DE2539732A1

DE2539732A1 - Telephone unit test circuit - has additional switch which prevents double connection to test instrument in sequential testing

Info

Publication number: DE2539732A1
Application number: DE19752539732
Authority: DE
Inventors: Rolf Dipl Ing Banzhaf; Werner Dipl Ing Koll
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1975-09-06
Filing date: 1975-09-06
Publication date: 1977-03-17
Also published as: DE2539732C2

Abstract

The system is to prevent double connection in checking several similar units on an instrument in a telephone exchange system, in which the units contain a test relay in the test current circuit which is initially short circuited and which is released in a controlled sequence. A first switch (G1) in the test loop is in series with the test relay (PN) and its parallel bridging contact (k). This first switch closes the test circuit if the voltage applied to its terminals reaches a predetermined value and it remains closed until a minimum current level is reached.

Description

Anordnung zur Verhinderung von Doppelbelegungen Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Verhinderung von Doppelbelegungen beim Aufprüfen einer von mehreren gleichen Einrichtungen auf ein Gerät, wobei der PrüSstromkreis in der Einrichtung ein Prüfrelais enthält, das anfänglich kurzgeschlossen ist und in einer Zwangs folge freigegeben wird, für Fernsprechanlagen.Arrangement for preventing double assignments The invention relates to an arrangement to prevent double assignments when checking one of several same facilities on one device, with the test circuit in the facility contains a test relay, which is initially short-circuited and in a forced sequence released for telephone systems.

Bei Einrichtungen (z.B. Markierer), die sich mit Geräten (z.B.Wähler) unter der Bedingung verbinden, daß immer nur eine Einrichtung mit einem Gerät verbunden sein darf, ist es zur Sicherstellung dieser Bedingung bekannt, Prüfstromkreise zu verwenden. Ein solcher bekannter Prüfstromkreis ist in Fig.1 dargestellt, dessen Arbeitsweise im folgenden beschrieben wird.For facilities (e.g. markers) that deal with devices (e.g. dialers) connect under the condition that only one device is connected to one device at a time may be, it is known to ensure this condition to test circuits use. Such a known test circuit is shown in Fig.1, its Operation is described below.

Der Prüfstromkreis enthält im Gerät G ein Belegungsrelais B und in der Einrichtung E ein Prüfrelais PN, das zu Beginn der durch den Kontakt a erfolgenden Belegung durch einen Kontakt k kurzgeschlossen ist und dann in einer Zwangsfolge öffnet, so daß das Prüfrelais aufprüfen kann. An den Vielfachkontakt VP im Gerät können sich andere Einrichtungen E über ihren Kontakt a anschalten. Gerät G und Einrichtung E sind in den Figuren durch eine strichpunktierte Linie getrennt.The test circuit contains an occupancy relay B and in in device G the device E a test relay PN, which takes place at the beginning of the contact a Occupancy is short-circuited by a contact k and then in a compulsory sequence opens so that the test relay can check. To the multiple contact VP in the device other facilities E can connect to their contact a. Device G and Device E are separated in the figures by a dash-dotted line.

Die Leitung der Anlage wird dadurch gesteigert, daß man mehrere Einrichtungen E parallel betreibt. Nachteilig ist dabei, daß damit die Gefahr von Doppelbelegungen aufkommt, die mit der Anzahl dieser parallel betriebenen Einrichtungen wächst. Mittels einer nicht dargestellten Kettenschaltung der Kontakte a wird zwar verhindert, daR auf eine endgültig belegte Einrichtung E erneut aufgeprüft wird; es kommt jedoch dann zu den unerwünschten Doppelbelegungen, wenn dieselbe Leitung Ltg eines Gerätes G genau gleichzeitig von mehr als einer Einrichtung E angefordert wird.The management of the facility is increased by having multiple facilities E operates in parallel. The disadvantage here is that there is a risk of double assignments comes up, which grows with the number of these parallel operated facilities. Means a chain connection, not shown, of the contacts a is prevented from daR is checked again for a finally occupied facility E; however it comes then to the undesired double assignments, if the same line line of a device G is requested by more than one facility E exactly at the same time.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs genannten Art anzugeben, mit der Doppelbelegungen sicher vermieden werden. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß ein erster Schalter in den Prüfstromkreis eingefügt ist, der mit dem Prüfrelais und dem diesem parallel liegenden Kurzschlußkontakt eine Serienschaltung bildet und daß der erste Schalter den Prüfstromkreis schließt, wenn die an seinen beiden Schalteranschlüssen liegende Spannung einen bestimmten Wert erreicht hat und dann solange geschlossen bleibt, wie der Prüfstromkreis von einem Mindeststrom durchflossen wird.The invention is based on the object of an arrangement of the initially specified type, with which double assignments are reliably avoided. this is achieved according to the invention that a first switch in the test circuit is inserted, the one with the test relay and the short-circuit contact lying parallel to it forms a series circuit and that the first switch closes the test circuit, when the voltage applied to its two switch terminals has a certain value Has reached a value and then remains closed as long as the test circuit of a minimum current flows through it.

Dadurch ergibt sich der Vorteil, daß das Aufprüfen auf ein Gerät nur dann erfolgen kann, wenn eine zusätzliche Schwellwertbedingung bezüglich der Spannung am Vielfachpunkt VPerfüllt wird.This has the advantage that the test on one device only can then take place if an additional threshold value condition with regard to the voltage is fulfilled at the multiple point VP.

Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß ein weiterer Schalter gleicher Bauart mit dem Prüfrelais in Reihe liegt, der zusammen mit dem Prüfrelais kurzgeschlossen und freigegeben wird.A further development of the invention provides that another switch of the same design is in series with the test relay, which together with the test relay is short-circuited and released.

Dadurch ergibt sich der Vorteil, daß das Aufprüfen von einer zweiten zusätzlich zu erfüllenden Schwellwertbedingung bezüglich der Spannung am Vielfachpunkt abhängig gemacht wird. Ferner ist es von Vorteil, daß in der bestehenden Fernmeldeanlage außerhalb des erfindungsgemäßen Teiles des Prüfstromkreises keine Anderungen erforderlich sind.This has the advantage that the checking of a second Additional threshold condition to be fulfilled with regard to the voltage at the multiple point is made dependent. It is also advantageous that in the existing telecommunications system outside of the part of the test circuit according to the invention, no changes are required are.

Weitere Merkmale der Erfindung sind den Unteransprüchen 3 bis 6 zu entnehmen, deren Vorteile in der nachfolgenden Beschreibung eines in den beiliegenden Zeichnungen dargestellten AusfGhrungsbeispieles gemäß der Erfindung erläutert werden. Es zeigen: Fig.l den einleitend beschriebenen bekannten Prüfstromkreis, Fig.2 zwei Prüfstromkreise gemäß der Erfindung in zwei Einrichtungen, Fig.3 den zeitlichen Verlauf von Strömen und Spannungen in den in Fig.2 dargestellten Prüfstromkreisen für 3 verschiedene Fälle: a) eine Einrichtung El wird an die Leitung Ltg. angeschaltet, b) zwei Einrichtungen El, E2 werden kurz nacheinander an dieselbe Leitung Ltg angeschaltet und c) zwei Einrichtungen El, E2 werden gleichzeitig an dieselbe Leitung Ltg angeschaltet.Further features of the invention are attached to the dependent claims 3 to 6 the advantages of which can be found in the following description of one of the enclosed Drawings illustrated embodiment are explained according to the invention. They show: Fig.l the known test circuit described in the introduction, Fig.2 two Test circuits according to the invention in two devices, Fig.3 the temporal Course of currents and voltages in the test circuits shown in Fig. 2 for 3 different cases: a) a device El is connected to the line Ltg., b) two devices El, E2 are connected to the same line Ltg shortly after one another and c) two devices El, E2 are connected to the same line Ltg at the same time.

Im folgenden wird anhand von Fig.2 der erfindungsgemäße Prüfstromkreis beschrieben.The test circuit according to the invention is described below with reference to FIG described.

Der im Gerät G enthaltene Teil des Prüfstromkreises oberhalb der strichpunktierten Linie wird ungeändert weiterbenutzt, so daß einfachheitshalber im folgenden mit dem Begriff Prüfatromkreis nur der in der Einrichtung E vorhandene Teil des vollständigen Prüfstromkreises angesprochen wird.The part of the test circuit contained in device G above the dash-dotted line Line is used unchanged, so that for the sake of simplicity in the following with the term test circuit only the one present in facility E. Part of the complete test circuit is addressed.

Der Vielfachpunkt VP liegt über die Leitung Ltg und das Belegungsrelais B auf -60V, da kein Strom fließt. Die Leitung führt wegen der ihr innewohnenden Leitungskapazität CLtg eine Ladung, die bei Schaltvorgängen berücksichtigt werden muß.The multiple point VP is via the line Ltg and the occupancy relay B to -60V as there is no current. Leadership leads because of what is inherent in it Line capacitance CLtg a charge that is taken into account during switching operations got to.

Nach dem Schließen des Anschaltekontaktes al zum Zeitpunkt tl (Fig.3a) baut sich an den beiden Anschlüssen der Vierschichtdiode G11 eine Spannung UG11 auf, die bei Erreichen der Zündspannung (etwa 20V) zum Durchschalten (Zeitpunkt t3) der bis dahin sperrenden Vierschichtdiode G11 führt. Während des Zündvorganges springt die an der Diode G11 liegende Spannung ZUG11 in weniger als 0,1 /us von der Zündspannung herunter zur Durchlaß spannung. Nach dieser Durchschaltung wird durch die Induktivität L der Haltestrom der Vierschichtdiode aufrecht erhalten, dessen Richtung der Spannungsänderung entgegenwirkt und über eine Diode G5, Erde, Kurzschlußkontakt kl und Vierschichtdiode G11 zurück zur Induktivität L fließt, bis sich die Spannung am Vielfachpunkt VP von zuvor -60V auf die Durchlaßspannung (etwa -1V) erniedrigt hat . Ohne die Induktivität L und die Diode G5 würde der Strom durch die Vierschichtdiode G11 nach dem Durchschalten (Zündung zum Zeitpunkt t3) unter den Haltewert absinken. Die Diode G11 würde sperren, bis die an ihr liegende Spannung eine erneute Zündung bewirkt, usw.After closing the switch-on contact al at time tl (Fig.3a) A voltage UG11 builds up at the two connections of the four-layer diode G11 which, when the ignition voltage (approx. 20V) is reached, to switch through (time t3) the up to then blocking four-layer diode G11 leads. During the ignition process the voltage ZUG11 at the diode G11 jumps in less than 0.1 / us the ignition voltage down to the forward voltage. After this through-connection the holding current of the four-layer diode is maintained by the inductance L, whose direction counteracts the change in voltage and via a diode G5, earth, Short-circuit contact kl and four-layer diode G11 flows back to inductance L, until the voltage at the multiple point VP drops from -60V to the forward voltage (about -1V). Without the inductance L and the diode G5 the current would by the four-layer diode G11 after switching through (ignition at time t3) fall below the hold value. The diode G11 would block until the one connected to it Voltage causes re-ignition, etc.

Wie schon einleitend gesagt, wird der Kurzschlußkontakt klineiner Zwangsfolge geöffnet (Zeitpunkt t4), so daß die aus der Vierschichtdide G21 und dem Prüfrelais PN1 gebildete Reihenschaltung aktiviert werden kann.As already said in the introduction, the short-circuit contact becomes smaller Forced sequence opened (time t4), so that the from the four-shift idea G21 and the series circuit formed by the test relay PN1 can be activated.

Der Vierschichtdiode G21 ist ein Kondensator C1 parallelgeschaltet, der bis zum öffnen des Kurzschlußkontaktes kl entladen war (UG21 in Fig.3a bis zum Zeitpunkt t4), und der direkt nach dem Öffnen des Kurzschlußkontaktes kl Ladestrom (IL1 in Fig.3a) aufnimmt, so daß der Mindeststrom zum Halten der durchgeschalteten Vierschichtdiode G11 während des Umladevorganges auf der Leitung Ltg nicht unterschritten wird.A capacitor C1 is connected in parallel to the four-layer diode G21, which discharge until the short-circuit contact kl opens was (UG21 3a up to time t4), and that directly after the short-circuit contact has opened kl charging current (IL1 in Fig.3a) absorbs, so that the minimum current to hold the switched through Four-layer diode G11 not fallen below during the recharging process on the line Ltg will.

Zum Zeitpunkt t5 (Fig.3a) ist die Spannung UG21 am Kondensator C1 und an den beiden Anschlüssen der Vierschichtdiode G21 auf die Zündspannung angewachsen, so daß diese Vierschichtdiode durchschaltet und der Strom JLI im Prüfstromkreis wieder ansteigen kann, was durch das Prüfrelais PN1 anziehen kann.At time t5 (FIG. 3a) the voltage UG21 is across the capacitor C1 and the ignition voltage has increased at the two connections of the four-layer diode G21, so that this four-layer diode turns on and the current JLI in the test circuit can rise again, which can attract through the test relay PN1.

Eine weitere Aufgabe des Kondensators C1 ist die Funkenlöschung des Kurzschlußkontaktes kl. In dem eingangs beschriebenen Prüfstromkreis erübrigte sich die Funkenlöschung, da nach dem öffnen des k-Kontaktes der Strom sofort über das niederohmige Prüfrelais PN weiterfließen konnte. Da hier aber die zweite Vierschichtdiode G21 diesen Kreis direkt nach dem Öffnen des Kontkates kl sperrt, würde ohne diesen Kondensator C-ein Abreißfunken entstehen.Another task of the capacitor C1 is to suppress the spark Short-circuit contact kl. There was no need for the test circuit described at the beginning the spark extinction, since after opening the k-contact the current is immediately passed through the low-resistance test relay PN could continue to flow. But here the second four-layer diode G21 blocks this circuit directly after opening the contact kl, would without it Capacitor C-a tear-off spark occurs.

Erwähnt sei, daß den beiden Vierschichtdioden G11 und G21 je eine Diode G31 bzw. G41 antiparallel geschaltet ist, wodurch in bekannter Weise Spannungsspitzen in Sperrichtung unterdrückt werden.It should be mentioned that the two four-layer diodes G11 and G21 each have one Diode G31 or G41 is connected in antiparallel, whereby voltage peaks in a known manner can be suppressed in the reverse direction.

Im folgenden wird anhand der Fig.3b der Fall beschrieben, daß sich die Prüfstromkreise zweier Einrichtungen El und E2 kurz nacheinander an den selben Vielfachpunkt VP einer Leitung Ltg anschalten.In the following, the case is described with reference to Figure 3b that the test circuits of two devices El and E2 shortly after one another on the same Connect multiple point VP of a line Ltg.

Zum Zeitpunkt tl schaltet sich der Prüfstromkreis einer ersten Einrichtung El mit seinem Anschaltekontakt al an den Vielfachpunkt VP, und noch bevor die Vierschichtdiode G11 der ersten Einrichtung El zum Zeitpunkt t3 zündet, schaltet sich der Prüfstromkreis einer zweiten Einrichtung E2 mit seinem Anschaltekontakt a2 an.At time t1, the test circuit of a first device switches on El with its connection contact al to the multiple point VP, and even before the four-layer diode G11 of the first device El ignites at time t3, the test circuit of a second device E2 switches on with its connection contact a2 on.

Auch an der Vierschichtdiode G12 wächst die Spannung UG12 an.The voltage UG12 also increases at the four-layer diode G12.

Nach der Zündung der Diode G11 in der Einrichtung El steigt der Strom IL1 an und die Spannung am Vielfachpunkt VP sinkt so weit ab, daß für die Vierschichtdiode G12 in der zweiten Einrichtung E2 keine Zündbedingung besteht. Die Diode G12 verbleibt im Sperrzustand und die zweite Einrichtung E2 wird nicht angeschaltet. Die weiteren Vorgänge in der ersten Einrichtung El verlaufen in der schon beschriebenen Weise: die erste Einrichtung E2 wird angeschaltet und kann aufprüfen.After the ignition of the diode G11 in the device El, the current increases IL1 on and the voltage at the multiple point VP drops so far that for the four-layer diode G12 there is no ignition condition in the second device E2. The diode G12 remains in the locked state and the second device E2 is not switched on. The others Processes in the first device El proceed in the manner already described: the first device E2 is switched on and can check.

Im folgenden wird der Fall beschrieben, daß zwei Prüfstromkreise genau gleichzeitig zum Zeitpunkt tl (Fig.3c) durch ihre Anschaltkontakte al und a2 an denselben Vielfachpunkten VP einer Leitung Ltg angeschaltet werden. Falls jetzt auch noch die beiden Vierschichtdioden G11 und G12 zur gleichen Zeit t3 zünden, sind zunächst beide Prüfstromkreise mit derselben Leitung Ltg verbunden. Anschließend öffnen die Kurzschlußkontakte kl und k2.The following describes the case that two test circuits exactly at the same time at time t1 (FIG. 3c) through their connection contacts a1 and a2 the same multiple points VP of a line Ltg are connected. If now also ignite the two four-layer diodes G11 and G12 at the same time t3, Both test circuits are initially connected to the same line Ltg. Afterward open the short-circuit contacts kl and k2.

Zuerst werde der Kurzschlußkontakt kl in der ersten Einrichtung El zum Zeitpunkt t4 geöffnet, so daß die Spannung UG21 an der zugehörigen Vierschichtdiode G21 ansteigen kann, was mit einer Absenkung des Stromes IL1 durch diesen Prüfstromkreis verbunden ist. Der Vielfachpunkt VP wird jedoch durch den noch geschlossenen k-Kontakt und die durchgeschaltete Vierschichtdiode G12 in der zweiten Einrichtung E2 auf einer niedrigen Spannung weit unterhalb der Zündspannung gehalten, so daß die Vierschichtdiode G21 in der ersten Einrichtung El gesperrt bleibt. Der Kondensator Cl lädt sich geringfügig auf (UG21), wodurch der Strom IL1 unter den Haltestrom absinkt (t6) und die Vierschichtdiode G11 in den Sperrzustand zurückfällt. Damit ist dieser Prüfstromkreis in der ersten Einrichtung El stromlos geworden. Der Strom, der bis zum Öffnen des Kurzschlußkontaktes kl durch den Prüfstromkreis in der ersten Einrichtung El geflossen ist, wird allmählich - bedingt durch die Induktivität L2, die Stromänderungen entgegenwirkt - von dem zweiten an den Vielfachpunkt VP angeschalteten Prüfstromkreis übernommen.First, the short-circuit contact kl in the first device El opened at time t4, so that the voltage UG21 at the associated four-layer diode G21 can increase, which leads to a reduction in the current IL1 through this test circuit connected is. However, the multiple point VP becomes due to the still closed k-contact and the through-connected four-layer diode G12 in the second device E2 kept a low voltage well below the ignition voltage, so that the four-layer diode G21 in the first facility El remains locked. The condenser Cl charges up slightly (UG21), which causes the current IL1 to fall below the holding current drops (t6) and the four-layer diode G11 falls back into the blocking state. In order to this test circuit has become de-energized in the first device El. The current, up to the opening of the short-circuit contact kl through the test circuit in the first Device El has flowed, is gradually - due to the inductance L2, counteracts the changes in current - from the second connected to the multiple point VP Test circuit accepted.

Im folgenden wird der Kurzschlußkontakt k2 in dem Prüfstromkreis der zweiten Einrichtung E2 geöffnet (t7), der Kondensator C2 lädt sich bis zur Zündspannung der Vierschichtdiode G22 auf, so daß diese durchschaltet (t8) und nun das Prüfrelais PN2 erregt wird.In the following the short-circuit contact k2 in the test circuit of second device E2 opened (t7), the capacitor C2 charges up to the ignition voltage the four-layer diode G22 on, so that it switches through (t8) and now the test relay PN2 is energized.

Das Prüfrelais PN1 in der ersten Einrichtung El kann nun nicht mehr erregt werden, da zur Zündung der beiden Vierschichtdioden G11 und G21 die doppelte Zündspannung (etwa -40V) am Vielfachpunkt VP erforderlich wäre. Der Vielfachpunkt VP wird aber von dem aktivierten Prüfstromkreis in der zweiten Einrichtung E2 niederohmig auf etwa -3V gehalten.The test relay PN1 in the first device El can no longer are excited, since to ignite the two four-layer diodes G11 and G21 the double Ignition voltage (about -40V) at the multiple point VP would be required. The multiple point However, VP becomes low-resistance from the activated test circuit in the second device E2 held at about -3V.

Angemerkt sei, daß nach Öffnen der Kurzschlußkontakte kl und k2 die Wahrscheinlichkeit dafür, daß beide Vierschichtdioden G21 und G22 genau zum gleichen Zeitpunkt Zündbedingungen an -treffen, wegen der Toleranzen der Bauelemente so gering ist, daß sie vernachlässigt werden kann.It should be noted that after opening the short-circuit contacts kl and k2 the Probability that both four-layer diodes G21 and G22 are exactly the same When ignition conditions occur, so small because of the tolerances of the components is that it can be neglected.

Wenn sich mehr als zwei Einrichtungen El.. .En gleichzeitig an dieselbe Leitung Ltg bzw. an denselben Vielfachfpunkt VP anschalten, sind die Verhältnisse grundsätzlich mit dem zuvor geschilderten gleich: diejenige Einrichtung E, deren k-Kontakt zuletzt geöffnet wird, bringt ihr Prüfrelais PN zum Anzug und prüft auf, während die anderen nicht zum Zuge kommen.If more than two devices El .. .En are connected to the same Connect the line Ltg or to the same multiple point VP, the conditions are basically the same as the one described above: that facility E whose k-contact is opened last, brings your test relay PN to the pick-up and checks for, while the others do not have a chance.

Claims

X Arrangement to prevent double assignments when checking a from several identical devices to one device, the test circuit in the Facility includes a test relay that is initially short-circuited and in a Compulsory sequence is released for telecommunications systems, characterized in that a first switch (G1) is inserted into the test circuit that connects to the test relay (PN) and the short-circuit contact (k) lying in parallel with this a series circuit forms and that the first switch closes the test circuit when the at his voltage between the two switch connections has reached a certain value and then remains closed as long as the test circuit has a minimum current is traversed.

2. Arrangement according to claim 1, characterized in that a second Switch (G2) of the same design with the test relay (PN) is in series, which together is short-circuited and released with the test relay.

3. Arrangement according to claim 1 or claim 2, characterized in that that an inductance (L) is inserted into the test circuit, which together with a directional conductor (G5) and at least one switch (G1) a closed one Forms the circuit that occurs in the event of brief voltage drops at the switch connections is activated by self-induction and briefly supplies the minimum current.

4. Arrangement according to claim 2, characterized in that a switch (G2) a capacitor (C) is connected in parallel, the short-term current drops counteracts below the minimum current of a switch (G1, G2).

5. Arrangement according to claim 1 and claim 2, characterized in that that the closing above the certain voltage and below the minimum current opening switches (G1, G2) are four-layer diodes.

6. Arrangement according to claim 1 and claim 2, characterized in that that the switches (G1, G2) protective diodes (G3, G4) are connected anti-parallel.