DE2803558A1 - Miniaturlasermodul - Google Patents
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Description
M.P.Newbery 2-ΐ
MINIATÜRLASERMODUL·
Die Erfindung betrifft einen Impulslaser mit Änsteuerungsschaltung.
Es ist die Aufgabe der Erfindung eine solche Anordnung in Miniaturbauweise anzugeben.
Die Aufgabe wird mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Mitteln gelöst.
Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert.
Es zeigen:
Fig.1 eine Draufsicht auf das erfindungsgemäße Miniaturlasermodul,
Fig.2 eine Seitenansicht des Miniaturlasermoduls nach
Fig.1 in vergrößertem Maßstab,
Fig.3 eine Draufsicht auf die Unterseite der die Anordnung
nach Fig.1 und Fig.2 tragenden Grundplatte,
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Fig.4 ein Schaltbild des Miniaturmoduls mit einem npn-Transistor,
Fig.5 eine externe Eingangs-Triggerschaltung für einen
npn-Transistor,
Fig.6 eine selbsttriggernde Eingangsschaltung,
Fig.7 die Seitenansicht einer anderen räumlichen
Anordnung der Bauelemente der Schaltung nach Fig.4 und
Fig.8 eine zu Fig.7 alternative Anordnung bei anderer
Befestigung und Anschlußweise der Laserdiode,
Die Fig.1 zeigt in der Draufsicht die verschiedenen Bauelemente
eines Impulslasermoduls in Miniaturbauweise, die auf einer Transistor-Grundplatte, beispielsweise auf
einer TO5-Platte angeordnet sind.
Auf der Grundplatte ist eine Unterlage 1 aus Beryllium befestigt. Die Unterlage ist an ihrer Ober- und Unterseite
metallisiert. Ein Transistorplättchen 2 (hier npn-Transistor) ist auf die Unterlage aufgelötet, so daß sein Kollektor mit
der metallisierten Oberfläche der Unterlage elektrischen Kontakt hat. Ein Verbindungsdraht 3 verbindet die Basiselektrode
des Transistors mit einem Anschlußstift A und ein Verbindungsdraht 4 verbindet die Emitterelektrode des
Transistors 2 mit einem Anschlußstift B. Eine Halbleiter-
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Laserdiode 5 in Plättchenform ist ebenfalls auf die metallisierte Oberseite der Beryllium-Unterlage 1 aufgelötet,
so daß ihre Kathode elektrisch mit der metallisierten Oberfläche und somit mit dem Kollektor des
Transistors 2 verbunden ist. Ein Verbindungsdraht 6 verbindet die Anode der Laserdiode mit der Oberseite der
Grundplatte und damit mit einem Anschlußstift C. Die Laserdiode ist so angeordnet, daß sie im Betrieb ihre
Strahlung in einem Strahl abgibt, der im wesentlichen parallel zur Ebene der Grundplatte verläuft. Ein
Kondensator 7, hier aus drei Keramik-Kondensatorplättchen aufgebaut, ist so an die Grundplatte angelötet, daß eine
Elektrode mit der Oberseite der Grundplatte und damit mit der Anode der Laserdiode und mit dem Anschlußstift
C verbunden ist. Ein Draht 8 verbindet die andere Kondensatorelektrode mit dem Emitter des Transistors 2
und damit mit dem Anschlußstift B.
Die Fig.2 zeigt in der Seitenansicht die räumliche Anordnung
der verschiedenen bisher aufgezählten Bauelemente.
Die Fig.3 zeigt die Anordnung der Anschlußstifte, von
der Unterseite der Grundplatte aus gesehen.
Die Fig.4 stellt ein Schaltbild dar, das die elektrische
Verbindung der verschiedenen Bauelemente zeigt. Zwischen den Anschlußstiften B und C liegt eine Schaltung zur
Gleichstromversorgung, wobei der Anschlußstift C positiv gegenüber B ist. Wenn nun ein Trigger-
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impuls an den Anschlußstift A, d.h. an die Basis des
Transistors angelegt wird, wird der Transistor, der im Avalanche-Betrieb arbeitet, leitend und bewirkt, daß
sich der Kondensator 7, der von der Gleichstromversorgung geladen wird, durch die Laserdiode entlädt und dadurch
diese einen Strahlungsimpuls abgeben läßt. Nach Beendigung
der Entladung sperrt der Transistor wieder, da der Triggerimpuls bereits verschwunden ist.
Die Fig.5 zeigt eine Triggerschaltung, mit der Triggerimpulse von einem externen Generator an die Anschlußstifte
A und B und somit an den Basis-Emitter-Kreis des Transistors
angelegt werden können, um ihn einzuschalten.
Um eine Triggerfunktion der Schaltung zu erreichen,ist
es notwendig, daß zwischen den Anschlußstift C und den positiven Pol der Gleichstromversorgung ein Reihenwiderstand
9 geschaltet ist, daß ein Kondensator 10 als Impulsformer in Reihe zwischen den Anschlußstift A und einen Eingangsanschluß 11 geschaltet ist, und daß eine Diode 12 parallel
mit einem Widerstand 13 zwischen den Anschlußstiften A und B liegt. Am Einganganschluß 11 erscheinen Rechteckimpulse
aus einer nicht gezeigten Quelle. Der Anschlußstift B ist mit dem negativen Pol der Gleichstromversorgung verbunden.
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Die Fig.2 zeigt eine selbsttriggernde Schaltung. Ein
fester Widerstand 9a liegt in Reihe mit einem einstellbaren Widerstand 9b zwischen dem positiven Pol der Gleichstromversorgung
und dem Anschlußstift C. Zwischen A und B liegt ein Widerstand 13a. Diese Schaltung beruht darauf,
daß der Transistor eine von den Widerstandswerten der Widerstände 9a, 9b und 13a abhängige Zeit braucht, um
sich nach einerLawinenentladung wieder auf einen Zustand zu erholen, bei dem er wieder leitend wird. Diese Zeit
ist natürlich auch zum Teil durch die Zeitkonstante des aus dem Kondensator 7 und den Widerständen 9a und 9b
bestehenden RC-Kreises bestimmt.
Die Anordnung nach den Figuren 1, 2 und 3 produziert einen
Lichtstrahl, der parallel zur Ebene der Grundplatte verläuft.
Sie kann von einem Schutzgehäuse umgeben sein, das wenigstens
in der Umgebung der Laserdiode durchsichtig ist, so daß es den Lichtstrahl entweichen läßt. Die Fig.7 zeigt dagegen
eine andere Ausführungsform, bei der durch eine räumliche Umordnung einiger Bauelemente bewirkt ist, daß der Lichtstrahl
in axialer Richtung nach oben verläuft.
Eine Elektrode des Kondensators 7 ist wiederum direkt mit der Grundplatte verbunden, jedoch ist die Berylliumunterlage
nicht direkt an der Grundplatte, sondern an einer Seite
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eines Wärmeableitelements 14 befestigt, so daß die Oberfläche der Unterlage, auf der der Transistor und
die Laserdiode befestigt ist, seniorecht zur Ebene der Grundplatte ist. Das Wärmeableitelement ist sowohl elektrisch
leitend als auch wärmeleitend und ist mit der Oberfläche der Grundplatte und damit mit dem Anschlußstift
C verbunden. Der Draht 6a von der Anode der Laserdiode endet an einem Punkt auf der Oberfläche des Wärmeableitelements
14 anstatt auf der Grundplatte wie der Draht 6 in Fig.2. Eine Haube 15 mit einem für die Laserstrahlung
durchlässigen Fenster 16 bedeckt die Anordnung. Sie läßt sich hermetisch abdichten.
Wenn man die Polarität der Laserdiode umkehrt, so kann diese direkt an das Wärmeableitelement der Fig.7 angebondet
werden, wie dies in Fig.8 gezeigt ist. In ähnlicher Weise läßt sich auch die in Fig.2 gezeigte Konstruktion abwandeln.
An Stelle eines npn-Transistors kann auch ein pnp-Transistor
verwendet werden, wobei die Verbindungen zur Versorgungsspannungsquelle entsprechend zu ändern sind.
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Leerse ite
Claims (9)
1. Miniaturlasermodul, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer
Grundplatte eine Unterlage (1) am elektrisch isolierenden Material mit mindestens einer metallisierten Oberfläche
derart an einen Wärmeableitelement (14) befestigt ist, daß die metallisierte Oberfläche mit ihm nicht in Kontakt ist,
daß ein Laserdiodenplättchen (5) und ein Transistorplättchen (2) an dem Wärmeableitelement (14) befestigt sind, daß ein
Kondensatorplättchen (7) an der Grundplatte befestigt ist, wobei sein einer Anschluß elektrisch mit ihr verbunden ist,
daß die beiden Kondensatoranschlüsse an die aus dem Transistor und der Laserdiode bestehende Reihenschaltung (Fig.4) und
an zwei durch die Grundplatte führende Anschlußstifte (A,C) angeschaltet sind und daß die dritte Transistorelektrode
mit einem dritten durch die Grundplatte führenden Anschlußstift <C) elektrisch verbunden ist.
2. Lasermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Wärmeableitelement Bestandteil der Grundplatte ist (Fig.2)
Kg/Sch
25.1.1978
25.1.1978
809833/0783
ORiGiNAL
2 δ Ο 3 5 5
M.P.Newbery 2-1
3. Lasermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Wärmeableitelement (14) auf der Grundplatte befestigt ist.
4. Laserraodul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das Laserdiodenplättchen (5) und das Transistorplattchen (2) auf der metallisierten Oberfläche der an dem Wärmeableitelement
befestigten Unterlage (1) angeordnet sind (Fig.1, Fig.7)
5. Lasermodul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet/
daß eines der Bauteile Laserdiodenplättchen (5) und Transistorplattchen
(2) direkt auf dem Wärmeableitelement und das andere auf der metallisierten Oberfläche der Unterlage (1)
angeordnet ist (Fig.8).
6. Lasermodul nach einem der vorstehenden Ansprüche/ dadurch gekennzeichnet/ daß die Kathode der Laserdiode (5) an die
metallisierte Oberfläche der isolierenden Unterlage angebondet und ihre Anode über einen Draht (6, 6a) mit der Trägerplatte
verbunden ist (Fig.1, Fig.7).
7. Lasermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kathode der Laserdiode über einen Draht mit der metallisierten Oberfläche der Unterlage (1) verbunden
und die Anode an die Grundplatte angebondet ist (Fig.8).
8. Laserdiode nach den Ansprüchen ^, 4 und 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Laserdiode (5) so angeordnet ist, daß der von ihr abgegebene Lichtstrahl im wesentlichen oarallel
zur Grundplatte verläuft (Fig.1).
83983 3/0753 ORIGINAL INSPECTED
-3-M.P.Newbery 2-1
9. Laserdiode nach den Ansprüchen 3 und 4 oder 3 und 5/
dadurch gekennzeichnet, daß die Laserdiode (5) so an dem Wärmeableitelement (14) angeordnet ist, daß der von
ihr abgegebene Lichtstrahl im wesentlichen senkrecht zur Grundplatte verläuft.
«09833/0763
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB6181/77A GB1569794A (en) | 1977-02-15 | 1977-02-15 | Miniaturised laser arrangement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2803558A1 true DE2803558A1 (de) | 1978-08-17 |
Family
ID=9809889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782803558 Withdrawn DE2803558A1 (de) | 1977-02-15 | 1978-01-27 | Miniaturlasermodul |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2803558A1 (de) |
GB (1) | GB1569794A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2601818A1 (fr) * | 1986-07-16 | 1988-01-22 | Rca Corp | Montage d'un dispositif semiconducteur sur une embase |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3138296A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum positionieren und fixieren von optischen bauelementen relativ zueinander |
-
1977
- 1977-02-15 GB GB6181/77A patent/GB1569794A/en not_active Expired
-
1978
- 1978-01-27 DE DE19782803558 patent/DE2803558A1/de not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NICHTS-ERMITTELT * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2601818A1 (fr) * | 1986-07-16 | 1988-01-22 | Rca Corp | Montage d'un dispositif semiconducteur sur une embase |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1569794A (en) | 1980-06-18 |
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