DE2431285C3 - Anordnung zur Ansteuerung eines steuerbaren Halbleiterelementes über einen Impulsübertrager - Google Patents
Anordnung zur Ansteuerung eines steuerbaren Halbleiterelementes über einen ImpulsübertragerInfo
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf :ine Anordnung zur Ansteuerung eines steuerbaren Halbleiterelementes
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine derartige Anordnung ist bekannt (Der Elektroniker 1972, Nr. 1,
S.9bisl4,insbes.Abb.7).
In Transistor- oder Thyristorschaltungen ist es oft <o
erforderlich, den Ansteuerkreis durch einen Übertrager potentialmäßig vom Lastkreis zu trennen. Diese
Übertrager werden meist mit unipolaren Impulsen oder mit Impulspaketen aus einer dichten Folge von
Einzelimpulsen beaufschlagt Die Anforderungen, die dabei an den Zündübertrager gestellt werden, betreffen
neben der formgetreuen Übertragung der Impulse eine hohe Isolationsfestigkeit zwischen den Wicklungen.
Eine wesentliche Voraussetzung zur formgetreuen Übertragung der Impulse ist durch die Beschallung der
Impulsübertrager, der in möglichst kurzer Zeit entmagnetisiert werden muß, gegeben. Eine derartige
Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Thyristors mit unipolaren Impulsen oder Impulspaketen über einen
Impulsübertrager ist — wie eingangs erwähnt — aus der 5S
Zeitschrift »Der Elektroniker« Nr. 1/1972, Seite 9 bis 14, insbesondere Abbildung 7, bekannt und in F i g. 1
wiedergegeben. Die Primärwicklung des Impulsübertragers 1 ist in Reihe zu einem Schalttransistor 2, dem
Endtransistor im Steuersatz, und einem Begrenzungs- M
widerstand geschaltet. Parallel zur Primärwicklung befindet sich zur Entmagnetisierung die Reihenschaltung
einer ersten Diode 3 und einer Z-Diode 4, die anordenseitig miteinander verbunden und somit in
entgegengesetzter Durchlaßrichtung gepolt sind. An die SteueranschlUsse des Thyristors S ist die Parallelschaltung
eines Kondensators 6, eines Gate-Widerstandes 7 und die Reihenschaltung der Sekundärwicklung des
Impulsübertragers ί und einer zweiten Diode 8 angeschlossen. Die zweite Diode 8 im Steuerkreis des
Thyristors 5 verhindert, daß nach erfolgtem Zündimpuls ein Ummagnetisierungsstrom in entgegengesetzter
Richtung über den Steueranschluß des Thyristors 5 fließt
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anordnung zur Beschallung eines mit unipolaren
Impulsen beaufschlagten Impulsübertragers anzugeben, die sowohl eine möglichst kurze Entmagnetisierungszeit
sicherstellt als auch die an der Sekundärwicklung des Impulsübertragers angeschlossenen Bauelemente gegen
zu hohe Spannungen schützt
Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst
Diese Anordnung stellt eine kurzzeitige Entmagnetisierung sicher und läßt damit eine längere Einschaltzeit
im Verhältnis zur Ausschaltzeit zu und gewährt den an der Sekundärwicklung des Impulsübertragers angeschlossenen
Bauelementen ausreichenden Schutz gegen eventuell auftretende Überspannungen,
An Hand der Zeichnung sei ein Ausführungsbeispiel der Erfindung näher erläutert Es zeigt die
Fig.2 eine Anordnung zur Ansteuerung eines
Transistors und
Fig.3 den zeitlichen Verlauf der Ströme und
Spannungen im Steaerkreis des Transistors nach F i g. 2.
Die in F i g. 2 dargestellte Anordnung zur Ansteuerung eines Transistors 5 weist in Reihe zur Primärwicklung
eines Impulsübertragers 1 die Emitter-Kollektorstrecke eines Endstufen-Transistors 2 auf. Parallel zur
Sekundärwicklung des Impulsübertragers 1 ist die Reihenschaltung zweier in gleicher Duchlaßrichtung
gepolter Z-Dioden 4, 9 und einer dazwischengeschalteten in entgegengesetzter Durchlaßrichtung gepolten
Diode 3 geschaltet Der Steueranschluß, die Basis, des anzusteuernden Transistors 5 ist an die Verbindung
zwischen der zweiten Z-Diode 9 und der Diode 3 angeschlossen. Parallel zur Basif-Emitterstrecke des
Transistors 5 ist ein Basis-Emitterwiderstand 11 geschaltet Zur Begrenzung des Stromes im Steuerkreis
kann in die Verbindung zwischen zweiter Z-Diode und Diode 3 noch ein Vorwiderstand 10 geschaltet werden.
Die Reihenschaltung der in entgegengesetzter Durchlaßrichtung gepolten Diode 3 und ersten Z-Diode 4
dient dem Schütze des Steuerkreises des Transistors 5. Durch die zweite Z-Diode 9 'in der Basisleitung des
Transistors 5 wird erreicht, daß die Sekundärspannung des Impulsübertragers 1 trotz der Begrenzung der
Basis-Emitter-Spannung zum Schütze des Steuerkreises des Transistors S im Abschaltfalle des Endstufen-Transistors
2 um die Zenerspannung der zweiten Z-Diode 9 höher anspringen kann. Dadurch wird bei gleichzeitigem
Schutz des Steuerkreises ein schnelleres Entmagnetisieren der Impulsübertragerwicklungen möglich
als in der bekannten Anordnung nach Fig. 1. Die Bemessung der zweiten Z-Diode 9 ist bestimmt durch
die zur Verfügung stehende magnetische Energie des Impulsübertragers 1 und die abzuführende Ladung des
Transistors 5, da der negative Basisstrom zur Verkürzung der Zeit des Abbaus der magnetischen Energie
benötigt wird.
In analoger Weise kann anstelle des Transistors S beispielsweise ein Thyristor angesteuert werden.
In der Fi g. 3 ist der zeitliche Verlauf der Spannung
Usck an der Sekundärwicklung des Impulsübertragers 1,
der Basis-Emitter-Spannung Übe und des Basisstromes
indes Transistors 5 dargestellt. Im Falle des Abschaltens
des Endstufentransistors 2 springt die Sekundarspannung
U„k auf etwa den negativen Wert der Zenerspannung
Uf 2 der zweiten Z-Diode 9, Gleichzeitig beginnt
ein negativer Basisstrom is zu fließen, der die Basis-Emitter-Spannung 1% am Transistor 5 um den
Spannungsabfall an der zweiten Z-Diode 9 vermindert. Nachdem der negative Basisstrom i'b zu Null geworden
ist, vermindert sich die Sekundärspannung U„k und mit
ihr die Basis-Fmitter-Spannutig Übe sprunghaft um den
Wert der Zenerspannung Ux \ der ersten Z-Diode 4.
Dieser stark negative Anstieg der Sekundärspannung (Jack sorgt für einen raschen Abbau der in den
Wicklungen gespeicherten magnetischen Energie, so daß die Sekundärspannung UxIc und die Basis-Emitter-Spannung
Übe nach kurzer Zeit den Wert Null erreicht
haben, Dabei Oberschreitet die Basis-Emitter-Spannung
Übe nie einen mit der ersten Z-Diode 4 vorgebbaren
Spannungswert,
Da durch die Dimensionierung der zweiten Z-Diode 9 die Zenerspannung Ux 2 der zweiten Z-Diode 9
unterschritten werden kann bevor die Entmagnetisierung des Zündimpulsübertragers 1 abgeschlossen ist,
besteht die Gefahr des Umschwingens des Basisstromes
i'b, was ein unerwünschtes Wiedereinschalten des Transistors 5 zur Folge haben könnte. Um das zu
verhindern, wird parallel zur Primärwicklung des Zündimpulsübertragers 1 und/oder parallel zur zweiten
Z-Diode 9 ein Bedämpfungswiderstand 12,13 geschaltet
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
- Patentansprüche;I, Anordnung zur Ansteuerung eines steuerbaren Halbleiterejementes (5) Ober einen ImpuJsflbertrager (1), dessen Primärwicklung mit unipolaren Impulsen s beaufschlagt ist, wobei zur Entmagnetisierung eine Reihenschaltung, bestehend aus einer Diode (3) und einer ersten Z-Djode (4), die anodenseitig miteinander verbunden sind, vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Sekundärwicklung des Impulsübertragers (1) eine Reihenschaltung vorgesehen ist, die aus einer zweiten Z-Diode (9), der Diode (3) und der ersten Z-Diode (4) besteht, wobei die beiden Z-Dioden (4,9) in gleicher Durchlaßrichtung und die Diode (3) in entgegenge- U setzter Durchlaßrichtung gepolt sind und die Steuerelektrode des steuerbaren Halbleiterelementes (5) an die Verbindung der beiden Kathoden der zweiten Z-Diode (9) und der Diode (3) angeschlossen20
- 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in die Verbindung zwischen der zweiten Z-Diode (9) und der Steuerelektrode des steuerbaren Halbleiterelementes (5) ein Vorwiderstand (10) geschaltet ist .
- 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Primärwicklung des Zündimpulsübertragers (1) und/oder parallel zur zweiten Z-Diode (9) ein Bedämpfungswiderstand (12 bzw. 13) geschaltet ist
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742431285 DE2431285C3 (de) | 1974-06-26 | 1974-06-26 | Anordnung zur Ansteuerung eines steuerbaren Halbleiterelementes über einen Impulsübertrager |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19742431285 DE2431285C3 (de) | 1974-06-26 | 1974-06-26 | Anordnung zur Ansteuerung eines steuerbaren Halbleiterelementes über einen Impulsübertrager |
Publications (3)
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---|---|
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DE2431285B2 DE2431285B2 (de) | 1980-12-11 |
DE2431285C3 true DE2431285C3 (de) | 1981-10-08 |
Family
ID=5919278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742431285 Expired DE2431285C3 (de) | 1974-06-26 | 1974-06-26 | Anordnung zur Ansteuerung eines steuerbaren Halbleiterelementes über einen Impulsübertrager |
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CH600690A5 (de) * | 1976-01-19 | 1978-06-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
DE3118626A1 (de) * | 1981-05-11 | 1982-11-25 | Siemens Ag | Zuendimpulsuebertrager zur potentialfreien ansteuerung von einem oder mehreren leistungshalbleitern |
-
1974
- 1974-06-26 DE DE19742431285 patent/DE2431285C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2431285B2 (de) | 1980-12-11 |
DE2431285A1 (de) | 1976-01-08 |
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