DE2750421C2

DE2750421C2 - Measuring methods and devices for the production of multi-layer systems

Info

Publication number: DE2750421C2
Application number: DE19772750421
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Dipl.-Phys. 8000 München Stengel
Original assignee: Leybold Heraeus GmbH
Current assignee: Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Priority date: 1977-11-11
Filing date: 1977-11-11
Publication date: 1986-09-25
Also published as: DE2750421A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Meßverfahren und Meßvorrichtungen für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen aus abwechselnd hoch- und niedrigbrechenden Schichten auf transparenten Substraten unier kontinuierlicher Erfassung des Transmissions- und/oder Reflexionsverhaltens von Schichten, die gleichzeitig auf ein Testglas aufgebracht werden, welches von im wesentlichen monochromatischem Meßlicht beaufschlagt wird, wobei der jeweils reflektierte oder durchgehende Lichtanteil gemessen und das Meßergebnis zur definierten Unterbrechung des Beschichtungsvorganges verwendet wird.The invention relates to a measuring method and measuring devices for the production of multiple layer systems from alternating high and low refractive index Layers on transparent substrates with continuous recording of the transmission and / or reflection behavior of layers which are applied simultaneously to a test glass, which of essentially monochromatic measuring light is applied, the respectively reflected or transmitted light component measured and the measurement result used for the defined interruption of the coating process will.

ίο Die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen, die auch als Interferenz-Schichten bezeichnet werden, spielt bei optischen Erzeugnissen wie Kaltlichtspiegeln, Filtern etc. eine bedeutende Rolle. Es handelt sich darum, innerhalb eines vorgegebenen Wellenlängenbereichs eine möglichst vollständige Transmission oder Reflexion an dem Vielfach-Schichtsystem zu erreichen, in den außerhalb liegenden Wellenlängenbereichen jedoch möglichst übergangslos eine vernachlässigbarc Transmission bzw. Reflexion zu erzielen. Die Erfüllung dieser Forderungen setzt eine möglichst große Zahl von Einzelschichten voraus, wobei etwa 20 bis 30 einzelne Schichten üblich sind. Bei der Herstellung der F.inzelschichten muß die zusätzliche Forderung beachtet werden, daß die Dicke jeder Einzelschicht möglichst genau einer Viertelwellenlänge des verwendeten, monochromatischen Meßlichts entspricht. Dies setzt nicht nur eine genaue Erfassung des zeitlichen Verlaufs des optischen Verhalten*, der Schicht während des Schichtaufbaus voraus, sondern auch die Umsetzung der hierbei erhaltenen Meßwerte in einen Vorgang, der den Bcschichtungsvorgang zeitlich genau definiert und möglichst abrupt unterbricht. Die Unterbrechung des Beschichtungsvorganges kann beispielsweise durch Einschwenken einer Blende in den Strom des Beschichtungsmaterials bewirkt werden.ίο The production of multiple layer systems that Also known as interference layers, plays a role in optical products such as cold light mirrors, Filters etc. play an important role. It is about within a given wavelength range to achieve as complete a transmission or reflection as possible on the multi-layer system, in the outside wavelength ranges, however, a negligible level as seamlessly as possible To achieve transmission or reflection. The fulfillment of these requirements requires the largest possible number of Individual layers ahead, with around 20 to 30 individual layers being common. During the production of the individual layers the additional requirement must be observed that the thickness of each individual layer as precisely as possible corresponds to a quarter wavelength of the monochromatic measuring light used. This doesn't just set one precise recording of the temporal course of the optical behavior * of the layer during the layer build-up ahead, but also the implementation of the measured values obtained in this way in a process that the layering process precisely defined in time and interrupted as abruptly as possible. The interruption of the coating process can, for example, by pivoting a diaphragm into the flow of the coating material be effected.

Geringfügige Abweichungen in den Schichtdicken sind in den Anfangsschichten nicht besonders störend, weil derartigen Vielfach-Schichtsystemen ein sogenannter Autokompensationseffekt inne wohnt, d. h. geringe Abweichungen in der Schichtdicke können beim A ufbau der nächsten Schichten ausgeglichen, d. h. kompensiert werden. Dieser Autokompensationseffekt nimmt jedoch für die letzten Schichten des Systems ab. Beim Aufbau der letzten Schichten eines Vielfach-Sehichtsystems haben sich jedoch die herkömmlichen Meßverfahren und -anordnungen als wenig brauchbar bzw. kompliziert zu bedienen erwiesen, weil die Meßsignale, die die Beendigung einer Viertelwellenlängcnschicht anzeigen, nicht mehr genau erfaßbar bzw. untcrschcidbar sind. Zum Verständnis dieses Vorganges wird auf die nachfolgend physikalische Gesetzmäßigkeit verwiesen: Slight deviations in the layer thicknesses are not particularly disturbing in the initial layers, because a so-called auto-compensation effect resides in such multiple-layer systems, d. H. low Deviations in the layer thickness can be compensated for when the next layers are built up, i.e. H. compensated will. However, this auto-compensation effect decreases for the last layers of the system. At the However, conventional measuring methods have established the last layers of a multiple visual system and arrangements have proven to be of little use or complicated to operate because the measurement signals, which indicate the termination of a quarter-wave length slice, no longer precisely detectable or distinguishable are. To understand this process, reference is made to the following physical law:

Während des Aufbaus einer Schicht aus dielektrischem Material hat die Intensität eines durch das Meßobjekt hindurchgehenden oder von diesem reflektierten Meßlichtstrahls einen schwankenden Verlauf nach Art einer Sinuskurve. Dabei wird ein erstes Maximum bzw. Minimum bei einer Schichtdicke von einer Viertelwellenlänge erreicht, ein zweites Maximum bzw. Minimum bei einer Dreiviertelwellenlänge. Dazwischen liegt ein Minimum bzw. Maximum bei einer halben Wellenlänge. Die Absolutwerte der Maxima und Minima verschieben sich etwas mit zunehmender Schichtdicke, jedoch spielt dies für das Meßverfahren keine ausschlaggebende RoI-Ie. Bei der Erzeugung von Schichten mit einer Dicke von einer Viertelwellenlänge muß somit die Abschaltung beim Auftreten eines Maximums oder Minimums des Meßsignals erfolgen. Um einen definierten SchaltpunktDuring the build-up of a layer of dielectric material, the intensity has an effect due to the target measuring light beam passing through or reflected by this has a fluctuating course according to Art a sine curve. A first maximum or minimum is thereby obtained with a layer thickness of a quarter wavelength reaches a second maximum or minimum at a three-quarter wavelength. In between there is a Minimum or maximum at half a wavelength. Shift the absolute values of the maxima and minima somewhat with increasing layer thickness, but this does not play a decisive role in the measurement process. When producing layers with a thickness of a quarter wavelength, the shutdown must therefore take place when a maximum or minimum of the measurement signal occurs. Around a defined switching point

beispielsweise für die Blendenbetätigung zu erhalten, wird das Meßsignal häufig differenziert, so daß die Abschaltung beim Nulldurchgang des integrierten Signals durch einen sogenannten Nulldetektor herbeigeführt werden kann.For example, to obtain the shutter actuation, the measurement signal is often differentiated, so that the shutdown brought about at the zero crossing of the integrated signal by a so-called zero detector can be.

Die Messung des Schichtaufbaus erfolgt im allgemeinen nicht an den Substraten selbst, sondern an sogenannten Testgläsern, die inmitten der Substrate an einer Stelle angeordnet sind, an der Schichteigenschaften erzeugt werden, die denen der auf den Substraten niedergeschlagener. Schichteigenschaften entsprechen. Es ist bekannt, eine Vielzahl von Testgläsern in einem Magazin eines Testglaswechslers bereit zu halten und die einzelnen Testgläser nach Beendigung des Beschichtungsvorgangs auszuwechseln.The layer structure is generally not measured on the substrates themselves, but on what are known as Test glasses that are arranged in the middle of the substrates at a point at which layer properties are generated become that of those of the more depressed on the substrates. Layer properties correspond. It is known to keep a large number of test glasses in a magazine of a test glass changer and the individual Replace test glasses after the end of the coating process.

Um die gleichen Kondensationsbedingungen zu haben und die Vorteile der Autokompensation auch bei der Messung ausnutzen zu können, wurden bei anderen bisher bekannten Meßverfahren sämtliche Schichten eines Vielfach-Schichtsystems auf dem gleichen Testglas niedergeschlagen. Dies hat zur Folge, daß die für Meßzwecke allein ausschlaggebende Differenz zwischen den Intensitätsmaxima und -minima des Meßlichtstrahls mit zunehmender Schichtzahl abnimmt. Bei den Meßsignalen muß die Gleichspannungskomponente kompensiert werden, was bei der Transmissionsmessung mit ihren kleineren Absolutwerten bei gleicher Signalamplitude schaltungstechnisch einfacher ist als bei der Reflexionsmessung mit ihren höheren Absolutwerten. Dies führt dazu, daß bei der Reflexionsmessung etwa ab der 8. bis 10. Schicht, bei der Transmissionsmessung etw? ab der 16. bis 20. Schicht die Amplitudendifferenz so klein wird, daß sie für Meßzwecke nicht mehr ausreichend ist. Um die Abnahme der Differenz mit fortschreitender Zahl der Einzelschichten auszugleichen, wurde bisher in der Regel so verfahren, daß der Verstärkungsgrad eines in der Schaltung für die Signalverarbeitung des Meßlichtstrahls erhaltenen Verstärkers nach der Erzeugung jeder Einzelschicht soweit nachgeregelt wurde, daß die Differenz zwischen dem Maximum und dem Minimum der Intensität des Meßlichtstrahls im wesentlichen konstant gehalten wurde. Eine solche Maßnahme erfordert große Aufmerksamkeit bei der Bedienung einer Beschichtungsanlage und ist außerdem zeitaufwendig. Sie steht einer Automatisierung des Herstellverfahrens für Vielfaeh-Schichtsysteme entgegen. Hinzu kommt aber vor allem, daß mit zunehmendem Verstärkungsgrad auch der unvermeidbare Störpegel in der Signalspannung entsprechend mitverstärkt wird, so daß sich ein zunehmendes »Rauschen« bemerkbar macht, welches bei Schichtzahlen oberhalb etwa 12 Einzelschichten eine genaue Erfassung eines Intensitätsmaximums oder -minimums genauso unmöglich macht, wie die exakte Erfassung eines Nulldurchgangs in dem differenzierten Meßsignal. Ein definiertes Abschalten des 3eschichtungsvorgangs wird damit unmöglich, so daß Schichtdickenabweichungen mit zunehmender Schichtzahl größer werden, wobei sich insbesondere bei den letzten Schichten Schichtdickenabweichungen deshalb störend bemerkbar machen, weil eine Autokompensation nicht mehr möglich ist.In order to have the same condensation conditions and the advantages of auto-compensation also with To be able to take advantage of the measurement, in other previously known measurement methods all layers became one Multiple layer system deposited on the same test glass. This has the consequence that for measuring purposes the only decisive difference between the intensity maxima and minima of the measuring light beam decreases with increasing number of layers. The DC voltage component must be compensated for in the measurement signals what in the transmission measurement with their smaller absolute values with the same signal amplitude circuitry is simpler than with the reflection measurement with its higher absolute values. this leads to the fact that with the reflection measurement from about the 8th to 10th layer, with the transmission measurement something? away the 16 th to 20 th layers the amplitude difference is so small becomes that it is no longer sufficient for measurement purposes. To decrease the difference with advancing To compensate for the number of individual layers, has hitherto generally been done in such a way that the degree of reinforcement is one in the circuit for the signal processing of the measuring light beam amplifier obtained after generation each individual layer was readjusted to such an extent that the difference between the maximum and the minimum the intensity of the measuring light beam was kept essentially constant. Such a measure requires Pay great attention to the operation of a coating system and is also time-consuming. she stands in the way of automation of the manufacturing process for multiple layer systems. But there is also above all that with increasing degree of amplification also the unavoidable level of interference in the signal voltage is reinforced accordingly, so that a Increasing "noise" makes noticeable, which is a problem with the number of layers above about 12 individual layers precise detection of an intensity maximum or minimum makes it just as impossible as the exact one Detection of a zero crossing in the differentiated measurement signal. A defined shutdown of the layering process thus becomes impossible, so that layer thickness deviations increase with increasing number of layers layer thickness deviations are therefore bothersome, particularly in the case of the last layers noticeable because auto compensation is no longer possible.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Meßverfahren und Meßvorrichtungen für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen anzugeben, bei denen Maxima und Minima im Intensitätsverlauf des Meßsignals auch bei fortschreitendem Schichtaufbau noch deutlich erkennbar sind, so daß eine Nachregelung des Verstärkungsgrades des Verstärkers in der Auswerteschaltung überflüssig ist.The invention is therefore based on the object of a measuring method and measuring devices for production of multiple layer systems, in which maxima and minima in the intensity curve of the measurement signal can still be clearly seen even as the layer build-up progresses, so that readjustment of the The gain of the amplifier in the evaluation circuit is superfluous.

Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei dem eingangs beschriebenen Meßverfahren erfindungsgemäß dadurch, daß zum Messen abwechselnd jeweils eines von mindestens zwei Testgläsern gleichzeitig einem Meßlichtstrahl und dem jeweils gleichen Strom des Beschichtungsmaterials ausgesetzt wird, so daß die hochbrechenden Schichten jeweils auf das eine Testglas und die niedrigbrechenden Schichten jeweils auf ein anderesThe object set is achieved according to the invention in the measuring method described at the beginning characterized in that alternately one of at least two test glasses at the same time for measuring Measuring light beam and the same stream of coating material in each case is exposed, so that the high-refractive-index layers are each on a test glass and the low-refractive-index layers each on a different one

ίο Testglas aufgebracht werden.ίο test glass can be applied.

Durch eine solche Maßnahme wird erreicht, daß der Intensitätsverlauf über sämtliche Maxima und Minima der auf einem Testglas niedergeschlagenen Schichten des gleichen Dielektrikums von Schicht zu Schicht im wesentlichen unverändert bleibt. Hierdurch bleibt auch die Differenz zwischen Intensitätsmaximum und -minimum der einzelnen Schichten im wesentlichen unverändert, so daß eine Anpassung der Fotometerempfindlichkeit durch Skalenspreizung bzw. Nachregeln des Fotometerverstärkers nicht erforderlich ist. Die Meßempfindlichkeit und die Signalverstärkung bleiben während des Beschichtungsvorganges konstant. Durch die eriindungsgemäße Maßnahme wird auch der Rauschanteil des Meßsignals nicht mit zunehmender Schichtzahl verstärkt, sondern kann von der ersten bis zur letzten Schicht vernachlässigt werden. Durch den Wegfall einer laufenden Änderung der Signalverstärkung eignet sich das Meßverfahren insbesondere für die manuelle und automatische Herstellung von optischen Vielschichtsystemen wie Kaltlichtspiegel, Laserspiegel, Kantenfilter etc. Durch die Unterdrückung des ansonsten laufend zunehmenden Rauschanteils wird für jede Schicht eine Beendigung des Beschichtungsvorgangs im Intensitätsmaximum oder -minimum des Meßsignals oder im NuIl- durchgang des differenzierten Meßsignals ermöglicht. Die Schichtdicken der Einzelschichten können somit innerhalb enger Toleranzen gehalten werden, daß auf den Autokompensationseffekt verzichtet werden kann. Bei einem Meßverfahren für die Anwendung in Vakuumaufdampfanlagen wird am besten so verfahren, daß jedes der Testgläser jeweils nur während des Verdampfens des gleichen Beschichtungsmaterials in dessen Dampfstrom und in den Strahlengang des Meßlichts eingebracht wird. In diesem Falle sind die Testgläser beweglich, wobei das jeweils gerade nicht bedampfte Testglas durch eine Abschirmvorrichtung vor einer Dampfkondensation geschützt wird.Such a measure ensures that the intensity profile over all maxima and minima of the layers of the same dielectric deposited on a test glass from layer to layer im remains essentially unchanged. This also leaves the difference between the maximum and minimum intensity of the individual layers essentially unchanged, so that an adaptation of the photometer sensitivity due to the scale spread or readjustment of the photometer amplifier is not necessary. The measurement sensitivity and the signal amplification remains constant during the coating process. By the inventive Measure, the noise component of the measurement signal is not increased with increasing number of layers, but can be neglected from the first to the last shift. By eliminating one The measuring process is particularly suitable for manual and continuous changes in the signal amplification automatic production of optical multilayer systems such as cold light mirrors, laser mirrors, edge filters etc. By suppressing the otherwise continuously increasing noise component, one for each layer Completion of the coating process in the intensity maximum or minimum of the measurement signal or in the blink of an eye allows passage of the differentiated measurement signal. The layer thicknesses of the individual layers can thus be within Close tolerances are kept so that the auto compensation effect can be dispensed with. at a measurement method for use in vacuum evaporation systems is best done so that each of the test glasses only during the evaporation of the same coating material in its Steam stream and is introduced into the beam path of the measuring light. In this case the test glasses are movable, with the currently not vaporized test glass by a shielding device in front of a Steam condensation is protected.

Bei Katodenzerstäubungsanlagen, in den hoch- und niedrigbrechende Targetmaterialien auf mehreren Katoden angeordnet sind und bei dem die Substrate auf einem Substrathalter angeordnet sind, der mit jedem Target zur Deckung gebracht werden kann, wird zweckmäßig so verfahren, daß jedem Target gegenüber ein Testglas im Strahlengang einer Meßlichtquelle angeordnet ist, und daß die Substrate abwechselnd in den Einflußbereich der verschiedenen Targets gebracht, werden. In diesem Falle ist im Einflußbereich eines jeden Targets je ein Testglas ortsfest angeordnet, welches stets gemeinsam mit den Substraten bestäubt wird.In cathode sputtering systems, in which high and low refractive index target materials are placed on several cathodes are arranged and in which the substrates are arranged on a substrate holder with each Target can be brought to congruence, is expediently proceeded so that each target a test glass is arranged in the beam path of a measuring light source, and that the substrates alternately in the Area of influence of the various targets are brought. In this case it is within everyone's sphere of influence Targets each have a test glass arranged in a stationary manner, which is always dusted together with the substrates.

Durch die ortsfeste Anordnung der Testgläser muli jedem Testglas eine eigene Meßlichtquelle zugeordnet werden.Due to the fixed arrangement of the test glasses, each test glass is assigned its own measuring light source will.

Die Erfindung bezieht sich außerdem auf Vorrichtungen zur Durchführung des Meßverfahrens in Aufdampfanlagen einerseits und in Katodenzerstäubungsanlagen andererseits, die gekennzeichnet sind durch die in den Vorrichtungsansprüchen angegebenen Merkmale.
Das erfindungsgemäße Meßverfahren sowie eine bei-The invention also relates to devices for carrying out the measuring method in vapor deposition systems on the one hand and in cathode sputtering systems on the other hand, which devices are characterized by the features specified in the device claims.
The measuring method according to the invention as well as a two

spielhafte Meßanordnung und Meßdiagramme, die auf die bekannte und auf die erfindungsgemäße Weise gewonnen wurden, seien nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 7 näher erläutert. Es zeigtPlayful measuring arrangement and measuring diagrams obtained in the known manner and in the manner according to the invention are explained in more detail below with reference to FIGS. 1 to 7. It shows

F i g. 1 einen Vertikalschnitt durch eine Vakuum-Aufdampfanlage mit einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Meßverfahrens,F i g. 1 shows a vertical section through a vacuum evaporation system with a device for implementation of the measuring method according to the invention,

F i g. 2 eine Draufsicht auf einen Testglashalter mit mehreren Aufnahmen für Testgläser, die nacheinander in den Dampfstrom gebracht werden können,F i g. 2 shows a plan view of a test glass holder with several receptacles for test glasses, one after the other can be brought into the steam stream,

F i g. 3 einen Vertikalschnitt durch eine Katodenzerstäubungsanlage mit einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Meßverfahrens,F i g. 3 shows a vertical section through a cathode sputtering system with a device for carrying out the measuring method according to the invention,

F i g. 4 einen Intensitätsverlauf des Meßsignals in Abhängigkeit von der Anzahl der Einzelschichten, wie er sich bei einer Messung nach einem bekannten Reflexions-Meßverfahren ohne Änderung der Verstärkungseinstellung ergeben würde,F i g. 4 shows an intensity profile of the measurement signal as a function of the number of individual layers, as it is when measuring according to a known reflection measuring method without changing the gain setting would result

F i g. 5 die Gegenüberstellung von Meßsignalen und differenzierten Meßsignalen, die unter Anpassung des Verstärkungsgrades bei einem herkömmlichen Meßverfahren beim Aufbau der Schichten 19,20 und 21 gewonnen wurden,F i g. 5 the comparison of measurement signals and differentiated measurement signals, which with adaptation of the Gain degree obtained in a conventional measuring method when building layers 19, 20 and 21 became,

F i g. 6 den zeitlichen Verlauf des Meßsignals analog F i g. 4, jedoch unter Anwendung des erfindungsgemäßen Meßverfahrens undF i g. 6 shows the time course of the measurement signal analogous to FIG. 4, but using the invention Measurement method and

F i g. 7 die Gegenüberstellung von Meßsignalen analog F i g. 5 für die Schichten 19, 20 und 21, jedoch unter Anwendung des erfindungsgemäßen Meßverfahrens.F i g. 7 the comparison of measurement signals analogous to FIG. 5 for layers 19, 20 and 21, but below Application of the measuring method according to the invention.

In Fig. 1 ruht auf einer Grundplatte 10 unter Zwischenschaltung eines Dichtungsringes 11 eine Vakuumkammer 12. In der Vakuumkammer 12 ist auf der Grundplatte 10 eine Elektronenstrahlquelle 13 in Verbindung mit einem Drehtiegel 14 angeordnet, der mit Näpfen 15 und 16 für die Aufnahme von unterschiedliehern Beschichtungsmaterial versehen ist. In dem Napf 15 befindet sich hochbrechendes und in dem Napf 16 niedrigbrechendes Beschichtungsmaterial. Oberhalb des Drehtiegels ist eine schwenkbare Blende 17 angeordnet, die über eine Welle 18 mit einem Blendenantrieb 19 verbunden ist. Durch Schwenken der Blende 17 in die dargestellte Position kann der Dampfstrom, der von dem jeweils unter Elektronenbeschuß stehenden Napf — im vorliegenden Falle der Napf 16 — ausgeht, abrupt unterbrochen werden. Oberhalb des Drehtiegels 14 befindet sich ein Substrathaltei 20, der mit Substraten 21 beschickt ist und einen wesentlichen Teil des Querschnitts der Vakuumkammer 12 ausfüllt. Der Substrathalter weist lediglich eine radiale, schlitzförmige Ausnehmung auf. in der ein festglashalter 22 mit zwei Testgläsern 23 und 24 angeordnet ist. Der Testglashalter 22 steht über eine Schubstange 25 mit einem Testglasantrieb 26 durch die Vakuumkammer 12 hindurch in Verbindung. Die Testgläser 23 und 24 liegen in Richtung der Schubstange 25 hintereinander, und der Verschiebeweg des Testglasantriebs 26 ist so ausgelegt, daß durch eine Bewegung der Schubstange 25 nach links das Testglas 24 an die Stelle des Testglases 23 gebracht werden kann. Es versteht sich, daß der Testglashalter 22 mit einem nicht dargestellten Testglasmagazin zusammen wirken kann, um gegebenenfalls ohne öffnen der Vakuumkammer 12 die Testgläser 23 und 24 auswechseln zu können. Um das jeweils gerade nicht benötigte Testglas — im vorliegenden Falle das Testglas 24 — gegen ein Bedampfen zu schützen, ist unterhalb des Testglashalters 22 eine Abschirmung 27 angeordnet. Diese Abschirmung besitzt eine öffnung 28, deren Querschnitt im wesentlichen den Abmessungen der Testgläser entspricht. Wenn die Schubstange 25 nach links bewegt wird, gelangt das Testglas 23 über die Abschirmung 27, und das Testglas 24 kommt mit der öffnung 28 zur Deckung.In Fig. 1 rests on a base plate 10 with the interposition a sealing ring 11 a vacuum chamber 12. In the vacuum chamber 12 is on the Base plate 10 an electron beam source 13 is arranged in connection with a rotary crucible 14, which with Cups 15 and 16 are provided for receiving different coating material. In the bowl 15 is high refractive index and low refractive index coating material in the cup 16. Above The rotary crucible has a pivotable diaphragm 17 which, via a shaft 18, has a diaphragm drive 19 is connected. By pivoting the cover 17 into the position shown, the steam flow from the cup under electron bombardment - in the present case the cup 16 - runs out abruptly to be interrupted. Above the rotating crucible 14 there is a substrate holder 20 which holds substrates 21 is charged and fills a substantial part of the cross section of the vacuum chamber 12. The substrate holder has only one radial, slot-shaped recess. in which a fixed glass holder 22 with two test glasses 23 and 24 is arranged. The test glass holder 22 stands over a push rod 25 with a test glass drive 26 through the vacuum chamber 12 in connection. The test glasses 23 and 24 are in the direction of Push rod 25 one behind the other, and the displacement of the test glass drive 26 is designed so that by a Movement of the push rod 25 to the left, the test glass 24 can be brought to the location of the test glass 23. It goes without saying that the test glass holder 22 interacts with a test glass magazine (not shown) can, in order to be able to replace the test glasses 23 and 24 if necessary without opening the vacuum chamber 12. Around the test glass that is currently not required - in the present case the test glass 24 - against vapor deposition To protect, a shield 27 is arranged below the test glass holder 22. This shield has an opening 28, the cross section of which corresponds essentially to the dimensions of the test glasses. When the push rod 25 is moved to the left, the test tube 23 passes over the shield 27, and the test glass 24 comes to cover the opening 28.

In der Vakuumkammer 12 befindet sich weiterhin eine Meßlichtquelle 29, in der ein gebündelter Meßlichtstrahl 30 erzeugt wird, der auf die Öffnung 28 bzw. auf das dahinter befindliche Testglas 23 (oder 24) ausgerichtet ist. In der Verlängerung des Meßlichtstrahls 30 ist hinter dem Testglashalter 22 ein Empfänger 31 für den durchgehenden Teil 30a des Meßlichtstrahls angeordnet. Unterhalb des Testglashalters 22 ist ein weiterer Empfänger 32 für den reflektierten Teil 30b des Meßlichtstrahls 30 angeordnet. Es versteht sich, daß je nach dem gewählten Meßverfahren nur einer der beiden Empfänger 31 oder 32 vorgesehen sein kann. Die Vakuumkammer 12 ist über einen Saugstutzen 33 evakuierbar. In the vacuum chamber 12 there is also a measuring light source 29 in which a bundled measuring light beam 30 is generated which is directed at the opening 28 or at the test glass 23 (or 24) located behind it. In the extension of the measuring light beam 30, a receiver 31 for the continuous part 30a of the measuring light beam is arranged behind the test glass holder 22. A further receiver 32 for the reflected part 30b of the measuring light beam 30 is arranged below the test glass holder 22. It goes without saying that only one of the two receivers 31 or 32 can be provided, depending on the measurement method selected. The vacuum chamber 12 can be evacuated via a suction nozzle 33.

Die Ausgänge der Empfänger 31 und 32 sind über Leitungen 34 und 35 mit einem Verstärker 36 verbunden, der seinerseits über eine Leitung 37 mit einer Steuerschaltung 38 in Verbindung steht, die über eine Steuerleitung 39 den Blendenantrieb 19 im Sinne einer öffnungs- oder Schließbewegung ansteuert. Die Steuerschaltung 38 ist über eine weitere Steuerleitung 40 mit einer Steuerschaltung 41 verbunden, die über eine Steuerleitung 42 den Testglasantrieb 26 ansteuert.The outputs of the receivers 31 and 32 are connected to an amplifier 36 via lines 34 and 35, which in turn is connected via a line 37 to a control circuit 38, which is connected via a control line 39 controls the diaphragm drive 19 in the sense of an opening or closing movement. The control circuit 38 is connected via a further control line 40 to a control circuit 41, which via a control line 42 controls the test glass drive 26.

Die Anordnung gemäß F i g. 1 hat folgende Funktionsweise: The arrangement according to FIG. 1 works as follows:

Zunächst wird aus einem der beiden Näpfe bei geöffneter Blende 17 hochbrechendes Beschichtungsmaterial auf die Substrate 21 und das Testglas 23 aufgedampft. Der Schichtaufbau wird mittels der Meßlichtquelle 19, der Enpfänger 31 oder 32, des Verstärkers 36 und der Steiei schaltung 38 überwacht. Sobald in der Steuers"ha!:img 38 ein Intensitätsmaximum und/oder Intensit; tsr.iinimum anhand der Empfänger 31 oder 32 oder ein N'jlldurchgang des differenzierten Intensitätssignals registriert wird, erhält der Blendenantrieb 19 über die Steuerleitung 39 einen Impuls, der die Blende 17 schließt. Unmittelbar danach erhält der Testglasantrieb 26 über die Steuerschaltung 41 gleichfalls einen Impuls, durch den das Testglas 24 an die Stelle des Testglases 23 gebracht wird. Das Testglas 24, das nunmehr zusammen mit den Substraten 21 mit einer niedrigbrechenden Schicht versehen werden soll, ist zum Zwecke einer Intensitätssteigerung des Meßsignals bereits zuvor mit einer einzigen Viertelwellenlängenschicht des hochbrechenden Materials versehen worden. Dieser Schritt läßt sich einfach in das Aufdampfverfahren einbeziehen, indem man die ersten beiden Viertelwellenlängenschichten aus hoch- und niedrigbrechendem Material auf das betreffende Testglas aufbringt und dieses Testglas danach nur noch mit niedrigbrechendem Material beschichtet, während das andere Testglas ausschließlich für die Beschichtung mit hochbrechendem Material dient. Außerdem wird durch Drehung des Drehtiegels 14 der Napf mit dem niedrigbrechenden Material an die Auftreffstelle des Elektronenstrahls gebracht, so daß nunmehr — bei geöffneter Blende 17 — das r.iedrigbrechende Beschichtungsmaterial auf die Substrate 21 und auf das Testglas 24 aufgedampft wird. Sobald auch hier ein Intensitätsmaximum oder -minimum oder ein Nulldurchgang im Meßsigna! auftritt, wird die Blende 17 in zuvor beschriebener Weise in den Dampfstrom eingeschwenkt und der Beschichtungsvorgang damit unterbrochen. First of all, with the aperture 17 open, one of the two cups is turned into high-index coating material vapor-deposited onto the substrates 21 and the test glass 23. The layer structure is determined by means of the measuring light source 19, the receiver 31 or 32, the amplifier 36 and the control circuit 38 monitored. As soon as in the tax "ha!: Img 38 an intensity maximum and / or intensity; tsr.iinimum based on the recipient 31 or 32 or a N'jll passage of the differentiated intensity signal registered is, the diaphragm drive 19 receives a pulse via the control line 39, which the diaphragm 17 closes. Immediately thereafter, the test glass drive 26 also receives a pulse via the control circuit 41, through which the test glass 24 is brought into place of the test glass 23. The test glass 24, which is now together to be provided with the substrates 21 with a low refractive index layer is for the purpose of increasing the intensity of the measurement signal with a single quarter-wave layer of the high refractive index Material has been provided. This step can easily be included in the vapor deposition process by the first two quarter-wave layers of high and low refractive index material on the applies the test glass in question and then only coats this test glass with a low-refractive index material, while the other test glass is used exclusively for coating with high-index material serves. In addition, by rotating the rotary crucible 14, the bowl with the low refractive index material is attached to the Brought to the point of impact of the electron beam, so that now - with the aperture 17 open - the right low-refractive Coating material is evaporated onto the substrates 21 and onto the test glass 24. As soon as here too an intensity maximum or minimum or a zero crossing in the measurement signal! occurs, the aperture becomes 17 in Swiveled into the steam flow in the manner described above and the coating process thus interrupted.

Durch erneute Steuersignale wird nunmehr wieder-Renewed control signals mean that

um das hochbrechende Material an die Auftreffstelle des Elektronenstrahls geschwenkt und das Testglas 23 in die dargestellte Position in den Strahlengang des Meßlichtstrahls 30 bewegt, worauf sich der Vorgang des Aufdampfens hochbrechenden Materials wiederholt. Der Aufbau der Vielfachschicht wird auf die angegebene Weise fortgesetzt, wobei sich auf den Substraten 21 abwechselnd hoch- und niedrigbrechende Schichten niederschlagen, während auf den Testgläsern 23 und 24 (gegebenenfalls mit Ausnahme der ersten Schicht) sich entweder nur hochbrechende oder niedrigbrechende Schichten niederschlagen.pivoted around the high refractive index material to the point of impact of the electron beam and the test glass 23 moves into the position shown in the beam path of the measuring light beam 30, whereupon the process of Repeated vapor deposition of high refractive index material. The structure of the multilayer is based on the specified Continued manner, alternating high and low refractive index layers on the substrates 21 precipitate, while on the test glasses 23 and 24 (possibly with the exception of the first layer) deposit either only high refractive index or low refractive index layers.

Für optische Wechselschichtsysteme, die aus mehreren Schichtmaterialien aufgebaut sind und deren Schichtdicken bei verschiedenen Wellenlängen auf die angegebene Weise gemessen werden, wird für jedes Schichtmaterial und jede Wellenlänge ein neues Testglas benötigt, so daß hierfür entsprechende, bekannte Testglaswechsler erforderlich sind.For optical alternating layer systems that are made up of several layer materials and their Layer thicknesses at different wavelengths can be measured in the specified manner for each Layer material and each wavelength requires a new test glass, so that appropriate, known Test tube changers are required.

F i g. 2 zeigt einen Testglashalter 43 in Form einer Kreisscheibe mit mehren Aufnahmen 44,45... für Testgläser 46,47... Der Testglashalter 43 ist an einer Welle 48 befestigt, um die er jeweils soweit geschwenkt werden kann, daß eines der beiden Testgläser 46 und 47 in den Strom des Beschichtungsmaterials und in den Meßlichtstrahl gelangt. Während der Testglaswechsel in F i g. 1 durch eine hin- und hergehende Bewegung erfolgt, geschieht dies bei dem Gegenstand nach F i g. 2 durch eine Schwenkbewegung um einen Winkel, welcher der Teilung der Aufnahmen 44 und 45 entspricht.F i g. 2 shows a test glass holder 43 in the form of a circular disk with several receptacles 44, 45 ... for test glasses 46, 47 ... The test tube holder 43 is attached to a shaft 48 around which it can be pivoted as far as possible can that one of the two test glasses 46 and 47 in the flow of the coating material and in the measuring light beam got. During the test tube change in FIG. 1 is done by a back and forth movement, this happens in the case of the object according to FIG. 2 by a pivoting movement through an angle, which the division of the recordings 44 and 45 corresponds.

In F i g. 3 ist eine Katodenzerstäubungsanlage dargestellt, die aus einer Vakuumkammer 50 besteht, die ihrerseits aus einem Kammeroberteil 51 und einem Kammerunterteil 52 besteht. Im Kammeroberteil 51 sind an vom Kammeroberteil isolierten Tragstangen 53 und 54 Katoden 55 und 56 angeordnet, an deren Unterseite Targets 57 und 58 befestigt sind, von denen das Target 57 aus hochbrechendem, das Target 58 aus niedrigbrechendem Beschichtungsmaterial besteht. Dem Target 57 gegenüber ist ein ortsfester Testglashalter 59 für das Testglas 23 und dem Target 58 gegenüber ein ortsfester Testgiashalter 60 für das Testgias 24 angeordnet. Bei den Testgläsern sind in analoger Weise wie in F i g. 1 Meßlichtquellen 29 und Empfänger 32 für den reflektierten Teil des Mcßlichtstrahls angeordnetIn Fig. 3 shows a cathode sputtering system, which consists of a vacuum chamber 50, which in turn consists of an upper chamber part 51 and a lower chamber part 52 exists. In the upper chamber part 51 there are support rods 53 and 54 which are insulated from the upper chamber part Cathodes 55 and 56 are arranged, on the underside of which targets 57 and 58 are attached, of which the target 57 of high refractive index, the target 58 of low refractive index coating material. The target 57 opposite is a stationary test tube holder 59 for the test tube 23 and opposite the target 58 is a stationary one Test glass holder 60 for the test glass 24 arranged. at the test glasses are in a manner analogous to that in FIG. 1 measuring light sources 29 and receiver 32 for the reflected Part of the Mcßlichtstrahls arranged

Unterhalb der Katode 55 mit dem Target 57 ist ein Substrathalter 61 mit Substraten 21 angeordnet, wobei die Projektionsfläche des Substrathalters im wesentlichen dem Querschnitt der Targets 57 und 58 entspricht. Der Substrathalter 61 ist mittels einer Welle 62 in der Weise schwenkbar in der Vakuumkammer 50 angeordnet, daß er in die gestrichelt dargestellte Position 61a gebracht werden kann, in der er mit dem Target 58 zur Deckung kommt. Durch Verschwenken des Substrathalters 61 in die beiden dargestellten Positionen ist es möglich, die Substrate 21 bzw. 21a abwechselnd mit den unterschiedlichen Beschichtungsmaterialien zu beschichten, aus denen die Targets 57 und 58 bestehen. Wie in Fig.3 dargestellt, besitzt der Substrathalter 61 eine zentrale Öffnung 63, unter der das Testglas 23 bzw. 24 angeordnet ist, und zwar in möglichst geringem Abstand. Durch eine in F i g. 3 nicht dargestellte Hubvorrichtung kann erreicht werden, daß das Testglas 23 (und analog auch das Testglas 24) soweit durch die öffnung 63 nach oben angehoben wird, daß die Oberfläche des Testglases 23 und die Oberflächen der Substrate 21 in einer gemeinsamen Ebene liegen. Auf die angegebene Weise schlägt sich auf dem Testglas 23 das gleiche Schichtmaterial in der gleichen Stärke nieder wie auf den Substraten 21. Nach dem Verschwenken des Substrathalters 61 in die Position 61a gilt das gleiche für das Testglas 24 auf dem sich, ebenso wie auf den Substraten 21a eine Schicht aus niedrigbrechendem Material des Targets 58 niederschlägt. Auf die angegebene Weise wird erreicht, daß (gegebenenfalls mit Ausnahme der ersten Schicht) auf dem Testglas 23 nur Schichten aus hochbrechendem Material und auf dem Testglas 24 nurA substrate holder 61 with substrates 21 is arranged below the cathode 55 with the target 57, wherein the projection area of the substrate holder essentially corresponds to the cross section of the targets 57 and 58. The substrate holder 61 is arranged pivotably in the vacuum chamber 50 by means of a shaft 62, that it can be brought into the position shown in dashed lines 61a, in which it is with the target 58 to Cover is coming. By pivoting the substrate holder 61 into the two positions shown, it is possible, the substrates 21 and 21a alternately with the to coat different coating materials from which the targets 57 and 58 consist. As shown in FIG. 3, the substrate holder 61 has a central opening 63, under which the test glass 23 or 24 is arranged, in the smallest possible distance. By one in F i g. 3 lifting device, not shown, can be achieved that the test glass 23 (and analogously, the test glass 24) is lifted upward through the opening 63 so that the surface of the Test glass 23 and the surfaces of the substrates 21 lie in a common plane. On the specified In the same way, the same layer material is deposited on the test glass 23 in the same thickness as it does the substrates 21. After the substrate holder 61 has been pivoted into the position 61a, the same applies to the Test glass 24 on which, as well as on the substrates 21a, is a layer of low refractive index material Targets 58 precipitates. In this way it is achieved that (with the possible exception of the first layer) on the test glass 23 only layers of highly refractive material and on the test glass 24 only

ίο Schichten aus niedrigbrechendem Material aufgebaut werden. Die Vakuumkammer 50 ist über einen Saugstutzen 64 evakuierbar.ίο Layers made of low refractive index material will. The vacuum chamber 50 can be evacuated via a suction port 64.

In Fig.4 ist anhand eines Diagrammes der Verlauf des Reflexionsverhaltens während des Aufbaus von 16 Viertelwellenlängenschichten dargestellt, das mittels eines herkömmlichen Meßverfahrens aufgenommen wurde, bei dem sämtliche Schichten auf dem gleichen Testglas niedergeschlagen wurde. Auf der Abszisse sind die einzelnen Viertelwellenlängenschichten von 1 bis 16 aufgetragen, auf der Ordinate der reflektierte Anteil des Meßlichts. Die Meßkurve 65 zeigt ein deutliches Sinusverhalten, wobei die Amplitude, ausgehend vom unteren Bereich, mit zunehmender Schichtzahl deutlich sichtbar abnimmt, wobei etwa ab der achten bis zehnten Schicht eine für Meßzwecke auswertbare Differenz zwischen Maxima und Minima nicht mehr vorhanden ist. Die Differenz D₂ zwischen dem ersten Maximum maxi und dem ersten Minimum mini der zweiten Schicht ist größer als die Differenz Dt zwischen dem dritten Maximum max3 und dem dritten Minimum min.) der sechsten Schicht. Wie bereits weiter ausgeführt wurde, muß bei dem klassischen Meßverfahren der Verstärkungsgrad des Fotometerverstärkers nach jeder Schicht in der Weise verstellt werden, daß die Differenzen Di, Di,... D_n zumindest annähernd gleich bleiben.In FIG. 4, a diagram is used to show the course of the reflection behavior during the build-up of 16 quarter-wavelength layers, which was recorded by means of a conventional measuring method in which all layers were deposited on the same test glass. The individual quarter-wavelength layers from 1 to 16 are plotted on the abscissa, and the reflected portion of the measuring light is plotted on the ordinate. The measurement curve 65 shows a clear sinusoidal behavior, the amplitude, starting from the lower region, clearly decreasing with increasing number of layers, with a difference between maxima and minima that can be evaluated for measurement purposes no longer being present from about the eighth to tenth layer. The difference D ₂ between the first maximum maxi and the first minimum mini of the second layer is greater than the difference Dt between the third maximum max3 and the third minimum min.) Of the sixth layer. As has already been explained further, in the classical measuring method the degree of gain of the photometer amplifier must be adjusted after each shift in such a way that the differences Di, Di,... D _n remain at least approximately the same.

Fig. 5 zeigt das Aussehen des jeweils verstärkten Meßsignals gemäß F i g. 4, und zwar ist 65a das Meßsignal für eine aus TiO₂ bestehende Schicht Nr. 19, 656 das Meßsignal für eine aus SiO₂ bestehende Schicht Nr. 20 und 65c das Meßsignal für eine wiederum aus TiO₂ bestehende Schicht Nr. 21. Es ist zu erkennen, daß das »Rauschen« zunimmt, und daß eindeutige Maxima oder Minima nicht mehr feststellbar sind. In F i g. 5 sind außerdem die Kurvenverläufe für die differenzierten Meßsignaie 66a, 666 und 66c eingetragen. Es ist gleichfalls zu erkennen, daß die Nulldurchgänge 67a, 67f> und 67c zu keinen eindeutigen Werten führen.FIG. 5 shows the appearance of the amplified measurement signal according to FIG. 4, namely 65a is the measurement signal for a _{layer no. 19 consisting of TiO 2} , 656 is the measurement signal for a _{layer no. 20 consisting of SiO 2} , and 65c is the measurement signal for a layer no. 21 _{again consisting of TiO 2} to recognize that the "noise" is increasing and that clear maxima or minima can no longer be determined. In Fig. 5 the curves for the differentiated measurement signals 66a, 666 and 66c are also entered. It can also be seen that the zero crossings 67a, 67f> and 67c do not lead to unambiguous values.

In F i g. 6 ist gleichfalls in Diagrammform die Abhängigkeit der Intensität des reflektierten Meßlichtanteils während des Schichtaufbaus dargestellt, und zwar wurde die Meßkurve 68 durch das erfindungsgemäße Meßverfahren gewonnen, d. h. auf dem betreffenden Testglas wurde lediglich die Komponente mit dem hohen Brechungsindex aufgedampft, im vorliegenden Fall Viertelwellenlängenschichten aus TiO₂. Auf der Abszisse sind die Schichtnummern der auf den Substraten niedergeschlagenen Schichten aufgeführt, auf der Ordinate die Reflektionseigenschaften der Schicht bzw. Schichten. Im vorliegenden Falle befinden sich auf dem Testglas lediglich Schichten ungeradzahliger Bezifferung. Die Schichten mit geradzahliger Bezifferung befinden sich auf einem anderen Testglas. Es ist zu erkennen, daß die Differenz zwischen den Maxima und Minima von der sechsten bis zur zwanzigsten Schicht im wesentlichen unverändert geblieben ist, und daß die Maxima und Minima deutlich ausgeprägt und meßtechnisch gut erfaßbar sind. Selbstverständlich nimmt die Intensität des reflektierten Meßlichtstrahls mit zunehmenderIn Fig. 6 the dependence of the intensity of the reflected measuring light portion during the layer build-up is also shown in diagram form, namely the measuring curve 68 was obtained by the measuring method according to the invention, i.e. only the component with the high refractive index was vapor-deposited on the test glass concerned, in the present case quarter-wavelength layers made of TiO ₂ . The layer numbers of the layers deposited on the substrates are shown on the abscissa, and the reflective properties of the layer or layers are shown on the ordinate. In the present case there are only layers of odd numbered numbers on the test glass. The even numbered layers are on a different test glass. It can be seen that the difference between the maxima and minima has remained essentially unchanged from the sixth to the twentieth layer, and that the maxima and minima are clearly pronounced and can be easily detected by measurement. Of course, the intensity of the reflected measuring light beam increases with increasing

Schichtdicke etwas ab. Bei einer optischen Schichtdicke von 20 Viertelwellenlängenschichten nimmt die Intensität gegenüber dem ersten Reflexionsmaximum um etwa 6% ab. Die Abnahme der Intensität ist auf Lichtverluste in der Schicht zurückzuführen, die von Absorption und Streuung herrühren. Extrapoliert man die Intensitätsabnahme, bis die Intensität nur noch 63% der Anfangsintensität beträgt, so wären hierzu rund 120 Viertelwellenlängenschichten erforderlich. Hieraus ergibt sich, daß der Einfluß der Gesamtschichtdicke auf das Reflexions- bzw. Transmissionsverhalten denkbar ist.Layer thickness a little. With an optical layer thickness of 20 quarter-wavelength layers, the intensity increases by approximately compared to the first reflection maximum 6% off. The decrease in intensity is due to the loss of light in the layer caused by absorption and Originate from scattering. The decrease in intensity is extrapolated until the intensity is only 63% of the initial intensity around 120 quarter-wave layers would be required for this. It follows from this that the influence of the total layer thickness on the reflection or transmission behavior is conceivable.

F i g. 7 zeigt das Aussehen von unverstärkten Meßsignalen gemäß F i g. 7, und zwar ist 68a das Meßsignal für eine aus T1O2 bestehende Schicht Nr. 19, 6Sb das Meßsignal für eine aus S1O2 bestehende Schicht Nr. 20 und 68c das Meßsignal für eine wiederum aus T1O2 bestehende Schicht Nr. 2i. Bei den Meßsignaien 6Sa und 68c handelt es sich praktisch um im Maßstab veränderte Ausschnitte aus der Meßkurve 68 in F i g. 6. Die Meßsignale 68a, 68Λ und 68c besitzen eindeutige Maxima bzw. Minima. In F i g. 7 sind außerdem die Kurvenverläufe für die differenzierten Meßsignale 69a, 696 und 69c eingetragen. Es ist zu erkennen, daß die Nulldurchgänge 70a, 70£> und 70c eindeutig definiert sind. Damit lassen sich einwandfrei Schalthandlungen für die Beendigung des Beschichtungsvorganges bei Erreichen einer Schichtdicke von einer Viertelwellenlänge auslösen, ohne daß es einer Änderung der Fotometerverstärkung bzw. einer Skalenspreizung bedarf.F i g. 7 shows the appearance of unamplified measurement signals according to FIG. 7, namely 68a is the measuring signal for a layer no. 19 consisting of T1O2, 6Sb is the measuring signal for a layer no. 20 consisting of S1O2 and 68c is the measuring signal for a layer no. 2i again consisting of T1O2. The measurement signals 6Sa and 68c are practically scaled sections from the measurement curve 68 in FIG. 6. The measurement signals 68a, 68Λ and 68c have clear maxima and minima. In Fig. 7 the curves for the differentiated measurement signals 69a, 696 and 69c are also entered. It can be seen that the zero crossings 70a, 70 £> and 70c are clearly defined. In this way, switching operations for terminating the coating process when a layer thickness of a quarter wavelength is reached can be triggered without any need for a change in the photometer gain or a scale spread.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

3030th

3535

4040

4545

5050

t'r.t'r.

5555

Claims

Patent claims:

1. Measurement method for the production of multiple layer systems from alternating high and low refractive index Layers on transparent substrates with continuous recording of the transmission and / or reflection behavior of layers that are applied to a test glass at the same time, which is acted upon by essentially monochromatic measuring light, each of which is reflected or continuous light component measured and the measurement result for the defined interruption of the coating process is used, characterized in that for measuring alternately one of at least two test glasses (23, 24) at the same time as a measuring light sirahl and is exposed to the same current of the coating material, so that the high refractive index Layers in each case on one test glass and the low-refraction layers in each case on another Test glass are applied.

2. Measuring method according to claim 1 for the measurement of the layer structure in vacuum evaporation systems, characterized in that each of the test glasses (23, 24) in each case only during the evaporation of the same coating material in its vapor flow and in the beam path of the measuring light is introduced.

3. Measuring method according to claim 1 for the measurement of the layer structure in cathode sputtering systems with high and low refractive index target materials, characterized in that each target (57, 58) opposite a test glass (23, 24) is arranged in the beam path of a measuring light source, and that the substrates (21) are alternately brought into the area of influence of the various targets.

4. Device for performing the measuring method according to claims 1 and 2, consisting of at least «; a measuring light source with an associated receiver, an electrical circuit for the processing of the receiver signal and a test tube holder for the introduction. Test glasses in the beam path of the measuring light source, characterized in that the test glass holder (22, 43) at least has two receptacles (44, 45) for test glasses (23, 24) and a drive (26) with which the test glasses alternately insertable into the respective steam flow and the beam path (30) of the measuring light are.

5. Device for performing the method according to claims 1 and 3, consisting of at least a measuring light source each with an associated receiver, an electrical circuit for the processing of the receiver signals, at least two test glass holders and at least one substrate holder, characterized in that the test glass holder (59, 60) opposite the targets (57, 58) are arranged stationary, and that the substrate holder (61) between the test glass holders and the targets can be introduced into the area of influence of the target.