DE2721733A1

DE2721733A1 - ELECTROSTATOGRAPHIC, PHOTOCONDUCTIVE DEVICE

Info

Publication number: DE2721733A1
Application number: DE19772721733
Authority: DE
Inventors: David A Buckley; Jeffrey L Jacobs; Philip O Sliva
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1976-08-09
Filing date: 1977-05-13
Publication date: 1978-02-16
Also published as: BR7704310A; FR2361683A1; BE856316A; NL7707665A; JPS5320930A

Description

HOFFMANN · EITLE & PARTNERHOFFMANN · EITLE & PARTNER

DR. ING. E. HOFFMANN (1930-1970) · D I PL.-I N G. W. E ITLE · D R. R E R. NAT. K. H OFFMAN N ■ D I PL.-1 N G. W. LE H N DR. ING. E. HOFFMANN (1930-1970) DI PL.-IN GW E ITLE D R. R E R. NAT. K. H OFFMAN N ■ D I PL.- 1 N G. W. LE H N

DIPL.-ING. K. FOCHSLE · DR. RER. NAT. B. HANSEN ARABELLASTRASSE 4 (STERNHAUS) · D-8000 MO N C H E N 81 · TE LE FO N (089) 911087 · TE LEX 05-29il9 (PATH E) DIPL.-ING. K. FOCHSLE DR. RER. NAT. B. HANSEN ARABELLASTRASSE 4 (STERNHAUS) D-8000 MO NCHEN 81 TE LE FO N (089) 911087 TE LEX 05-29il9 (PATH E)

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XEROX CORPORATION, ROCHESTER, N.Y./USAXEROX CORPORATION, ROCHESTER, N.Y./USA

Elektrostatografische, fotoleitfähige VorrichtungElectrostatographic photoconductive device

Die Erfindung betrifft eine elektrostatografische, fotoempfindliche Vorrichtung.The invention relates to an electrostatographic, photosensitive Contraption.

Bei elektrostatografischen Kopierverfahren, wie es beispielsweise in US-PS 2 297 691 beschrieben wird, wird eine fotoempfindliche Platte aus einem leitfähigen Substrat mit einer Schicht aus einem fotoleitfähigen isolierenden Material anIn electrostatographic copying processes, as described, for example, in US Pat. No. 2,297,691, a photosensitive Plate made of a conductive substrate with a layer of a photoconductive insulating material

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der Oberfläche einer gleichförmigen elektrostatischen Ladung in der Dunkelheit ausgesetzt. Die beladene Vorrichtung wird dann einem Licht-und-Schatten-Bildmuster ausgesetzt, wodurch auf der Vorrichtung an den Flächen, die dem Licht ausgesetzt wurden, eine Entladung stattfindet, während die Flächen, welche dem Schatten entsprechen, die elektrostatische Ladung in bildhafter Wiedergabe, entsprechend dem Schattenbild,beibehalten. Dieses elektrostatische Ladungsmuster, das im allgemeinen als latentes Bild bezeichnet wird, wird entwickelt, indem man es mit einer Pulverwolke in Berührung bringt aus einem elektroskopischen Material, welches als Toner bezeichnet wird. Typischerweise wird der Toner auf ein Blatt Papier übertragen und auf dem Papier eingebrannt, wodurch man eine bleibende Kopie erhält.exposed to a uniform electrostatic charge in the dark. The loaded device is then exposed to a light-and-shadow pattern, whereby a discharge takes place on the device on the surfaces that have been exposed to light, while the areas which correspond to the shadow, the electrostatic charge in pictorial representation, accordingly the silhouette. This electrostatic charge pattern, generally known as latent Image is called, is developed by bringing it into contact with a cloud of powder from an electroscopic one Material called toner. Typically the toner is transferred onto a sheet of paper and burned onto the paper, creating a permanent copy.

Obwohl zahlreiche fotoleitfähige Isoliermaterialien als geeignet bei elektrostatografischen Kopierverfahren beschrieben worden sind, ist Selen in seiner amorphen Form doch typischerweise das bevorzugte Material bei den im Handel befindlichen xerografischen Vorrichtungen und zwar aufgrund seiner Fähigkeit, hochqualitative Bilder zu liefern, seiner relativen Empfindlichkeit gegenüber Licht, seiner Fähigkeit bei verschiedenen Potentialen Ladungen aufzunehmen und beizubehalten und wegen seiner Fähigkeit, bei Bildreproduktionen mit grosser Zyklusgeschwindigkeit verwendet zu werden. Trotz dieser Vorteile hat amorphes Selen gewisse Eigenschaften, welche die Forscher veranlasst haben, nach anderen Materialien zu suchen. Beispielsweise ist amorphes Selen nur gegenüber Wellenlängen, die kürzer als etwa 580 NanometerAlthough numerous photoconductive insulating materials have been described as useful in electrostatographic copying processes Selenium in its amorphous form is typically the preferred material among those commercially available xerographic devices because of its ability to provide high quality images relative sensitivity to light, its ability to take up charges at different potentials and and because of its ability to be used in high cycle speed image reproductions. Despite these advantages, amorphous selenium has certain properties that have led researchers to claim others Look for materials. For example, amorphous selenium is only opposite to wavelengths that are shorter than about 580 nanometers

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sind, empfindlich. Ausserdem sind fotosensitive Platten, die mit amorphem Selen hergestellt worden sind, teuer in der Herstellung, weil Selen selbst teuer ist und weil es auf das Trägersubstrat durch Vakuumverdampfung unter sehr kontrollierten Bedingungen hinsichtlich der Temperatur und der Drücke aufgebracht werden muss. Darüberhinaus sind amorphe Selenschichten nur metastabil, weil sie bei erhöhten Temperaturen zu den unbefriedigenden kristallinen Formen Umkristallisieren können. Weiterhin ist eine Oberfläche einer Schicht aus amorphem Selen verhältnismässig weich und wird leicht abgerieben, wodurch eine Zerstörung der Plattenoberfläche und dadurch eine Verminderung der Bildqualität eintreten kann. Darüberhinaus wurde festgestellt, dass amorphe Selen-Fotoleiter vorzugsweise mit positiven Ladungen Bilder formen, weil dieser Fotoleiter einen längeren Ladungstransportbereich für Löcher als für Elektronen hat. In einigen Fällen ist es wünschenswert, eine fotoleitfähige Schicht zu verwenden, die entweder polar, positiv oder negativ, beladen werden kann, und die dennoch in einem elektrostatografischen Kopiersystem brauchbar ist. Diese wünschenswerte Eigenschaft wird als Ambipolarität bezeichnet. are sensitive. In addition, photosensitive plates made with amorphous selenium are expensive in the production, because selenium itself is expensive and because it is on the carrier substrate by vacuum evaporation under very controlled conditions in terms of temperature and pressures must be applied. Furthermore amorphous selenium layers are only metastable because they become unsatisfactory crystalline at elevated temperatures Forms can recrystallize. Furthermore, a surface area of a layer of amorphous selenium is proportionate soft and is easily rubbed off, thereby destroying the plate surface and thereby reducing the Image quality can occur. In addition, it was found that amorphous selenium photoconductors preferentially with positive Charges form images because these photoconductors have a longer charge transport range for holes than for electrons Has. In some cases it is desirable to use a photoconductive layer that is either polar, positive or negative, and which is still useful in an electrostatographic copier system. This desirable property is known as ambipolarity.

Eine ambipolare fotosensitive Vorrichtung zum elektrostatograf ischen Kopieren wird in US-PS 3 764 315 beschrieben. In dieser Patentschrift wird eine ambipolare elektrostatografische fotoempfindliche Vorrichtung beschrieben, bei welcher die fotoleitfähige Schicht einen elektrisch aktiven Binder aus Poly(vinylcarbazol) mit darin dispergiertem 2,4,7-Trinitro-9-fluorenon und fotoleitfähigen Teilchen, die imAn ambipolar photosensitive device for electrostatographic copying is described in U.S. Patent 3,764,315. This patent uses an ambipolar electrostatographic Photosensitive device described in which the photoconductive layer is an electrically active binder of poly (vinyl carbazole) with 2,4,7-trinitro-9-fluorenone dispersed therein and photoconductive particles contained in

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wesentlichen aus CdS Se_1- , worin χ im Bereich von 0,1 bisessentially of CdS Se _1- , wherein χ in the range from 0.1 to

Ji I Λ Ji I Λ

0,6 liegt, enthält. Bei dieser Vorrichtung hat man einen dynamischen Bereich von etwa 1,5 beobachtet. Die Verwendung von bereichserweiterten Fotorezeptoren ergibt einen Verlust im Kontrast und häufig auch in der Empfindlichkeit. Der erweiterte Bereich, der in der US-PS 3 764 315 beschriebenen fotoempfindlichen Vorrichtung wird auf die Tatsache zurückgeführt, dass das Licht in einem Pigment adsorbiert wird, das eine Feldabhangigkeit bei der Träger-0.6 contains. A dynamic range of about 1.5 has been observed with this device. The usage of extended area photoreceptors results in a loss in contrast and often in sensitivity as well. The extended range of the photosensitive device described in U.S. Patent No. 3,764,315 is extended to the The fact that the light is adsorbed in a pigment that has a field dependence in the carrier

2 5 zufuhr in der Grössenordnung von E ' hat. Trigonales Selen mit einer Trägerzufuhr von ungefähr E ' ~ ' hat einen engeren dynamischen Bereich (ungefähr 0,9 bis 1,2). Die Verschärfung des dynamischen Bereiches im Vergleich zu CdS Se_1- ergibt eine erhöhte Empfindlichkeit und einen erhöhten Kontrast unter Beibehaltung der Panchromatizität der Vorrichtung und des grösseren Teils des dynamischen Bereiches, das vom menschlichen Auge erfasst werden kann, d.h., dass der vorliegende Fotorezeptor über die Panchromatizität hinaus einen Bereich verleiht, der annähernd in der Mitte zwischen dem von amorphem Selen (0,6) und dem ambipolaren System, bei dem CdS Se_1- in einer aktiven Matrix dispergiert ist (1,5) liegt.2 5 has a supply of the order of magnitude of E '. Trigonal selenium with a carrier input of about E '~' has a narrower dynamic range (about 0.9 to 1.2). The tightening of the dynamic range compared to CdS Se _1- results in increased sensitivity and contrast while maintaining the panchromaticity of the device and the greater part of the dynamic range that can be detected by the human eye, ie that the present photoreceptor over the Panchromaticity also confers a range that lies approximately in the middle between that of amorphous selenium (0.6) and the ambipolar system in which CdS Se _1- is dispersed in an active matrix (1.5).

Die vorliegende Erfindung betrifft eine ambipolare elektrostatografische fotoempfindliche Vorrichtung aus:The present invention relates to an ambipolar electrostatographic photosensitive device made of:

(a) einem elektrisch leitfähigen Substrat mit einer fotoleitfähigen Schicht an der Oberfläche, die in wirksamer Verbindung damit steht und die im wesentlichen besteht aus:(a) An electrically conductive substrate with a photoconductive layer on the surface that is more effective Connection with it and which essentially consists of:

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i. Poly(vinylcarbazol) als Matrixharz und gleichförmig verteilt in dem Harzi. Poly (vinyl carbazole) as a matrix resin and uniform distributed in the resin

ii. 2,4,7-Trinitro-9-fluorenon als Sensibilisator in einer Menge von 0,2 bis 10 Gew.%, bezogen auf das Polyvinylcarbazol, und feinteiligem trigonalen Selen in einer Menge von 1 bis 20 Gew.%, bezogen auf die Kombination von Polyvinylcarbazol/Trinitrofluorenon, als fotoleitfähiges Pigment. ii. 2,4,7-trinitro-9-fluorenone as a sensitizer In an amount of 0.2 to 10% by weight, based on the polyvinyl carbazole, and finely divided trigonal Selenium in an amount of 1 to 20% by weight, based on the combination of polyvinyl carbazole / trinitrofluorenone, as a photoconductive pigment.

Die vorliegende Erfindung betrifft einen dispergierten aktiven Matrixfotorezeptor, der nach dem Prinzip der Massenadsorption von sichtbarem Licht arbeitet, der Erzeugung von Elektronen/Loch-Paaren und der Bewegung jedes dieser Träger zu der entgegengesetzt geladenen Oberfläche des Fotorezeptors. Die Struktur der Vorrichtung wird in Fig. 1 gezeigt, die eine schematische Wiedergabe des ein dispergiertes Pigment enthaltenden aktiven Matrix-Fotorezeptors ist. In Fig. 1 wird ein leitfähiges Substrat 10 mit einer dünnen Trennschicht 12 an seiner Oberfläche mit einer Schicht aus einem Matrixharz 14,in dem ein fotoleitfähiges Pigment 16 dispergiert ist, überbeschichtet. Die schematische Darstellung beschreibt die Vorrichtung mit einer positiven Oberflächenladung. Da bei der gemäss der Erfindung vorgesehenen Ausführungsform sowohl positive wie negative Träger erzeugt und wirksam durch die Matrix transportiert werden können, arbeitet das System mit jeder Art der Ladung oder mit Licht, das durch die obere Oberfläche des Sub strates adsorbiert wird, wenn letzteres ausreichend transparent ist.The present invention relates to a dispersed active matrix photoreceptor which works on the principle of mass adsorption of visible light works, the creation of electron / hole pairs and the movement of each of these Carrier to the oppositely charged surface of the photoreceptor. The structure of the device is shown in FIG which is a schematic representation of the active matrix photoreceptor containing a dispersed pigment is. In Fig. 1, a conductive substrate 10 having a thin release layer 12 on its surface with a Layer of a matrix resin 14 in which a photoconductive Pigment 16 is dispersed, overcoated. The schematic diagram describes the device with a positive Surface charge. Since in the embodiment provided according to the invention, both positive and negative Carriers can be generated and efficiently transported through the matrix, the system works with any type of charge or with light adsorbed by the upper surface of the sub strate, if the latter is sufficiently transparent is.

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Ein ähnliches System, bei dem CdS Se_1- , worin χ im Bereich von 0,1 bis 0,6 ist, verwendet wird, wird in US-PS 3 764 beschrieben. Diese fotosensitive Vorrichtung soll einen dynamischen Bereich von etwa 1,5 haben. Die Verwendung eines solchen im Bereich ausgebreiteten Fotorezeptors ergibt einen Verlust der fotorezeptorischen Empfindlichkeit und des Kontrastes. Der erweiterte Bereich einer solchen Vorrichtung wird durch die Tatsache erklärt, dass die aktivierende Strahlung in einem Pigment absorbiert wird, das eine Feldabhängigkeit von der Trägerzufuhr in der Grössenord-A similar system using CdS Se _1- , where χ is in the range 0.1 to 0.6, is described in U.S. Patent 3,764. This photosensitive device is said to have a dynamic range of about 1.5. The use of such an expanded photoreceptor results in a loss of photoreceptive sensitivity and contrast. The extended range of such a device is explained by the fact that the activating radiation is absorbed in a pigment, which has a field dependence on the carrier supply in the order of magnitude.

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nung von E ' hat. Die Verwendung von trigonalem Selenpigment mit einer Trägerzufuhr von *=^E ' ' ergibt einen näheren dynamischen Bereich ("^0,9 - 1,2).tion of E 'has. The use of trigonal selenium pigment with a carrier supply of * = ^ E '' results a closer dynamic range ("^ 0.9 - 1.2).

Ein Beispiel für die Änderung der Form der Entladungskurve beim Erhöhen der Feldabhängigkeit der Zufuhr an fotoerzeugten Trägern wird nachfolgend gezeigt. Die Entladungsgeschwindigkeit eines durch die Trägerzufuhr limitierten Fotoleiters wird durchAn example of the change in the shape of the discharge curve when increasing the field dependency of the supply of photo-generated Beams is shown below. The discharge speed is limited by the carrier supply Photoconductor is through

dv/dt =dv / dt =

angegeben, worin A eine Proportionalitätskonstante ist, G das Wirkungsquantum, welches eine Funktion des Feldes E ist und das häufig ausgedrückt wird als G=G (E/E ) oderwhere A is a constant of proportionality, G is the quantum of action, which is a function of the field E. and that is often expressed as G = G (E / E) or

^Go ^^v/^vo^^{n und 1}O ^{ist die Intensität der} Einfallsstrahlung. Die Lösung dieser Differentialgleichung wird für verschiedene Werte von η in Tabelle I gegeben. ^G o ^ ^v / ^v o ^ ^{n and 1} O ^{is the intensity of the} incident radiation. The solution to this differential equation is given in Table I for various values of η.

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/f"/ f "

Table I.

GG = G= G οο (v/v_o)ⁿ (v / v _o ) ⁿ V(t)V (t) V ~ ο οV ~ ο ο 22 V e - ^oV V e - ^ oV ηη = O= O V = ^V = ^ 1/91/9 ^Vo ^V o ηη = O= O ,5, 5 (annähernd tri-
gonales Se)(approximately tri-
gonal se) V =V = ^ο^2/(νο ^{+ G}o^AIo^fc) ^ ο ^{2 / (ν} ο ^{+ G} o ^AI o ^fc) ηη = 1= 1 V = ¹ V = ¹ ηη = 2= 2 ,0, 0 (annähernd
CdS Se₁ )
χ 1 -χ(nearly
CdS Se ₁ )
χ 1 -χ V = ¹ V = ¹

Um die Entladungscharakteristika als Funktion der Feldabhängigkeit der Trägerzufuhr aufzuzeigen, werden alle Systeme auf AG I = 200 v/Sek. bei 1000 V als Anfangsbedingungen normalisiert. Der η = 0,5-Fall approximiert die Se-Bedingungen währendAbout the discharge characteristics as a function of the field dependency of the carrier supply, all systems are set to AG I = 200 v / sec. normalized at 1000 V as initial conditions. The η = 0.5 case approximates the Se conditions during

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η = 2,0 die CdS Se_1- Trägerzufuhr-Feldabhängigkeit approximiert. η = 2.0 _{approximates the CdS Se 1-} carrier supply field dependency.

Die η = 0, 0,5 und 2-Fälle werden grafisch in Fig. 2, 3 bzw. 4 wiedergegeben. Die in diesen Figuren gezeigten Linien entsprechen der Verminderung der Intensität der Entladung bei 0 N.D.(AG I = 200 v/s) und der bei 0,3 und 0,6 neutralen Dichte. Die Verminderung des Kontrastes bei 0,3 und 0,6 N.D. bei der höheren Feldabhängigkeit ist offensichtlich aus der Kurvenkrümmung und/oder den tabulierten Zahlen. Die Schärfung des dynamischen Bereiches im Vergleich zu CdS Se₁_ er-The η = 0, 0.5 and 2 cases are shown graphically in Figures 2, 3 and 4, respectively. The lines shown in these figures correspond to the reduction in the intensity of the discharge at 0 ND (AG I = 200 v / s) and that at 0.3 and 0.6 neutral density. The reduction in contrast at 0.3 and 0.6 ND with the higher field dependence is evident from the curvature of the curve and / or the tabulated numbers. The sharpening of the dynamic range in comparison to CdS Se ₁ _

Ji I Ji, Ji I Ji,

gibt eine Erhöhung der Empfindlichkeit und/oder des Kontrastes unter Beibehaltung der Paichromatizität der fotoempfindlichen Vorrichtung und des grösseren Teils des vom menschlichen Auge wahrgenommenen dynamischen Bereiches. Infolgedessen ergibt die Vorrichtung gemäss der Erfindung ausser der Panchromatizität einen Bereich, der annähernd halbwegs zwischen dem von ambipolaren Systemen aus amorphem Selen (0,6) und einer aktiven Matrix mit darin dispergiertem CdS Se liegt. Das trigonale Selen, das in der vorliegenden Vorrichtung verwendet wird, sollte so hergestellt werden, dass es eine minimale Dunkelleitfähigkeit hat (beispielsweise indem man amorphes Selen auf 125°C 16 Stunden erhitzt und dann langsam abkühlt) um sicherzustellen, dass keine erhebliche Feldwiederverteilung aufgrund der Dunkelleitfähigkeit vor dem Belichten stattfindet. Verfahren zur Herstellung von trigonalem Selen mit verminderter Dunkelleitfähigkeit werden in den US-Patentanmeldungen 473 859 und 607 648 beschrieben.gives an increase in sensitivity and / or contrast while maintaining the chromaticity of the photosensitive Device and the greater part of the dynamic range perceived by the human eye. As a result, results the device according to the invention besides the panchromaticity a range almost halfway between that of ambipolar systems made of amorphous selenium (0.6) and a active matrix with CdS Se dispersed therein. The trigonal selenium used in the present device should be made to have minimal dark conductivity (for example, by using amorphous Selenium heated to 125 ° C for 16 hours and then slowly cooled) to ensure that there is no significant field redistribution takes place before exposure due to the dark conductivity. Process for the production of trigonal selenium with reduced dark conductivity are disclosed in US patent applications 473 859 and 607 648.

Zurückkommend auf die physikalische Beschreibung der fotoempfindlichen Vorrichtung,die gegenwärtig betrachtet wird.Returning to the physical description of the photosensitive Device currently under consideration.

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handelt es sich um ein System aus panchromatischen Pigmentteilchen aus trigonalem Selen, das im wesentlichen gleichförmig in einer Weise, bei welcher die Teilchen keinen Kontakt miteinander haben, in einer organischen Matrix dispergiert ist, welche im wesentlichen transparent ist, welche aber selbst ein schwach fotoerzeugendes Material darstellt. Die vorliegende Vorrichtung schliesst eine Poly(vinylcarbazol)-Schicht ein, die schwach mit 2,4,7-Trinitro-9-fluorenon dotiert ist. In diesem System ist die Funktion des Pigmentes die, dass es der primäre Erzeuger einer Ladung für die Fotoentladung ist; die Rolle der Matrix besteht hauptsächlich im Ladungstransport, während die in der Matrix erzeugten Träger (beispielsweise die Ladung, die durch das in der Matrix enthaltene Dotierungsmittel erzeugt wird) einer ausreichenden Absorption dienen, um im wesentlichen den vollständigen Zusammenfall der erschöpften Schicht insbesondere an den Stellen zu ermöglichen, bei denen die durchschnittliche erste Teilchentiefe ausreicht, um einen Aufbau von hohen, anhaltenden Rückständen zu ermöglichen. Im allgemeinen beträgt die Dicke der das Pigment enthaltenden Matrix zwischen 10 bis 50 um mit einer bevorzugten Dicke von etwa 20 um .it is a system of panchromatic pigment particles made of trigonal selenium, which is substantially uniform in a manner in which the particles do not contact with each other, is dispersed in an organic matrix which is essentially transparent, but which is itself a poorly photogenic material. The present device includes a poly (vinyl carbazole) layer one that is weakly doped with 2,4,7-trinitro-9-fluorenone is. In this system the function of the pigment is that it is the primary generator of charge for the photodischarge is; the role of the matrix is mainly charge transport, while the carriers generated in the matrix (for example the charge generated by the dopant contained in the matrix) of a sufficient one Serve to the complete collapse of the depleted layer in particular to the absorption To enable places where the average first particle depth is sufficient to allow a build-up of high, to allow persistent residues. In general, the thickness of the matrix containing the pigment is between 10 to 50 µm with a preferred thickness of about 20 µm.

Die Herstellung der Vorrichtung wird durch Lösungsbeschichtung der fotoleitfähigen Schicht auf ein geeignetes leitfähiges Substrat bewerkstelligt. Die erste Stufe bei der Herstellung der fotoleitfähigen Schicht schliesst ein Dispergieren/Auflösen von Poly(vinylcarbazol), 2,4,7-Trinitro-9-fluorenon und teilchenförmigen! trigonalen Selen in einem geeigneten flüssigen Träger ein. Im allgemeinen kann jede organische Flüssigkeit als Trägerflüssigkeit verwendet werden,The manufacture of the device is accomplished by solution coating the photoconductive layer onto a suitable conductive one Substrate accomplished. The first stage in the production of the photoconductive layer includes dispersing / dissolving of poly (vinyl carbazole), 2,4,7-trinitro-9-fluorenone and particulate! trigonal selenium in a suitable liquid carrier. In general, anyone can organic liquid are used as the carrier liquid,

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welche das Material auflöst, welche mit dem Material nicht in schädlicher Weise reagiert und die ausreichend flüchtig ist, um von dem Film verdampft zu werden. Typische Flüssigkeiten schliessen ein Toluol, Cyclohexanon, Chloroform, Tetrahydrofuran, Benzol, Dioxan und Methylenchlorid. Die Flüssigkeit und die festen Stoffe werden gründlich miteinander vermischt unter Bildung einer einheitlichen Lösung/Dispersion und das erhaltene Material wird durch Beschichten auf ein geeignetes Material aufgebracht. Die Beschichtungsstufe wird in bekannter Weise durchgeführt, wie beispielsweise durch Walzbeschichtung, Rakelbeschichtung, Mahlbeschichtung, Aufbürsten usw. Beim Giessen des Filmes wird das Lösungsmittel verdampft, im allgemeinen unter Vakuum bei erhöhter Temperatur, um die Entfernung des Lösungsmittels zu beschleunigen. which dissolves the material, which does not react with the material in a harmful way and which is sufficiently volatile is to be vaporized from the film. Typical liquids include toluene, cyclohexanone, chloroform, Tetrahydrofuran, benzene, dioxane and methylene chloride. The liquid and the solids are thoroughly mixed with one another mixed to form a uniform solution / dispersion and the material obtained is coated on a suitable material is applied. The coating step is carried out in a known manner such as, for example by roller coating, knife coating, grinding coating, brushing, etc. When the film is poured, the solvent becomes evaporated, generally under vacuum at an elevated temperature, in order to accelerate the removal of the solvent.

Das Substrat, das typischerweise leitfähig ist, kann aus Materialien, wie Messing, Aluminium, Stahl, einem aluminisierten Polymeren oder einem leitfähig beschichteten Dielektrikum oder einem Isolator bestehen. Das Substrat kann jede gewünschte Dicke haben, steif oder flexibel sein und auch jede gewünschte Form aufweisen, wie ein Blatt, ein Gewebe, ein Riemen, eine Platte, einen Zylinder oder eine Trommel. Es kann auch aus anderen Materialien bestehen, wie aus Aluminium oder aus Glas, das mit einer dünnen Schicht von Chrom oder Zinnoxid beschichtet ist.The substrate, which is typically conductive, can be made from materials such as brass, aluminum, steel, an aluminized Polymers or a conductive coated dielectric or an insulator. The substrate can be any have the desired thickness, be stiff or flexible and also have any desired shape, such as a sheet, a fabric, a belt, plate, cylinder or drum. It can also be made of other materials, such as aluminum or made of glass coated with a thin layer of chromium or tin oxide.

Das Substrat und die fotoleitfähige Schicht müssen in wirksamem Kontakt zueinander vorliegen, d.h. dass eine Ladungsinjizierung vom Substrat zu der fotoleitfähigen Schicht nachThe substrate and the photoconductive layer must be effective Contact each other, i.e. that charge injection from the substrate to the photoconductive layer occurs

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der Beladung und vor der Belichtung auf einem Minimum gehalten werden muss. Falls das Substrat eine Blockierungsschicht an seiner Oberfläche hat oder von Natur aus blockierend ist, wie in dem Falle wo eine erhebliche Menge an Energie benötigt wird, um Ladungsträger aus dem Substrat in die fotoleitfähige Schicht zu bewegen, wird kein zusätzliches Trennmaterial benötigt. In Fällen, wo eine ausgeprägte Blockierungsschicht
benötigt wird, können geeignete Stoffe, wie Nylon, Epoxyharze, Aluminiumoxid (wie im Falle eines Aluminiumsubstrats, dessen Oberfläche oxidiert worden ist) und Isolierharze der verschiedensten Arten einschliesslich Polystyrol, Butadienpolymere und -Copolymere, Acryl- und Methacrylpolymere, Vinylharze, Alkydharze und auf Cellulose aufgebaute Harze auf die Substratoberfläche in einer Dicke von etwa 0,1 bis 2 um aufgebracht werden.loading and prior to exposure must be kept to a minimum. If the substrate has a blocking layer on its surface or is inherently blocking, as in the case where a significant amount of energy is required to move charge carriers from the substrate into the photoconductive layer, no additional separating material is required. In cases where a pronounced blocking layer
If required, suitable materials such as nylon, epoxy resins, aluminum oxide (as in the case of an aluminum substrate whose surface has been oxidized) and insulating resins of various types including polystyrene, butadiene polymers and copolymers, acrylic and methacrylic polymers, vinyl resins, alkyd resins and cellulose can be used built-up resins can be applied to the substrate surface in a thickness of about 0.1 to 2 µm.

Nach der Herstellung der fotoempfindlichen Vorrichtung gemäss der Erfindung wird diese in üblicher xerografischer Verfahrensweise mit einem Bild beaufschlagt, wobei die Anfangsladung positiv oder negativ sein kann. After the photosensitive device has been manufactured according to FIG According to the invention, this is done in the usual xerographic procedure applied with an image, wherein the initial charge can be positive or negative.

Die Erfindung wird in den folgenden Beispielen näher beschrieben. The invention is described in more detail in the following examples.

Example I.

Eine fotoempfindliche Vorrichtung gemäss der vorliegenden
Erfindung wird wie folgt hergestellt: Poly(vinylcarbazol)
(3,28 g) wird in 24 g Benzol durch leichtes Schaukeln inA photosensitive device according to the present invention
Invention is made as follows: poly (vinylcarbazole)
(3.28 g) is dissolved in 24 g of benzene by rocking gently in

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einer 50 cm Flasche gelöst. Der Flaschenverschluss ist von der Lösung durch Einlegen eines 0,0254 mm dicken Blattes aus einer Polytetrafluoräthylenfolie zwischen dem Verschluss und der Flasche geschützt. Dazu wird TNF (0,328 g für ein 10 %-iges TNF-Teil) gegeben und es wird weitergeschüttelt, bis alles TNF gelöst ist. Anschliessend werden 0,432 g pulverisiertes trigonales Selen (12 Gew.%) zusammen mit 100 g Chromstahlkugeln von 0,3 cm Durchmesser als Mischhilfe gegeben. Die erhaltene Mischung wird in einem technischen Farbmischer 2 Stunden gemischt. Die erhaltene Dispersion wird auf ein Aluminiumsubstrat beschichtet, mit Hilfe eines Bird-Applikators mit einer 0,0152 cm Stange in einem trockenen Gefäss mit einem positiven Druck von trockener Luft derart, dass die relative Feuchtigkeit nicht 25 % übersteigt. Nach 30- bis 60-minütigem Trocknen bei Raumtemperatur wird die Platte 16 Stunden bei 115°C im Vakuum getrocknet. Durch diese Verfahrensweise erhält man eine elektrostatografische Platte mit einer fotoleitfähigen Schicht aus Poly(vinylcarbazol) in welcher 10 Gew.% TNF und 12 Gew.% trigonales Selen dispergiert sind. Obwohl in den nachfolgenden Beispielen die Prozente verändert werden, wird die vorbeschriebene Herstellungsweise in allen Beispielen verwendet.3
dissolved in a 50 cm bottle. The bottle cap is protected from the solution by inserting a 0.0254 mm thick sheet of polytetrafluoroethylene film between the cap and the bottle. To this TNF (0.328 g for a 10% TNF part) is added and shaking continues until all of the TNF has dissolved. Then 0.432 g of powdered trigonal selenium (12% by weight) together with 100 g of chrome steel balls 0.3 cm in diameter are added as a mixing aid. The mixture obtained is mixed in a technical paint mixer for 2 hours. The dispersion obtained is coated on an aluminum substrate using a Bird applicator with a 0.0152 cm rod in a dry vessel with a positive pressure of dry air such that the relative humidity does not exceed 25%. After drying for 30 to 60 minutes at room temperature, the plate is dried in vacuo at 115 ° C. for 16 hours. This procedure gives an electrostatographic plate with a photoconductive layer made of poly (vinyl carbazole) in which 10% by weight of TNF and 12% by weight of trigonal selenium are dispersed. Although the percentages are changed in the following examples, the method of preparation described above is used in all examples.

Um diese Platte in einer vorrichtungsähnlichen Umgebung zu prüfen, wird die Probe Beladungs-, Belichtungs- und Auslösch-Operationen mit einem Zyklus/Sekunde bei einer Fotorezeptoroberflächengeschwindigkeit von 76,2 cm/Sek. unterworfen. Ein Diagramm der Prüfapparatur wird in Fig. 5 gezeigt. Die Probe wird auf eine in der Geschwindigkeit variierbare Trommel 20 aufgebracht; Die ladungsaufbringende Corona 22 wendetTo test this plate in a device-like environment, the sample is loaded, exposed, and erased operations at one cycle / second at a photoreceptor surface speed of 76.2 cm / sec. subject. A diagram of the testing apparatus is shown in FIG. The sample is placed on a variable speed drum 20; The charge applying Corona 22 turns

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ein Modell 152 Coronatrol, das auf die konstante Stromart eingestellt ist, an. Die Corona ist eine Anordnung von nickelbeschichteten Stahlnadeln, die <^ 1 cm von der Fotoleiteroberfläche angebracht sind. Die Elektrizitätsmesser 24, 26, 28 und 30 sind Monroe Modell 144S-11 elektrostatische Voltmeter und die Auslöschlampe 32 ist eine 40 Watt Lumalin-Lampe mit einer veränderlichen Intensitätseinstellung. Die Probe wird einer Bestrahlung aus einer 500 Watt Wolframjodidlampe 34 ausgesetzt, die mit einer 50 Ampere konstanten Stromquelle 36 verbunden ist. Zwischen der Lampe und der Probe sind Filterräder 30, eine elektronische Blende 40, eine Fotodiode 42 und ein Strahlenteiler 44 angebracht.a model 152 Coronatrol that operates on the constant type of current is set to. The corona is an arrangement of nickel-coated steel needles that are <^ 1 cm from the photoconductor surface are appropriate. The electricity meters 24, 26, 28, and 30 are Monroe Model 144S-11 electrostatic voltmeters and the erasure lamp 32 is a 40 watt Lumalin lamp with a variable intensity setting. the The sample is exposed to irradiation from a 500 watt tungsten iodide lamp 34, which is connected to a 50 ampere constant current source 36. Between the lamp and the Filter wheels 30, an electronic shutter 40, a photodiode 42 and a beam splitter 44 are attached to the sample.

Die Positionen, an denen die Potentiale bei den Prüfstücken abgelesen werden, sind beweglich und ermöglichen es, Ablesungen zu verschiedenen Zeiten nach der Beladung und Belichtung und kurz vor und nach der Auslöschung vorzunehmen. Die Bildpotentiale die bei diesen Beispielen aufgezeichnet wurden, wurden an zwei Punkten aufgenommen, nämlich 0,1 Sekunden nach der Belichtung und 0,1 Sekunden nach dem Auslöschen, soweit nicht anders angegeben. Die Bildpotentiale, die als Funktion der Zykluszahl aufgetragen werden, sind V und solche, die man bei den verschiedenen Belichtungen unter Verwendung von neutralen Dichtefiltern 1,84, 1,34, 1,04, 0,9, 0,8, 0,6 und 0 für eine feststehende Lampenbelichtung von *V107 bisThe positions at which the potentials are read off the test pieces are movable and allow readings to be made at different times after loading and exposure and just before and after extinction. The image potentials recorded in these examples were recorded at two points, namely 0.1 Seconds after exposure and 0.1 seconds after obliteration unless otherwise specified. The image potentials, which as Functions of the number of cycles to be plotted are V and those that are used in the various exposures of neutral density filters 1.84, 1.34, 1.04, 0.9, 0.8, 0.6 and 0 for a fixed lamp exposure from * V107 to

2
121 ergs/cm bei der Fotorezeptoroberfläche in Abhängigkeit von der verwendeten Lampe beobachtet. Die Zyklusdaten für diese Probenanordnung werden in Fig. 6 gezeigt. Die fotoinduzierten Entladungseigenschaften werden grafisch in Fig. 7 wiedergegeben. 2
121 ergs / cm was observed on the photoreceptor surface depending on the lamp used. The cycle data for this sample arrangement is shown in FIG. The photo-induced discharge characteristics are graphically shown in FIG.

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Example II

Eine fotoempfindliche Vorrichtung wird nach der in Beispiel I beschriebenen Verfahrensweise hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Beladung mit TNF 3 Gew.% beträgt. Die Vorrichtung wird in der gleichen Weise wie in Beispiel I beschrieben, einem elektrischen Zyklus unterworfen.A photosensitive device is made according to the method described in Example I. procedure described, with the exception, that the loading with TNF is 3% by weight. The device is described in the same manner as in Example I, a subject to electric cycle.

Die elektrischen Daten für diese Vorrichtung werden in den Fig. 8 und 9 angegeben. Die Auslöschenergie ist annäherndThe electrical data for this device are given in FIGS. The extinction energy is approximate

2 22 2

9 χ 10 ergs/cm . Die PIDC-Werte und die Kontrastpotentialwerte für die 3 %-Probe werden in Fig. 9 für den 15. und 10000. Zyklus angegeben. Es wird festgestellt, dass die optimale9 χ 10 ergs / cm. The PIDC values and the contrast potential values for the 3% sample are shown in FIG. 9 for the 15th and 10,000th. Cycle specified. It is found that the optimal

2
Belichtung auf 13 bis 15 ergs/cm abgenommen hat, im Vergleich2
Exposure has decreased to 13 to 15 ergs / cm, in comparison

zu 21 ergs/cm² für die 10 % TNF-Probe.at 21 ergs / cm ² for the 10% TNF sample.

Example III

In diesem Versuch wird eine fotoempfindliche Vorrichtung gemäss Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Menge an TNF ausreicht, um eine 2 Gew.%-ige Beladung zu ben. Es werden zwei Proben aus dem gleichen Pigmentansatz und der gleichen Polymermischung, die aufgrund der gleichen Herstellungsweise zumindest makroskopisch gleich sind, hergestellt. Am auffälligsten bei diesem Versuch ist der Unterschied in dem Zyklusverhalten dieser beiden Proben, der in den Fig. 10 und 11 beschrieben wird, wobei man annimmt, dass die Unterschiede auf die Unterschiede im Herstellungsverfahren beruhen. Die optimale Belichtung bei diesen ProbenIn this experiment a photosensitive device is used produced according to Example I, with the exception that the amount of TNF is sufficient to achieve a 2% by weight load ben. There are two samples made from the same pigment formulation and the same polymer mixture, which are due to the same Manufacturing method are at least macroscopically the same, manufactured. Most noticeable in this attempt is the difference in the cycling behavior of these two samples, which is described in FIGS. 10 and 11, assuming that the differences are based on the differences in the manufacturing process. The optimal exposure for these samples

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ist 10 bis 13 ergs/cm für die eine und 13 bis 17 ergs/cm für die andere.is 10 to 13 ergs / cm for the one and 13 to 17 ergs / cm for the other.

In Fig. 12 und 13 werden die Zyklusdaten für die gleichen Proben, die mit 1,8 χ 10 ergs/cm
angegeben. Dabei ist festzustellen:In Figs. 12 and 13, the cycle data for the same samples obtained with 1.8 χ 10 ergs / cm
specified. It should be noted:

Proben, die mit 1,8 χ 10 ergs/cm gelöscht worden waren, Samples that had been erased with 1.8 χ 10 ergs / cm ,

(1) der Abwärtszyklus (cycle-down) bleibt bei dieser höheren Auslöschung annähernd der gleiche,(1) the cycle-down remains approximately the same with this higher extinction,

(2) die Unterschiede von Probe zu Probe sind geringer und(2) the differences from sample to sample are less and

(3) die Restpotentiale werden erheblich vermindert.(3) the residual potentials are significantly reduced.

Aus diesen Daten und denen mit 10 % TNF-Dotierung erhaltenen kann man annehmen ,dassman bei verhältnismässig hohen TNF-Dotierungskonzentrationen (^j 3 %) eine niedrige Auslöschungsenergie anwenden kann, um den Abwärtszyklus (cycle-down) möglichst klein zu halten, ohne dass dadurch die PIDC-Werte erheblich beeinträchtigt werden, während bei niedrigen TNF-Beladungen (^/ 2 %) die Auslöschenergie hoch bleiben muss, um die Probezu-Probe-Unterschiede bei Ladungsansammlungen auszugleichen.From these data and those obtained with 10% TNF doping, it can be assumed that at relatively high TNF doping concentrations (^ j 3%) a low extinction energy can be used in order to keep the down cycle (cycle-down) as small as possible without this as a result, the PIDC values are considerably impaired, while at low TNF loads (^ / 2%) the extinction energy must remain high in order to compensate for the sample-to-sample differences in the case of charge accumulations.

Example IV

Eine fotoempfindliche Vorrichtung, enthaltend 12 Gew.% trigonales Selen und 1 Gew.% TNF, wird hergestellt und geprüft, wie in Beispiel I beschrieben. Die Zyklusdaten für diese Vorrichtung A photosensitive device containing 12% by weight trigonal selenium and 1% by weight TNF is prepared and tested as described in Example I. The cycle data for this device

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to~to ~

sind grafisch in Fig. 14 wiedergegeben. Die Kontraste bei 1,0 und 0,3 N.D. und die PIDC-Werte werden in Fig. 15 gezeigt. are shown graphically in FIG. The contrasts at 1.0 and 0.3 N.D. and the PIDC values are shown in FIG.

3 23 2

Diese Daten sind mit 1,8 χ 10 ergs/cm Auslöschung gewonnen worden. Der Hintergrund nach der Auslöschung ist ungefährThese data were obtained with 1.8 10 ergs / cm extinction. The background after obliteration is approximate

2 22 2

so hoch wie der mit 2 % TNF bei 9 χ 10 ergs/cm Auslöschung mit der Ausnahme, dass bei den letzteren ein Aufwärtszyklus eintritt (cycles-up) wodurch die Beeinflussung der Auslöschungsenergie bei einem gegebenen Dotierungsniveau, die bei den früheren Beispielen beobachtet wurde, angezeigt wird.as high as that with 2% TNF at 9 10 ergs / cm extinction except that the latter have an upward cycle occurs (cycles-up) thereby influencing the extinction energy at a given doping level observed in the earlier examples.

Obwohl man bei diesen Untersuchungen erhebliche Unterschiede von Probe zu Probe bei diesen TNF-Beladungen festgestellt hat, können einige allgemeine Beobachtungen festgehalten werden. Diese sind:Although these investigations found considerable differences from sample to sample in these TNF loads some general observations can be made. These are:

(1) bei einer gegebenen Auslöschenergie nimmt der Abwärtszyklus (cycle-down) mit steigender TNF-Beladung zu,(1) For a given extinction energy, the cycle-down increases with increasing TNF loading to,

(2) für eine gegebene Auslöschenergie nimmt der Hintergrund nach der Auslöschung mit einer Abnahme der TNF-Beladung zu,(2) for a given extinction energy, after extinction, the background decreases with a decrease in the TNF loading too,

(3) die Empfindlichkeit nimmt ab, mit steigender TNF-Beladung, obwohl eine Verminderung unterhalb annähernd 2 bis 3 % wenig Einfluss, wenn überhaupt, hat,(3) the sensitivity decreases with increasing TNF loading, although a reduction below approximately 2 to 3% has little, if any, effect Has,

(4) die Unterschiede von Probe zu Probe können minimal(4) the differences from sample to sample may be minimal

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gehalten werden durch Erhöhung der Auslöschenergie, aber dies nur auf Kosten einer Erhöhung des Abwärtszyklus (cycle-down).be held by increasing the extinction energy, but only at the cost of increasing the down cycle (cycle-down).

Die Abnahme der Empfindlichkeit (die aus der optimalen Systembelichtung abgeleitet wird) wird in Tabelle II angegeben.The decrease in sensitivity (resulting from the optimal system exposure is derived) is given in Table II.

Table II

% TNF Optimale Belichtung% TNF Optimal exposure

2 10,0 20-25 ergs/cm2 10.0 20-25 ergs / cm

3,0 13-153.0 13-15

2,0 10-132.0 10-13

1,0 10-131.0 10-13

Zusammengefasst ist festzustellen, dass der Verlust an Empfindlichkeit bei hohen TNF-Beladungen zum Teil auf die Lichtabsorption bei einer verhältnismässig unwirksamen fotoerzeugenden organischen Matrix zurückzuführen ist und zum Teil auf den Entladungsmechanismus der einzelnen Träger-Massenabsoprtion (single carrier bulk absorption mechanism of dis-In summary, the loss of sensitivity at high TNF loads partly on the light absorption with a relatively ineffective photo-generating organic matrix and in part to the discharge mechanism of the individual carrier mass absorption (single carrier bulk absorption mechanism of dis-

charge), was anzeigt, dass 10 bis 15 ergs/cm die zu erwartende Empfindlichkeit bei dieser fotoempfindlichen Vorrichtung bei niedrigen TNF-Beladungen unter Verwendung einer Quarzjod-Lampe ist.charge), which indicates that 10 to 15 ergs / cm is the expected sensitivity for this photosensitive device at low TNF loadings using a quartz iodine lamp.

Die vorgenannten Ergebnisse lassen den Schluss zu, dass zumThe above results suggest that for

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Minimalisieren der Probe-zu-Probe-Unterschiede und zur Aufrechterhaltung der Empfindlichkeit eine TNF-Beladung von 3 % + 2 % angewendet werden soll.Minimize and maintain sample-to-sample differences depending on the sensitivity, a TNF loading of 3% + 2% should be used.

Example V

Es wird ein Versuch ausgearbeitet, um die Wirkung der Konzentration des trigonalen Selens auf die elektrische Zyklusstabilität der hier erprobten fotoempfindlichen Vorrichtung festzustellen. Die Zyklusdaten für Proben enthaltend 5, 10 und 15 Gew.% trigonales Selen und 3 % TNF unter VerwendungAn experiment is worked out to determine the effect of concentration of the trigonal selenium on the electrical cycle stability of the photosensitive device tested here ascertain. Using the cycle data for samples containing 5, 10, and 15 wt% trigonal selenium and 3% TNF

2 2 einer Auslöschenergie von 9 χ 10 ergs/cm , sind in den Fig.2 2 with an extinction energy of 9 χ 10 ergs / cm, are shown in Figs.

16, 17 bzw. 18 wiedergegeben. Obwohl die Probe mit 5 % trigonalem Selen den höchsten Kontrast bei niedrigen Zykluszahlen hat, zeigt sie die grösste Veränderung hinsichtlich des Kontrastes bei den Zyklen. Die geringste Veränderung wird festgestellt bei einer Vorrichtung, die eine 15 %-ige Beladung mit trigonalem Selen hat. Die PIDC-Werte für einzelne dieser Proben beim 1000-sten Zyklus sind in Fig. 19 wiedergegeben. Aus dieser Figur wird offensichtlich, dass der Kontrast bei einer gegebenen Dichte mit zunehmendem Gehalt an trigonalem Selen abnimmt. Dies ist entgegengesetzt zu dem was man erwarten konnte hinsichtlich der Verminderung der Absorption bei höheren Beladungen. Untersuchungen bei weiteren Proben haben diesen Trend bestätigt und es scheint so, dass die Absorption bei den grösseren Beladungen nahe der Oberfläche stattfindet und dass die Massenabsorption bis zu dem Punkt vermindert wird, bei dem die Auslöschstrahlung nicht mehr in der Lage ist, die eingefangene Massenladung zu neutralisieren,16, 17 and 18 respectively. Although the sample with 5% trigonal Selenium has the highest contrast at low cycle numbers, it shows the greatest change in terms of the Contrast in the cycles. The slightest change is found in a device with a 15% load with trigonal selenium. The PIDC values for individual of these samples at the 1000th cycle are shown in FIG. From this figure it is evident that the contrast for a given density increases with increasing content of trigonal Selenium decreases. This is contrary to what might be expected in terms of the decrease in absorption with higher loads. Investigations on additional samples have confirmed this trend and it appears that the Absorption at the larger loads takes place near the surface and that mass absorption up to the point is reduced, at which the extinguishing radiation is no longer able to neutralize the trapped mass charge,

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wodurch höhere Hintergründe sich ergeben.which results in higher backgrounds.

Die bisher vorgelegten Daten legen es nahe, dass zwischen
5 und 10 % trigonalem Selen in einer PVK-Matrix, enthaltend 3 % TNF, verwendet werden sollten. Die Zyklusdaten für eine (7 %) trigonales Selen:PVK:(3 %)TNF-Probe werden in Fig. 20The data presented so far suggest that between
5 and 10% trigonal selenium in a PVC matrix containing 3% TNF should be used. The cycle data for a (7%) trigonal selenium: PVK: (3%) TNF sample is shown in FIG

3 23 2

bei einer Auslöschenergie von 1,5 χ 10 ergs/cm angegeben. Die PIDC-Werte und die Kontraste für 0,3 und 1,0 N.D. für
den ersten Zyklus sind in Fig. 21 wiedergegeben.specified with an extinction energy of 1.5 χ 10 ergs / cm. The PIDC values and the contrasts for 0.3 and 1.0 ND for
the first cycle are shown in FIG.

Example VI

Eine fotoempfindliche Vorrichtung, enthaltend 12 Gew.% trigonales Selen aber kein TNF, wurde hergestellt und wie vorher beschrieben geprüft. Die Beladung mit trigonalem Selen
wurde hinsichtlich eines optimalen Kompromisses zwischen
den Problemen hinsichtlich der Stärke des ersten Teilchenaufwärtszyklus und der Aufwärtszyklusprobleme, die aufgrund der Massenabsorption bei hohen Se-Beladungen auftreten, gewählt. Diese Daten werden :
in Fig. 22 gezeigt.A photosensitive device containing 12 weight percent trigonal selenium but no TNF was prepared and tested as previously described. The loading with trigonal selenium
was made regarding an optimal compromise between
the problems with the strength of the first particle up cycle and the up cycle problems due to mass absorption at high Se loadings. These data will:
shown in FIG.

22

Diese Daten werden für eine Auslöschenergie von 6 χ 10 ergs/cmThese data are for an extinction energy of 6 χ 10 ergs / cm

Der Aufbau eines Bildpotentials ist ganz offensichtlich. Die Probe wurde bei 2 χ 10 ergs/cm^ den Zyklen unterworfen. Die hohen Auslöschdaten zeigten Aufwärtszyklen bei Bildpotentialen niedriger Dichte und Abwärtszyklen bei hohen Dichtepotentialen. The structure of an image potential is quite obvious. the Sample was cycled at 2 χ 10 ergs / cm ^. The high erasure data showed upcycling in image potentials low density and downcycling at high density potentials.

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Example VII

Vier fotosensitive Vorrichtungen, enthaltend (7 %) trigonales Selen:PVK: (3 %) TNF wurden hergestellt und wie vorher geprüft. Die Zyklusdaten werden in den Fig. 23, 24, 25 und 26 wiedergegeben.Four photosensitive devices containing (7%) trigonales Selenium: PVC: (3%) TNF were prepared and tested as before. The cycle data are shown in Figs. 23, 24, 25 and 26 reproduced.

Aufgrund der dort gezeigten Daten kann man annehmen, dass eine Vorrichtung, die PVK: (3^3 %) TNF als Matrixmaterial enthält, das Optimum darstellt, weil man einen annehmbaren Kompromis zwischen der Aufrechterhaltung der höchsten Empfindlichkeit der bei der niedrigsten TNF-Beladung vorhanden ist, und der Probe-zu-Probe-Veränderung, die aufzutreten scheint bei TNF-Beladungen von ^3 Gew. % ,erzielt. Die 7 % + 3 %, bezogen auf das Gewicht, Beladung mit trigonalem Selen wird bevorzugt, weil man eine im wesentlichen vollständige Lichtabsorption erhält und dabei die niedrigste Dunkelabnähme der vorhandenen Pigmentbeschichtung erzielt. Darüberhinaus ermöglicht die höchste Pigmentbeladung keine ausreichende Massenabsorption zur Neutralisation der Tiefeneinschlüsse, wodurch sich ein Aufbau an Restpotentialen und Bildpotentialen niedriger Dichte ergibt.Based on the data shown there, it can be assumed that a device containing PVC: (3 ^ 3%) TNF as matrix material, represents the optimum because there is an acceptable compromise between maintaining the highest sensitivity that is present at the lowest TNF load and the sample-to-sample change that appears to occur at TNF loads of ^ 3 wt.%, achieved. The 7% + 3%, based By weight, loading with trigonal selenium is preferred because there is essentially complete light absorption receives and thereby the lowest dark decrease of the existing pigment coating achieved. In addition, the highest pigment loading does not allow sufficient Mass absorption to neutralize the depth inclusions, which results in a build-up of residual potentials and image potentials low density results.

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L e e r s e i t eL e r s e i t e

Claims

HOFFMANN · EITLE & PARTNER DR. ING. E. HOFFMANN (1930-1976). D I PL.-I N G. W. E ITLE · D R. R E R. N AT. K. HOFFMAN N · D I PL.-I N G. W. IEH N DIPL.-ING. K. FOCHSLE DR. RER. NAT. B. HANSEN ARABELLASTRASSE 4 (STERNHAUS) ■ D-8000 MO NCHEN 81 · TELE FO N (089) 911087 · TELE X 05-29619 (PATH E) 29 273 o / wa XEROX CORPORATION, ROCHESTER, NY / USA Electrostatographic, photoconductive device PATENT CLAIMS

1. Electrostatographic photosensitive device the end:

(a) an electrically conductive substrate on and in operative communication therewith, which essentially consists of:

i. Poly (vinyl carbazole) as a matrix resin with uniformly dispersed therein

ii. 2,4,7-trinitro-9-fluorenone as a sensitizer,

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ORIGINAL INSPECTED

In an amount of 0.2 to 10% by weight, based on the poly (vinyl carbazole) and finely divided trigonal selenium in an amount of 1 to% by weight, based on the combination of polyvinyl carbazole) / Trinitrof luorenone as a photoconductive pigment.

2. Device according to claim 1, characterized in that the layer on the surface of the conductive substrate has a thickness of about 10-50 µm Has.

3. Apparatus according to claim 2, characterized in that the layer has a thickness of approximately 2OtUIi has.

4. Apparatus according to claim 1, characterized in that the photoconductive substrate made of brass, aluminum, steel, an aluminized polymer or a conductive coated dielectric or insulator.

5. The device according to claim 1, characterized in that the conductive substrate is aluminum or glass coated with a thin layer of chromium or tin oxide.

6. The device according to claim 1, characterized in that a special blocking layer between the substrate and the photoconductive Layer is present.

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7. The device according to claim 6, characterized in that the blocking layer made of nylon, an epoxy resin, aluminum oxide, polystyrene,
a butadiene polymer, an acrylic or methacrylic polymer, a vinyl resin, an alkyd resin or a resin based on cellulose and has a thickness of about 0.1 to 2 µm.

8. The device according to claim 1, characterized in that the concentration of 2,4,7-trinitro-9-fluorenone 1 to 5% by weight.

9. The device according to claim 1, characterized in that the concentration of trigonal Selenium is 4 to 10 wt.%.

10. An electrostatographic photosensitive device, the end:

(a) an electrically conductive substrate having a photoconductive layer on its surface and in operative association therewith, the layer having a thickness of 10 to 50 µm and consisting essentially of the end:

i. Poly (vinyl carbazole) as the matrix resin
evenly distributed in it

ii. 2,4,7-trinitro-9-fluorenone as a sensitizer in an amount of 1 to 5% of the poly (vinyl carbazole) and particulate!

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trigonal selenium in an amount of 4 to 10% by weight based on the combination of Poly (vinyl carbazole) / trinitrofluorenone as photoconductive pigment.

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