DE2539732C2 - Circuit arrangement to prevent double assignments - Google Patents
Circuit arrangement to prevent double assignmentsInfo
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Description
4545
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Verhindern von Doppelbelegungen beim Aufprüfen einer von mehreren gleichen Einrichtungen auf ein Gerät einer Femmeldevermittlungsanlage, wobei ein Prüfstromkreis einen Schalter enthält, der mit einem Belegungsrelais und einem Kurzschlußschalter eine Serienschaltung bildet, und der Schalter den Prüfstromkreis schließt, wenn die anliegende Spannung einen bestimmten Wert erreicht hat.The invention relates to a circuit arrangement for preventing double assignments when checking one of several identical devices on a device of a telecommunications switching system, with one Test circuit contains a switch that connects to an occupancy relay and a short-circuit switch Series connection forms, and the switch closes the test circuit when the applied voltage a has reached a certain value.
Bei derartigen Einrichtungen einer Femmeldevermittlungsanlage (z. B. Markierer), die sich mit Geräten (z. B. Wähler) unter ά&τ Bedingung verbinden, daß immer nur eine Einrichtung mit einem Gerät verbunden f>o sein darf, ist eine Schaltungsanordnung bekannt, die die Einhaltung dieser Bedingung sicherstellt (DE-OS 1961016). Die Schalter dieser Anordnung sind als Thyristoren ausgebildet, deren Steuerelektrode mit einem Belegungseingang verbunden ist. Wird diesem b5 Eingang ein Belegungspotential zugeführt, so zündet der Thyristor, schließt den Prüfstromkreis und schaltet ein Belegungs- oder Anschalterelais ein, das z. B. einen Markierer mit einem Wahler verbindet Ober einen sog. Durchschalte- und Freigabetransistor, eine Sperrleitung und Dioden wird an die verschiedenen Belegungseingänge Erdpotential angelegt so daß, nachdem an einen dieser Eingänge Belegungspotential angeschaltet worden ist keines der zugeordneten Durchschalterelais mehr abgehend angesteuert werden kann. Dies stellt einen zusätzlichen Schaltungsaufwand zum Verhindern von Doppelbelegungen dar.In such devices a Femmeldevermittlungsanlage (z. B. marker) located with equipment (for. Example, voters) under ά & τ condition connect, that only one device may f> o be connected to a device, a circuit arrangement is known, the ensures compliance with this condition (DE-OS 1961016). The switches in this arrangement are designed as thyristors, the control electrode of which is connected to an occupancy input. If an occupancy potential is supplied to this b5 input, the thyristor ignites, closes the test circuit and switches on an occupancy or switch relay that z. B. connects a marker with a selector via a so-called. Switching and enabling transistor, a blocking line and diodes is applied to the various occupancy inputs ground potential so that, after one of these inputs occupancy potential has been switched on, none of the associated switch relay can be controlled outgoing. This represents an additional circuit effort to prevent double assignments.
Aus der Praxis ist außerdem eine Schaltungsanordnung bekannt bei der Doppelbelegungen mittels eines Prüfstromkreises verhindert werden. Die Arbeitsweise dieses Prüfstromkreises wird im folgenden anhand von F i g. 1 beschrieben.A circuit arrangement is also known from practice in the case of double assignments by means of a Test circuit can be prevented. The mode of operation of this test circuit is illustrated below with reference to F i g. 1 described.
Der Prüfstromkreis enthält in einem Gerät G ein Belegungsrelais B und in einer Einrichtung E ein Prüfrelais PN, das zu Beginn der durch einen Kontakt a erfolgenden Belegung durch einen Kontakt k kurzgeschlossen ist der dann in einer Zwangsfolge geöffnet wird, wonach das Prüfrelais aufprüfen kann. An einen Vielfachkontakt VP im Gerät G können sich andere Einrichtungen E über ihren Kontakt a anschalten. Das Gerät G und die Einrichtung E sind in der Zeichnung durch eine strichpunktierte Linie gegeneinander abgegrenzt The test circuit contains a device G is an occupancy relays B and in a device E a test relay PN which is at the beginning shorted k through a contact a taking place occupied by a contact which is then opened in a compulsory sequence, after which the test relay can aufprüfen. Other devices E can connect to a multiple contact VP in the device G via their contact a. The device G and the device E are delimited from one another in the drawing by a dash-dotted line
Die Leistung der Femmeldevermittlungsanlage wird dadurch gesteigert, daß man mehrere Einrichtungen E parallel betreibt. Nachteilig ist aber, daß damit die Gefahr von Doppelbelegungen aufkommt, die mit der Anzahl dieser parallel betriebenen Einrichtungen wächst. Mittels einer nicht dargestellten Kettenschaltung der Kontakte a wird zwar verhindert daß auf eine endgültig belegte Einrichtung E erneut aufgeprüft werden kann,. Es kommt jedoch dann zu unerwünschten Belegungen, wenn dieselbe Leitung Ltg eines Gerätes G genau gleichzeitig von mehr als einer Einrichtung E angefordert wird.The performance of the telecommunications switching system is increased by operating several devices E in parallel. The disadvantage, however, is that this creates the risk of double occupancy, which increases with the number of these devices operated in parallel. By means of a chain connection, not shown, of the contacts a, it is true that it is prevented that a finally occupied device E can be checked again. However, undesirable assignments occur when the same line Ltg of a device G is requested by more than one device E exactly at the same time.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der Doppelbelegungen von Einrichtungen in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, auch bei gleichzeitiger Erstanforderung eindeutig vermieden werden.The invention is based on the object of providing a circuit arrangement of the type mentioned at the beginning create, in the double occupancy of facilities in telecommunications, in particular telephone switching systems, can be clearly avoided even if the initial request is made at the same time.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Prüfstromkreis ein Prüfrelais enthält, das anfänglich kurzgeschlossen ist und in einer Zwangsfolge freigegeben wird, und daß der Schalter eine Vierschichtdiode ist, die allein durch die an ihren beiden Schalteranschlüssen anliegenden Spannung durchgeschaltet wird und dann solange geschlossen bleibt, wie der Prüfstromkreis von einem Mindeststrom durchflossen wird.According to the invention, this object is achieved in that the test circuit contains a test relay which is initially shorted and released in a compulsory sequence, and that the switch is a four layer diode which is switched through solely by the voltage applied to its two switch terminals and then remains closed as long as a minimum current flows through the test circuit will.
Die Erfindung weist den Vorteil auf, daß der erforderliche Schaltungsaufwand verringert wird. Außerdem kann das Aufprüfen auf ein Gerät nur darin erfolgen, wenn eine zusätzliche Schwellwertbedingurig bezüglich der Spannung an dem Vielfachpunkt VP erfüllt wird. Liegt in Weiterbildung der Erfindung ein zweiter Schalter gleicher Bauart mit dem Prüfrelais in Reihe, der zusammen mit dem Prüfrelais kurzgeschlossen und freigegeben wird, so ergibt sich der Vorteil, daß das Aufprüfen von einer zweiten zusätzlich ;:u erfüllenden Schwellwertbedingung bezüglich der Spannung am Vielfachpunkt abhängig gemacht wird. Außerdem ist es vorteilhaft, daß in der bestehenden Fernmeldeanlage außerhalb des erfindungsgemäßen Teiles des Prüfstromkreises keine Änderungen erforderlich sind.The invention has the advantage that the circuit complexity required is reduced. In addition, a device can only be checked if an additional threshold value is met with regard to the voltage at the multiple point VP . If, in a further development of the invention, there is a second switch of the same design in series with the test relay, which is short-circuited and released together with the test relay, the advantage results that the test depends on a second additionally fulfilling threshold value condition with regard to the voltage at the multiple point is made. In addition, it is advantageous that no changes are required in the existing telecommunications system outside of the part of the test circuit according to the invention.
Andere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnetOther advantageous developments of the invention are characterized in the subclaims
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert Es zeigtAn embodiment of the invention is explained below with reference to the drawing. It shows
F i g. 1 den einleitend beschriebenen bekannten Prüfstromkreis,F i g. 1 the known in the introduction Test circuit,
F i g. 2 zwei Prüfstromkreise gemäß der Erfindung in zwei Einrichtungen,F i g. 2 two test circuits according to the invention in two devices,
Fig.3 den zeitlichen Verlauf von Strömen und Spannungen in den in Fig.2 dargestellten Prüfstromkreisen für 3 verschiedene Fälle:3 shows the time course of currents and voltages in the test circuits shown in FIG for 3 different cases:
a) eine Einrichtung El wird an die Leitung Ltg angeschalteta) a device El is connected to the line Ltg
b) zwei Einrichtungen EX, E 2 werden kurz nacheinander an dieselbe Leitung Ltg ange- '5 schaltet undb) two devices EX, E 2 are connected to the same line Ltg '5 and shortly after one another
c) zwei Einrichtungen EX, E2 werden gleichzeitig an dieselbe Leitung Ltg angeschaltetc) two devices EX, E2 are connected to the same line Ltg at the same time
Im folgenden wird anhand von F i g. 2 der erfindungsgemäße Prüfstromkreis beschrieben.In the following, with reference to FIG. 2 describes the test circuit according to the invention.
Der im Gerät G enthaltene Teil des Prüfstromkreises oberhalb der strichpunktierten Linie wird ungeändert weiterbenutzt so daß einfachheitshalber im folgenden mit dem Begriff Prüfstromkreis nur der in der Einrichtung E vorhandene Teil des vollständigen Prüfstromkreises angesprochen wird.The part of the test circuit contained in the device G above the dash-dotted line is used unchanged so that, for the sake of simplicity, only the part of the complete test circuit present in the device E is referred to below with the term test circuit.
Der Vielfachpunkt VP liegt über die Leitung Ltg und das Belegungsrelais B auf —60 V, da kein Strom fließt Die Leitung führt wegen der ihr innenwohnenden Leitungskapazität CLtg eine Ladung, die bei Schaltvo-gängen berücksichtigt werden muß.The multiple point VP is connected to -60 V via the line Ltg and the occupancy relay B , since no current flows. Because of the internal line capacitance CLtg, the line carries a charge that must be taken into account when switching.
Nach dem Schließen des Anschaltekontaktes a I zum Zeitpunkt ti (Fig.3a) baut sich an den beiden Anschlüssen der Vierschichtdiode GIl eine Spannung UG 11 auf, die bei Erreichen der Zündspannung (etwa 20 V) zum Durchschalten (Zeitpunkt ί 3) der bis dahin sperrenden Vierschichtdiode GIl führt. Während des Zündvorganges springt die an der Diode GIl liegende Spannung UG11 in weniger als 0,1 \as von der to Zündspannung herunter zur Durchlaßspannung. Nach dieser Durchschaltung wird durch die Induktivität L 1 der Haltestrom der Vierschichtdiode aufrechterhalten, dessen Richtung der Spannungsänderung entgegenwirkt und über eine Diode G 51, Erde, Kurzschlußkon- ^ takt k 1 und Vierschichtdiode GIl zurück zur Induktivität L X fließt, bis sich die Spannung am Vielfachpunkt VP von zuvor —60 V auf die Durchlaßspannung (etwa — 1 V) erniedrigt hat. Ohne die Induktivität L 1 und die Diode G 5 würde der Strom durch die Vierschichtdiode GIl nach dem Durchschalten (Zündung zum Zeitpunkt / 3) unter den Haltewert absinken. Die Diode GIl würde sperren, bis die an ihr liegende Spannung eine erneute Zündung bewirkt, usw.After the closing contact a I at time ti (Fig.3a), a voltage UG 11 builds up at the two connections of the four-layer diode GIl, which when the ignition voltage (about 20 V) is reached, to switch through (time ί 3) of the up to then blocking four-layer diode GIl leads. During the ignition process, the voltage UG 11 across the diode GI1 jumps from the ignition voltage down to the forward voltage in less than 0.1 \ as. After this switching through the holding current of the four-layer diode is determined by the inductance L 1 maintained counteracts the direction of the change in voltage and via a diode G 51, earth, Kurzschlußkon- ^ clock k 1 and four-layer diode Gil back to the inductor LX flow until the voltage at the multiple point VP has decreased from previously -60 V to the forward voltage (approximately -1 V). Without the inductance L 1 and the diode G 5, the current through the four-layer diode GIl would drop below the hold value after switching through (ignition at time / 3). The diode GIl would block until the voltage applied to it causes a new ignition, etc.
Wie schon einleitend gesagt, wird der Kurzschlußkontakt ir 1 in einer Zwangsfolge geöffnet (Zeitpunkt t A), so daß die aus der Vierschichtdiode G 21 und dem Prüfrelais PNl gebildete Reihenschaltung aktiviert werden kann.As already said in the introduction, the short-circuit contact ir 1 is opened in a compulsory sequence (time t A), so that the series circuit formed from the four-layer diode G 21 and the test relay PN1 can be activated.
Der Vierschichtdiode G 21 ist ein Kondensator Cl parallelgeschaltet, der bis zum öffnen des Kurzschlußkontaktes ArI entladen war (UG21 in Fig.3a bis zum Zeitpunkt /4), und der direkt nach dem öffnen des Kurzschlußkontaktes k 1 Ladestrom (JL 1 in Fig. 3a) aufnimmt, so daß der Mindeststrom zum Halten der durchgeschalteten Vierschichtdiode GlI während des Umladevorganges auf der Leitung Ltgn'xcbl unterschrit-Zum Zeitpunkt ί 5 (Fig.3a) ist die Spannung UG21 am Kondensator C X und an den beiden Anschlüssen der Vierschichtdiode G 21 auf die Zündspannung angewachsen, so daß diese Vierschichtdiode durchschaltet und der Strom JL 1 im Prüfstromkreis wieder ansteigen kann, wodurch das Prüfrelais PN1 anziehen kann.The four-layer diode G 21 is connected in parallel with a capacitor Cl, which was up to open the short-circuit terminal ArI discharged (UG 21 in Figure 3a to the time / 4), and directly after the opening of the short-circuit terminal k 1 charging current (JL 1 in Fig. 3a) receives so that the minimum current for holding the through-connected four-layer diode GLI during the charge-reversal on the line Ltgn'xcbl unterschrit-the time ί 5 (3a) is the voltage UG 21 on the capacitor CX and the two terminals of the four-layer diode G 21 can attract increased to the firing voltage, so that these four-layer diode turns on and the St r om JL 1 can rise again in the test, whereby the test relay PN. 1
Eine weitere Aufgabe des Kondensators Cl ist die Funkenlöschung des Kurzschiußkontaktes * 1. In dem eingangs beschriebenen PrüfstroirJcreis erübrigte sich die Funkenlöschung, da nach dem öffnen des Jt-Kontaktes der Strom sofort über das niederohmige Prüfrelais PN weiterfließen konnte. Da hier aber die zweite Vierschichtdiode G 21 diesen Kreis direkt nach dem Öffnen des; Kontaktes ArI sperrt, würde ohne diesen Kondensator Cein Abreißfunken entstehen.Another task of the capacitor C1 is the spark extinction of the short-circuit contact * 1. In the test circuit described at the beginning, the spark extinction was unnecessary, since after the opening of the Jt contact, the current could continue to flow immediately via the low-resistance test relay PN. But since here the second four-layer diode G 21 this circle directly after the opening of the; Contact ArI blocks, without this capacitor C a breakaway spark would occur.
Erwähnt sei, daß den beiden Vierschichtdioden GIl und G 21 je eine Diode G 31 bzw. G 41 antiparallel geschaltet »st wodurch in bekannter Weise Spannungsspitzen in Sperrichtung unterdrückt werden.Should be noted that the two four-layer diode Gil and G 21 G 31 and a respective diode connected in antiparallel G 41 "st whereby in a known manner surges are suppressed in the reverse direction.
Im folgenden wird anhand der Fig.3b der Fall beschrieben, daß sich die Prüfstromkreise zweier Einrichtungen El und £2 kurz nacheinander an den selben Vielfachpunkt VP einer Leitung Hg anschalten.The following describes the case that the test circuits of two devices El and £ 2 to turn in quick succession on the same multi-point VP a line Hg reference to 3b.
Zum Zeitpunkt 11 schaltet sich der Prüfstromkreis einer ersten Einrichtung E1 mit seinem Anschaltekontakt a 1 an den Vielfachpunkt VP, und noch bevor die Vierschichtdiode GIl der ersten Einrichtung EX zum Zeitpunkt i3 zündet, schaltet sich der Prüfstromkreis einer zweiten Einrichtung £2 mit seinem Anschaltekontakt a 2 an.At time 1, 1, the test circuit comprising first means E 1 switches with his Anschaltekontakt a 1 to the multi-point VP, and before the four-layer diode Gil ignites the first device EX at time i3, the test circuit on a second device £ 2 with its Anschaltekontakt a 2 on.
Auch an der Vierschichtdiode C12 wächst die Spannung UG12 an. Nach der Zündung der Diode G 11 in der Einrichtung E1 steigt der Strom IL 1 an und die Spannung am Vielfachpunkt VP sinkt so weit ab, daß für die Vierschichtdiode G 12 in der zweiten Einrichtung E2 keine Zündbedingung besteht. Die Diode G12 verbleibt im Sperrzustand und die zweite Einrichtung E2 wird nicht angeschaltet. Die weiteren Vorgänge in der ersten Einrichtung E1 verlaufen in der schon beschriebenen Weise: die erste Einrichtung £1 wird angeschaltet und kann aufprüfen.The voltage UG 12 also increases at the four-layer diode C 12. After the ignition of the diode G 11 in the device E 1, the current IL 1 rises and the voltage at the multiple point VP drops so far that there is no ignition condition for the four-layer diode G 12 in the second device E2. The diode G12 remains in the blocking state and the second device E2 is not switched on. The further processes in the first device E 1 proceed in the manner already described: the first device E 1 is switched on and can check.
Im folgenden wird der Fall beschrieben, daß zwei Prüfstromkreise genau gleichzeitig zum Zeitpunkt 11 (F i g. 3c) durch ihre Anschaltkontakte a 1 und a 2 an denselben Vielfachpunkten VP einer Leitung Ltg angeschaltet werden. Falls jetzt auch noch die beiden Vierschichildioden GIl und G 12 zur gleichen Zeit f3 zünden, sind zunächst beide Prüfstromkreise mit derselben !Leitung Ltg verbunden. Anschließend öffnen die Kurzschlußkontakte k 1 und k 2. The following describes the case in which two test circuits are connected exactly at the same time at time 11 (FIG. 3c) through their connection contacts a 1 and a 2 at the same multiple points VP of a line Ltg . If now even the two Vierschichildioden Gil and G 12 fire at the same time f3, initially both test circuits are connected to the same! Line cond. The short-circuit contacts k 1 and k 2 then open.
Zuerst wird der Kurzschlußkontakt Ar 1 in der ersten Einrichtung £1 zum Zeitpunkt f 4 geöffnet, so daß die Spannung UG 21 an der zugehörigen Vierschichtdiode G 21 ansteigen kann, was mit einer Absenkung des Stromes JL 1 durch diesen Prüfstromkreis verbunden ist. Der Vielfachpunkt VP wird jedoch durch den noch geschlossenen A--Kontakt und die durchgeschaltete Vierschichtdiode G 12 in der zweiten Einrichtung £2 auf einer niedrigen Spannung weit unterhalb der Zündspannung gehalten, so daß die Vierschichtdiode G 21 in der ersten Einrichtung £1 gesperrt bleibt. Der Kondensator Cl lädt sich geringfügig auf (UG 2\), wodurch der Strom IL 1 unter den Haltestrom absinkt (76) und die Vierschichtdiode G 11 in den Sperrzustand zurückfällt Damit ist dieser Prüfstromkreis in der ersten Einrichtung £1 stromlos geworden. Der Strom, der bis zum Öffnen des Kurzschlußkontaktes k 1 durch den Prüfstromkreis in der ersten Einrichtung £1 geflossenFirst, the short-circuit contact Ar 1 in the first device £ 1 is opened at time f 4, so that the voltage UG 21 at the associated four-layer diode G 21 can rise, which is associated with a reduction in the current JL 1 through this test circuit. The multiple point VP is, however, kept at a low voltage far below the ignition voltage by the A contact that is still closed and the switched through four-layer diode G 12 in the second device £ 2, so that the four-layer diode G 21 remains blocked in the first device £ 1. The capacitor C1 charges up slightly (UG 2 \), as a result of which the current IL 1 drops below the holding current (76) and the four-layer diode G 11 falls back into the blocking state. The current that flowed through the test circuit in the first device £ 1 until the short-circuit contact k 1 was opened
ist, wird allmählich — bedingt durch die Induktivität L 2, die Stromänderungen entgegenwirkt — von dem zweiten an den Vielfachpunkt VP angeschalteten Prüfstromkreis übernommen.is, is gradually - due to the inductance L 2, which counteracts current changes - taken over by the second test circuit connected to the multiple point VP.
Im folgenden wird der Kurzschlußkontakt k 2 in dem Prüfstromkreis der zweiten Einrichtung E 2 geöffnet (ti), der Kondensator C2 lädt sich bis zur Zündspannung der Vierschichtdiode G 22 auf, so daß diese durchschaltet (t%) und nun das Prüfrelais PN2 erregt wird.In the following, the short-circuit contact k 2 in the test circuit of the second device E 2 is opened (ti), the capacitor C2 charges up to the ignition voltage of the four-layer diode G 22, so that it switches through (t%) and the test relay PN2 is now excited.
Das Prüfrelais PN \ in der ersten Einrichtung Fl kann nun nicht mehr erregt werden, da zur Zündung der beiden Vierschichtdioden GIl und G21 die doppelte Zündspannung (etwa —40 V) am Vielfachpunkt VP erforderlich wäre. Der Vielfachpunkt VP wird aber vonThe test relay PN \ in the first device Fl now can not be energized because the double ignition voltage (about -40 V) would be charged on multiple point VP for ignition of the two four-layer diodes Gil and G 21st The multiple point VP is, however, from
dem aktivierten Prüfstromkreis in der zweiten Einrichtung £2niederohmigauf etwa —3 V gehalten.the activated test circuit in the second device £ 2 is kept low at about -3 V.
Angemerkt sei, daß nach öffnen der Kurzschlußkontakte ki und k2 die Warhscheinlichkeit dafür, daß beide Vierschichtdioden G 21 und G 22 genau zum gleichen Zeitpunkt Zündbedingungen antreffen, wegen der Toleranzen der Bauelemente so gering ist, daß sie vernachlässigt werden kann.It should be noted that after the short-circuit contacts ki and k2 have opened, the probability that both four-layer diodes G 21 and G 22 will encounter ignition conditions at exactly the same point in time is so low because of the tolerances of the components that it can be neglected.
Wenn sich mehr als zwei Einrichtungen El ... En gleichzeitig an dieselbe Leitung Ltg bzw. an denselben Vielfachpunkt VP anschalten, sind die Verhältnisse grundsätzlich mit dem zuvor geschilderten gleich: diejenige Einrichtung E, deren /r-Kontakt zuletzt geöffnet wird, bringt ihr Prüfrelais PN zum Anzug und prüft auf, während die anderen nicht zum Zuge kommen.If more than two devices El ... En connect to the same line Ltg or to the same multiple point VP at the same time, the conditions are basically the same as those described above: the device E whose contact was opened last brings its test relay PN to suit and check on while the others do not get a move.
Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752539732 DE2539732C2 (en) | 1975-09-06 | 1975-09-06 | Circuit arrangement to prevent double assignments |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| DE19752539732 DE2539732C2 (en) | 1975-09-06 | 1975-09-06 | Circuit arrangement to prevent double assignments |
Publications (2)
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| DE2539732A1 DE2539732A1 (en) | 1977-03-17 |
| DE2539732C2 true DE2539732C2 (en) | 1983-12-01 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1961016A1 (en) * | 1969-12-05 | 1971-06-09 | Merk Gmbh Telefonbau Fried | Circuit arrangement for preventing double assignments in telecommunication systems, in particular telephone systems |
-
1975
- 1975-09-06 DE DE19752539732 patent/DE2539732C2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2539732A1 (en) | 1977-03-17 |
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Legal Events
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