DE2645425A1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE2645425A1 DE2645425A1 DE19762645425 DE2645425A DE2645425A1 DE 2645425 A1 DE2645425 A1 DE 2645425A1 DE 19762645425 DE19762645425 DE 19762645425 DE 2645425 A DE2645425 A DE 2645425A DE 2645425 A1 DE2645425 A1 DE 2645425A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- contact
- metal
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7531520A FR2328284A1 (fr) | 1975-10-15 | 1975-10-15 | Diode fonctionnant dans le domaine des ondes millimetriques et son procede de fabrication |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2645425A1 true DE2645425A1 (de) | 1977-04-28 |
Family
ID=9161218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762645425 Withdrawn DE2645425A1 (de) | 1975-10-15 | 1976-10-08 | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4052269A (enExample) |
| JP (1) | JPS5248977A (enExample) |
| AU (1) | AU500263B2 (enExample) |
| CA (1) | CA1068012A (enExample) |
| DE (1) | DE2645425A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2328284A1 (enExample) |
| GB (1) | GB1557808A (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4168213A (en) * | 1976-04-29 | 1979-09-18 | U.S. Philips Corporation | Field emission device and method of forming same |
| IT1068248B (it) * | 1976-11-16 | 1985-03-21 | Selenia Ind Elettroniche | Procedimento per la realizzazione di dispositivi a semiconduttore passivati con dissipatore di calore integrato |
| JPS55110038A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for making electrode |
| US4759822A (en) * | 1984-10-12 | 1988-07-26 | Triquint Semiconductor Inc. | Methods for producing an aperture in a surface |
| WO2025023859A1 (ru) * | 2023-07-24 | 2025-01-30 | Общество с ограниченной ответственностью "Терагерцовая фотоника" | Детектор терагерцового излучения |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1952632A1 (de) * | 1969-10-18 | 1971-04-22 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Diffusionszone |
| BE792908A (fr) * | 1971-12-20 | 1973-04-16 | Western Electric Co | Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
| JPS4885440A (enExample) * | 1972-02-18 | 1973-11-13 | ||
| US3880684A (en) * | 1973-08-03 | 1975-04-29 | Mitsubishi Electric Corp | Process for preparing semiconductor |
-
1975
- 1975-10-15 FR FR7531520A patent/FR2328284A1/fr active Granted
-
1976
- 1976-10-05 CA CA262,719A patent/CA1068012A/en not_active Expired
- 1976-10-08 US US05/730,939 patent/US4052269A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-10-08 DE DE19762645425 patent/DE2645425A1/de not_active Withdrawn
- 1976-10-12 GB GB42329/76A patent/GB1557808A/en not_active Expired
- 1976-10-13 AU AU18652/76A patent/AU500263B2/en not_active Expired
- 1976-10-13 JP JP51121971A patent/JPS5248977A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU1865276A (en) | 1978-04-20 |
| JPS5710579B2 (enExample) | 1982-02-26 |
| CA1068012A (en) | 1979-12-11 |
| US4052269A (en) | 1977-10-04 |
| AU500263B2 (en) | 1979-05-17 |
| FR2328284B1 (enExample) | 1982-09-10 |
| JPS5248977A (en) | 1977-04-19 |
| FR2328284A1 (fr) | 1977-05-13 |
| GB1557808A (en) | 1979-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1614283C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE2212049C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Transistors | |
| DE3245064C2 (enExample) | ||
| DE1197549B (de) | Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht | |
| DE2818090A1 (de) | Bipolartransistor und verfahren zur herstellung desselben | |
| DE2928923C2 (enExample) | ||
| DE2214935A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
| DE3043289C2 (enExample) | ||
| DE2328090C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkondensators | |
| EP0012220A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Kontakts mit selbstjustierter Schutzringzone | |
| EP0182088A1 (de) | Schottky-Kontakt auf einer Halbleiteroberfläche und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE3018594C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors | |
| DE2800172A1 (de) | Thyristor mit zuendverstaerker und loeschsteuerung | |
| DE2839044A1 (de) | Halbleiterbauelement mit schottky- sperrschichtuebergang | |
| DE3230569A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines vertikalkanaltransistors | |
| DE2645425A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
| DE2403816C3 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE69215956T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kontakts auf einem Halbleiterbauelement | |
| DE60037558T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit einem bipolartransistor und einem kondensator | |
| DE2407189A1 (de) | Planare integrierte schaltung mit dielektrisch isolierter schottky-sperrschicht und verfahren zu deren herstellung | |
| DE2721744A1 (de) | Heterojonctions-transistor | |
| DE2460653C2 (de) | Verfahren zur Erzeugung dünner, Halbleitervorrichtungen enthaltender Siliciumschichten auf einem dielektrischen Substrat | |
| DE1489193B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| DE2133977C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE2359406A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OD | Request for examination | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |