substrat 11 mit den bemusterten Schichten 14 und 21 darauf in eine geeignete Zerstäubungsvorrichtung gebracht, z.B. wie in der US-PS 3 927 225 offenbart, um Platin einer geeigneten Quelle durch den entfernten Teil der zweiten Schicht 21 und die Öffnung 15 der ersten Schicht 14 auf das Siliciumsubstrat 11 aufzustäuben. Die erhalten gebliebenen Teile 23a und 23b der Resist-Schicht 21 decken gegen die Abscheidung der Platinteilchen ab und bestimmen so die begrenzenden Kanten 13a und 13b des abgeschiedenen Teils 13, wie in Fig. 3D dargestellt. Das Teil 13 ist das Ergebnis der Abscheidung von Platin aus einer Quelle, in relativ großem Abstand zu den Abmessungen der Öffnung 15 und im wesentlichen rechtwinklig dazu angeordnet, so daß im wesentlichen ein Richtstrahl zur Bildung einer Steilkante 13a in einer Linie mit der Kante 24a des erhalten gebliebenen Teils 23a und der anderen Steilkante 13b in einer Linie mit der Kante 24b des erhalten gebliebenen Teils 23b verwendet werden kann. So wird der Abstand 26 der Kanten 13a und 13b durch den Abstand der Kanten 24a und 24b der bemusterten Resistschicht 21 bestimmt. Die Dicke des abgeschiedenen Teils 13a hängt von der Zeit ab, für die dem abscheidenden Strahl von Platinteilchen ausgesetzt wird, und ist als etwas geringer als die Dicke der ersten Schicht 14 dargestellt. Bringt man die Platinquelle näher an die Öffnung, z.B. in einen Abstand, der mit dem Abstand zwischen den Kanten 24a und 24b vergleichbar ist, würde dies eine Ver-tel, to which the layer 21 is resistant, e.g. buffered hydrofluoric acid to form an opening 15 in the silicon dioxide layer 14, exposing the surface 12 of the To form substrate 11 as shown in Fig. 3C. the Walls 17 and 18 of the opening 15 are each under no removed parts 23a and 23b of the second layer 21. The wall 17 stops from the edge 24a of the remaining Part 23a and the wall 13 spaced from the edge 24b of the remaining part 23b. In the next process step, the substrate 11 is made with the patterned layers 14 and 21 then in a suitable atomizing device brought, for example, as disclosed in U.S. Patent 3,927,225, to platinum from a suitable source through the removed portion of the second layer 21 and the opening 15 of the first layer 14 on the silicon substrate 11 to be sputtered. The remaining parts 23a and 23b of the resist layer 21 cover against the deposition of the platinum particles and thus determine the delimiting edges 13a and 13b of the deposited Part 13 as shown in Fig. 3D. The part 13 is the result of the deposition of platinum from a source, in relatively large distance to the dimensions of the opening 15 and arranged substantially at right angles thereto, so that essentially a directional beam for forming a steep edge 13a in line with the edge 24a of the obtained remaining part 23a and the other steep edge 13b in a line with the edge 24b of the preserved part 23b can be used. So the distance between the edges becomes 26 13a and 13b determined by the distance between the edges 24a and 24b of the patterned resist layer 21. The thickness of the deposited part 13a depends on the time for which is exposed to the precipitating jet of platinum particles, and is shown as being slightly less than the thickness of the first layer 14. If you bring the platinum source closer to the Opening, e.g. at a distance that is comparable to the distance between the edges 24a and 24b, this would result in a
1300U/12791300U / 1279
lagerung der Kante 13a nach außen und auch eine Änderung der Dicke nahe der Kante verursachen, ähnlich auch eine Verlagerung der Kante 13b nach außen und auch eine Änderung der Dicke nahe der Kante. Natürlich könnte das Ausbreiten der Kanten des Teils 13 ausgedehnt werden, um einen Teil der ersten Schicht 14 zu bedecken, indem die Wände 17 und 18 von dieser überlagert würden, z.B. aus Gründen der Passivierung. Sodann wird beim Verfahren die Photoresist-Schicht 21 zusammen mit dem darauf abgeschiedenen Platin durch Auflösen in einem geeigneten Photoresist-Entferner oder Lösungsmittel, wie sie dem Fachmann wohlbekannt sind, entfernt, um den in Fig. 3E dargestellten Verbundkörper zu erhalten. Wenn gewünscht, kann die Siliciumdioxid-Schicht 14 in einem geeigneten Ätzmittel, wie z.B. gepufferter Flußsäure, entfernt werden. Der anfallende Körper gemäß Fig. 3E würde weiterbearbeitet, in Abhängigkeit von der Funktion, die er ausüben soll. Wenn gewünscht, könnten andere metallische Materialien, wie Molybdän und Gold, nach dem Teil 13 im Anschluß an die Platinabschexdung abgeschieden werden, um eine Verbundmetallstruktur zu bilden. Andere leitfähige Materialien, wie Aluminium, könnten ebenso abgeschieden werden. Auch andere nicht-leitfähige Materialien könnten ebenso abgeschieden werden.Storage of the edge 13a to the outside and also cause a change in the thickness near the edge, similarly also a Displacement of the edge 13b outwards and also a change the thickness near the edge. Of course, the spreading of the edges of the part 13 could be extended to one To cover part of the first layer 14 by overlaying the walls 17 and 18 thereof, e.g. for reasons of passivation. Then, in the process, the photoresist layer 21 is deposited together with that deposited thereon Platinum by dissolving it in a suitable photoresist remover or solvents as are well known to those skilled in the art are removed to give that shown in Figure 3E To obtain composite body. If desired, the silicon dioxide layer 14 can be removed in a suitable etchant such as buffered hydrofluoric acid. The accruing body according to FIG. 3E, further processing would take place, depending on the function that it is to perform. If desired, other metallic materials such as molybdenum and gold could be used after part 13 following platinum deposition deposited to form a composite metal structure. Other conductive materials, such as aluminum, could also be deposited. Other non-conductive materials could also be deposited.
Während die Erfindung in Verbindung mit einem Verbundkörper beschrieben und dargestellt worden ist, dessen Substrat aus Silicium besteht, kann dieses aus anderen Materialien, andere Halbleiter eingeschlossen, und Leitern sowie Isolatoren bestehen. Während die erste Schicht 14 als aus Siliciumdioxid bestehend dargestellt wurde, können andere anorganische Materialien, wie Siliciumnitrid,ebenso eingesetzt werden. Wenn Siliciumnitrid a~s Material der ersten Schicht verwendet wird, kann das Substrat aus Siliciumdioxid bestehen. While the invention has been described and illustrated in connection with a composite, the substrate thereof Silicon can consist of other materials, including other semiconductors, conductors and insulators exist. While the first layer 14 has been illustrated as being made of silicon dioxide, others may be inorganic Materials such as silicon nitride can also be used. If silicon nitride is used as the material of the first layer, the substrate can consist of silicon dioxide.
1300U/12791300U / 1279
Während die zweite Schicht 21 als aus einem organischen Photoresist-Material bestehend dargestellt ist, kann auch ein geeignetes anorganisches Material verwendet werden, z.B. Siliciumnitrid oder Silicium. Wenn die zweite Schicht ein anorganisches Materiel ist, wie Silicium oder Siliciumnitrid, kann es durch Übertragungsmaskierungstechniken bemustert werden, wobei der erhalten bleibende Teil durch eine geeignet gebildete Maske maskiert und der entfernbare Teil einem selektiven Ätzmittel ausgesetzt und damit geätzt wird, das die darunterliegende erste Schicht verhältnismäßig unangetastet läßt. Ein Verfahren, bei dem Silicium als Transfermaske verwendet wird, ist in der US-PS 3 772 102 beschrieben.While the second layer 21 is shown as being composed of an organic photoresist material, can a suitable inorganic material can be used, e.g., silicon nitride or silicon. When the second layer If it is an inorganic material, such as silicon or silicon nitride, it can be obtained by transfer masking techniques be patterned, the remaining part being masked by a suitably formed mask and the removable part Part of a selective etchant is exposed and thus etched that the underlying first layer leaves relatively untouched. One method in which silicon is used as a transfer mask is in US Pat U.S. Patent 3,772,102.
Wenn das Substrat 11 Silicium ist, die erste Schicht 14 Siliciumdioxid und die zweite Schicht 21 Silicium, wäre ein geeignetes Ätzmittel zum Ätzen der ersten Schicht gepufferte Flußsäure, die die erste Schicht selektiv ätzt, ohne die bemusterte zweite Schicht zu beeinflussen. Nach der Abscheidung des Teils 13 auf dem Substrat 11 wäre gepufferte Flußsäure geeignet zum Entfernen der Siliciumdioxidschicht und der Siliciumschicht darauf. Wenn das Substrat 11 Silicium ist, die erste Schicht 14 Siliciumdioxid und die zweite Schicht 21 Siliciumnitrid, wäre ein geeignetes Ätzmittel zum Ätzen der ersten Schicht gepufferte Flußsäure, die die erste Schicht selektiv ätzt, ohne die bemusterte zweite Schicht zu beeinträchtigen. Nach der Abscheidung des Teils 13 auf dem Substrat 11 würde heiße Phosphorsäure die Siliciumnitridschicht und das auf dieser Schicht abgeschiedene Material entfernen. Andererseits würde auch gepufferte Flußsäure die Siliciumdioxidschicht und die darüberliegenden Materialschichten entfernen.If the substrate 11 is silicon, the first layer 14 Silicon dioxide and the second layer 21 would be buffered silicon, a suitable etchant for etching the first layer Hydrofluoric acid that selectively etches the first layer without affecting the patterned second layer. After the deposition of part 13 on substrate 11 would be buffered Hydrofluoric acid suitable for removing the silicon dioxide layer and the silicon layer thereon. When the substrate 11 Silicon, first layer 14 silicon dioxide and second layer 21 silicon nitride, would be a suitable etchant Hydrofluoric acid buffered to etch the first layer, which selectively etches the first layer without the patterned one affect second layer. After the part 13 has been deposited on the substrate 11, hot phosphoric acid would die Remove the silicon nitride layer and the material deposited on this layer. On the other hand, it would also be buffered Hydrofluoric acid remove the silicon dioxide layer and the overlying layers of material.
Wenn das Substrat 11 Silicium ist, die erste Schicht 14 Siliciumnitrid und die zweite Schicht 21 Silicium, wäre einIf the substrate 11 is silicon, the first layer 14 Silicon nitride and the second layer 21 silicon, would be a
130014/1279130014/1279
- ίο - 3034380- ίο - 3034380
geeignetes selektives Ätzmittel zum Ätzen der ersten Schicht heiße Phosphorsäure. Nach dem Abscheiden des · " Teils 13 auf dem Substrat 11 wäre heiße Phosphorsäure zum Entfernen der Siliciumnitridschicht und der Siliciumschicht darauf geeignet. Wenn das Substrat 11 Silicium ist, die erste Schicht 14 Siliciumnitrid und die zweite Schicht 21 Siliciumdioxid, wäre ein geeignetes selektives Ätzmittel zum Ätzen der ersten Schicht heiße Phosphorsäure. Nach dem Abscheiden des Teils 13 auf dem Substrat 11 würde gepufferte Flußsäure die Siliciumdioxidschicht und das auf dieser Schicht abgeschiedene Material entfernen. Andererseits würde auch heiße Phosphorsäure die Siliciumnitridschicht und die darüberliegenden Materialschichten entfernen.suitable selective etchant for etching the first layer of hot phosphoric acid. After the · " Part 13 on substrate 11 would be hot phosphoric acid suitable for removing the silicon nitride layer and the silicon layer thereon. If the substrate 11 is silicon is, the first layer 14 silicon nitride and the second layer 21 silicon dioxide, would be a suitable selective Etchant for etching the first layer of hot phosphoric acid. After the part 13 has been deposited on the substrate 11, buffered hydrofluoric acid would be the silicon dioxide layer and remove the material deposited on this layer. On the other hand, hot phosphoric acid would also be the silicon nitride layer and remove the overlying layers of material.
Wenn das Substrat 11 Siliciumdioxid, die erste Schicht 14 Siliciumnitrid und die zweite Schicht 21 Siliciumdioxid ist, wäre ein geeignetes Ätzmittel zum Ätzen der ersten Schicht heiße Phosphorsäure. Nach dem Abscheiden des Teils 13 auf dem Substrat 11 würde heiße Phosphorsäure die Siliciumnitridschicht und die Siliciumdioxidschicht-darauf entfernen. Wenn das Substrat 11 Siliciumdioxid, die erste Schicht 14 Siliciumnitrid und die zweite Schicht 21 Silicium ist, wäre ein geeignetes selektives Ätzmittel zum Ätzen der ersten Schicht heiße Phosphorsäure. Nach dem Abscheiden des Teils 13 auf dem Substrat 11 würde konzentriertes Kaliumhydroxid die Siliciumschicht und das auf dieser Schicht abgeschiedene Material entfernen. Andererseits würde auch heiße Phosphorsäure die Siliciumnitridschicht und die darüberliegenden Materialschichten entfernen.If the substrate 11 is silicon dioxide, the first layer 14 is silicon nitride and the second layer 21 is silicon dioxide would be a suitable etchant for etching the first Layer of hot phosphoric acid. After the part 13 has been deposited on the substrate 11, hot phosphoric acid would die Remove the silicon nitride layer and the silicon dioxide layer-thereon. If the substrate 11 is silica, the first Layer 14 is silicon nitride and the second layer 21 is silicon, would be a suitable selective etchant for etching the first layer is hot phosphoric acid. After the part 13 has been deposited on the substrate 11, concentrated Potassium hydroxide the silicon layer and that on this layer Remove deposited material. On the other hand, hot phosphoric acid would also form the silicon nitride layer and the Remove overlying layers of material.
Wenn das Substrat Siliciumnitrid, die erste Schicht Siliciumdioxid und die zweite Schicht Siliciumnitrid ist, wäre einIf the substrate is silicon nitride, the first layer is silicon dioxide and the second layer is silicon nitride would be a
1300U/12791300U / 1279
geeignetes Ätzmittel zum fitzen der ersten Schicht gepufferte Flußsäure. Nach dem Abscheiden des Teils 13 auf dem Substrat 11 würde gepufferte Flußsäure die Siliciumdioxidschicht und die Siliciumnitridschicht darauf entfernen. Wenn das Substrat Siliciumnitrid, die erste Schicht Siliciumdioxid und die zweite Schicht Silicium ist, wäre ein selektives Ätzmittel zum Ätzen der ersten Schicht gepufferte Flußsäure. Nach der Abscheidung des Teils 13 auf dem Substrat 11 würde konzentriertes Kaliumhydroxid die Siliciumschicht und das auf dieser Schicht abgeschiedene Material entfernen. Andererseits würde auch gepufferte Flußsäure die Siliciumdioxidschicht und die darüberliegenden Materialschichten entfernen.Suitable etchant for the first layer of buffered hydrofluoric acid. After the part 13 has been deposited on the substrate 11, buffered hydrofluoric acid would remove the silicon dioxide layer and the silicon nitride layer thereon. If the substrate were silicon nitride, the first layer was silicon dioxide and the second layer would be silicon a selective etchant for etching the first layer of buffered hydrofluoric acid. After the part 13 has been deposited In the substrate 11, concentrated potassium hydroxide would form the silicon layer and that deposited on that layer Remove material. On the other hand, buffered hydrofluoric acid would also cover the silicon dioxide layer and the overlying layers Remove layers of material.
Natürlich ist in jedem der obigen Beispiele das zum Entfernen der ersten Schicht 14 und der zweiten Schicht 21 nach dem Abscheiden des Teils 13 auf dem Substrat 11 verwendete Ätzmittel ein solches, demgegenüber das abgeschiedene Teil 13 beständig ist.Of course, in each of the above examples, that is to remove the first layer 14 and the second layer 21 after the part 13 has been deposited on the substrate 11, such an etchant used, in contrast to the deposited one Part 13 is persistent.
Der Vorteil des Umstands, die erste Schicht aus einem anorganischen Material vorzusehen, wie Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid, neben dem Umstand, eine Struktur vorzusehen, die in das anfallende Fabrikat eingearbeitet werden kann, liegt darin, daß sie leichter selektiv geätzt werden kann, ohne die bemusterte zweite Schicht zu beeinträchtigen, insbesondere,wenn letztere aus einem organischen Photoresist besteht.The advantage of the fact that the first layer is made of an inorganic Provide material such as silicon dioxide or silicon nitride, in addition to providing a structure which can be incorporated into the resulting product is that it can be selectively etched more easily, without affecting the patterned second layer, especially if the latter consists of an organic photoresist consists.
Wenn die zweite Schicht wie die erste Schicht aus einem anorganischen Material besteht, wie Silicium, Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid, werden höhere Äbscheidungstemperaturen ausgehalten, und somit kann eine Vielzahl von Abscheidungsverfahren zum Abscheiden angewandt werden. Dies ermöglicht eine größere Vielfalt von unter einer größeren Breite von Bedingungen abzuscheidenden Materialien, z.B., wennIf the second layer like the first layer made of an inorganic Material, such as silicon, silicon dioxide or silicon nitride, will have higher deposition temperatures endured, and thus can be a variety of deposition processes can be used for deposition. This enables a greater variety of under a greater width of Conditions to be deposited materials, e.g. if
1300U/12791300U / 1279
- 12 - 3U34980- 12 - 3U34980
Hochtemperaturabscheidungsquellen näher bei der ersten und zweiten Schicht angeordnet, werden können, um ein gewünschtes Abscheidungsmuster zu erzielen.High temperature deposition sources closer to the first and second layer can be arranged to a desired one To achieve deposition pattern.
1300U/12791300U / 1279
eerseeerse
itit
Claims (14)
Schenectady, N.Y./U.S.A.1 River Road
Schenectady, NY / USA
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7701979A | 1979-09-19 | 1979-09-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3034980A1 true DE3034980A1 (en) | 1981-04-02 |
Family
ID=22135628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803034980 Withdrawn DE3034980A1 (en) | 1979-09-19 | 1980-09-17 | METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE BODIES |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5650517A (en) |
| DE (1) | DE3034980A1 (en) |
| FR (1) | FR2466102A1 (en) |
| GB (1) | GB2059679A (en) |
| NL (1) | NL8004573A (en) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8331158D0 (en) * | 1983-11-22 | 1983-12-29 | British Telecomm | Metal/semiconductor deposition |
| US4584761A (en) * | 1984-05-15 | 1986-04-29 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit chip processing techniques and integrated chip produced thereby |
| GB2186424A (en) * | 1986-01-30 | 1987-08-12 | Plessey Co Plc | Method for producing integrated circuit interconnects |
| GB2194386B (en) * | 1986-08-20 | 1990-07-18 | Plessey Co Plc | Solder bonded integrated circuit devices |
| JP2597703B2 (en) * | 1989-02-27 | 1997-04-09 | 三菱電機株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
| US5202286A (en) * | 1989-02-27 | 1993-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming three-dimensional features on substrates with adjacent insulating films |
| EP0459631B1 (en) * | 1990-04-27 | 1998-08-12 | Seiko Epson Corporation | AT-cut crystal oscillating element and method of making the same |
| DE19939484A1 (en) * | 1998-09-01 | 2000-03-09 | Int Rectifier Corp | Schottky diode with barrier metal layer leaving five micron guard ring at edge of p-type diffusion layer |
| GB0213695D0 (en) * | 2002-06-14 | 2002-07-24 | Filtronic Compound Semiconduct | Fabrication method |
| FR2914781B1 (en) * | 2007-04-03 | 2009-11-20 | Commissariat Energie Atomique | METHOD FOR MAKING LOCALIZED DEPOSITS |
| JP5867467B2 (en) * | 2013-09-03 | 2016-02-24 | トヨタ自動車株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2431768A1 (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-15 | Labo Electronique Physique | Mfg. process for FETs and Schottky diodes - uses only two masks with shadow around lacquer layer ensuring self-alignment of contacts |
-
1980
- 1980-08-12 NL NL8004573A patent/NL8004573A/en not_active Application Discontinuation
- 1980-08-14 GB GB8026540A patent/GB2059679A/en not_active Withdrawn
- 1980-09-17 DE DE19803034980 patent/DE3034980A1/en not_active Withdrawn
- 1980-09-18 FR FR8020128A patent/FR2466102A1/en not_active Withdrawn
- 1980-09-19 JP JP12937180A patent/JPS5650517A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5650517A (en) | 1981-05-07 |
| GB2059679A (en) | 1981-04-23 |
| NL8004573A (en) | 1981-03-23 |
| FR2466102A1 (en) | 1981-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2945533C2 (en) | Method of manufacturing a wiring system | |
| DE2617914A1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING PATTERNS OF THIN FILM USING RELEASABLE MASKS | |
| DE2709986A1 (en) | METHOD OF PRODUCING COPLANAR LAYERS FROM THIN FILMS | |
| DE2723944C2 (en) | Method for producing an arrangement from a structured layer and a pattern | |
| EP0002185A1 (en) | Process for interconnecting two crossed conducting metal lines deposited on a substrate | |
| DE3136009A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED CIRCUITS | |
| DE4002352A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING AIR BRIDGE-METAL INTERCONNECTORS | |
| DE2729030A1 (en) | METHOD OF CREATING A MULTI-LAYER CONDUCTOR PATTERN IN THE MANUFACTURE OF MONOLITHICALLY INTEGRATED CIRCUITS | |
| EP0057254B1 (en) | Method of producing extremely fine features | |
| EP0002669A1 (en) | Method for the removal of matter from a substrate by selective dry etching and application of this method to the manufacture of conductive patterns | |
| DE3604368A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A THIN FILM TRANSISTOR | |
| DE2636971A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING AN INSULATING LAYER WITH A FLAT SURFACE ON A SUBSTRATE | |
| DE3034980A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE BODIES | |
| DE2709933A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING CONTINUOUS METALLIC JOINTS BETWEEN MULTIPLE METALLIZATION LEVELS IN SEMICONDUCTOR DEVICES | |
| EP0001038B1 (en) | A method for making a silicon mask and its utilisation | |
| DE2432719B2 (en) | PROCESS FOR CREATING FINE STRUCTURES FROM VAPORIZABLE MATERIALS ON A BASE AND APPLYING THE PROCESS | |
| DE2556038A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR VERY HIGH FREQUENCIES ACCORDING TO THE TECHNOLOGY OF INTEGRATED CIRCUITS | |
| EP0013728A1 (en) | Method for forming electrical connections between conducting layers in semiconductor structures | |
| DE2451486C2 (en) | Process for the production of integrated semiconductor devices | |
| EP1360143B1 (en) | Method for producing surface micromechanical structures, and sensor | |
| DE2132099C3 (en) | Process for producing a pattern of intersecting or overlapping electrically conductive connections | |
| DE10237522A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| DE2540301C2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device having a conductor pattern | |
| DE2453528C2 (en) | Masking process | |
| DE4446852A1 (en) | Forming microstructure for semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |