DE29511765U1

DE29511765U1 - Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken

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Publication number: DE29511765U1
Application number: DE29511765U
Authority: DE
Original assignee: Metaplas Oberflaechenveredelungstechnik GmbH
Current assignee: Oerlikon Metaplas GmbH
Priority date: 1995-01-06
Filing date: 1995-01-06
Publication date: 1995-09-07
Anticipated expiration: 2005-01-07

Description

Stenger, Watzke & Ring «*% .: ."j^fcerjr^i^ich-Ring ?o

' ' - - - &Uacgr;, DLiSSELDORF

PATENTANWÄLTE

DIPL.-ING. WOLFRAM WATZKE

DIPL.-ING. HEINZ J. RING

DIPL.-ING. ULRICH CHRISTOPHERSEN

Unser Zeichen· 95 0825 DIPL.-ING. MICHAEL RAUSCH

DIPL.-ING. WOLFGANG BRINGMANN

METAPLAS Oberflächenveredelungs- Patentanwälte

technik GmbH, Am Böttcherberg 30 - 38, ^{EUROPEAN PATENT} attorneys

51427 Bergisch-Gladbach

\ g_t juii 1995

Vorrichtuna zur Piasmabehandluna von Werkstücken

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken mittels Ionen und Elektronen, insbesondere vor der Plasmabeschichtung unter Vakuum nach dem PVD-Verfahren, wobei durch abwechselnden Beschüß mit Ionen und Elektronen die Werkstücke gereinigt bzw. aufgeheizt werden.

Eine Vorrichtung, die die zwei nacheinander erfolgenden Prozeßschritte ■ Heizung der Substrate mittels der Plasmaelektronen und ionenreinigung der zur Beschichtung vorgesehenen Werkstücke (der sogenannten "Substrate") zum Inhalt hat, ist beispielsweise aus der EP-PS O 484 704 bekannt. In der Heizphase sind bei dieser bekannten Vorrichtung die Substrate als Anode der Plasmaquelle geschaltet, wodurch die Plasmaelektronen angezogen werden. Es kann somit keine getrennte Regelung der Parameter der Plasmaerzeugung grid der Parameter der Elektronenheizung vorgenommen werden. Darüber hinaus wirkt sich bei der bekannten Vorrichtung die strenge Trennung von Substratheizung und Ionenreinigung ungünstig auf die Prozeßzeit aus. Zwar erfolgt während des lonenreinigens auch ein gewisser Energieeintrag durch die •Energie der auftreffenden Ionen, jedoch ist diese Energie in der Regel zur Erwärmung der Substrate nicht ausreichend, sondern wird erst nach der Elektronenheizung zum "Halten" der Temperatur der Substrate (meist im Bereich von 200⁰C bis 500⁰C) während der lonenreinigungsphase ausgenutzt.

Eine zeitlich schnell wechselnde Umschaltung der Prozeßschritte Elektronenheizung und der Ionenreinigung ist bei der bekannten Vorrichtung

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nicht möglich, da die Substrate einmal mit einer eigenen Substratstromquelle negativer Spannung zum Zwecke der lonenreinigung verbunden werden und ein anderes Mal als Anode der Plasmaquelle zum Zwecke der ■ Elektronenheizung geschaltet werden. Eine schnelle Umpolung hätte Instabilitäten in der Plasmaerzeugung und somit eine schlecht kontrollierbare Prozeßführung zur Folge.

. Desweiteren ist aus der PCT WO 94/04716 eine Vorrichtung zur Beschichtung von Werkstücken mit Titannitrid bekannt, bei der die Werkstücke durch Beschüß mit &EEgr;-Ionen gereinigt und durch Elektronenbeschuß aufgeheizt werden, wobei die Werkstücke bei dieser Behandlung im Bezug auf das < Plasma mit einer negativen bzw. positiven Vorspannung versorgt werden. Bei ■dieser bekannten Vorrichtung ist die Aufheizung der Werkstücke mittels Elektronenbeschuß als der lonenreinigung der Werkstücke nachgeschalteter Verfahrensschritt vorgesehen. Eine wechselnde Umschaltung der Verfahrensschritte Aufheizung mittels Elektronenbeschuß und Reinigung mittels H-Ionenbeschuß ist bei diesem bekannten Verfahren nicht vorgesehen . und auch technisch kaum zu realisieren, da die Spannungsversorgung für die Werkstücke mit der Spannungsversorgung zur Erzeugung des Plasmas gekoppelt ist, weshalb auch in diesem Fall eine schnell wechselnde Umpolung ein instabiles Plasma zur Folge hätte.

Davon ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken mittels Ionen und Elektronen zu schaffen, dessen Prozeßführung in der lonenreinigungs- und Aufheizphase der Werkstücke einfach und individuell genau steuerbar sowie energiesparend ist.

Die Lösung der Aufgabenstellung ist dadurch gekennzeichnet, daß für ■ den Ionen- und Elektronenbeschuß jeweils eine eigene, voneinander und vom Behandlungsverfahren unabhängige, den jeweiligen Bedingungen angepaßte Gleichstromquelle vorgesehen ist, die abwechselnd mittels eines einstellbaren Pulsgerätes über ihren negativen bzw. positiven Pol mit dem Werkstückträger verbindbar sind.

• ·

Die Verwendung zweier unabhängiger und nur für die ionenreinigung bzw. Elektronenerwärmung ausgelegter Stromquellen hat den Vorteil, daß die Reinigungs- und Aufheizzeiten optimiert werden können und darüber hinaus eine stabile Prozeßführung möglich ist, da die Stromquellen nicht gleichzeitig zur Erzeugung des Piasmas verwendet werden.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist zur lonenreinigung der Werkstücke eine Hochspannungs-Gleichstromquelle mit einer Spannung von bis zu 1000 V und einer Stromstärke von bis zu 10 A vorgesehen. Zum Aufheizen der Werkstücke hingegen ist eine Hochstrom-Gleichstromqueüe mit einer Stromstärke von bis zu 100 A und einer Spannung von bis zu 40 V vorgesehen.

Mit der unterschiedlichen Auslegung der Gleichstromquellen für die lonenreinigung und die Elektronenaufheizung, nämlich einmal als Hochspannungsquelle und einmal als Hochstrom- bzw.

Niederspannungsquelle, wird dem Umstand Rechnung getragen, daß ."beispielsweise zur lonenreinigung ein lonenstrom von nur wenigen Ampere bei einer hohen Spannung von bis zu 1000 V ausreichend ist, wohingegen zur Erzeugung einer ausreichenden Elektronenstromdichte zur Elektronenheizung eine Stromstärke von bis zu einigen 100 A bei einer nur geringen Spannung notwendig ist.

Zur Erreichung einer optimalen und energiesparenden Prozeßführung ist ein Pulsgerät vorgesehen, dessen einstellbare Schaltfrequenz bis zu 300 kHz beträgt. Das Verhältnis der Einschaltzeiten zwischen der Aufheizphase und der lonenreinigungsphase kann dabei zwischen 0,1 und 0,9 eingeteilt sein.

Als Pulsgerät mit der notwendig hohen Umschaltfrequenz ist vorteilhafterweise ein Halbleiter-Leistungs-Umschalter vorgesehen.

Weitere Einzelheiten und Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der zugehörigen Zeichnungen, in denen ein schematischer Anlagenaufbau sowie zwei Diagramme dargestellt sind. In den Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 ein Spannungs-Strom-Kennliniendiagramm;

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Plasmabeschichtungsaniage und

Fig. 3 ein Spannungs-Strom-Zeit-Diagramm.

Wie aus dem in Fig. 1 dargestellten Spannungs-Strom-Kennliniendiagramm ersichtlich, sind für die Erzeugung ausreichender Elektronenstrom- bzw. lonenstromdichten jeweils andere Stromstärken und Spannungen notwendig. So bedarf es beispielsweise für einen Eiektronenstrom bei einer positiven Vorspannung von ca. 15 V einer Stromstärke von etwa 5 A, wohingegen für einen lonenstrom bei einer negativen Vorspannung von 200 V nur ca. 0,2 A benötigt werden.

.Um diesem unterschiedlichen Strom- bzw. Spannungsbedarf für den lonen- und Elektronenfiuß Rechnung zu tragen, werden jeweils voneinander unabhängige, den jeweiligen Bedingungen angepaßte Gleichstromquellen verwendet, so daß eine optimal angepaßte und energiesparende Prozeßführung möglich wird. Diese Optimierung des Prozeßablaufes setzt jedoch voraus, daß die verwendeten unabhängigen und individuell ausgelegten Gleichstromquellen zusätzlich unabhängig von der Plasmaquelie betrieben werden.

In Fig. 2 ist schematisch der Aufbau für eine Plasmabeschichtungsaniage dargestellt. Eine Plasmabeschichtungsaniage besteht aus einer Kammer 1, die mit Hilfe einer (nicht dargestellten) Pumpe evakuiert werden kann. In der Kammer 1 sind die zu behandelnden und zu beschichtenden Werkstücke 2 auf einem Werkstückträger 3 angeordnet.

Das für das Beschichtungsverfahren notwendige Plasma wird von einer ebenfalls in der Kammer 1 angeordneten Plasmaquelle (beispielsweise durch kathodische Vakuumbogenverdampfung) erzeugt.

Vor der Einleitung der eigentlichen Beschichtungsphase ist jedoch eine Reinigung der Oberflächen der Werkstücke 2, z. B. von Oxidhäuten, die sich

an der Luft gebildet haben, sowie ein Aufheizen der Werkstücke 2 auf die Prozeßtemperatur von 20O⁰C bis 50O⁰C erforderlich. Zur Erzeugung des für die Reinigung und die Aufheizung der Oberflächen der Werkstücke 2 ,erforderlichen Ionen- und Elektronenbeschusses sind außerhalb der Kammer 1 eine Hochspannungs-Gleichstromqueile 4 sowie eine Hochstrom-• Gleichstromquelle 5 angeordnet, die über ein zwischengeschaltetes Pulsgerät 6 mit dem Werkstückträger 3 verbunden sind. Das Pulsgerät 6 dient dabei der Optimierung der Prozeßbedingungen, da insbesondere zur Verringerung der Aufheizzeit eine abwechselnde Schaltung zwischen lonenbeschuß und Elektronenbeschuß der Werkstücke 2 erforderlich ist.

Die Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken 2 mittels Ionen und , Elektronen arbeitet wie folgt:

Das für den Beschichtungsprozeß notwendige Plasma wird von einer nicht dargestellten Plasmaquelle, beispielsweise mittels kathodischer Vakuumbogenverdampfung, hergestellt, wobei die zur Erzeugung des Plasmas notwendigen Verdampferkathoden über separate, ebenfalls nicht dargestellte Gleichstromquellen versorgt werden.

Die Werkstücke 2 werden vor der eigentlichen Plasmabeschichtung einer Vorbehandlung unterzogen, nämlich einer Reinigung der Oberflächen der Werkstücke sowie der Aufheizung auf die notwendige Beschichtungsprozeßtemperatur. Die Reinigung der Oberflächen der Werkstücke 2 erfolgt durch Beschüß der Werkstücke 2 mit aus dem Plasma gebildeten Ionen. Hierzu wird die Hochspannungs-Gleichstromquelle 4 über das Pulsgerät 6 mit ihrem negativen Pol mit dem Werkstückträger 3 verbunden. Infolge der bis zu 1000 V betragenden, von der Hochspannungs-Gieichstromquelle 4 erzeugten Spannung werden aufgrund der hohen Potentialdifferenz zwischen der Verdampferkathode der Plasmaquelie und dem mit dem negativen Pol der Hochspannungs-Gleichstromquelle 4 verbundenen Werkstückträger 3 die in dem Plasma gebildeten Ionen auf die auf dem Werkstückträger 3 angeordneten Werkstück 2 hin beschleunigt. Dieser Beschüß der Oberflächen der Werkstücke 2 mit den beschleunigten Ionen bewirkt ein Abtragen von Verunreinigungen, wie beispielsweise Oxidhäuten, die sich an der Luft gebildet haben. Darüber hinaus bewirkt der lonenbeschuß

bereits eine Erwärmung der Oberfläche. Der lonenbeschuß der Werkstücke 2 darf aber auch nicht beliebig verlängert werden, da dies zu einer Schädigung der Oberflächen der Werkstücke 2 führen könnte. Somit ist es erforderlich, daß die Werkstücke 2 auf eine andere Weise aufgeheizt werden. Hierzu wird nun nach dem Abstellen der Hochspannungs-Gleichstromquelle 4 die Hochstrom-Gleichstromquelle 5 über ihren positiven Pol mit dem Werkstückträger 3 verbunden. Die eine Stromstärke von bis zu 100 A liefernde Hochstrom-Gleichstromqueile 5 bewirkt eine hohe Potentialdifferenz zwischen dem jetzt positiv gepolten Werkstückträger 3 und dem durch die Plasmaquelle erzeugten Plasma.

Aufgrund dieser Potentiaidifferenz werden die in dem Plasma gebildeten Elektronen auf die auf dem Werkstückträger 3 angeordneten Werkstücke 2 hin beschleunigt. Die im Vergleich zu den Ionen geringere Masse der Elektronen bewirkt eine hohe Beschleunigung der Elektronen und somit eine hohe kinetische Energie der auf die Werkstücke 2 auftreffenden Elektronen, wodurch die Werkstücke 2 bei dem Elektronenbeschuß aufgeheizt werden.

Zur Optimierung der Prozeßbedingungen der voran geschilderten Arbeitsweise ist es notwendig, daß das abwechselnde Umschalten zwischen Ionenreinigung und Elektronenaufheizung innerhalb kürzester Zeit erfolgen kann. Zu diesem Zweck ist zwischen die Hochspannung-Gleichstromquelle 4 und die Hochstrom-Gleichstromquelle 5 das Pulsgerät 6 geschaltet, dessen Schaltfreqenz auf bis zu 300 kHz eingestellt werden kann.

In Fig. 3 ist schematisch der zeitliche Spannungs- und Stromverlauf dargestellt, wie er sich infolge der abwechselnden Schaltung durch das Pulsgerät 6 ergibt. Durch die Verwendung eines Halbleiter-Leistungs-Umschalters als Pulsgerät 6 ist es möglich, daß das Umschalten zwischen der lonenreinigungs- und Elektronenaufheizungsphase nahezu totzeitfrei erfolgen kann. Aufgrund der hohen Schaltfrequenz des Pulsgerätes 6 und infolge der individuellen Auslegung der Hochspannungs-Gleichstromquelle 4 und der Hochstrom-Gleichstromquelle 5 kann mit der voranstehend geschilderten Vorrichtung die Prozeßführung optimiert und energiesparend betrieben werden.

Bezuaszeichenliste

1 , Kammer

2 Werkstück

3 Werkstückträger

4 Hochspannungs-Gleichstromquelle

5 Hochstrom-Gleichstromquelle

6 Pulsgerät

Claims

Ansprüche

1. Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken mittels Ionen und Elektronen, insbesondere vor der Plasmabeschichtung unter Vakuum nach dem PVD-Verfahren, wobei durch abwechselnden Beschüß mit Ionen und Elektronen die Werkstücke (2) gereinigt bzw. aufgeheizt werden,

dadurch gekennzeichnet,

daß für den Ionen- und Elektronenbeschuß jeweils eine eigene, voneinander und vom Beschichtungsverfahren unabhängige, den jeweiligen Bedingungen angepaßte Gleichstromquelle (4, 5) vorgesehen ist, die abwechselnd mittels eines einstellbaren Pulsgerätes (6) mit ihrem negativen bzw. positiven Pol mit einem Werkstückträger (3) verbindbar sind.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur lonenreinigung der Werkstücke (2) eine Hochspannungs-Gleichstromquelle (4) mit einer Spannung von bis zu 1000 V und einer

■ Stromstärke von bis zu 40 A, vorzugsweise 10 A, vorgesehen ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufheizen der Werkstücke (2) eine Hochstrom-Gleichstromquelle (5) mit einer Stromstärke von bis zu 300 A, vorzugsweise 100 A, und einer Spannung von bis zu 100 V, vorzugsweise 40 V, vorgesehen ist.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Pulsgerät mit einer Schaltfrequenz von bis zu 300 kHz, vorzugsweise 50 kHz, vorgesehen ist.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Einschaltzeiten der Aufheizphase zu den Einschaltzeiten der lonenreinigungsphase zwischen 0,1 und 0,9 eingeteilt ist.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Pulsgerät (6) ein Halbleiter-Leistungs-Umschalter vorgesehen ist.

W/HR/li