DE2541651A1 - CHARGE TRANSFER DEVICE - Google Patents
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Description
LadungsübertragungsvorrichtungCharge transfer device
Die Erfindung bezieht sich auf eine Ladungε-übertragungsvorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit einer an eine Oberfläche grenzenden Halbleiterschicht, wobei Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe örtlich in die Halbleiterschicht Information in Form beweglicher Ladungsträger eingeführt wird, während weiter Mittel vorhanden sind, mit deren Hilfe diese Information an anderer Stelle in der Schicht ausgelesen wird, wobei sich auf der Oberfläche ein Elektrodensystem zur kapazitiven Erzeugung elektrischer Felder in der Halbleiterschicht befindet, mit deren Hilfe die Ladung durch dieThe invention relates to a charge transfer device with a semiconductor body with a semiconductor layer adjoining a surface, wherein means are provided with the aid of which information in the form of locally movable information in the semiconductor layer is provided Charge carrier is introduced, while further means are available with the help of which this information is presented is read elsewhere in the layer, with an electrode system on the surface for capacitive Generation of electric fields located in the semiconductor layer, with the help of which the charge passes through the
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Halbleiterschicht in einer zu der Halbleiterschicht parallelen Richtung zu den Auslesemitteln transportiert werden kann, wobei dieses Elektrodensystem eine Reihe durch eine Isolierschicht gegen die Oberfläche des Körpers isolierter Elektroden enthält, die abwechselnd zu einer ersten Leiterschicht (weiter als untere Leiterschicht bezeichnet) und zu einer zweiten Leiterschicht (weiter als obere Leiterschicht bezeichnet) gehören, wobei jede Elektrode der oberen Leiterschicht sich bis oberhalb einer benachbarten Elektrode der unteren Leiterschicht erstreckt und .von dieser durch eine zwischenliegende isolierende Oxidschicht getrennt ist, die durch teilweise Oxidation der zu der unteren Leiterschicht gehörigen Elektroden erhalten ist.Semiconductor layer transported to the readout means in a direction parallel to the semiconductor layer can be, with this electrode system a series through an insulating layer against the surface of the Contains body of insulated electrodes, which alternate to form a first conductor layer (further called the lower conductor layer referred to) and belong to a second conductor layer (hereinafter referred to as the upper conductor layer), wherein each electrode of the upper conductor layer extends to above an adjacent electrode of the lower conductor layer extends and .from this is separated by an intermediate insulating oxide layer which is obtained by partial oxidation of the electrodes belonging to the lower conductor layer.
Ladungsübertragungsvorrichtungen bildenForm charge transfer devices
eine allgemein bekannte Klasse von Halbleiteranordnungen, die sehr wichtige und grosse Anwendungsmöglichkeiten bietet, wie auf dem Gebiet von Verzögerungsleitungen, Filtern und Bildsensorer.» Bekannte Ausführungen von Ladungsübertragungsvorrichtungen sind u.a. der Eimerkettenspeicher (auch als B.B.D. bezeichnet) und die ladungsgekoppelte Anordnung (auch als C.C.D. bezeichnet). In diesen Vorrichtungen wird die eingeführte Information in Form von Ladungspaketen jeweils von einem Speicherraum unter einer Elektrode zu einem nächstfolgendena well-known class of semiconductor devices, which offers very important and large application possibilities, such as in the field of delay lines, Filters and image sensors. " Known versions of Charge transfer devices include the bucket chain store (also known as B.B.D.) and the charge coupled device Arrangement (also known as C.C.D.). In these devices the introduced information in the form of charge packets from one storage space under one electrode to the next
ORIGINAL INSPECTEDORIGINAL INSPECTED
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PHN.77^7. 9.9.75»PHN.77 ^ 7. 9.9.75 »
Speicherraum unter einer benachbarten Elektrode mehr oder weniger schrittweise transportiert, indem an die Elektroden geeignete Taktspannungen angelegt werden.More storage space under an adjacent electrode or less stepwise by applying suitable clock voltages to the electrodes.
In den meisten praktischen Ausführungsformen besteht der Halbleiterkörper aus Silizium, Die Halbleiterschicht ι in der der Ladungstransport stattfindet, kann in denjenigen Fällen, in denen die Vorrichtung eine ladungsgekoppelte Vorrichtung mit Ladungstransport längs der Oberfläche bildet, den ganzen Halbleiterkörper in Anspruch nehmen. In ladungsgekoppelten Vorrichtungen mit Transport durch die Masse wird jedoch die Halbleiterschicht meist nur eine dünne verhältnisraässig hochohmige Teilschicht des Körpers von einem bestimmten Leitfähigkeitstyp beanspruchen, die über einen pn-Uebergang auf der der Oberfläche gegenüberliegenden Seite in eine zweite Teilschicht des Körpers vom zweiten Leitfähigkeitstyp übergeht.In most practical embodiments the semiconductor body consists of silicon, the semiconductor layer ι in which the charge transport takes place, in those cases where the device is using a charge coupled device Forms charge transport along the surface, take the entire semiconductor body to complete. In charge-coupled For devices with transport through the mass, however, the semiconductor layer is usually only a thin relatively high-resistance sub-layer of the body of a certain conductivity type claim that over a pn junction on the one opposite the surface Side merges into a second partial layer of the body of the second conductivity type.
Die Elektroden der unteren LeiterschichtThe electrodes of the lower conductor layer
(Metallisierungsschicht), die während der Herstellung ι der Vorrichtung zuerst angebracht werden, werden in praktischen Ausführungen meist durch Siliziums.chichten in polykristalliner Form gebildet, die auf der Isolier·^ schicht niedergeschlagen sind. Durch Oxidation des Siliziums können die Elektroden der unteren Leiterschicht von einer Siliziumoxidschicht mit der gewünschten Dicke(Metallization layer), which ι during the production of the device are attached first, are in practical designs mostly through silicon layers formed in polycrystalline form, which on the insulating · ^ layer are down. Oxidation of the silicon can cause the electrodes of the lower conductor layer of a silicon oxide layer of the desired thickness
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PHN.77^7. 9.9.75. - h -PHN.77 ^ 7. 9.9.75. - h -
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umgeben werden, die die Siliziumelektroden elektrisch gegen die in einem nächsten Verfahrensschritt anzubringenden Elektroden der oberen Leiterschicht isoliert. Diese Elektroden können z,B. aus Aluminium bestehen.are surrounded, which electrically oppose the silicon electrodes to be attached in a next process step Electrodes of the upper conductor layer insulated. These electrodes can e.g. consist of aluminum.
Die Anwendung von Elektrodensystemen in Form einer Mehrschichtenmetallisierung in Ladungsübertragungsvorrichtungen bietet viele Vorteile im Vergleich zu z.B. der Anwendung einer Einschichtmetallisierung, sowohl in technologischer Hinsicht als auch in bezug auf die elektrische Wirkung der Vorrichtungen, und ist daher allgemein bekannt. So kann z.B. der Zwischenelektrodenraum sehr klein gemacht werden, was in ladungsgekoppelten Anordnungen ein wichtiger Vorteil ist, weil diese Zwischene'lektrodenräume oft für die Bildung von Potentialmulden oder Potentialbergen zwischen aufeinanderfolgenden LadungBspeieherräumen verantwortlich sind und dadurch den Transportgrad und/oder die Transportgeschwindigkeit der Anordnung beeinträchtigen können.The use of electrode systems in the form of multilayer metallization in charge transfer devices offers many advantages compared to e.g. the use of single-layer metallization, both in terms of technology and in terms of the electrical operation of the devices, and is therefore generally known. For example, the space between the electrodes can be made very small, which is the case in charge-coupled devices Arrangements is an important advantage, because these spaces between electrodes are often used for the formation of Potential troughs or potential peaks between successive ones Cargo storage are responsible and as a result, the degree of transport and / or the transport speed of the arrangement can be impaired.
Die Oxidschicht, die die Elektroden derThe oxide layer that makes up the electrodes of the
oberen und der unteren Leiterschichten voneinander trennt, wird, wie klar sein wird, nicht beliebig dünn gemacht werden können, sondern wird mindestens derart dick sein müssen, dass bei den an die Elektroden anzulegenden Taktspannungen Durchschlag zwischen den Elektroden vermieden wird. Die Oxidationsbehandlung, die zum Erzeugenseparating the upper and lower conductor layers from one another is, as will be clear, not made arbitrarily thin can be, but will be at least as thick must avoid a breakdown between the electrodes in the case of the clock voltages to be applied to the electrodes will. The oxidation treatment that is used to generate
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. 77*17 9.9.75. - 5 -. 77 * 17 9.9.75. - 5 -
dieser Oxidschicht durchgeführt wird, kann dadurch oft die Siliziumoxidschicht auf der Oberfläche des Körpers, die die Elektroden gegen den Körper isoliert, ebenfalls beeinflussen. So kann insbesondere der Halbleiterkörper namentlich zwischen den Siliziuraelektroden, weiter oxidieren, wodurch die Siliziumoxidschicht zwischen den Siliziumelektroden dicker als unter diesen Elektroden werden kann.This oxide layer is carried out, this can often cause the silicon oxide layer on the surface of the body, which isolates the electrodes from the body, also affect. In particular, the semiconductor body can namely between the silicon electrodes, further oxidize, whereby the silicon oxide layer between the Silicon electrodes can be thicker than these electrodes can be.
Es wurde bereits vorgeschlagen, diesen Nachteil dadurch zu vermeiden, dass auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Oxidschicht und darauf eine Siliziumnitridschicht angebracht wird. Ein Dielektrikum in Form·einer derartigen Doppelschicht weist den Vorteil auf, dass sie sich während der Oxidation der (auf der Nitridschicht) angebrachten Siliziumelektrcden, insbesondere infolge der den Halbleiterkörper gegen Oxidation maskierenden Wirkung der Nitridschicht, nicht oder nahezu nicht ändert.It has already been proposed to avoid this disadvantage in that on the surface of the Semiconductor body an oxide layer and a silicon nitride layer is applied thereon. A dielectric in the form of a double layer of this type has the advantage that during the oxidation of the (on the Nitride layer) attached silicon electrodes, in particular as a result of the semiconductor body against oxidation masking effect of the nitride layer, does not change or hardly changes.
Der Anwendung eines derartigen aus ainer Doppelschicht bestehenden Dielektrikums als Isolierschicht haften jedoch auch einige Nachteile an. So kann es z.B. erforderlich sein, für die Aetzung von Kontaktlöchern in die Nitridschicht an der Stelle des Eingangs und/oder des Ausgangs der Vorrichtung auf der Nitridschicht eine zusätzliche Hilfsmaskierungsschicht, z.B. ausThe application of such from ainer However, a double layer of existing dielectric as an insulating layer also has some disadvantages. So can e.g. it may be necessary for the etching of contact holes in the nitride layer at the point of the entrance and / or the output of the device on the nitride layer an additional auxiliary masking layer, e.g.
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· 9.9.75.9.9.75.
Siliziumoxid, anzubringen» Diese Hilfsmaskierungsschicht soll dann durch eine weitere Aetzbehandlung wieder entfernt werden.Silicon oxide, to be attached »This auxiliary masking layer should then be removed again by another etching treatment will.
Weiter ist es bekanntlich oft unerwünscht, während oder am Ende des Herstellungsvorgangs die Vorrichtung einer sogenannten Naeherhitzungsbehändlung in einem geeigneten Milieu zu unterwerfen, um die Anzahl. von Oberflächenzuständen an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterkörper und der Isolierschicht auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers herabzusetzen. Es hat sich herausgestellt, dass eine derartige Behandlung beim Vorhandensein einer Nitridschicht oft weniger effektiv ist als erwünscht ist, insbesondere wenn die Vorrichtung eine für eine Halbleiteranordnung verhältnismässig grosse Oberfläche beansprucht. Dies ist vermutlich u.a. darauf zurückzuführen,dass'das Siliziumnitridmaterial eine relativ sehr grosse Dichte aufweist, wodurch es sogar für z.B. Wasserstoffmoleküle undurchdringlich ist, so dass nur laterale Diffusion von Gasmolekülen durch die Oxidschicht oder den Kristall möglich ist.It is also known that it is often undesirable to use the device during or at the end of the manufacturing process a so-called near-heating treatment in subject to a suitable milieu to the number. of surface conditions at the interface between reduce the semiconductor body and the insulating layer on the surface of the semiconductor body. It has found that such a treatment is often less effective in the presence of a nitride layer is considered desirable, particularly when the device is relatively one for a semiconductor device large surface area claimed. This is probably due, among other things, to the fact that the silicon nitride material is a has a relatively very high density, which makes it impenetrable even for e.g. hydrogen molecules, see above that only lateral diffusion of gas molecules through the oxide layer or the crystal is possible.
Die Erfindung bezweckt daher u.a., eineThe invention therefore aims, inter alia, to provide a
Ladungsübertragungsvorrichtung der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, in der die Oxidationsbehandlung zum Oxidieren der Elektroden der unteren Leiterschicht nicht oder wenigstens nahezu nicht die Isolierschicht zwischenCharge transfer device of the type described in the opening paragraph To create way in which the oxidation treatment to oxidize the electrodes of the lower conductor layer does not or at least almost not the insulating layer between
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den Elektroden und der Oberfläche des Halbleiterkörpers ändert und in der trotzdem die genannten Schwierigkeiten wenigstens grösstenteils vermieden werden können.the electrodes and the surface of the semiconductor body changes and in spite of the aforementioned difficulties can at least for the most part be avoided.
Der Erfindung liegt u.a. die ErkenntnisThe invention is based inter alia on the knowledge
zugrunde, dass durch die örtliche Entfernung der Siliziumnitridschicht nach der genannten Oxidationsbehandlung die Wirkung der herzustellenden Vorrichtung nicht oder wenigstens nahezu nicht beeinflusst zu werden braucht, während dagegen eine Struktur erhalten wird, die technologisch besonders einfach herstellbar ist.based on that by the local removal of the silicon nitride layer after the oxidation treatment mentioned, the effect of the device to be produced does not or at least almost not need to be influenced, while, on the other hand, a structure is obtained that is technologically is particularly easy to manufacture.
Daher ist eine Ladungsübertragungsvorrichtung der eingangs beschriebenen Art nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht, die die Elektroden gegen die Oberfläche des Halbleiterkörpers isoliert-, zwei Teilschichten aus verschiedenen Materialien enthält, und zwar eine erste Teilschicht, die an die Oberfläche des Körpers grenzt und sich sowohl unter den Elektroden der unteren Leiterschicht als auch unter den Elektroden der oberen Leiterschicht erstreckt, und eine auf der ersten Teilschicht angebrachte zweite Teilschicht, die unter den zu der oberen Leiterschicht gehörigen Elektroden liegende Oeffnungen aufweist und die aus einem Material besteht, das das unterliegende Halbleitermaterial gegen Oxidation maskiert und selektiv in bezug auf das Material der ersten Teilschicht geätzt werden kann.Thus, a charge transfer device of the type described in the opening paragraph is in accordance with the invention characterized in that the insulating layer which the electrodes against the surface of the semiconductor body insulated, two sub-layers made of different materials contains, namely a first sub-layer that is adjacent to the surface of the body and is located both under the Electrodes of the lower conductor layer and extends under the electrodes of the upper conductor layer, and one on the first sublayer applied second sublayer, which belong under the to the upper conductor layer Has electrodes lying openings and which consists of a material that is the underlying semiconductor material masked against oxidation and can be etched selectively with respect to the material of the first partial layer.
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Während dor Herstellung einer erfindungsgemässen Vorrichtung kann nach, der Oxidation der Elektroden der unteren Leiterschicht die zweite Teilschicht (die Nitridschicht) einer Aetzbehandlung ohne zusätzlichen Photomaskierungsschritt unterworfen werden» Die Elektroden der unteren Leiterschicht und die auf diesen Elektroden angewachsene Oxidschicht maskieren das unterliegende Nitrid gegen diese Aetzbehandlung, wodurch die Nitridschicht nur zwischen diesen Elektroden entfernt werden wird. Ausserdem kann die Nitridschicht zugleich an der Stelle des Eingangs und/oder des Ausgangs der herzustellenden Vorrichtung entfernt werden, so dass es in einer späteren Herstellungsstufe nicht erforderlich ist, Kontaktlöcher in' der Nitridschicht anzubringen, wodurch die Herstellung der Vorrichtung erheblich vereinfacht wird.During the production of an inventive The device can, after oxidation of the electrodes of the lower conductor layer, the second partial layer (the Nitride layer) an etching treatment without additional Photo masking step are subjected to »The electrodes of the lower conductor layer and the oxide layer grown on these electrodes mask the underlying Nitride against this etching treatment, whereby the nitride layer is only removed between these electrodes will. In addition, the nitride layer can be produced at the same time at the point of the entrance and / or the exit of the Device removed so that it is not necessary in a later stage of manufacture To attach contact holes in 'the nitride layer, which considerably simplifies the manufacture of the device will.
Weitere Vorteile der Erfindung werden in der nachstehenden Figurbeschreibung näher auseinandergesetzt. Further advantages of the invention are explained in more detail in the following description of the figures.
Eine bevorzugte Ausführungsform einer Ladungs-Ubert'ragungsvorrichtung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden der oberen Leiter-schicht, durch die Oeffnungen in der zweiten Teilschicht, auf der ersten Teilschicht der Isolierschicht angebracht sind,A preferred embodiment of a charge transfer device according to the invention is characterized in that the electrodes of the upper conductor layer, through the openings in the second partial layer, attached to the first partial layer of the insulating layer are,
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• 9.9.75. - 9 - • 9.9.75. - 9 -
Durch örtliche Entfernung der Nitridschicht kann die Isolierschicht unter den Elektroden der oberen Leiterschicht in bestimmten Ausführungen einer Ladungstibertragungsvorrichtung nach der Erfindung dünner als unter den Elektroden der unteren Verdrahtungsschicht sein. In vielen Fällen braucht dies jedoch nicht störend zu sein, weil die Dicke der zweiten Teilschicht (Nitridschicht) im allgemeinen klein in bezug auf die erste Teilschicht (Oxidschicht) der Isolierschicht ist.By local removal of the nitride layer, the insulating layer under the electrodes of the upper Conductor layer in certain embodiments of a charge transfer device according to the invention thinner than under the electrodes of the lower wiring layer. In many cases, however, this does not need to be bothersome because the thickness of the second partial layer (nitride layer) is generally small in relation to the first Partial layer (oxide layer) of the insulating layer is.
Der genannte Unterschied kann aber auf einfache Weise dadurch ausgeglichen werden, dass die Vorrichtung nach örtlicher Entfernung der Nitridschicht (der zweiten Teilschicht) einer Oxidationsbehandlung unterworfen wird. An den Stellen der Oeffnungen in der zweiten Teilschicht kann der Körper weiter oxidieren, wodurch an diesen Stellen die Isolierschicht dicker werden kann, während infolge der gegen Oxidation maskierenden Wirkung der zweiten Teilschicht der Halbleiterkörper unter den Elektroden der unteren Leiterschicht nicht weiter oxidiert. Daher ist eine weitere bevorzugte AusfÜhrungsform einer Ladungsübertragungsvorrichtung nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die erste Teilschicht der Isolierschicht durch eine Oxidschicht gebildet wird, die an den Stellen der Oeffnungen in der zweiten Teilschicht unter den Elektroden derThe mentioned difference can be compensated for in a simple way that the Device after local removal of the nitride layer (the second partial layer) of an oxidation treatment is subjected. The body can oxidize further at the points of the openings in the second partial layer, whereby the insulating layer can become thicker at these points, while as a result of the masking against oxidation Effect of the second partial layer of the semiconductor body under the electrodes of the lower conductor layer not further oxidized. Therefore, a further preferred embodiment is a charge transfer device according to the invention characterized in that the first partial layer of the insulating layer by an oxide layer is formed, which is at the points of the openings in the second partial layer under the electrodes of the
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oberen Leiterschicht eine grb'ssere Dicke als unter den Elektroden der unteren Leiterschicht aufweist.the upper conductor layer is thicker than that under the Has electrodes of the lower conductor layer.
Die zu bildende Oxidschicht unter denThe oxide layer to be formed under the
Oeffnungen in der zweiten Teilschicht ist meist sehr dünn — in praktischen Ausführungen nicht mehr als einige Hundert AE dick - insbesondere in bezug auf die Oxidschicht die auf den Elektroden der unteren Leiterschicht angebracht wird» Der zusätzliche Oxidationsschritt, der zum Anwachsen dieser dünnen Oxidschicht erforderlich ist, kann daher kurz dauern oder bei verhältnismässig niedriger Temperatur stattfinden und gegebenenfalls mit einer oder mehreren weiteren Temperaturbehandlungen, wie z,B, Gettern, kombiniert werden.Openings in the second partial layer are usually very large thin - in practical versions not more than a few hundred AU thick - especially with regard to the oxide layer which are attached to the electrodes of the lower conductor layer becomes »The additional oxidation step required to grow this thin oxide layer can therefore last a short time or take place at a relatively low temperature and possibly with a or several further temperature treatments, such as, for example, gettering, can be combined.
Die Dielektrizitätskonstanten der zwei Teil~ schichten werden im allgemeinen verschieden sein. Moist wird die Dielektrizitätskonstante der zweiten gegen Oxidation maskierenden Teilschicht grosser als die der Oxidschicht sein. Eine weitere bevorzugte Ausführungs— form einer Ladungsübertragungsvorrichtung nach der Erfindungj in der dieser Unterschied wenigstens teilweise ausgeglichen ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Isolierschicht an den Stellen der Oeffnungen+" in der zweiten Teilschicht unter den Elektroden der oberen Leiterschicht praktisch gleich und vorzugsweise kleiner als die Gesamtdicke der Isolierschicht unter denThe dielectric constants of the two sub-layers will generally be different. Moist the dielectric constant of the second partial layer masking against oxidation is greater than that of the Be oxide layer. Another preferred embodiment form of a charge transfer device according to the invention in which this difference is at least partially is balanced, is characterized in that the thickness of the insulating layer at the points of the openings + " in the second partial layer under the electrodes of the upper conductor layer practically the same and preferably smaller than the total thickness of the insulating layer under the
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Elektroden der unteren Leiterschicht ist«.Electrodes of the lower conductor layer is «.
Obschon auch andere Materialien verwendetAlthough other materials are also used
werden können, besteht der Halbleiterkörper vorzugsweise aus Silizium und die den Körper gegen Oxidation maskierende zweite Teilschicht der Isolierschicht aus Siliziumnitrid, Die Elektroden der unteren Leiterschicht, die aus einem oxidierbaren Material bestehen sollen, sind vorzugsweise aus Silizium hergestellt, das meist in polykristalliner Form auf der zweiten Teilschicht niedergeschlagen und mit einer geeigneten Verunreinigung zur herabsetzung des Widerstands dotiert ist.can be, the semiconductor body is preferably made of silicon and that masking the body against oxidation second partial layer of the insulating layer made of silicon nitride, the electrodes of the lower conductor layer, which consists of a oxidizable material should be made, are preferably made of silicon, usually in polycrystalline Form deposited on the second partial layer and with a suitable impurity to reduce the Resistance is doped.
Die Erfindung bietet grosse Vorteile inThe invention offers great advantages in
jedem Typ Ladungsübertragungsvorrichtungen« Eine bevorzugte Ausführungsform einer Ladungsübertragungsvorrichtung nach der Erfindung, die, wie Versuche ergeben haben, besonders günstige elektrische Eigenschaften aufweist, ist aber dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zu dem Typ ladungsgekoppelter Anordnungen gehört, in denen der Ladungstransport wenigstens im wesentlichen über das Innere das Halbleiterkörpers erfolgt, wobei Mittel zur Isolierung der Halbleiterschicht gegen ihre Umgebung vorgesehen sind, und wobei die Halbleiterschicht eine Dicke und eine Dotierungskonzentration aujCweist, bei denen mit Hilfe eines elektrischen Feldes über die ganze Dicke der Halbleiterschicht unter Vermeidung vonany type of charge transfer device «a preferred one Embodiment of a charge transfer device according to the invention which, as tests have shown, has particularly favorable electrical properties, but is characterized in that the device belongs to the type of charge coupled device in which the charge transport is at least substantially takes place via the interior of the semiconductor body, means for isolating the semiconductor layer from its Environment are provided, and wherein the semiconductor layer has a thickness and a doping concentration, in those with the help of an electric field over the entire thickness of the semiconductor layer while avoiding
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Durchschlag eine Erschöpfungszone erhalten werden kann,Breakthrough a zone of exhaustion can be obtained,
Ausserdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer Ladungstibertragungs-•anordnung mit einem Halbleiterkörper mit einem auf einer Oberfläche angebrachten Elektrodensystem zur kapazitiven Erzeugung elektrischer Felder in dem Körper, mit deren Hilfe elektrische Ladung durch den Körper hindurch transportiert werden kann, wobei dieses Elektrodensystem eine Reihe durch eine Isolierschicht gegen die Oberfläche des Körpers isolierter Elektroden enthält, die abwechselnd zu einer ersten, nachstehend als untere Leiterschicht bezeichneten und zu einer zweiten, nachstehend als obere Leiterschicht bezeichneten leiterschicht gehören, wobei sich jede Elektrode der oberen Leiterschicht bis oberhalb einer benachbarten Elektrode der unteren Leiterschicht erstreckt und von dieser durch eine zwischenliegende Isolierschicht getrennt ist. Nach der Erfindung ist ein derartiges Verfahren dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht, die die Elektroden gegen die Oberfläche des Halbleiterkörpers isoliert, in Form einer Doppelschicht angebracht wird, die eine erste an die Oberfläche des Körpers grenzende Teilschicht und eine darauf angebrachte zweite Teilschicht aus einem von dem der ersten Teilschicht verschiedenen und den Halbleiterkörper gegen Oxidation maskierenden Material enthält, und dassThe invention also relates to a method for producing a charge transfer arrangement with a semiconductor body with an electrode system attached to a surface for capacitive Generation of electric fields in the body, with the help of which electric charge passes through the body can be transported, with this electrode system a number through an insulating layer against the surface of the body contains insulated electrodes, which alternate with a first, hereinafter referred to as the lower conductor layer and belong to a second conductive layer, hereinafter referred to as the upper conductive layer, wherein Each electrode of the upper conductor layer extends to above an adjacent electrode of the lower conductor layer extends and from this through an intermediate Isolation layer is separated. According to the invention, such a method is characterized in that the Insulating layer that insulates the electrodes from the surface of the semiconductor body, in the form of a double layer is attached, a first sub-layer adjoining the surface of the body and one on top attached second sublayer of a different from that of the first sublayer and the semiconductor body contains material masking against oxidation, and that
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nach Anbringung der zu der unteren ^eiterschicht gehörigen Elektroden diese Elektroden einer Oxidationsbehandlung unterworfen werden, um die genannte zwischenliegende Isolierschicht zu erhalten, wobei die zweite Teilschicht während dieser Oxidationsbehandlung das unterliegende Material des Halbleiterkörpers gegen Oxidation maskiert, während nach der Oxidationsbehandlung die zweite Teilschicht einer Aetzbehandlung unterworfen wird, wodurch die zweite Teilschicht örtlich entfernt wird, wobei die Elektroden der unteren 'Leiterschicht mit der darauf gebildeten Oxidschicht als Aetzmaske wirken, und wobei nach dieser Aetzbehandlung die Elektroden der oberen Leiterschicht angebracht werden, die wenigstens im wesentlichen nur durch die erste Teilschicht der Isolierschicht von d- Oberfläche des Halbleiterkörpers getrennt sind* Durch Anwendung eines derartigen Verfahrens können die oben bereits beschriebenen Nachteile wenigstens grösstenteils vermieden.werdaa.after attaching those belonging to the lower suppurative layer Electrodes these electrodes are subjected to an oxidation treatment to form the intermediate To obtain insulating layer, the second sub-layer during this oxidation treatment underlying material of the semiconductor body masked against oxidation while after the oxidation treatment the second partial layer is subjected to an etching treatment, whereby the second partial layer is locally removed, wherein the electrodes of the lower 'conductor layer with the oxide layer formed thereon act as an etching mask, and after this etching treatment the electrodes of the upper conductor layer are attached, which is at least substantially only through the first partial layer of the Insulating layer are separated from the d-surface of the semiconductor body * By using such a method can at least for the most part avoid the disadvantages already described above.werdaa.
Eine besondere bevorzugte Ausführungsform eines Verfahrens nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass nach der Oxidationsbehandlung der Elektroden der unteren Leiterschicht zum Erzeugen der genannten zwischenliegenden Isolierschicht der Halbleiterkörper einer Getterbehandlung unterworfen wird, zu welchem Zweck der Halbleiterkörper wenigstens an seinenA particularly preferred embodiment of a method according to the invention is characterized in that that after the oxidation treatment of the electrodes of the lower conductor layer to produce said intermediate insulating layer of the semiconductor body is subjected to a getter treatment which purpose the semiconductor body at least at its
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Hauptflächen mit einer mit Verunreinigungen dotierten getternden Oxidschicht überzogen wird, die von der genannten Oberfläche durch eine Abschirmungsschicht getrennt ist, die aus dem gleichen Material wie die genannte zweite Teilschicht besteht und die von der genannten Aetzbehandlung oberhalb der Elektroden der unteren Leiterschicht und der zweiten Teilschicht angebracht ist und während der Aetzbehandlung, bei der die zweite Teilschicht der Isolierschicht örtlich entfernt wird, wieder völlig entfernt wird.Main surfaces are coated with a gettering oxide layer doped with impurities, which is covered by the called surface by a shielding layer is separated, which consists of the same material as said second sub-layer and which is from the mentioned etching treatment above the electrodes of the lower conductor layer and the second partial layer is and during the etching treatment, in which the second partial layer of the insulating layer is locally removed, is completely removed again.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:Some embodiments of the invention are shown in the drawing and are described in more detail below. Show it:
Pig. 1 einen Schnitt durch einen Teil einer Ladungsübertragungsv«—'richtung nach der Erfindung,Pig. 1 shows a section through part of a charge transfer device according to the invention,
Fig. 2 bis 6 Schnitte durch die Vorrichtung nach Fig. 1 während einer Anzahl Stufen in deren Herstellung» Fig. 2 to 6 sections through the device according to Fig. 1 during a number of stages in its manufacture.
Fig. 7 einen Schnitt durch einen Teil einer weiteren jLadungsübertragungsvorrichtung nach der Erfindung, und7 is a section through part of a further charge transfer device according to FIG Invention, and
Fig. 8 und 9 Schnitte durch die Vorrichtung nach. Fig, 7 während verschiedener Herstellungsstufen.8 and 9 show sections through the device. 7 during different manufacturing stages.
Es sei bemerkt, dass die Figuren nur schematisch sind und der Detitlichkeit halber nicht masstäblich gezeichnet sind.It should be noted that the figures only are schematic and are not drawn to scale for the sake of clarity.
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c 77^7. 9.9.75.c 77 ^ 7. 9.9.75.
Fig# 1 zeigt einen Schnitt parallel zu der Ladungstransportrichtung durch einen Teil einer Ladungsübertragungsvorrichtung nach der Erfindung.Figure # 1 shows a section parallel to the direction of charge transport through part of a charge transfer device according to the invention.
Die Vorrichtung enthält einen Halbleiterkörper aus Silizium 1 mit einer an die Oberfläche 2 grenzenden η-leitenden Halbleiterschicht 31 die sich, falls der Ladungstransport längs der Oberfläche 2 stattfindet, über den ganzen Körper 1 erstrecken kann, aber die im vorliegenden Falle, in dem die Ladung durch die Masse des Körpers hindurchtransportiert wird, nur durch eine Oberflächenschicht des Körpers gebildet wird, die über einen pn-Uebergang h in einen p-leitenden Teil oder Substrat 5 übergeht»The device contains a semiconductor body made of silicon 1 with an η-conductive semiconductor layer 31 adjoining the surface 2, which, if the charge transport takes place along the surface 2, can extend over the entire body 1, but in the present case, in which the charge is transported through the mass of the body, is only formed by a surface layer of the body which merges into a p-conductive part or substrate 5 via a pn junction h »
Die Halbleiterschicht 3 ist mit einem elektrischen Eingang versehen, der den Kontakt 6 und die Kontaktzone 7 enthält, die den gleichen Leitfähigkeit styp wie und eine höhere Dotierung als die Schicht 3 aufweist. Es leuchtet ein, dass statt über den elektrischen Eingangskontakt 6, 7 die Information auch auf andere Weise, z.B. durch Absorption elektromagnetischer Strahlung in der Halbleiterschicht, eingeführt.werden kann. Die Halbleiterschicht 3 ist ferner mit Mitteln versehen, mit deren Hilfe diese Information anderswo in der Schicht ausgelesen werden kann und die schematisch durch dei? Ausgangskontakt 8 dargestellt sind, derThe semiconductor layer 3 is provided with an electrical input, the contact 6 and the contact zone 7 contains the same conductivity type as and a higher doping than the layer 3 having. It is clear that the information also appears instead of via the electrical input contact 6, 7 in another way, e.g. by absorption of electromagnetic radiation in the semiconductor layer can. The semiconductor layer 3 is also provided with means provided, with the help of which this information can be read out elsewhere in the layer and the schematic through dei? Output contact 8 are shown, the
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9.9.75. - 16 -9.9.75. - 16 -
über die hochdotierte η-leitende Kontaktzone 9 mit der Schicht 3 kontaktiert ist.Via the highly doped η-conductive contact zone 9 with the Layer 3 is contacted.
Auf der Oberfläche 2 ist ein Elektrodensystem zur kapazitiven Erzeugung elektrischer Felder in der Schicht 3 vorhanden, mit deren Hilfe die Ladung durch die Halbleiterschicht 3 in einer zu der Schicht parallelen Richtung von dem Eingang 6, 7 zu dem Ausgang 8, 9 transportiert werden kann. Die Vorrichtung kann dabei als eine Zweiphasen- (Vierphasen)- oder als eine Dreiphasen-Ladungsübertragungsvorrichtung betrieben werden. In Abhängigkeit davon können die zu dem Elektrodensystem gehörigen Elektroden 10, 11 miteinander über zwei oder drei (in Pig, 1 weiter nicht dargestellte) Taktleitungen zum; Anlegen von Takt spannungen verbunden sein. Das Elektrodensystem enthält eine Reihe von Elektroden 10, 11, die durch eine Isolierschicht 12, 13 gegen die Oberfläche des Körpers 1 isoliert sind. Die Elektroden 10, 11 gehören abwechselnd zu einer ersten (weiter als untere Leiterschicht bezeichneten) Leiterschicht und zu einer zweiten (weiter als obere Leiterschicht bezeichneten) Leiter- oder Metallisierungsschicht, wobei die Elektroden der unteren Leiterschicht mit 10 und die Elektroden der oberen Leiterschicht mit 11 bezeichnet sind» Die Elektroden 11 der oberen Leiterschicht erstrecken sich je, wie aus Pig, 1 hervorgeht, bis oberhalb der benachbartenOn the surface 2 is an electrode system for the capacitive generation of electrical fields the layer 3 is present, with the help of which the charge passes through the semiconductor layer 3 in a parallel to the layer Direction from the entrance 6, 7 to the exit 8, 9 can be transported. The device can be used as a two-phase (four-phase) or as a three-phase charge transfer device operate. Depending on this, they can be assigned to the electrode system associated electrodes 10, 11 with one another via two or three clock lines (not shown in Pig, 1 further) to the; Applying clock voltages be connected. The electrode system contains a series of electrodes 10, 11, which are protected by an insulating layer 12, 13 against the surface of the body 1 are isolated. The electrodes 10, 11 alternately belong to a first (further than lower Conductor layer (referred to as the conductor layer) and to a second (further referred to as the upper conductor layer) Conductor or metallization layer, the electrodes of the lower conductor layer with 10 and the electrodes of the The upper conductor layer is denoted by 11 »The electrodes 11 of the upper conductor layer extend each, as can be seen from Pig, 1, to above the neighboring one
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Elektroden 10 der unteren Leiterschicht und sind von diesen Elektroden durch eine zwischenliegende Oxidschicht 14 getrennt, die durch teilweise Oxidation der Elektroden 10 erhalten ist. Durch Anwendung eines derartigen Elektrodensystems kann der Einfluss der endlichen Abstände zwischen den Elektroden auf z.B, den Transportgrad der Vorrichtung erheblich verringert werden,Electrodes 10 of the lower conductor layer and are from these electrodes are separated by an intermediate oxide layer 14, which is caused by partial oxidation of electrodes 10 is obtained. By using such an electrode system, the influence of the finite The distances between the electrodes can be reduced considerably, e.g. the degree of transport of the device,
Nach der Erfindung enthält die Isolierschicht 12, 13, die die Elektroden 10, 11 gegen die Oberfläche 2 des Körpers 1 isoliert, zwei Teilschichten aus verschiedenen Materialien, die mit 12 bzw. 13 bezeichnet sind» Die erste Teilschicht 12 grenzt an die Oberfläche 2 des Körpers 1 und erstreckt sich sowohl unter den Elektroden 10 der unteren Leiterschicht als auch unter den Elektroden 11 der oberen Leiterschicht, Diese Teilschicht wird durch eine Siliziumoxidschicht gebildet, die im vorliegenden Beispiel durch Umwandlung von Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers 1 durch Oxidation erhalten ist. Auf der Oxidschicht 12 ist eine zweite Teilschicht 13 angebrächt, die sich nicht, wie die Teilschicht 12, unter allen Elektroden erstreckt, sondern Oeffnungen 15 (siehe auch Fig. 5 und 6) unter ' den Elektroden 11 der oberen Leiterschicht aufweist. Die Teilschicht 13 besteht aus einem Material, das das unterliegende Halbleitermaterial des Körpers gegen According to the invention, the insulating layer 12, 13, which insulates the electrodes 10, 11 from the surface 2 of the body 1, contains two sub-layers made of different materials, which are designated 12 and 13, respectively. The first sub-layer 12 adjoins the surface 2 of the Body 1 and extends both under the electrodes 10 of the lower conductor layer and under the electrodes 11 of the upper conductor layer. This partial layer is formed by a silicon oxide layer, which in the present example is obtained by converting the semiconductor material of the semiconductor body 1 by oxidation. A second partial layer 13 is attached to the oxide layer 12, which, like the partial layer 12, does not extend under all electrodes, but has openings 15 (see also FIGS. 5 and 6) under the electrodes 11 of the upper conductor layer. The partial layer 13 consists of a material that opposes the underlying semiconductor material of the body
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PIIN. 77^7. 9.9.75.PIIN. 77 ^ 7. 9.9.75.
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Oxidation maskiert und selektiv in bezug auf das Siliziumoxid der ersten Teilschicht 12 ätzbar ist» Obgleich naturgemäss auch andere Materialien zu diesem Zweck geeignet sind, ist Siliziumnitrid ein Material, das besonders vorteilhaft für die zweite Teilschicht 13 verwendet werden kann.Oxidation is masked and selectively etchable with respect to the silicon oxide of the first partial layer 12 »Although naturally other materials are also suitable for this purpose are, silicon nitride is a material that is used particularly advantageously for the second partial layer 13 can be.
Eine Vorrichtung nach Fig, 1 gemäss derA device according to FIG. 1 according to FIG
vorliegenden Erfindung weist u.a. den grossen Vorteil auf, dass, wie aus Nachstehendem noch hervorgehen wird, ihre Herstellung trotz des Vorhandenseins der Siliziumnitrid— schicht einfach ist, ■·The present invention has, inter alia, the great advantage that, as will become apparent from the following, its Manufacture despite the presence of silicon nitride- shift is simple, ■ ·
Wie weiter aus Fig. 1 ersichtlich ist, sind die Elektroden 11 der oberen Leiterschicht durch die Oeffnungen in der zweiten Teilschicht 13 direkt auf der ersten Teilschicht 12 der isolierenden Schicht 12, 13 angebracht·As can also be seen from Fig. 1, the electrodes 11 of the upper conductor layer are through the Openings in the second partial layer 13 directly on the first partial layer 12 of the insulating layer 12, 13 appropriate·
Die Elektroden 10 der unteren Leiterschicht, die aus einem oxidierbaren Material bestehen, werden durch: Schichten aus Silizium gebildet, das in polykristalliner Form auf der zweiten Teilschicht 13 aus Siliziumnitrid niedergeschlagen ist. Die Elektroden 11 der oberen Leiterschicht bestehen aus Aluminium, aber können natürlich auch aus anderen geeigneten Materialien, z.B. Silizium, bestehen.The electrodes 10 of the lower conductor layer, which consist of an oxidizable material, are by: layers of silicon formed in polycrystalline Form is deposited on the second partial layer 13 made of silicon nitride. The electrodes 11 of the upper conductor layer are made of aluminum, but can naturally also consist of other suitable materials, e.g. silicon.
Wie bereits bemerkt wurde, gehört die AnordnungAs noted earlier, the arrangement belongs
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PHN.77^7. ■ >*·" , 9.9.75.PHN.77 ^ 7. ■> * · ", 9.9.75.
nach Fig» 1 zu der Klasse ladungsgekoppelter Anordnungen, in denen der Ladungstransport wenigstens im wesentlichen über das Innere des Halbleiterkörpers stattfindet. Zu diesem Zweck sind Mittel vorgesehen, mit deren Hilfe die Halbleiterschicht 3 - wenigstens beim Betrieb - gegen ihre Umgebung isoliert wird» Zu diesen Mitteln gehören u»a, der pn-Uebergang h auf der Unterseite der Schicht 3» der beim Betrieb in der Sperrrichtung vorgespannt werden kann, und die p-leitende Isoliersone 16, die, auf die Oberfläche 2 gesehen» die Schicht 3 völlig umschliesst. Die Isolierzone 16, die sich gegebenenfalls über die ganze Dicke der Schicht 3 erstrecken kann, erstreckt sich hier nur über einen Teil dieser Dicke, Indem an die Isolierzone 16 eine genügend niedrige Spannung angelegt wird, kann die Inselrlsolierung mit Hilfe eines elektrischen Feldes vervollständigt werden, das sich unter der Isolierzone 16 in dem Körper 1 erstreckt.according to FIG. 1 to the class of charge-coupled arrangements in which the charge transport takes place at least essentially via the interior of the semiconductor body. For this purpose means are provided, by means of which the semiconductor layer 3 - at least during operation - is isolated from their surroundings "Among these agents u» a, the pn junction h on the underside of the layer 3 "of the operation in the reverse direction Can be biased, and the p-conducting insulating body 16, which, viewed on the surface 2, »completely encloses the layer 3. The insulating zone 16, which can optionally extend over the entire thickness of the layer 3, extends here only over part of this thickness. By applying a sufficiently low voltage to the insulating zone 16, the island insulation can be completed with the aid of an electric field, which extends below the isolation zone 16 in the body 1.
Die Dicke und die Dotierungskonzentration in der Halbleiterschicht 3 sind derart gering gewählt, dass mit Hilfe eines elektrischen Feldes über die ganze Dicke der Halbleiterschicht eine Erschöpfungszone unter Vermeidung von Durchschlag erhalten werden kann,♦ In der erschöpften Halbleiterschicht 3 können dann Potentialminima gebildet werden, wodurch Majoritätsladungsträger in einem endlichen Abstand von der The thickness and the doping concentration in the semiconductor layer 3 are selected to be so small that that with the help of an electric field over the entire thickness of the semiconductor layer a zone of exhaustion can be obtained while avoiding breakdown, ♦ In the exhausted semiconductor layer 3 can then Potential minima are formed, whereby majority charge carriers are at a finite distance from the
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Oberfläche 2 gespeichert land transportiert werden können. Eine derartige dünne hochohmige Schicht kann, wie im hier beschriebenen Beispiel, durch eine epitaktische Schicht gebildet werden, die auf dem Substrat 5 angewachsen ist, aber kann z.B. auch durch Umdotierung einer verhältnismässig dünnen Oberflächenschicht des Substrats mit Hilfe von z,B, Ionenimplantation erzeugt werden. ' Die Herstellung der Anordnung nach Pig, 1Surface 2 stored land can be transported. Such a thin, high-resistance layer can, as in the example described here, be replaced by an epitaxial layer Layer are formed, which has grown on the substrate 5, but can also be done, for example, by redoping a relatively thin surface layer of the substrate can be generated with the help of, for example, ion implantation. ' The production of the arrangement according to Pig, 1
wird nun auch an Hand der Fig. 2 bis 6 näher beschrieben. Es wird von dem p—leitenden Siliziumsubstrat 5 ausgegangen, das einen spezifischen Widerstand von vorzugsweise mehr als 10 n.om und eine Dicke von etwa 250 /um aufweist. Die übrigen Abmessungen sind nicht kritisch und werden als für die herzustellende Anordnung genügend gross angenommen. Auf dem ^nbstrat 5 wird mittels eines Epitaxie-Vorgangs eine η-leitende epitaktische Schicht 17 mit einer Dicke von z.B. 5/um und einer Dotierungskonzentrationwill now be described in more detail with reference to FIGS. The starting point is the p-conducting silicon substrate 5, which has a specific resistance of preferably more than 10 n.om and a thickness of about 250 / µm. The remaining dimensions are not critical and will be assumed to be sufficiently large for the arrangement to be produced. On the ^ nbstrat 5 is made by means of an epitaxy process an η-type epitaxial layer 17 having a thickness of, for example, 5 µm and a doping concentration
•jZj. /3
von etwa 6 · 10 Atomen/cm angewachsen. • jZj. / 3
of about 6 x 10 6 atoms / cm.
Auf übliche Weise und mit Hilfe bekannter Diffusions- und Ionenimplantationstechniken können die p-leitende Isolierzone 16, die η-leitenden Kontaktzonen 7 und 9 und etwaige weitere Zonen weiterer Schaltungselemente in der epitaktischen Schicht 17 angebracht werden, wonach die Oberfläche 2 mit der Oxidschicht 12 versehen wird, die durch thermische Oxidation an der OberflächeIn a conventional manner and with the aid of known diffusion and ion implantation techniques, the p-conducting insulating zone 16, the η-conducting contact zones 7 and 9 and any further zones of further circuit elements are applied in the epitaxial layer 17, after which the surface 2 is provided with the oxide layer 12 by thermal oxidation on the surface
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PIIN. 77^7. 9.9.75.PIIN. 77 ^ 7. 9.9.75.
des Halbleiterkörpers erzeugt wird. Die Dicke der Siliziumoxidschicht beträgt etwa 800 A*.of the semiconductor body is generated. The thickness of the Silicon oxide layer is about 800 A *.
Zum Schützen der Oxidschicht 12 vor u.a.To protect the oxide layer 12 from i.a.
weiteren Oxidationsbehandlungen wird auf der Oxidschicht mittels Ablagerung aus der Gasphase die Siliziumnitridschicht 13 mit einer Dicke von etwa 350 A niedergeschlagen. Fig. 2 zeigt die Anordnung in dieser Stufe der Herstellung,Further oxidation treatments, the silicon nitride layer 13 is deposited with a thickness of about 350 Å on the oxide layer by means of deposition from the gas phase. Fig. 2 shows the arrangement at this stage of manufacture,
Dann werden (siehe Fig. 3) die Elektroden der unteren Leiterschicht auf der Nitridschicht 13 durch Niederschlagen einer polykristallinen Siliziumschicht angebracht, die örtlich wieder durch Aetzen entfernt wird, wodurch die Elektroden 10 und etwaige weitere Verbindungen auf der Nitridschicht 13 erhalten werden, Die Dicke der Elektroden 10 beträgt z.B. etwa 0,6 /um. Das Material der Elektroden 10 kann weiter eine geeignete Verunreinigung, z.B. Bor oder Phosphor, in einer genügend hohen Konzentration zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes enthalten.Then (see FIG. 3), the electrodes of the lower conductor layer on the nitride layer 13 attached by depositing a polycrystalline silicon layer, which is locally reapplied by etching is removed, whereby the electrodes 10 and any further connections on the nitride layer 13 are obtained The thickness of the electrodes 10 is, for example, about 0.6 µm. The material of the electrodes 10 can further include suitable impurity, e.g. boron or phosphorus, in a concentration high enough to reduce the resistivity included.
Durch Erhitzung auf etwa 1000°C in einemBy heating to around 1000 ° C in one
oxidierenden Milieu können dann die Siliziumelektroden zum Erhalten der Siliziumoxidschichten 14 (siehe Fig. h) oxidiert werden, die die Elektroden 10 gegen die später anzubringenden Elektroden 11 der oberen Leiterschicht isolieren werden. Die Dicke der Oxidschichten 14 wird mindestens derart gross gewählt, dass bei den an dieIn an oxidizing environment, the silicon electrodes can then be oxidized to obtain the silicon oxide layers 14 (see FIG. h) , which will insulate the electrodes 10 from the electrodes 11 of the upper conductor layer to be applied later. The thickness of the oxide layers 14 is selected to be at least large enough that the
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PHN.77^7. 9.9«75.PHN.77 ^ 7. 9.9 «75.
Elektroden 10, 11 an zulegenden. Takt spannungen Durchschlag zwischen den Elektroden vermieden wird. Ein spezifischer ¥er,t für diese Dicke ist etwa 0,3 /um.Electrodes 10, 11 to be added. Clock voltages breakdown between the electrodes is avoided. A specific ¥ er, t for this thickness is about 0.3 / µm.
Es sei bemerkt ι dass sich während dieser Oxidationsbehandlung die Oxidschicht 12 auf der Obersfläche 2 des Halbleiterkörpers insbesonder in bezug auf die Dicke infolge des Vorhandenseins der gegen Oxidation maskierenden" Nitridschicht 13 praktisch nicht ändert.It should be noted that during this oxidation treatment, the oxide layer 12 on the upper surface 2 of the semiconductor body, in particular with respect to the thickness practically does not change due to the presence of the "nitride layer 13 which is masking against oxidation".
Nach der Oxidationsbehandlung wird dieAfter the oxidation treatment, the
Siliziwnnitridschicht 13 einer selektiven Aetzbehandlung in einer wasserhaltigen Phosphorsäurelösung bei etwa 1800C unterworfen, wobei das Siliziumoxid nicht oder wenigstens praktisch nicht angegriffen wird, und wobei die Nitridschicht oberhalb der zu kontaktierenden Zonen 7» 9 und 16 und zwischen.den Elektroden 10 entfernt wird. Infolge dieser Aetzbehandlung - die ohne die üblichen Photo-Jftaskierungsbearbeitungen durchgeführt werden kann - entstehen zwischen den Elektroden 10 Oeffnungen 15 in der Nitridschicht (siehe Fig. 5).Siliziwnnitridschicht subjected at about 180 0 C 13 to a selective etching treatment in an aqueous solution of phosphoric acid, wherein the silicon oxide is not practically not attacked or at least, and wherein the nitride layer 10 is removed above the to be contacted zones 7 »9 and 16 and zwischen.den electrodes. As a result of this etching treatment - which can be carried out without the usual photo masking processing - openings 15 are created in the nitride layer between the electrodes 10 (see FIG. 5).
In der erhaltenen Struktur können dann Kontakt· fenster in der Isolierschicht 12 zum Kontaktieren der Isolierzonen. 16 und zum Anbringen der Ein- und Ausgangskontakte, an den Stellen der Kontaktzonen 7 und 9 angebracht werden. Infolge der örtlichen Entfernung der Nitridschicht 13 ist es nur erforderlich, die Kontakt-In the structure obtained, contact windows can then be made in the insulating layer 12 for contacting the Isolation zones. 16 and for attaching the input and output contacts, attached at the points of contact zones 7 and 9 will. As a result of the local removal of the nitride layer 13, it is only necessary to make the contact
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PHIi. 77^7. 9.9.75.PHIi. 77 ^ 7. 9.9.75.
fenster 18 in der Oxidschicht 12 anzubringen, wodurch Probleme, die sich beim Anbringen von Kontaktfenstern in einer Nitridschicht ergeben, vermieden werden können. Auf den Oxidschichten 12 und "\k kann, wie üblich, einfach eine aus einer Photolackschicht bestehende Aetzmaske angebracht werden, wonach in einem geeigneten Aetzbad die Fenster 18 in die Oxidschicht 12 zugleich mit nicht dargestellten Kontaktfenstern in die Oxidschicht lh geätzt werden, wonach die Photolackschicht wieder entfernt werden kann. Fig. 6 zeigt die Vorrichtung in dieser Stufe der Herstellung. .To attach window 18 in the oxide layer 12, whereby problems that arise when attaching contact windows in a nitride layer can be avoided. On the oxide layers 12 and "\ k , as usual, an etching mask consisting of a photoresist layer can simply be applied, after which the windows 18 in the oxide layer 12 are etched in a suitable etching bath at the same time with contact windows (not shown) in the oxide layer 1h , after which the photoresist layer Fig. 6 shows the device at this stage of manufacture.
- Die Kontakte 6 und 8 des Eingangs bzw. des- Contacts 6 and 8 of the input and the
Ausgangs der Vorrichtung und die Kontakte 19 der Isolierzonen 16 können zugleich mit den Elektroden 11 der oberen Leiterschicht durch Niederschlagen einer Aluminiumschicht angebracht werden, in der auf übliche Weise durch Aetzen die Elektroden 11 und die notwendigen Leiterbahnen gebildet werden können.Output of the device and the contacts 19 of the isolation zones 16 can simultaneously with the electrodes 11 of the upper conductor layer by depositing an aluminum layer be attached in the usual way by etching the electrodes 11 and the necessary conductor tracks can be formed.
Nach dem Attζen können die Kontakte 7t 9 und 19 weiter dadurch einlegiert werden, dass die Vorrichtung auf z.B. etwa 45O0C in einem Milieu erhitzt wird, dem z.B. H2 zugesetzt ist, um Oberflächenzustände an der Grenzfläche zwischen der Oberfläche 2 des Halbleiterkörpers 1 und der Oxidschicht 12 herabzusetzen. Es sei dabei bemerkt, dass sich eine derartige Nacherhitzungs·After Attζen the contacts can be 7t 9 and 19 further alloyed characterized in that the device to, for example, is heated about 45O 0 C in an environment which, for example H is added 2 to surface states at the interface between the surface 2 of the semiconductor body 1 and the oxide layer 12 to reduce. It should be noted that such post-heating
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9.9.75.9.9.75.
behandlung im allgemeinen als besonders effektiv erwiesen hat im Vergleich zu Strukturen, in denen sich die Nitridschicht 13 über die ganze Oberfläche 2 erstreckt und nicht mit den örtlichen Oeffnungen 15 versehen ist, was ebenfalls als ein wichtiger Vorteil der Erfindung zu betrachten iste Treatment has generally proven to be particularly effective compared to structures in which the nitride layer 13 extends over the entire surface 2 and is not provided with the local openings 15, which is also to be regarded as an important advantage of the invention e
Die Oxidschicht 12 in der Ladungsübertragungsvorrichtung nach Fig. 1 weist eine gleichmässige Dicke auf. Dadurch ist die Gesamtdicke des Dielektrikums unter den Elektroden 10 der unteren Leiterschicht etwas grosser durch das Vorhandensein der Nitridschicht 13 als unter den Elektroden 11 der oberen Leiterschicht» Dieser Unterschied ist in vielen Fällen unbedenklich, umso mehr als die Dicke der Nitridschicht 13 im Vergleich zu der der unterliegenden Oxidschicht 12 gering ist. Die Erfindung bietet jedoch weiter den Vorteil, dass dieser Unterschied in einer Vorrichtung nach der Erfindung auf sehr einfache Weise ausgeglichen werden kann, wie an Hand des nachstehenden Ausführungsbeispiels näher erläutert wird. Dieses Ausführungsbeispiel bezieht sich auf eine ladungsgekoppelte Anordnung, die praktisch mit der der vorhergehenden Ausführungsforra identisch ist und daher " in bezug auf entsprechende Teile mit den gleichen Bezugsziffern versehen ist, wie aus Fig. 7 ersichtlich ist. The oxide layer 12 in the charge transfer device according to FIG. 1 has a uniform thickness on. As a result, the total thickness of the dielectric under the electrodes 10 of the lower conductor layer is somewhat greater by the presence of the nitride layer 13 as under the electrodes 11 of the upper conductor layer »This difference is harmless in many cases, all the more so than the thickness of the nitride layer 13 in comparison to that the underlying oxide layer 12 is small. However, the invention also offers the advantage that this Difference in a device according to the invention can be compensated for in a very simple manner, as on hand of the following embodiment is explained in more detail. This embodiment relates to a charge-coupled device, which is practically identical to that of the previous embodiment is identical and therefore " is provided with the same reference numerals with respect to corresponding parts, as can be seen from FIG.
Die Elektroden 10, 11 sind gegen den ·The electrodes 10, 11 are against the
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9.9.75. - 25 -9.9.75. - 25 -
Halbleiterkörper 1 durch eine zwischenliegende Isolierschicht isoliert, die wieder zwei Teilschichten aus verschiedenen Materialien enthält. Die untere Teilschicht 22, die durch eine durch Oxidation an der Oberfläche erhaltene Siliziumoxidschicht gebildet wird, erstreckt sich wieder über die ganze Halbleiterschicht 3» Die zweite Teilschicht 23 aus Siliziumnitrid weist wieder Oeffnungen 2k unter den Elektroden 11 der oberen Leiterschicht auf, Ueber diese Oeffnungen sind die Elektroden 11 auf der Oxidschicht 22 angebracht.Semiconductor body 1 isolated by an intermediate insulating layer, which again contains two sub-layers made of different materials. The lower sub-layer 22, which is formed by a silicon oxide layer obtained by oxidation on the surface, again extends over the entire semiconductor layer 3 »The second sub-layer 23 made of silicon nitride again has openings 2k under the electrodes 11 of the upper conductor layer, over which there are openings the electrodes 11 are attached to the oxide layer 22.
Die Oxidschicht 22 weist nicht, wie die Oxidschicht 12 im vorhergehenden.Ausführungsbeispiel, eine gleichraässige Dicke auf, sondern hat an den Stellen der Oeffnungen 2k in der Nitridschicht 21} unter den Elektroden 11 der oberen Leiterschicht eine grössere Dicke als unter den Elektroden 10 der unteren Leiterschicht, Die effektive Dicke der Isolierschicht 22 unter den Elektroden 11 kann dadurch gleich oder wenigstens praktisch gleich der effektiven Dicke der Isolierschicht 22, 23 unter den Elektroden 10 sein, wodurch die LadungsSpeicherkapazität unter den Elektroden 10, 11 pro Oberflächeneinheit wenigstens bei gleicher Spannung nahezu die gleiche sein kann.The oxide layer 22 does not have a uniform thickness, like the oxide layer 12 in the previous embodiment, but has a greater thickness at the locations of the openings 2k in the nitride layer 2 1 } under the electrodes 11 of the upper conductor layer than under the electrodes 10 of the Lower conductor layer, the effective thickness of the insulating layer 22 under the electrodes 11 can thereby be the same or at least practically the same as the effective thickness of the insulating layer 22, 23 under the electrodes 10, whereby the charge storage capacity under the electrodes 10, 11 per unit surface area at least at the same voltage is almost almost the same can be the same.
Da die Dielektrizitätskonstante der gegen Oxidation maskierenden Nxtridschicht 23 im allgemeinenSince the dielectric constant of the masking against oxidation Nxtridschicht 23 generally
9.9.75. - 26 -9.9.75. - 26 -
grosser als die der Oxidschicht 22 ist, ist die Dicke der Oxidschicht 22 unter den Elektroden 11 geringer als die Gesamtdicke der Oxidschicht 22 und der Nitridschicht unter den Elektroden IO der unteren Leiterschicht gewählt»is greater than that of the oxide layer 22, the thickness is of the oxide layer 22 under the electrodes 11 is less than the total thickness of the oxide layer 22 and the nitride layer selected under the electrodes IO of the lower conductor layer »
Die Herstellung der in Fig. 7 dargestellten Ladungstibertragungsvorrichtung ist ebenfalls besonders einfach und erfordert insbesondere in bezug auf die im vorhergehendon Ausführungsbeispiel beschriebene Vorrichtung keine zusätzlichen kritischen und/oder aufwendigen Photomaskierungsscliritte. Für die Herstellung kann von einer Struktur nach Fig, 5 im vorhergehenden Ausführungsbeisp'iel asugegangen werden, wobei statt der Schichten und 13 die Schichten 22 und 23 auf dem Körper mit einer Dicke von etwa 800 A bzw« 350 A angebracht sind.The manufacture of the charge transfer device illustrated in Figure 7 is also particular simple and requires in particular with respect to the device described in the previous embodiment no additional critical and / or costly photo masking steps. Can be used for the production of a structure according to FIG. 5 in the previous exemplary embodiment be approached, instead of layers 13 and 13 layers 22 and 23 on the body with a Thickness of about 800 A or 350 A are attached.
Nach dem Anbringen der Oxidschichten \h After applying the oxide layers \ h
durch Oxidation der polykristallinen Siliziumelektroden - vobei der Halbleiterkörper von der Siliziumnitrid~ schicht 23 gegen Oxidation maskiert wird - wird über die ganze Oberfläche der Vorrichtung eine zusätzliche Schutzschicht 25 angebracht» Diese Schicht besteht im vorliegenden Ausführungsbeispiel ebenfalls aus Siliziumnitrid (siehe Fig. 8), Dann wird auf der Unterseite des Körpers 1 eine mit Phosphor dotierte Oxidschicht 26, die eine Getterschicht bildet, angebracht. Zugleich wird auch auf der Oberseite eine derartige mit Phosphorby oxidation of the polycrystalline silicon electrodes - whereby the semiconductor body consists of the silicon nitride ~ layer 23 is masked against oxidation - an additional one is applied over the entire surface of the device Protective layer 25 attached »In the present exemplary embodiment, this layer also consists of silicon nitride (see Fig. 8), Then on the underside of the body 1 is a phosphorus-doped oxide layer 26, which forms a getter layer, attached. At the same time, there is also one with phosphorus on the upper side
609815/0909609815/0909
PKN. 77-V7. ' 9.9.75.PKN. 77-V7. 9.9.75.
dotierte Oxidschicht 27 niedergeschlagen, die von den Oxidschichten 14 durch die zusätzliche zwischenliegende Si3,iziumnitridschicht 25 getrennt ist.doped oxide layer 27 deposited by the Oxide layers 14 through the additional intermediate Si3, silicon nitride layer 25 is separated.
Es sei bemerkt, dass es in der Halbleitertechnologie im allgemeinen bekannt und üblich ist, während der Herstellung einer Halbleiteranordnung vor dem Anbringen der Getterschicht 26 die Oberseite der · Anordnung, auf der sich meist die aktiven Elemente befinden, dadurch abzuschirmen, dass auf dieser Seite eine Siliziumoxidschicht aus der Gasphase abgelagert wird» Anscliliessend kann auf der Unterseite die Phosphoroxidschicht 26 angebracht werden, wobei Diffusion von Phosphor auf der Oberseite der Anordnung mittels der angebrachten Siliziumoxidabschirmungsschicht verhindert werden kann, In einem nächstfolgenden Verfahrensschritt soll die Abschirmungsschicht meist völlig oder wenigstens zum Teil wieder entfernt werden. Insbesondere dadurch, dass die Abschirmungsschicht im allgemeinen eine gewisse Streuung in der Dicke aufweist, kann beim Wegätzen der Abschirmungsschicht die auf der Oberfläche des Körpers vorhandene Passivierungsschicht, die meist auch aus Siliziumoxid besteht, ebenfalls angegriffen werden. Dabei ergibt sich sogar die Möglichkeit, dass die Passivierungsschicht örtlich über ihre ganze Dicke weggeätzt wird, wodurch in der PassivierungsschichtIt should be noted that it is generally known and customary in semiconductor technology to during the manufacture of a semiconductor device, prior to the application of the getter layer 26, the upper side of the Arrangement, on which the active elements are usually located, to be shielded by the fact that on this side a Silicon oxide layer is deposited from the gas phase »The phosphor oxide layer can then be deposited on the underside 26, with diffusion of phosphorus on top of the arrangement by means of the attached Silicon oxide shielding layer can be prevented. In a subsequent process step, the Shielding layer mostly completely or at least for the Part can be removed again. In particular because the shielding layer generally has a certain Has scatter in the thickness, when etching away the shielding layer on the surface of the body existing passivation layer, which usually also consists of silicon oxide, are also attacked. There is even the possibility that the passivation layer is locally etched away over its entire thickness is, creating in the passivation layer
€09 815/0908€ 09 815/0908
■ ^- . ■ 9.9.75.■ ^ -. ■ 9.9.75.
Oeffnungen entstehen, über die Kurzschluss auftreten kann. Dieser Nachteil kann aber dadurch vermieden werden, dass, wie im vorliegenden AusfUhrungsbeispiel, vor dem Anbringen der Getterschicht 26 auf der Oberseite der Anordnung eine Abschirmungsschicht 25 angebracht wird, die selektiv in bezug auf Siliziumoxid geätzt werden kann. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht die Abschirmungsschicht 25, die die polykristallinen Siliziumelektroden gegen die Phosphoroxidschicht 27 abschirmt, aus Siliziumnitrid, das selektiv in bezug auf die Siliziumoxidschichten 14 oberhalb der polykristallinen Siliziumelektroden 10 ätzbar ist. Statt Siliziumnitrid können natürlich jedoch auch andere Materialien, z.B. Aluminiumoxid oder Doppelschichten aus z.B, Siliziumnitrid und Siliziumoxid, das au" dem Nitrid niedergeschlagen ist, verwendet werden, Ausserdem lässt sich dieses Verfahren auch vorteilhaft während der Herstellung von von der obenbeschriebenen Ladungsübertragungsvorrichtung verschiedenen Vorrichtungen verwenden.Openings arise through which a short circuit can occur. However, this disadvantage can be avoided in that, as in the present exemplary embodiment, a shielding layer 25, which can be etched selectively with respect to silicon oxide, is applied to the top of the arrangement before the getter layer 26 is applied. In the present embodiment, the shield layer 25 shields the polycrystalline silicon electrodes 27 against the phosphorus oxide, of silicon nitride, which is above the polycrystalline silicon electrode 10 is selectively etchable with respect to silicon oxide layers fourteenth Instead of silicon nitride, however, other materials, for example aluminum oxide or double layers of, for example, silicon nitride and silicon oxide deposited on the nitride, can of course also be used. In addition, this method can also be used advantageously during the production of devices other than the charge transfer device described above.
Die Oxidschicht 27 auf der Oberseite wird dann wieder z.B, durch Aetzen entfernt, wobei die Oxidschicht 2.6 auf der Unterseite des Körpers durch eine auf der ganzen Unterseite angebrachte Photοlackschicht maskiert werden kann. Nach Entfernung der Oxidschicht wird die zusätzliche Siliziumnitridschicht 25 durchThe oxide layer 27 on top is then removed again e.g. by etching, whereby the oxide layer 2.6 on the underside of the body by a Photo lacquer layer applied to the entire underside can be masked. After removing the oxide layer the additional silicon nitride layer 25 is through
6G981S/Q9Q86G981S / Q9Q8
PKN.7747. 9.9.75.PKN.7747. 9.9.75.
Aetzen in Phosphorsäure bei einer Temperatur von etwa 1800C entfernt. Das vorhandene Siliziumoxid wird bei dieser Aetzbehandlung nicht oder wenigstens nahezu nicht angegriffen» Zu gleicher Zeit wird die Silizumnitridschicht 23» sofern sie nicht von den Elektroden 10 und den zugehörigen Oxidschichten Ik maskiert wird, entfernt, wodurch die Oxidschicht 22 oberhalb der Ein- und Ausgangszonen 7 und 9 und oberhalb der Isolierzone 16 freigelegt wird und zwischen den Elektroden 10 Oeffnungen 2k in der Nitridschicht 23 entstehen,Etching in phosphoric acid at a temperature of about 180 0 C removed. The silicon oxide present is not or at least almost not attacked during this etching treatment. At the same time, the silicon nitride layer 23 is removed if it is not masked by the electrodes 10 and the associated oxide layers Ik and 9 and above the insulating zone 16 is exposed and openings 2k are created in the nitride layer 23 between the electrodes 10,
Anschliessend wird ein sogenannter "Getter drive-in"-Schritt oder "Getter"-Nacherhitzungsschritt durchgeführt, wobei vermutlich in dem Körper 1 vorhandene Schwermetallatome mit erhöhter Geschwindigkeit in Richtung auf die ^-.idschicht 26 diffundieren. Dieser "Getter drive-in"-Schritt wird bei einer Temperatur von etwa 10000C in einem Milieu durchgeführt, das wenigstens während verhältnismässig kurzer Zeit oxidierend ist. Unter den Oeffnung-en Zk in der Nitridschicht und über den Zonen 7, 9 und 16, wo der Halbleiterkörper 1 nicht mehr von der Nitridschicht 23 gegen Oxidation maskiert wird, nimmt die Oxidschicht 22 örtlich während der Getterbehandlung infolge Oxidation an der Oberfläche in Dicke zu. Die Oxidation wird fortgesetzt, bis die Oxidschicht 22 unter den Oeffnungen 2k (Fig. 9) et v/aA so-called “getter drive-in” step or “getter” reheating step is then carried out, with heavy metal atoms presumably present in the body 1 diffusing at an increased speed in the direction of the layer 26. This “getter drive-in” step is carried out at a temperature of approximately 1000 ° C. in an environment which is oxidizing for at least a relatively short time. Under the openings Zk in the nitride layer and above the zones 7, 9 and 16, where the semiconductor body 1 is no longer masked against oxidation by the nitride layer 23, the oxide layer 22 increases in thickness locally during the getter treatment as a result of oxidation on the surface . The oxidation is continued until the oxide layer 22 under the openings 2k (Fig. 9) et v / a
Θ0981Ι/0908Θ0981Ι / 0908
. . PHN.. . PHN.
9.9.75.9.9.75.
200 Ä dicker als unter den Elektroden 10 ist» Die Gesamtdicke der Isolierschicht 22 an den Stellen, der Oeffnungen Zk ,beträgt dann etwa 1000 A* Siliziumoxid, während die Isolierschicht unter den Elektroden 10 aus etwa 800 A Siliziumoxid und aus 350 A Siliziumnitrid besteht.200 Å thicker than under the electrodes 10 »The total thickness of the insulating layer 22 at the points, the openings Zk , is then about 1000 A * silicon oxide, while the insulating layer under the electrodes 10 consists of about 800 A silicon oxide and 350 A silicon nitride.
Nach der kombinierten Getter- und Oxidationsbehandlung können in der Oxidschicht 22 an den Stellen der. Zonen 16, 7 t-ind 9 und in den Oxid schicht en 14 Kontaktfenster angebracht werden, was keine zusätzlichen aufwendigen Schritte erfordert, weil die Nitridschicht 23 dort völlig entfernt worden ist» Dann können, wie im vorhergehenden Ausführungsbeispiel, auf übliche Weise die Elektroden 11 aus Aluminium und die Kontakte 6, 8 und 16 angebracht werden»After the combined getter and oxidation treatment, in the oxide layer 22 at the points the. Zones 16, 7 t-ind 9 and layers in the oxide 14 contact windows are attached, which does not require any additional complex steps, because the nitride layer 23 has been completely removed there »Then, as in the previous exemplary embodiment, in the usual way the electrodes 11 made of aluminum and the contacts 6, 8 and 16 can be attached »
Es ist einleuchtend, dass sich die Erfindung nicht auf die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern dass im Rahmen der Erfindung flir den -Fachmann noch viele Abwandlungen möglich sind.It is obvious that the invention does not apply to the exemplary embodiments described here limited, but that within the scope of the invention for the specialist, many modifications are still possible.
So kann statt einer homogen' dotierten Halbleiterschicht 3 vorteilhaft eine Halbleiterschicht mit einer verhältnismässig hoch dotierten dünnen Oberflächenschicht und einem darunter liegenden und daran grenzenden verhältnismässig niedrig dotierten dicken Gebiet verwendet werden. In Fig. 1 ist eine derartige hochdotierte dünne Oberflächenschicht durch die gestrichelte Linie 28 angegeben,So instead of a homogeneously 'doped semiconductor layer 3 advantageously a semiconductor layer with a relatively highly doped thin surface layer and an underlying and adjoining relatively lightly doped thick area is used will. In FIG. 1, such a highly doped thin surface layer is indicated by the dashed line 28 specified,
80981S/Ö90880981S / Ö908
Die Oxidationsbehandlung, die zugleich mitThe oxidation treatment that is carried out at the same time with
der Getterbehandlung durchgeführt wird, um in der Anordnung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel die Dicke der Oxidschicht 22 örtlich zu vergrössern, kann auch während anderer Temperaturbehandlungen oder in einem gesonderten Verfahrensschritt durchgeführt werden.the getter treatment is carried out in order to reduce the thickness of the oxide layer in the arrangement according to the second exemplary embodiment 22 can also be increased locally during other temperature treatments or in a separate process step.
Auch können vorteilhaft andere als hier genannte Materialien Anwendung finden. So können die Elektroden 10 der unteren Leiterschicht statt aus polykristallinem Silizium aus einem geeigneten Metall, z.B. Aluminium oder Tantal, bestehen.Materials other than those mentioned here can also advantageously be used. So they can Electrodes 10 of the lower conductor layer instead of polycrystalline Silicon consist of a suitable metal, e.g. aluminum or tantalum.
Die Erfindung kann statt in ladungsgekoppelten Anordnungen mit Transport im Volumen auch in anderen Typen ladungsgekoppelter Anordnungen, z.B. in ladungsgekoppelten Anordnungen mit dem Ladungstransport längs der Oberfläche des Halbleiterkörpers oder in Eimerkettenspeichern, verwendet werden.The invention can also be used in other than charge coupled devices with transport in volume Types of charge-coupled arrangements, e.g. in charge-coupled arrangements with charge transport along the Surface of the semiconductor body or in bucket chain stores, can be used.
Weiter können in den beschriebenen Ausführungsbeispielen die Aluminiumelektroden 11 je leitend mit einer benachbarten Siliziumelektrode 10 entweder auf der Aussenseite oder über Kontaktfenster in den Oxidschichten 14 verbunden werden.Furthermore, in the exemplary embodiments described, the aluminum electrodes 11 can each be conductive with an adjacent silicon electrode 10 either on the outside or via contact windows in the Oxide layers 14 are connected.
gO981B/O908gO981B / O908
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