DE2511678A1 - ARRANGEMENT WITH M X N LIGHT EMITTING DIODES AND A TWO COORDINATE CONTROL NETWORK - Google Patents

ARRANGEMENT WITH M X N LIGHT EMITTING DIODES AND A TWO COORDINATE CONTROL NETWORK

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DE2511678A1
DE2511678A1 DE19752511678 DE2511678A DE2511678A1 DE 2511678 A1 DE2511678 A1 DE 2511678A1 DE 19752511678 DE19752511678 DE 19752511678 DE 2511678 A DE2511678 A DE 2511678A DE 2511678 A1 DE2511678 A1 DE 2511678A1
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diode
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emitting diodes
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Derek Hubert Mash
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Description

PatentanwaltPatent attorney

StuttgartStuttgart

A.D.Brisbane 15-14A.D.Brisbane 15-14

INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORKINTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORK

Anordnung mit m κ _n Lichtem?ttierenden Dioden und einem zwei-Koordinaten-Ansteuernetzwerk. Arrangement with m κ _n light-emitting diodes and a two- coordinate control network.

Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit m χ η lichtemitfierenden Dioden oder Gruppen dieser Dioden mit einem zwei-Koordinaten-Ansteuerungsnetzwerk mit m bzw. η Ansteuerleitungen.The invention relates to an arrangement with m χ η light-emitting diodes or groups of these diodes with a two-coordinate drive network with m or η control lines.

Es sind zwei-Koordinaten-Netzwerke aus sich überkreuzenden Leitern bekannt, wobei die Leiter in der einen Koordinate zeilenweise und die Leiter der anderen Koordinate spaltenweise angeordnet sind. Anden Kreuzungspunkten sind Dioden eingefügt, die durch Anlegen einer Spannung an die entsprechenden Koordinaten einzeln angesteuert werden können. Eine derartige Anordnung ist zur monolithischen Herstellung kompliziert, da das Halbleitermaterial nicht auf eine leitende Grundplatte aufgetragen werden kann.There are two-coordinate networks known from crossing ladders, the conductors in one coordinate being arranged in rows and the conductors in the other coordinate being arranged in columns. Andes crossing points are diodes inserted, which can be controlled individually by applying a voltage to the corresponding coordinates. Such an arrangement is for monolithic Manufacturing is complicated because the semiconductor material is not conductive Base plate can be applied.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der obengenannten .Art zu schaffen, die sich zur Herstellung in monolithischer Form eignet.The invention has for its object to provide an arrangement of the above-mentioned .Type which is suitable for fabrication in monolithic form.

Dies wird erfindungsgemeß dadurch erreicht, daß ein Anschluß jeder Diode oder Diodengrjppe über einen Widerstand mit einer der m Ansteuerleifungen der einen Koordirfate und über einen zweiten Widerstand mit einer der η Ansteuerleitungen der anderen Koordinate verbunden ist und die VerbindungenThis is achieved according to the invention in that one connection of each diode or diode group via a resistor with one of the m control lines one of the coordinates and a second resistor with one of the η Control lines of the other coordinate is connected and the connections

17.3.1975
Sa/Bre
3/17/1975
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derart gewählt sind, daß über jede der möglichen Koordinaten kombinationen nur eine Diode oder Diodengruppe angesteuert wird, und daß die anderen Anschlüsse aller Dioden bzw. Diodengruppen miteinander verbunden sind.are chosen such that combinations of each of the possible coordinates only one diode or group of diodes is controlled and the others Connections of all diodes or diode groups are interconnected.

Dadurch ergibt sich der Vorteil, daß die Anzahl notwendiger Anschlüsse für die Dioden fastauf die Hälfte reduziert wird, verglichen mit der Anzahl, die notwendig wäre, wenn getrennte Verbindungen zu beiden Seiten einer jeden Diode hergestellt würden.This has the advantage that the number of necessary connections for the number of diodes is reduced by almost half compared to the number which would be necessary if separate connections were made to either side of each diode.

Die Erfindung wird anhand des in den beiliegenden Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:The invention is illustrated with reference to the accompanying drawings Embodiment explained in more detail. Show it:

Fig. 1 die Darstellung einer Mnienförmigen Matrix aus lichtFig. 1 shows the representation of a miniature matrix of light

emittierenden GaAsP-Dioden in einem zwei-Koordinaten-Ansteuerungssystem undemitting GaAsP diodes in a two-coordinate drive system and

Fig.2 die bildliche Darstellung eines Teils einer monolithischenFig.2 is a pictorial representation of part of a monolithic

karteslschen Matrix aus Uchtemittierenden GaAsP-Dioden in einem auf ihrer Oberfläche gebildeten zwei-Koordinaten-Ansteuerungssystem. Cartesian matrix of Uchtemitting GaAsP diodes in a two-coordinate control system formed on their surface.

In FIg. 1 ist ein Satz von 25 lichtemittierenden Dioden 1 bis 25 in einer Zeile dargestellt, der mit einer gemeinsamen Erdvetfeindung. 26 versenen ist, die jeweils mit der η-zone der Dioden verbunden ist. Die p-zone einer jeden Diode 1st mit einem V/iderstandspaar 28 und 29 verbunden. Alle Widerstände 28 haben den gleichen Wert; ebenso die Widerstände 29. Vorzugsweise sind die Werte der Widerstände 28 und 29 gleich und betragen etwa 100 Ohm.In FIg. 1 shows a set of 25 light-emitting diodes 1 to 25 in a row, which have a common ground connection. 26 is versenen, each connected to the η-zone of the diodes. The p-zone of each diode is connected to a pair of resistors 28 and 29. All resistors 28 have the same value; likewise the resistors 29. The values of the resistors 28 and 29 are preferably the same and are approximately 100 ohms.

Die Widerstände 28 sind so mit den Anschlüssen Yl bis Ύ5 verbunden, daß jeder fünfte Widerstand crrs selben Y-Anschluß zusammengefaßt ist. Die Widerstände 29 sind in Fünfergruppen mti den Anschlüssen Xl bis X5 zusammengefaßt. Dieses Zwei-Koordinaten-Verbundsystem ordnet Jeder Diode ein eigenes Koordinatenpaar Xi Yj zu. Die Diode 8 ist z.B. dem Koordinatenpaar X2 Y3 zugeordnet. The resistors 28 are connected to the terminals Y1 to Ύ5 that every fifth resistor is combined across the same Y-terminal. The resistors 29 are combined in groups of five with the connections X1 to X5. This two-coordinate system assigns each diode its own pair of coordinates Xi Yj. The diode 8 is assigned to the coordinate pair X2 Y3, for example.

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Eine bestimmte Diode wird dadurch angesteuert, daß eine positive Spannung an die Anschlüsse des zugehörigen Koordinatenpaares angelegt wird, während die restlichen Anschlüsse geerdet werden. Im folgenden soll Diode 8 angesteuert werden. Wenn die angelegte Spannung V nahe der Schleusenspannung der Diode liegt, so fließt fast kein Strom durch Diode 8 und die Spannung an der p-Zone wird etwa den Wert V haben. Wenn di& Widerstände 28 und 29 gleich sind, dann wird das Potential an der p-Zone der Dioden 6,7,9 und 10 und auch der Dioden 3, 13, 18 und 23 auf 1/2 V gehalten, da die zugehörigen Widerstände die Spannung V teilen. Wenn nun der Spannungswert V anwächst; so daß die Schleusenspannung überschritten wird, beginnt Diode 8 zu leiten und zu leuchten. Solange die Spannung V/l unterhalb der Schleusenspannung bleibt, leuchtet nur die eine Diode 8.A certain diode is controlled by applying a positive voltage to the connections of the associated coordinate pair, while the remaining connections are grounded. In the following, diode 8 is to be controlled. If the applied voltage V is close to the gate voltage of the diode, almost no current flows through diode 8 and the voltage in the p-zone will be approximately V. If di & resistors 28 and 29 are the same, then the potential at the p-zone of diodes 6, 7, 9 and 10 and also of diodes 3, 13, 18 and 23 is kept at 1/2 V, since the associated resistances are the Divide voltage V. If now the voltage value V increases; so that the lock voltage is exceeded, diode 8 begins to conduct and light up. As long as the voltage V / l remains below the lock voltage, only one diode 8 lights up.

Fig.2 zeigt, wie das zuvor beschriebene Ansteuerungssystem in einer monolithischen kartesischen Matrix lichtemittierender Dioden angewandt wird. Es ist ein GaAsP-Plättchen (-chip) des η-Typs mit einer Matrix diffundierter p-Zonen 40 vorgesehen. Es werden dann herkömmliche Mehrschichttechniken angewandt, um ein Muster aus Nickel-Chromlegierten Dünnfilmwiderständen 41 und Aluminiumleiterbahnen 42 und 43 aufzutragen. Jedes Widerstandsmuster endet in Anschlüssen 44 und 45, die die Verbindung zu den zugehörigen Leiterbahnen 42 und 43 herstellen. Jedes Widersfandsmuster ist auch mit einem Mittenabgriff 46 versehen, die die Verbindung zur p-Zone 40 herstellt. Die Kreuzungspunkte 47 der Leiterbahnen sind isoliert, sodaß eine direkte elektrische Verbindung untereinander verhindert wird.Fig.2 shows how the control system described above in a monolithic Cartesian matrix of light emitting diodes will. It is a GaAsP chip of the η type with a matrix diffused p-zones 40 are provided. Conventional multilayer techniques are then used to create a pattern of nickel-chromium alloy thin film resistors 41 and aluminum traces 42 and 43 to apply. Each resistor pattern ends in terminals 44 and 45, which establish the connection to the associated conductor tracks 42 and 43. Each resistance pattern is also provided with a center tap 46 which the connection to the p-zone 40 is established. The crossing points 47 of the conductor tracks are insulated, so that a direct electrical connection each other is prevented.

Das Ansteuerjngssystem kann auch zur Ansteuerung satzweise parallel angeordneter Dioden verwendet wenden, im Gegensatz zur oben beschriebenen Ansteuerung einzelner Dioden.The control system can also be used for control in parallel in sets arranged diodes are used, in contrast to the control of individual diodes described above.

B09840/0732B09840 / 0732

Claims (5)

A.D.Brisbane 15-14 2 5 Ί 1678 Ansprüche:A.D.Brisbane 15-14 2 5 Ί 1678 Claims: 1./ Anordnung mit mx η lichtemittierenden Dioden oder Gruppen dieser ._ / — —1. / Arrangement with mx η light-emitting diodes or groups of these ._ / - - Dioden mit einem Zwei-Koordinaten-Ansteuerungsnetzwerk mit m bzw. η Ansteuerleitungen, dadurch gekennzeichnet/ daß ein Anschluß jeder Diode (1) oder Diodengruppe über einen Widerstand (28) mit einer der m Ansteuerleitungen (Yl) der einen Koordinate und über einen zweiten Widerstand (29) mit einer derjT_Ansteuer!eitungen (Xl) der anderen Koordinate verbunden ist und die Verbindungen derart gewählt sind, daß über jede der möglichen Koordinatenkombinationen nur eine Diode oder Diodengruppe angesteuert wird, und daß die anderen Anschlüsse aller Dioden bzw. Diodengruppen miteinander verbunden sind.Diodes with a two-coordinate control network with m resp. η control lines, characterized / that a connection of each diode (1) or diode group via a resistor (28) to one of the m control lines (Y1) of one coordinate and via a second resistor (29) to one of the control lines (X1) of the other Coordinate is connected and the connections are chosen such that only one diode or diode group is controlled via each of the possible coordinate combinations, and that the other connections of all Diodes or diode groups are connected to one another. 2. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Anordnung monolithisch ausgeführt ist.2. Matrix according to claim 1, characterized in that the entire arrangement is monolithic. 3. Matrix nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände in Dünnfilmtechnik aufgetragen werden.3. Matrix according to claim 2, characterized in that the resistors are applied using thin-film technology. 4. Matrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden !imienförmig angeordnet sind.4. Matrix according to one of the preceding claims, characterized in that the diodes are arranged in an imien-shaped manner. 5. Matrix nach Anspruch 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden in Form einer kartesischen Matrix angeordnet sind.5. Matrix according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the diodes are arranged in the form of a Cartesian matrix. 509840/0732509840/0732 LeerseiteBlank page
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