DE2439208A1

DE2439208A1 - EXPOSURE DEVICE

Info

Publication number: DE2439208A1
Application number: DE19742439208
Authority: DE
Inventors: Albert Dipl Phys Frosch; Arno Dipl Phys Schmackpfeffer
Original assignee: IBM Deutschland GmbH
Current assignee: IBM Deutschland GmbH
Priority date: 1974-08-16
Filing date: 1974-08-16
Publication date: 1976-03-11
Also published as: FR2282120A2; GB1500959A; JPS5139143A; FR2282120B2

Description

Bcblingen, den 14. August 1974 pr/bs-aaBcblingen, August 14, 1974 pr / bs-aa

Anmelderin: IBM Deutschland GmbHApplicant: IBM Deutschland GmbH

Pascalstr. 100 7O00 Stuttgart 80Pascalstrasse 100 7O00 Stuttgart 80

Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: GE 974 005 Belichtungsvorrichtung Official file number: New registration File number of the applicant: GE 974 005 Exposure device

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Belichten von lichtempfindlichen Schichten mit sehr fein strukturierten Lichtmustern» insbesondere zum Belichten einer Photolackschicht durch Masken bei der Herstellung von integrierten Schaltungen nach Patentanmeldung 2 116 713.The invention relates to a device for exposing photosensitive Layers with very finely structured light patterns »especially for exposing a photoresist layer through masks in the manufacture of integrated circuits according to patent application 2 116 713.

In der Hauptanmeldung wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Belichten von lichtempfindlichen Schichten mit sehr fein strukturierten Lichtmustern, insbesondere zum Belichten einer Photolackschicht durch Masken bei der Herstellung von integrierten Schaltungen beschrieben, durch das die bei der Belichtung sehr feiner Spalte auftretenden, das Entstehen sogenannter Geisterlinien verursachenden Nebenmaxima unschädlich gemacht werden. Das Unschädlichmachen der Nebenmaxima, die besonders bei überlagerung von von benachbarten Spalten stammenden Beugungsmustern die zu übertragende Maskenmuster verfälschen können, erfolgt gemäß der Hauptanmeldung unter anderem dadurch, daß die Belichtung mit aus mindestens zwei Richtungen einfallenden parallelen Strahlungen erfolgt. Der Winkel zwischen diesen Strahlungen ist so bemessen, daß die Nebenmaxima der durch die eine Strahlung erzeugten Beugungsmuster mit den entsprechenden Nebenminima der durch die andere Strahlung erzeugten Beugungsmuster zusammenfallen. DaIn the main application a method and an apparatus for Exposing light-sensitive layers with very finely structured light patterns, in particular for exposing a photoresist layer described by masks in the manufacture of integrated circuits, through which the exposure very much fine gaps occurring, the emergence of so-called ghost lines causing secondary maxima are rendered harmless. Making the secondary maxima harmless, especially when they are superimposed from diffraction patterns originating from adjacent columns which can falsify the mask pattern to be transmitted, takes place in accordance with Main application, inter alia, in that the exposure with parallel rays incident from at least two directions he follows. The angle between these radiations is dimensioned so that the secondary maxima of the diffraction pattern generated by the radiation coincide with the corresponding secondary minima of the diffraction pattern generated by the other radiation. There

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die Hauptmaxima, zumindest bezogen auf eine bestimmte Intensität, wesentlich breiter sind als die Nebenmaxima, tritt bei diesem Verfahren im Bereich der Hauptmaxima eine Erhöhung der Intensitäten, im Bereich der Nebenmaxima aber eine Nivellierung der Intensitäten ein. Es ist ohne weiteres einleuchtend, daß dieser Vorgang nicht einer "Verschmierung" der unerwünschten Nebenmaxima gleichgesetzt werden kann, wie sie beispielsweise bei einer kontinuierlichen Schwenkung einer einzigen parallelen Strahlung aus einer der oben angegebenen Richtungen in die andere auftreten würde. In diesem Fall würden sich zwar die Verhältnisse bei der Überlagerung der Hauptmaxima nicht wesentlich ändern, im Falle der Nebenmaxima würde aber mindestens einmal eine Strahlrichtung durchlaufen werden bei der eine Überlagerung und somit Addition zweier Nebenmaxima eintritt, was bei dem Verfahren nach der Hauptanmeldung gerade vermieden wird. Die gleichen unerwünschten Verhältnisse liegen vor, wenn eine linienförmige oder kreisscheibenförmige Lichtquelle benutzt wird, wie sie beispielsweise bei photographischen Kopier- und Vergrößerungsgeräten Verwendung findet, wobei die von den Endpunkten der linienförmigen Lichtquelle oder des Radius der Kreisscheibe ausgehenden Strahlen den oben definierten Winkel einschließen.the main maxima, at least in relation to a certain intensity, are much wider than the secondary maxima, with this method there is an increase in the intensities in the area of the main maxima, In the area of the secondary maxima, however, the intensities are leveled. It is obvious that this Process not a "smearing" of the undesired secondary maxima can be equated, for example, with a continuous pivoting of a single parallel radiation would occur from one of the directions given above in the other. In this case, the situation would be different in the The superposition of the main maxima does not change significantly, but in the case of the secondary maxima a beam direction would at least once are run through in which a superposition and thus addition of two secondary maxima occurs, which is the case with the method according to the main application just avoided. The same undesirable conditions exist when a linear or circular disk-shaped Light source is used, as used for example in photographic copiers and enlargers takes place, the from the end points of the linear light source or the radius of the circular disk outgoing rays enclose the angle defined above.

Das in der Hauptanmeldung beschriebene Verfahren wird nur unwesentlich verschlechtert, wenn zur Übertragung einer spaltförmigen Maskenöffnung die Richtung einer zwischen zwei den erforderlichen Winkel einschließenden Endlagen geschwenkten Strahlung im Mittelbereich sehr schnell, im Bereich der den erforderlichen Winkel einschließenden Endlagen aber wesentlich langsamer bewegt wird. Diese Verhältnisse liegen beispielsweise bei einer eine Pendelbewegung ausführenden Parallellichtquelle vor, deren Hauptstrahl einen auf der Symmetrieachse der Pendelbewegung liegenden Punkt ständig schneidet. Es ist ohne weiteres einzusehen, daß das gleiche Ergebnis eintritt, wenn die Parallellichtquelle mit konstanter Geschwindigkeit so auf einer Kreisbahn bewegt wird, das der Hauptstrahl einen auf einer durch den Mittelpunkt der Kreisbahn gehenden Normalen der Kreisebene in der Nähe der Maske liegendenThe procedure described in the main application is only insignificant worsened if the direction of one between two required for transferring a gap-shaped mask opening Angle enclosing end positions pivoted radiation in the central area very quickly, in the area of the required angle enclosing end positions is moved much more slowly. These conditions exist, for example, in the case of a parallel light source which executes a pendulum movement and whose main ray has one on the symmetry axis of the pendulum motion constantly intersects. It is readily understood that the same thing The result occurs when the parallel light source is moved at a constant speed on a circular path that the main beam one lying on a normal of the circular plane passing through the center point of the circular path in the vicinity of the mask

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Punkt ständig schneidet, da die Projektion einer Kreisbewegung bezogen auf einen bestimmten Maskenspalt eine Pendelbewegung darstellt.Point constantly intersects, as the projection of a circular motion represents a pendulum movement in relation to a certain mask gap.

Da die bei der Belichtung von Photolackschichten nach dem Hauptpatent erforderlichen Energien, ebenso wie auch bei den nicht nach dem Verfahren gemäß dem Hauptpatent arbeitenden Vorrichtungen dieser Art, sehr hoch sind, sind Lichtquellen außerordentlich hoher Leistung und lange Belichtungszeiten erforderlich. Da die Linienelemente der auf die Photolackschicht bei der Herstellung von integrierten Schaltungen zu übertragenden Muster in der Größenordnung von 1 um liegen und die Packungsdichten immer höher werden, wirken sich die erforderlichen hohen Lichtleistungen und langen Belichtungszeiten wegen der damit verbundenen Erwärmung und Empfindlichkeit gegen Vibrationen jeder Art sehr ungünstig aus. Ein weiterer schwerwiegender Nachteil, der insbesondere bei Verwendung sogenannter Negativphotolacke eintritt, besteht darin, daß viele Photolacke gegen den Luftsauerstoff sehr empfindlich sind, so daß sehr umständlich zu bedienende und kostspielige Vorrichtungen zur Kühlung und zur Erzeugung einer Schutzgasschicht erforderlich sind. Selbst bei sorgfältiger Stickstoffspülung läßt es sich nicht mit Sicherheit vermeiden, daß Spuren von Sauerstoff auf die Photolackschicht gelangen und nicht vorhersehbare Störungen der übertragenen Muster verursachen. Es hat sich gezeigt, daß diese nachteiligen Effekte bei Belichtungszeiten, die weit unter einer Sekunde liegen, nicht auftreten. Die dabei erforderlichen hohen Lichtintensitäten lassen sich aber mit kleinflächigen Lichtquellen, die Voraussetzung für die Erzeugung von Lichtbündeln mit der erforderlichen Parallelität sind, nicht verwirklichen. Kleinflächige Blitzlampen mit der erforderlichen Lichtintensität haben eine extrem kurze Lebensdauer, die im allgemeinen bei zehn Blitzen pro Lampe liegt. Abgesehen von den dabei auftretenden hohen Kosten wird dadurch, bedingt durch die beim Lampenwechsel und den erforderlichen wiederholten Justagen auftretenden Zeitverluste, eine rationelle Massenfertigung unmöglich.Since the exposure of photoresist layers according to the main patent required energies, as well as with the devices not working according to the method according to the main patent of this type, are very high, light sources of extremely high power and long exposure times are required. Since the Line elements of the pattern to be transferred to the photoresist layer in the manufacture of integrated circuits in the order of magnitude of 1 µm and the packing densities are getting higher and higher, the required high light outputs and Long exposure times are very unfavorable because of the associated heating and sensitivity to vibrations of all kinds the end. Another serious disadvantage, which occurs especially when using so-called negative photoresists, is that that many photoresists are very sensitive to atmospheric oxygen, so that they are very cumbersome to use and expensive Devices for cooling and for generating a protective gas layer are required. Even with careful nitrogen purging it cannot be avoided with certainty that traces of oxygen get onto the photoresist layer and unpredictable ones Cause disturbances of the transmitted patterns. It has been shown that these adverse effects in exposure times, that are well under a second do not occur. The high light intensities required for this can, however, be achieved with small-area light sources, the prerequisite for generating light bundles with the required parallelism are, do not realize. Small-area flash lamps with the required light intensity have an extremely short lifespan, which is generally ten flashes per lamp. Apart from the high costs involved, this is conditional due to the time losses that occur when changing the lamp and the necessary repeated adjustments, rational mass production not possible.

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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach dem Hauptpatent anzugeben, die eine Verwendung relativ großflächiger Lichtquellen ermöglicht. Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst. Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.The invention is based on the object of specifying a device for carrying out the method according to the main patent, which enables the use of relatively large-area light sources. This object is achieved by the invention specified in claim 1 solved. Further developments and advantageous refinements result from the subclaims.

Vorteileadvantages

Die gemäß der vorliegenden Erfindung vorgeschlagene ringförmige Lichtquelle, die auch als regelmäßiges Vieleck ausgebildet sein kann, entspricht in ihrer Wirkung nicht einer kreisscheibenförmigen Lichtquelle entsprechenden Durchmessers, sondern der Wirkung einer auf einer Kreisbahn mit konstanter Geschwindigkeit bewegten Parallellichtquelle, deren Lichtbündel einen auf einer durch den Mittelpunkt der Kreisbahn gehenden Normalen der Kreisebene in der Nähe der Maske liegenden Punkt ständig schneidet, wie sie beispielsweise in Fig. 5 des Hauptpatentes dargestellt ist. The ring-shaped light source proposed according to the present invention, which can also be designed as a regular polygon can, does not correspond in its effect to a circular disk-shaped light source of corresponding diameter, but to the effect a parallel light source moving on a circular path at constant speed, the light bundle of which travels through the The center point of the normal of the circular plane in the vicinity of the mask constantly intersects, as is shown, for example, in FIG. 5 of the main patent.

Diese ohne weiteres einleuchtende Übereinstimmung der Wirkungen beider Vorrichtungen, ergibt sich aus der Tatsache, daß sowohl von jedem Punkt der Kreisbahn der bewegten Parallellichtquelle als auch von jedem Punkt der ringförmigen Lichtquelle gemäß der vorliegenden Erfindung je Zeiteinheit gleiche Lichtenergien ausgehen. Die Tatsache, daß im ersten Fall die Lichtabgabe in zeitlicher Aufeinanderfolge, im zweiten Fall aber gleichzeitig erfolgt, ist wegen der Speichereigenschaft lichtempfindlicher Schichten und der Inkohärent der Lichtstrahlung ohne Einfluß auf das Ergebnis. Besondere Vorteile der erfindungsgemäßen Belichtungsvorrichtung sind die Unterdrückung des Sauerstoffeffektes, insbesondere bei der Belichtung von Negativphotolacken, eine längere Lebensdauer der verwendeten Lichtquellen, das Fehlen jeder mechanischen Bewegung und der damit verbundenen Vibrationen und Verschleißerscheinungen, die UnempfindlichkeitThis readily obvious correspondence of the effects of both devices results from the fact that both from every point of the circular path of the moving parallel light source and from every point of the annular light source according to FIG present invention assume the same light energies per unit of time. The fact that in the first case the light output in time Successive, but in the second case occurs simultaneously, is more light-sensitive because of the storage property Layers and the incoherence of light radiation without influence on the result. Particular advantages of the exposure device according to the invention are the suppression of the oxygen effect, especially when exposing negative photoresists, a longer service life of the light sources used, that Absence of any mechanical movement and the associated vibrations and wear and tear, the insensitivity

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gegen von außen kommende Erschütterungen und eine ganz wesentliche Beschleunigung der Belichtungsvorgänge.against vibrations coming from outside and a very important one Acceleration of the exposure processes.

Explanation of the invention

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand der Figur erläutert. An embodiment of the invention is explained with reference to the figure.

Von einer als ringförmige Blitzlampe 1 ausgebildeten Lichtquelle geht eine Strahlung 2 aus, durchsetzt eine Linse 3 und fällt als Strahlung 4 auf eine Maske 5. Der die Ausnehmungen 8a bis 8d der Maske durchsetzende Teil der Strahlung 4 fällt auf ein darunter im Abstand von etwa 20 jum in einer justierbaren Vakuumhaltevorrichtung 9 angeordnetes Halbleiterplättchen 6, das mit einer Photolackschicht 7 überzogen ist. Der Abstand zwischen der Maske 5 und dem Halbleiterplättchen 6 ist in der Figur der besseren Übersichtlichkeit halber übertrieben dargestellt.A radiation 2 emanates from a light source designed as a ring-shaped flash lamp 1, passes through a lens 3 and falls as a Radiation 4 on a mask 5. The part of the radiation 4 which penetrates the recesses 8a to 8d of the mask falls on an underneath at a distance of about 20 µm in an adjustable vacuum holding device 9 arranged semiconductor wafer 6, which is coated with a photoresist layer 7. The distance between the mask 5 and the semiconductor wafer 6 is shown exaggerated in the figure for the sake of clarity.

Wird die ringförmige Lichtquelle 1 bis auf einen kleinen Bereich Ib abgedeckt, so ist die die Linse 2 verlassende Strahlung parallel und erzeugt durch Beugung an der spaltförmigen Maskenöffnung 8a auf der Photolackschicht 7 ein Beugungsmuster, das in bekannter Weise jeweils aus einem Hauptmaximum und mehreren Nebenmaxima und Nebenminima besteht. In der Figur ist der Einfachheit halber nur ein an einer spaltförmigen Maskenöffnung gebildetes Beugungsmuster 10 wiedergegeben und im vergrößerten Maßstab dargestellt. Bei ungünstiger Lage einer benachbarten spaltförmigen Maskenöffnung, beispielsweise der Maskenöffnung 8b, können sich einzelne Nebenmaxima der an beiden Maskenöffnungen gebeugten Muster überlagern und dadurch in der Photolackschicht 7 nicht erwünschte, als Geisterlinien bezeichnete belichtete Bereiche erzeugen.If the ring-shaped light source 1 is covered except for a small area Ib, the radiation leaving the lens 2 is parallel and generated by diffraction at the gap-shaped mask opening 8a a diffraction pattern on the photoresist layer 7, which in a known manner consists of a main maximum and several secondary maxima and minor minima. In the figure, for the sake of simplicity, only a diffraction pattern 10 formed on a gap-shaped mask opening is shown and shown on an enlarged scale. In the case of an unfavorable position of an adjacent gap-shaped mask opening, for example the mask opening 8b, individual Secondary maxima of the patterns diffracted at both mask openings superimpose and thereby produce in the photoresist layer 7 undesired, as ghost lines designated exposed areas.

Wird ein zweiter Bereich, beispielsweise der Bereich la der ringförmigen Lichtquelle 1 freigegeben, so treten aus der Linse 2 zwei parallele Strahlungen aus, die miteinander einen Winkel φ bilden. Dieser Winkel ist so bemessen - in der Praxis wird φIf a second area, for example the area la of the annular When light source 1 is released, two parallel radiations emerge from the lens 2 which form an angle φ with one another form. This angle is dimensioned so - in practice, φ

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gleich 2° bis 5° sein - daß das durch den einen Strahl erzeugte Beugungsmuster gegen das durch den anderen Strahl erzeugte Beugungsmuster um den halben Abstand zweier benachbarter Nebenmaxima verschoben ist. Wegen ihrer größeren Breite überlagern sich die Hauptmaxima der beiden Beugungsmuster weitgegehend, so daß ein Maximum mit doppelter Höhe entsteht, während im Bereich der Nebenmaxima jeweils ein Nebenmaximum mit einem Nebenminimum des durch Beugung an ein- und derselben spaltförmigen Maskenöffnung entstehenden Musters zusammenfällt. Dadurch entsteht im Bereich der Photolackschicht 7 eine Intensitätsverteilung, die im Bereich der Hauptmaxima die doppelte Höhe eines einzelnen Hauptmaximums und im Bereich der Nebenmaxima die Höhe eines einzelnen Nebenmaximums aufweist, so daß überlagerungen^von durcn Beugungen an benachbarten spaltförmigen Maskenöffnungen entstandene*» Beugungsmustei^keine unzulässig hohen BelichtungsIntensitäten aufweisen. Wird die Belichtungsintensität so auf die Lichtempfindlichkeit der Photolackschicht abgestimmt, daß ein "Durchbelichten" - unter Durchbelichten wird eine Belichtung verstanden, die zu einer vollständigen Entfernung oder zu einer vollständigen Erhaltung der belichteten Bereiche bei einer nachträglichen Entwicklung führt - erst bei der halben auftretenden Intensität erfolgt, so können durch die im Bereich der Nebenmaxima auftretenden LichtIntensitäten mit Sicherheit keine Störungen auftreten.be equal to 2 ° to 5 ° - that the diffraction pattern produced by one beam is against that produced by the other beam Diffraction pattern around half the distance between two neighboring secondary maxima is shifted. Because of their greater width, the main maxima of the two diffraction patterns largely overlap, see above that a maximum with twice the height arises, while in the area of the secondary maxima in each case a secondary maximum with a secondary minimum of the pattern resulting from diffraction at one and the same gap-shaped mask opening coincides. This creates in the Area of the photoresist layer 7 has an intensity distribution which, in the area of the main maxima, is twice the height of an individual Main maximum and in the area of the secondary maxima the height of a single secondary maximum, so that superimpositions ^ of durcn Diffraction caused by adjacent gap-shaped mask openings * » Diffraction pattern no impermissibly high exposure intensities exhibit. The exposure intensity will affect the photosensitivity the photoresist layer matched that a "through-exposure" - under exposure is understood an exposure that leads to a complete removal or a complete preservation of the exposed areas in a subsequent development leads - only takes place at half the occurring intensity, so can through the occurring in the area of the secondary maxima Light intensities with certainty no interference occurs.

Es ist ohne weiteres einleuchtend, daß eine einwandfreie Übertragung von senkrecht zu den spaltförmigen Maskenöffnungen 8a und 8b liegenden Spaltöffnungen 8c mit den beiden, einen in der Bildebene liegenden Winkel φ einschließenden Strahlungen nicht möglich ist, da der zu übertragende Spalt senkrecht zur Ebene des Winkels φ liegen muß.It is obvious that a proper transmission of gap openings 8c lying perpendicular to the gap-shaped mask openings 8a and 8b with the two, one in the Radiation including the angle φ lying in the image plane is not possible, since the gap to be transmitted is perpendicular to the plane of the angle φ must be.

Um die spaltförmigen Maskenöffnungen 8c allein einwandfrei übertragen zu können, würde es genügen, die ringförmige Lichtquelle 1 bis auf die Bereiche Ic und Id abzudecken, so daß zwei Strahlungen entstehen, die einen senkrecht zur Seichenebene liegenden, nicht dargestellten Winkel φ einschließen. Zur einwandfreienTo the gap-shaped mask openings 8c alone transferred correctly to be able to, it would be sufficient to cover the annular light source 1 except for the areas Ic and Id, so that two radiations arise that enclose an angle φ, not shown, which is perpendicular to the plane of the lake. To the impeccable

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übertragung von Maskenöffnungen 8d, die mit den öffnungen 8a und 8c Winkel von jeweils 45° bilden, wäre ein drittes Paar von Bereichen der ringförmigen Lichtquelle 1 erforderlich usw.Transfer of mask openings 8d, which with the openings 8a and 8c form angles of 45 ° each, a third pair of areas of the annular light source 1 would be required, etc.

Wird die ringförmige Lichtquelle 1 nicht abgedeckt, so erzeugt die von jeden ihrer Punkte ausgehende Strahlung nach Durchtritt durch die Linse 2 eine parallele Strahlung, da, wie schon eingangs erwähnt, die ringförmige Lichtquelle in der Brennebene der Linse 2 liegt. Die Gesamtheit aller von den einzelnen Punkten der Lichtquelle 1 ausgehenden Strahlen bildet, wie leicht einzusehen ist, nach ihrem Durchtritt durch die Linse 2 eine Schar von einander durchdringenden kegelmantelförmigen Strahlungsgruppen 4, die jeweils den räumlichen Winkel φ einschließen. Das hat zur Folge, daß für jede beliebige Richtung und Lage einer spaltförmigen Maskenöffnung dieselben Verhältnisse vorliegen wie bei einer genau senkrecht zur jeweiligen Spaltrichtung eine Pendelbewegung ausführenden punktförmigen Lichtquelle.If the ring-shaped light source 1 is not covered, the radiation emanating from each of its points is generated after passage through the lens 2, a parallel radiation because, as already mentioned, the ring-shaped light source in the focal plane of the Lens 2 lies. The totality of all rays emanating from the individual points of the light source 1 is easy to see is, after passing through the lens 2, a bevy of penetrating cone-shaped radiation groups 4, which each enclose the spatial angle φ. This has the consequence that for any direction and position a gap-shaped Mask opening, the same conditions exist as in the case of a pendulum movement exactly perpendicular to the respective gap direction executing point light source.

Die Erfindung kann sowohl mit kontinuierlich emtitierenden Lichtquellen als auch mit Blitzlampen verwirklicht werden. Durch geeignete Linsensysteme ist es möglich, die Größe der zur Verfugung stehenden ringförmigen Lichtquellen der Größe der zu übertragenden Masken anzupassen. Durch die Verwendung von ringförmigen Lichtquellen mit dünnen Leuchtfäden, wird die Qualität der übertragenen Muster verbessert, da mit dünner werdenden Leuchtfäden eine Vielzahl von punktförmigen Lichtquellen immer besser angenähert wird. Selbstverständlich ist es auch möglich, anstelle einer ringförmigen Lichtquelle eine Lichtquelle in Form eines geschlossenen Vielecks zu verwenden. Weiterhin ist es auch möglich anstelle der geschlossenen Lichtquellen Leuchtvorrichtungen zu verwenden, die aus einer Vielzahl Surch Abstände voneinander getrennten, eine geschlossene ringförmige Lichtquelle annähernden einzelnen Lichtquellen bestehen.The invention can be used both with continuously emitting light sources as well as with flash lamps. With suitable lens systems it is possible to adjust the size of the available to adapt standing ring-shaped light sources to the size of the masks to be transferred. By using annular Light sources with thin filaments, the quality of the transferred pattern is improved, as with thinning filaments a multitude of point light sources is increasingly approximated. Of course, it is also possible instead an annular light source to use a light source in the form of a closed polygon. It is also possible instead of the closed light sources to use lighting devices that consist of a large number of Surch distances from one another separate individual light sources approximating a closed ring-shaped light source.

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Claims

- 8 -PATENTANS PRÜCHE - 8 - PATENT'S CLAIMS

/1./ Vorrichtung zum Belichten von lichtempfindlichen Schichten mit sehr fein strukturierten Lichtmustern, insbesondere zum Belichten einer Photolackschicht durch Masken bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, nach Patentanmeldung P 2 116 713, gekennzeichnet durch eine ringförmige Lichtquelle (1) und eine Linse (3), die durch Parallelrichten der von jedem einzelnen Punkt der Lichtquelle ausgehenden Strahlen (2) eine Schar von einander durchdringenden kegelförmigen Strahlengruppen (4) mit gleichen Öffnungswinkeln (Φ) erzeugt und durch die zu übertragende Maske (5) auf die zu belichtende Schicht (7) richtet./1./ Device for exposing photosensitive layers with very finely structured light patterns, in particular for exposing a photoresist layer through masks in the Manufacture of integrated circuits, according to patent application P 2 116 713, characterized by an annular Light source (1) and a lens (3) which penetrate a group of one another by aligning the rays (2) emanating from each individual point of the light source in parallel conical beam groups (4) with the same opening angles (Φ) generated and through the mask to be transferred (5) is directed towards the layer (7) to be exposed.

2. Vorrichtung zum Belichten von lichtempfindliche Schichten mit sehr fein strukturierten Lichtmustern, insbesondere zum Belichten einer Photolackschicht durch Masken bei der Herstellung von integrierten Schaltungen nach Patentanmeldung P 2 116 713, gekennzeichnet durch eine die Form eines geschlossenen Vielecks aufweisende Lichtquelle und eine Linset, ^d*e durch Parallelrichten der von jedem einzelnen Punkt der Lichtquelle ausgehenden Strahlen (2) eine Schar von einander durchdringenden kegelmantelförmigen Strahlengruppen (4) mit gleichen Öffnungswinkeln (Φ) erzeugt und durch die zu übertragende Maske (5) auf die zu belichtende Schicht (7) richtet.2. Device for exposing photosensitive layers with very finely structured light patterns, in particular for exposing a photoresist layer through masks in the production of integrated circuits according to patent application P 2 116 713, characterized by a light source having the shape of a closed polygon and a lens set, ^d * e by parallel alignment of the beams (2) emanating from each individual point of the light source, a group of penetrating cone-shaped beam groups (4) with the same opening angles (Φ) is generated and directed through the mask (5) to be transferred onto the layer (7) to be exposed .

3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (1) als kontinuierlich emittierende Strahlungsquelle ausgebildet ist.3. Device according to claims 1 or 2, characterized in that the light source (1) as continuous emitting radiation source is formed.

4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (1) als Blitzlampe ausgebildet ist.4. Device according to claims 1 or 2, characterized in that the light source (1) is designed as a flash lamp.

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5. Device according to one or more of claims 1 to 4, characterized / that the light source (1) from several, approximating a circle or a closed polygon, each representing a part of these figures Light sources.

6. Apparatus according to claim 5, characterized in that Clearances are provided between the individual light sources.

7. Device according to one or more of the preceding claims, characterized in that the light source is designed as a primary radiator.

8. Device according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that the light source is used as a secondary radiator is trained.

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