DE2424679A1 - BROADBAND MULTI-CHAMBER KLYSTRON - Google Patents
BROADBAND MULTI-CHAMBER KLYSTRONInfo
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Description
"Breitband-Mehrkammer-Klystron" "Broadband multi-chamber Klys tron"
Die Erfindung betrifft ein Breitband-Mehrkammer-Klystron.The invention relates to a broadband multi-chamber klystron.
An Breitband-Mehrkammer-Klystrons zur Verstärkung von Fernseh-Video-Signalen wird die Anforderung gestellt, daß sie im Frequenzband für die VHP-Iernsehübertragung (z.B. 470 MHz 890 MHz) eine Bandbreite in der Größenordnung von 6 bis 8 MHz zwischen den -1 dB Punkten aufweisen. Da diese Bandbreite aehr als 1 io einer Bezugsfrequenz ist, werden zu diesem Zweck normalerweise die Resonnanzfrequenzen von 4 oder 5 Kammern gestaffelt und gleichzeitig die Perveanz derart bestimmt, daß sie zwischen 1,5 und 3,10 perv. liegt, so daß der Wert für Q der einzelnen Kammern im Betrieb, d.h. wenn ein Strahlstrom durch sie hindurchgeleitet wird, durch die Strahlbelastung des Elektronenstralils auf ein Minimum gesenkt werden kann.Broadband multi-chamber klystrons for amplifying television video signals are required to have a bandwidth of the order of 6 to 8 MHz between the -1 dB in the frequency band for VHP television transmission (e.g. 470 MHz 890 MHz) Points. Since this bandwidth is more than 1 io of a reference frequency, the resonance frequencies of 4 or 5 chambers are normally staggered for this purpose and at the same time the perveance is determined in such a way that it is between 1.5 and 3.10 perv. lies, so that the value for Q of the individual chambers during operation, ie when a beam current is passed through them, can be reduced to a minimum by the beam loading of the electron beam.
Im UHF-Band ist außerdem die Wellenlänge länger als die im GHz-Band, so daß die Konstruktion eines Klystrons im Bereich der Kammern, die von der Wellenlänge abhängt, sehr groß wird. Aus diesem Grund ist es, um eine übermäßige Länge der RöhreIn the UHF band, the wavelength is also longer than that in the GHz band, so that the construction of a klystron in the range of the chambers, which depends on the wavelength, becomes very large. Because of this, it is in order to have an excessive length of the tube
0 9 8 4 9/09280 9 8 4 9/0928
zu vermeiden, notwendig, für die Perveanz einen relativ hohen Wert zu wählen. Auf der anderen Seite hat aber eine hohe Perveanz den Nachteil, daß der Wirkungsgrad der Umwandlung von Energie von einem Elektronenstrahl in einen Mikrowellenschaltkreis an einem der Ausgangskammer zugeordneten Wechaelwirkungsspalt entsprechend geringer wird.To avoid it, it is necessary to choose a relatively high value for the perveance. On the other hand, it has a high level of perveance the disadvantage that the efficiency of converting energy from an electron beam to a microwave circuit decreases an alternating effect gap assigned to the exit chamber becomes correspondingly lower.
Es ist berichtet worden (Walder/Mclsaac, "Experimental Analysis of Biased Gap Klystron", IEEE Trans. ED, Bd. 13, 1966, S.950-955), daß man bei Anlegen einer Beschleunigungsvorspannung über den Triftröhren-Wechselwirkungsspalt in der vorletzten Kammer einen Wirkungsgrad von 66 $> erreicht. Die Erzielung einer Breitbandcharakteristik stand dabei jedoch außer Präge. In diesem Zusammenhang wurde ferner mitgeteilt, daß bei Anlegen einer Beschleunigungsspannung über den Wechselwirkungsspalt einer Triftröhre in der zweiten Kammer eine Verbesserung des Wirkungsgrades nicht beobachtet werden konnte.It has been reported (Walder / Mclsaac, "Experimental Analysis of Biased Gap Klystron", IEEE Trans. ED, Vol. 13, 1966, pp.950-955) that when an accelerating bias is applied across the drift tube interaction gap in the penultimate Chamber achieved an efficiency of $ 66>. The achievement of a broadband characteristic was, however, unpredictable. In this connection it was also reported that when an acceleration voltage was applied across the interaction gap of a drift tube in the second chamber, no improvement in the efficiency could be observed.
Es ist ferner berichtet worden (Mihran, "Design and Demonstration of a Klystron with 62 percent Efficiency", IEEE Trans. ED, Bd.18, No.2, Feb. 1971, S.124-133), daß wenn eine Breitband-Charakteristik außer Acht gelassen wird, im Hinblick auf den Wirkungsgrad eine Perveanz von ca. 0,5-. 10 perv. vorteilhafter ist.It has also been reported (Mihran, "Design and Demonstration of a Klystron with 62 percent Efficiency", IEEE Trans. ED, Vol. 18, No.2, Feb. 1971, p.124-133) that if a broadband characteristic A perveance of approx. 0.5- is disregarded with regard to the degree of efficiency. 10 perv. is more advantageous.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Mehrkammer-Klystron mit großer Bandbreite, hohen Wirkungsgrad und hoher Verstärkung zu schaffen, dessen konstruktiver Aufbau gegenüber bekannten Klystrone dieser Art jedoch kürzer ist.The object of the invention is to create a multi-chamber klystron with a large bandwidth, high efficiency and high gain, However, its structural design is shorter than that of known klystrons of this type.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß in einer von einer oder mehreren Kammern gebildeten Vorstufe, die zur Erregung eines breiten Frequenzbandes dient, zumindest eine Kammer mit einem äußeren Reaktanzkreis gekoppelt ist und zumindest an dem letzten Triftröhren-Wechselwirkungsspalt der Kammern der Vorstufe eine Spannung zur Beschleunigung des Elektronenstrahles anliegt und eine Endstufe von Kammern, in der die Ballung des Elektronenstrahls erfolgt, eine oder mehrere Kammern,According to the invention this is achieved in that in a preliminary stage formed by one or more chambers, the excitation a broad frequency band is used, at least one chamber is coupled to an external reactance circuit and at least at the last drift tube interaction gap of the chambers of the preliminary stage, a voltage to accelerate the electron beam and one final stage of chambers in which the electron beam is concentrated, one or more chambers,
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die auf eine ein bis mehrere Prozent höher als die mittlere Frequenz des Frequenzbandes liegende Frequenz abgestimmt sind, sowie eine Ausgangskammer, die im wesentlichen auf die mittlere Frequenz des Frequenzbandes eingestellt ist, aufweist.which is one to several percent higher than the middle one Frequency of the frequency band lying frequency are tuned, as well as an output chamber, which is essentially on the middle Frequency of the frequency band is set, has.
Ausftihrungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es stellen dar:Ausftihrungsbeispiele the invention are based on the following of the accompanying drawings. They represent:
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel} Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel.Fig. 1 a first embodiment} Fig. 2 shows a second embodiment.
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 weist eine Kathode 2, eine Beschleunigungselektrode 3, ein Joch 10 zur gleichstrommäßigen Isolierung einer Eingangs-Triftröhre 4 von der ersten Kammer 9 (Eingangskammer) sowie einen äußeren Reaktanzkreis 7 auf. Die Eingangskammer 9 bildet ggf. mit weiteren Kammern eine Vorstufengruppe von Breitbanderregerkammern. Im Ausführungsbeispiel ist ferner, zur selben Vorstufengruppe gehörig, eine zweite Kammer 13 vorgesehen. Eine dritte Kammer 17 bildet ggf. mit weiteren Kammern eine Endstufengruppe von Kammern, die zur Ballung (bunching) dienen. Ferner ist eine Ausgangskammer 20 vorgesehen. Das Ausführungsbeispiel weist ferner einen Triftröhren-Wechselwirkungsepalt 11 in der Eingangskammer 9» ein Klemmteil zur gleichstromraäßigen Isolierung einer ersten Triftröhre 12 von der zweiten Kammer 13, sowie einen weiteren Triftröhren-Wechselwirkungsspalt 15 in der zweiten Kammer 13 auf. Die Beschleunigungsspannung E, liegt an dem Triftröhren-Wechselwirkungsspalt 11 in der Eingangskammer 9, die Beschleunigungsspannung E- an dem zweiten Triftröhren-Wechselwirkungsspalt 15 an.The embodiment of FIG. 1 has a cathode 2, an acceleration electrode 3, a yoke 10 for direct current Isolation of an input drift tube 4 from the first chamber 9 (input chamber) and an outer reactance circuit 7. the Input chamber 9 forms, if necessary with further chambers, a preliminary stage group of broadband exciter chambers. In the exemplary embodiment a second chamber 13 is also provided, belonging to the same preliminary stage group. A third chamber 17 also forms if necessary further chambers a final group of chambers that are used for bunching. Furthermore, there is an exit chamber 20 intended. The embodiment also has a drift tube interaction gap 11 in the input chamber 9 »a clamping part for the direct current insulation of a first Drift tube 12 from the second chamber 13, as well as another Drift tube interaction gap 15 in the second chamber 13. The acceleration voltage E i lies at the drift tube interaction gap 11 in the input chamber 9, the accelerating voltage E- at the second drift tube interaction gap 15.
Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 handelt es sich also um ein Mehrkammerklystron mit vier Kammern. Zwischen Kathode 2 und der Beschleunigungselektrode 3 wird eine Perveanz von z.B. 2.10 perv. eingestellt. Die Eingangs-Triftröhre 4-, zwischen der und der ersten Triftröhre 12 der erste Wechselwirkungsspalt vorgesehen ist, ist mit dem Klemmteil 10 versehen, welches, wieThe embodiment according to FIG. 1 is therefore a multi-chamber klystron with four chambers. Between cathode 2 and the accelerating electrode 3 becomes a perveance of, for example, 2.10 perv. set. The entrance drift tube 4-, between the and the first drift tube 12, the first interaction gap is provided, is provided with the clamping part 10, which, as
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erwähnt, die Eingangs-Triftröhre 4 von der Eingangskammer 9 gleichstrommäßig isoliert, jedoch hinsichtlich der Mikrowellen mit ihr kurzschließt. Eingangs-Triftröhre 4 und Eingangskammer 9 haben zusammen die Punktion dines herkömmlichen Hohlraumresonators. Das Klemmteil 10 ist in herkömmlicher Art und Weise ausgebildet, d.h. es besteht im wesentlichen aus einem Isolator, z.B. aus keramischen Teilen, die zwischen metallischen Teilen derart angeordnet sind, daß letztere die keramischen Teile in ihrer relativen Anordnung zueinander halten und ihnen die nötige Festigkeit geben; die Dimension des Joches beträgt 1/4 der Wellenlänge bei Betriebsfrequenz des Klystrons.mentioned, the input drift tube 4 isolated from the input chamber 9 in terms of direct current, but with regard to the microwaves shorts with her. The input drift tube 4 and input chamber 9 together have the puncture of the conventional cavity resonator. The clamping member 10 is conventional, i.e. it consists essentially of one Insulator, for example made of ceramic parts, which are arranged between metallic parts in such a way that the latter the ceramic Keep parts in their relative arrangement to each other and give them the necessary strength; the dimension of the yoke is 1/4 of the wavelength at the operating frequency of the klystron.
Ein von einem äußeren Signalgenerator 5 abgegebenes Signal wird in die Eingangskammer 9 über eine Kapazität oder ein elektrostatisches Kopplungselement 6 (zur Unterdrückung der Gleichstromkomponente), den Reaktanzkreis 7, der zur Breitband-Erregung dient, sowie eine Schleife 8 eingespeist.Men erhält so eine Breitband-Geschwindigkeitsmodulation eines Elektronenstrahls 26 in dem ersten Triftröhren-Wechselwirkungsspalt 11. Die erste Triftröhre 12, die die obere Begrenzung des ersten Triftröhren-Wechselwirkungsspalts 11 darstellt, ist von der zweiten Kammer durch das Joch 14 gleichstrommäßig isoliert, jedoch mit ihm hinsichtlich der Mikrowellen kurzgeschlossen. Insoweit ist die Verbindung ähnlich wie die der Eingangs-Triftröhre 4; jedoch ist die Triftröhre 12 direkt mit der Eingangsröhre 9 verbunden. Dadurch wirkt die Triftröhre 12 als Ganzes als Teil des Hohlraumresonators, der durch die Eingangskammer 9 und die Kammer gebildet wird.A signal emitted by an external signal generator 5 is fed into the input chamber 9 via a capacitance or an electrostatic one Coupling element 6 (to suppress the direct current component), the reactance circuit 7, which is used for broadband excitation, and a loop 8 are fed in. Men thus receives one Broadband velocity modulation of an electron beam 26 in the first drift tube interaction gap 11. The first Drift tube 12, which is the upper limit of the first drift tube interaction gap 11 is isolated from the second chamber by the yoke 14 in terms of direct current, but with it shorted with respect to microwaves. In this respect, the connection is similar to that of the entrance drift tube 4; However the drift tube 12 is directly connected to the input tube 9. As a result, the drift tube 12 acts as a whole as part of the cavity resonator, which is formed by the input chamber 9 and the chamber.
Die zweite Kammer 13 ist in herkömmlicher Weise direkt mit einer zweiten Triftröhre 16, der dritten Kammer 17 und einer dritten Triftröhre 19» sowie der Ausgangskammer 20 und einer Ausgangstriftröhre 24 verbunden und bildet mit diesen Bauteilen zusammen den restlichen Teil des Klystrons. In die Ausgangsröhre ist eine Last 22, z.B. eine Antenne, über eine Schleife 21 eingekoppelt. Diese Ausgangskammer 20 u.a. ist in herkömmlicher Weise geerdet. Ferner ist ein Kollektor 25 vorgesehen, der über ein Strommeßgerät geerdet ist. Er kann jedoch zur Erhöhung des Wirkungsgrades von einer Spannungsquelle E,- her mit einem Potential, das niedriger als Erdpotential ist, beaufschlagt werden.The second chamber 13 is in a conventional manner directly connected to a second drift tube 16, the third chamber 17 and one third drift tube 19 »as well as the exit chamber 20 and an exit drift tube 24 and forms with these components together the remaining part of the klystron. A load 22, for example an antenna, is coupled into the output tube via a loop 21. This output chamber 20, inter alia, is grounded in a conventional manner. Furthermore, a collector 25 is provided, which has a The ammeter is grounded. However, it can be used to increase the efficiency of a voltage source E, - with a potential that lower than earth potential.
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Nimmt man nun an, daß der Wirkungsgrad der (Energie-)Umwandlung vom Elektronenstrahl 26 an einen äußeren Schaltkreis, z.B. die Last 22, die an dem der Ausgangskammer 20 zugeordneten Wechselwirkungsspalt 23 erfolgt, 66,6$ beträgt, daß an demselben Wechselwirkungsspalt eine äquivalente Perveanz des Elektronenstrahls 26 von 0,8.10" perv. gegeben ist, und daß an die externe Last 22 eine Ausgangsleistung von ungefähr 9,3 W abgegeben wird, dann kann man daraus ableiten, daß die 6-leichstromleistung des Elektronenstrahls über diesem vierten der Leistungsabgabe zugeordneten Wechselwirkungsspalt 23 14 KW, die Strahlspannung 12,5 kV, und der Strahlstrom 1,12 A ist.If one now assumes that the efficiency of the (energy) conversion from electron beam 26 to an external circuit, e.g. the load 22 applied to the interaction gap 23 associated with the exit chamber 20 is 66.6 $ that at the same Interaction gap an equivalent perveance of the electron beam 26 of 0.8.10 "perv. Is given, and that If an output power of approximately 9.3 W is delivered to the external load 22, it can then be deduced from this that the 6-light current power of the electron beam over this fourth interaction gap 23 14 KW associated with the power output, the beam voltage is 12.5 kV and the beam current is 1.12 A.
Da die Perveanz für die Erzeugung des Elektronenstrahls beim Ausführungsbeispiel nach Pig. 1 zu 2.10 perv. gewählt wurde (s. oben), ist die Beschleunigungsspannung der Beschleunigungselektrode 3 gegenüber der Kathode 2, die mit Hilfe der Spannungsquelle Eg an diese angelegt wird, 6,85 kV. Since the perveance for the generation of the electron beam in the embodiment according to Pig. 1 to 2.10 perv. was chosen (see above), the acceleration voltage of the acceleration electrode 3 with respect to the cathode 2, which is applied to this with the aid of the voltage source Eg, is 6.85 kV.
Im allgemeinen ist die Eingangs-Triftröhre 4 mit der Beschleunigungselektrode 3 entweder schon bei der Herstellung kurzgeschlossen oder aber für Strommeßzwecke zwar separat ausgebildet, aber dann nachträglich extern kurzgeschlossen, so daß beide dasselbe Potential haben.Generally the entrance drift tube 4 is with the accelerating electrode 3 either short-circuited during manufacture or, although designed separately for current measurement purposes, but then subsequently short-circuited externally so that both have the same potential.
Die Differenzspannung von 5,65 kV zwischen der Spannung von 12,5 kV (Strahlspannung über dem Wechselwirkungsspalt 23, s. oben) und der Spannung von 6,85 kV (Beschleunigungsspannung an der Beschleunigungselektrode 3) wird in zwei Spannungen aufgeteilt, die durch Spannungsquellen E, und E symbolisiert und, wie aus Pig. 1 ersichtlich, angelegt sind.The difference voltage of 5.65 kV between the voltage of 12.5 kV (Beam voltage across the interaction gap 23, see above) and the Voltage of 6.85 kV (acceleration voltage at the acceleration electrode 3) is divided into two voltages, which are carried out by Voltage sources E, and E symbolize and, as in Pig. 1 can be seen, are created.
Dadurch wird der Elektronenstrahl 26 zusätzlich erstens über dem ersten Wechselwirkungsspalt 11 durch die Spannung E, und außerdem zweitens über dem zweiten Wechselwirkungsspalt 15 durch die Spannung E. beschleunigt.As a result, the electron beam 26 is additionally firstly above the first interaction gap 11 due to the voltage E, and also second, accelerated by the voltage E. via the second interaction gap 15.
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Obwohl die Beschleunigung über den ersten Wechselwirkungsspalt 11 sich hinsichtlich einer Abflachung des Frequnezverhaltens bei Breitbanderregung unter starker Strahlaufladung eher negativ auswirkt, wurde beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 die Spannung der Spannungsquelle E zu 1 kV gewählt, um die Anforderungen an das Joch 10 hinsichtlich der Spannung, der dieser Bauteil fürsich allein standhalten muß, herabzumildern und um eine Fokussierung des Elektronenstrahls dadurch zu verbessern, daß dieser Kollektor hin zunehmend beschleunigt wird (vgl. unten) und ferner um eine Rückkopplung durch rückwandernde Elektronen zu verhindern.Although the acceleration across the first interaction gap 11 is related to a flattening of the frequency behavior in the case of broadband excitation under strong beam charging has a rather negative effect, was shown in the exemplary embodiment according to Fig. 1 the voltage of the voltage source E chosen to be 1 kV, to meet the requirements for the yoke 10 in terms of tension, which this component has to withstand on its own and to improve a focusing of the electron beam in that this collector accelerates increasingly (see below) and also to prevent feedback from back-wandering electrons.
Demgemäß verändert sich beim Ausführungsbeispiel nach Fig. die äquivalente Perveanz des Elektronenstrahls über der ersten Wechselwirkungsspalt von 2.10" perv. auf 1,62.10" perv.; wird die Spannung E. über den zweiten Wechselwirkungsspalt zu 4,65 kV gewählt, verändert sie sich über dem zweiten Wechselwirkungsspalt von 1,62.10" perv. auf 0,8.10"" perv.Accordingly, in the exemplary embodiment according to FIG. 1, the equivalent perveance of the electron beam changes over the first interaction gap from 2.10 "perv. To 1.62.10" perv. ; If the voltage E. across the second interaction gap is selected to be 4.65 kV, it changes across the second interaction gap from 1.62.10 "perv. to 0.8.10""perv.
Man kann den Kopplungskoeffizienten zwischen einem Elektronenstrahl und einem durch eine Kammer gebildeten Schaltkreis über dem Wechselwirkungsspalt einer Triftröhre allgemein dadurch berechnen, daß die strukturellen Dimensionen auf eine G-leichspannungs-G-eschwindigkeit des Elektronenstrahls und eine Betriebsfrequenz normalisiert werden. Außerdem bestimmt man die Dichtemodulation, die mit dem Wandern des Elektronenstrahls durch die Triftröhre zunimmt, mit Hilfe einer reduzierten Plasma-Wellenlänge Aq. Man erhält diese dadurch, daß man diejenige Plasma-Wellenlänge, die man ihrerseits aus der Strahlspannung, dem Strahlstrom und einem Strahlradius bestimmt, mit einem der Konfiguration Rechnung tragenden Reduktionsfaktor multipliziert, den man aus dem Durchmesser der Triftröhre, dem Durchmesser des Elektronenstrahls, der Betriebsfrequenz usw. erhält.One can find the coupling coefficient between an electron beam and a circuit formed by a chamber over the interaction gap of a drift tube generally therethrough calculate that the structural dimensions are based on an equilibrium speed of the electron beam and an operating frequency can be normalized. Besides, one determines the density modulation, which increases as the electron beam travels through the drift tube, with the help of a reduced plasma wavelength Aq. This is obtained by using the plasma wavelength that is in turn derived from the beam voltage, the beam current and a beam radius are determined, multiplied by a reduction factor that takes into account the configuration, which is obtained from the diameter of the drift tube, the diameter of the electron beam, the operating frequency, etc.
Der folgenden Berechnung wurden folgende Abmessungen bzw. Frequenzen zugrundegelegt: Betriebsfrequenz 500 MHz, Triftröhrenradius 9 mm, Elektronenstrahlradius 6 mm, Breite der Triftröhren-Wechselwirkungsspalte (jeweils gleich für alle Kammern) 16 mm. Daraus The following calculation was based on the following dimensions and frequencies based on: operating frequency 500 MHz, drift tube radius 9 mm, electron beam radius 6 mm, width of the drift tube interaction column (the same for all chambers) 16 mm. From it
- 7 4098A9/0928 - 7 4098A9 / 0928
wurden "berechnet: Der Kopplungskoeffizient IYL über dem ersten Wechselwirkungsspalt, der Kopplungskoeffizient Mp über dem zweiten Wechselwirkungsspalt, die Kopplungskoeffizienten M- = M. über dem dritten bzw. dem vierten Wechselwirkungsspalt, die effektive Plasma-Wellenlänge λ 2 = ^ -z in den Bereichen der zweiten bzw. der dritten Triftröhre. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 wiedergegeben. Außerdem sind die Werte für die Strahlbelastungen (beam loading) Gb über den Wechselwirkungsspalten angegeben. were "calculated: the coupling coefficient IYL over the first interaction gap, the coupling coefficient Mp over the second interaction gap, the coupling coefficients M- = M over the third and fourth interaction gap, the effective plasma wavelength λ 2 = ^ -z in the areas The results are shown in Table 1. In addition, the values for the beam loading Gb are given above the interaction gaps.
- 8 A098A9/Ü928 - 8 A098A9 / Ü928
O CD OOO CD OO -C-* CD-C- * CD
CD CD NJ QOCD CD NJ QO
über dem
WechselwirkungsspaltCoupling coefficient
above that
Interaction gap
wellenlängeEffective plasma
wavelength
belastungbeam
load
WechselwirkungsspaltFirst
Interaction gap
< 0.9050.891 <M 1
<0.905
TriftröhreArea of the first
Drift tube
WechselwirkungsspaltSecond
Interaction gap
< 0.9450.905 <M 2
<0.945
bzw.dritten
TriftröhreAreas of the second
or third
Drift tube
= 146 cm* ci2 => q3
= 146 cm
WechselwirkungsspaltThird or fourth
Interaction gap
= 0.945M 5 = M 4
= 0.945
00 I00 I.
Beim Durchgang durch den ersten und den zweiten Wechselwirkungsspalt 11 "bzw. 15 wird, da zwischen den einander gegenüberliegenden Triftröhren eine Beschleunigungsspannung anliegt, die Geschwindigkeit des Elektronenstrahls erhöht. Daher wird, obwohl der Kopplungskoeffj^ient über dem Wechselwirkungsspalt zunimmt, die Strahlbelastung (beam loading) reduziert. Praktisch nimmt die Geschwindigkeit über dem Wechselwirkungsspalt graduell zu, so daß diese Faktoren zwischen den in der Tabelle angegebenen Werten, die aus den Geschwindigkeiten an den Vorder- bzw. Hinterkanten der Wchselwirkungsspalte berechnet wurden, Zwischenwerte durchlaufen.When passing through the first and the second interaction gap 11 ″ and 15, there is between the opposite Drift tubes an acceleration voltage is applied, which Speed of the electron beam increased. Therefore, although the coupling coefficient is above the interaction gap increases, beam loading is reduced. In practice, the speed across the interaction gap decreases gradually so that these factors are between the values given in the table, which result from the speeds at the leading and trailing edges of the alternating effect column were calculated, intermediate values were run through.
Wie beschrieben, ist bei einer Spannungsverteilung nach fig. 1 die Strahlbelastung über dem ersten Wechselwirkungsspalt ungefähr 2,5 mal so hoch als über dem dritten und dem vierten Wechselwirkungsspalt. Das impliziert, daß die Strahlbelastung des Elektronenstrahls in diesem !Fall größer gemacht werden kann als in einem lall, bei dem die anfängliche äquivalente Perveanz des Elektronenstrahls mit 0,8.10" perv. gewählt wird und daß der Q-Wert der Eingangskammer entsprechend gesenkt werden kann.As described, with a stress distribution according to fig. 1 the radiation load over the first interaction gap approximately 2.5 times as high as above the third and fourth interaction gap. That implies that the radiation exposure of the electron beam can in this case be made larger than in a case in which the initial equivalent perveance of the electron beam is chosen to be 0.8.10 "perv. and that the Q value of the entrance chamber can be lowered accordingly.
Bei solch einem niedrigen Q-Wert kann man infolge der Punktion der Eingangskammeo? 9 und des daran angekoppelten Filters (Reaktanzkreis 7) eine von einem Signal, das der Signalgenerator abgibt, dem Elektronenstrahl 26 am ersten Wechselwirkungsspalt aufgeprägte Geschwindigkeitsmodulation desselben erreichen, die eine sehr hohe Bandbreite hat.With such a low Q-value, one can o? 9 and the filter coupled to it (Reactance circuit 7) one of a signal emitted by the signal generator, the electron beam 26 at the first interaction gap achieve impressed speed modulation of the same, which has a very high bandwidth.
-Während seines Durchgangs durch die erste Triftröhre 12 erfährt der Elektronenstrahl 26 eine Dichtemodulation. Es ist dabei üblich, in der Stufe, in der das Mikrowellensignal noch geringeren Pegel hat, eine elektrisch entsprechend längere Triftröhre zu verwenden, um eine gewisse Verstärkung (Gewinn) zu erreichen. Wählt man dafür L1 « 0,2.λ ., erhält man L1 « 17 cm, da X * lediglich (vgl. Tab. 1) 84,5 cm ist. Diese Länge kann also im Gegensatz zu dem Wert von 29 cm, der sich ergibt, wenn man von einer anfänglichen äquivalenten Perveanz von 0,8.10" perv. ausgeht, außerordentlich verkürzt werden.During its passage through the first drift tube 12, the electron beam 26 experiences a density modulation. It is customary to use an electrically correspondingly longer drift tube in the stage in which the microwave signal has an even lower level in order to achieve a certain gain (gain). If you choose L 1 «0.2.λ., You get L 1 « 17 cm, since X * is only (see Tab. 1) 84.5 cm. In contrast to the value of 29 cm, which results from an initial equivalent perveance of 0.8.10 "perv., This length can be shortened considerably.
- 10 409849/0928 - 10 409849/0928
- AQ -- AQ -
Um den Wirkungsgrad der Umwandlung des Elektronenstromes zu erhöhen, ist es notwendig, die zweite und die dritte Kammer um einige wenige Prozent in Richtung auf eine höhere Frequenz hin zu verstimmen und die Dichte der Ballung (bunching) im Elektronenstrahl durch zunehmende Verkürzung des Triftabstands zu erhöhen. Aus diesem Grund wird die Länge der zweiten Triftröhre zu L2 = 0,115. ^q2 = 17 cm und die Länge der dritten Triftröhre zu L, » 0,09 Aq, » 13 cm gewählt. Ist jedoch die Perveanz des Elektronenstahls im Bereich der dritten Triftröhre 2.10-6 perv., dann ergibt sich für die Länge der Triftröhre der extrem geringe Wert von Lz = 0,09. ^ = 6,3 cm; das bringt den Nachteil mit sich, daß zwischen den nebeneinander liegenden Kammern kein Platz mehr verbleibt, um eine Kühlanordnung anzubringen und daß der Wechselwirkungsspalt der Triftröhre sehr nahe an der Wand der Kammer angeordnet sein muß und dadurch die Impedanz notwendigerweise gesenkt wird.In order to increase the efficiency of the conversion of the electron stream, it is necessary to detune the second and third chambers by a few percent towards a higher frequency and to increase the density of the bunching in the electron beam by increasingly shortening the drift distance . For this reason, the length of the second drift tube becomes L 2 = 0.115. ^ q 2 = 17 cm and the length of the third drift tube chosen to be L, »0.09 Aq,» 13 cm. However, if the perveance of the electron beam in the area of the third drift tube is 2.10-6 perv., Then the extremely low value of Lz = 0.09 results for the length of the drift tube. ^ = 6.3 cm; this has the disadvantage that there is no longer any space left between the adjacent chambers to attach a cooling arrangement and that the interaction gap of the drift tube has to be arranged very close to the wall of the chamber, thereby necessarily lowering the impedance.
Beim Ausführungsbeispiel der Erfindung hingegen ist die äquivalente Perveanz in den Bereichen der zweiten und der dritten Triftröhre, in denen die Ballung (bunching) im Elektronenstrahl wesentlich wird, auf 0,8.10" gesenkt. Man kann derart eine Ballung mit einer sehr geringen Geschwindigkeitsdispersion und einem hohen Wirkungsgrad der Umwandlung erreichen.In the exemplary embodiment of the invention, however, the equivalent Perveance in the areas of the second and third drift tubes, in which the bunching in the electron beam is significantly reduced to 0.8.10 ". You can have such a Achieve agglomeration with a very low velocity dispersion and a high conversion efficiency.
Bei einem Klystron nach der Erfindung wird in der Eingangskammer und im Bereich der ersten Triftröhre, die beide Bereiche niedrigen Pegels des Signals sind, der Elektronenstrahl in einem Zustand einer Breitbanderregung unterworfen, in dem er eine große Perveanz, d.h. einen geringen QT-Wert hat, um über einen mechanisch kurzen Abstand ausreichende Verstärkung (Gewinn) zu erreichen; in der zweiten und bei der dritten Kammer, die weitgehend den Wirkungsgrad beeinflussen, wird jedoch eine ©esehwindigkeits-Dispersion des Elektronenstrahls durch Reduzierung der äquivalenten Perveanz unterdrückt, die Einschränkung hinsichtlich des Abstandes zwischen einander angrenzenden Kammern gemildert und der Wirkungsgrad voll erhöht. Da die Reaonnanzetellen der zweiten und der dritten Kammer in Richtung auf §ine höhereIn a klystron according to the invention, in the entrance chamber and in the region of the first drift tube, which are both regions of low level of the signal, the electron beam is subjected to broadband excitation in a state in which it has a large perveance, ie a low Q T value in order to achieve sufficient gain (gain) over a mechanically short distance; However, in the second and third chambers, which largely influence the efficiency, a speed dispersion of the electron beam is suppressed by reducing the equivalent perveance, the restriction with regard to the distance between adjacent chambers is alleviated and the efficiency is fully increased. Since the Reaonnanzetellen of the second and the third chamber in the direction of § a higher
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Frequenz außerhalb des Betriebsfrequenzbanaes verschoben sind, um höheren Wirkungsgrad zu erreichen, verschlechtern diese Kammern die Breit band charakteristik der vorhergehenden Stufe nicht negativ.Frequency are shifted outside the operating frequency range, In order to achieve higher efficiency, these chambers worsen the broadband characteristics of the previous stage not negative.
Bei einem Mehrkammer-Klystron nach dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist also der Abstand von dem ersten Wechselwirkungsspalt bis zum vierten Wechselwirkungsspalt 0,2 λ -, + 0,115 A2 + 0,09 \·τ = 47 cm im Gegensatz zu dem entsprechenden Abstand nach dem Stand der Technik, der 0,405 A ^= 59 cm beträgt. Man kann eine hohe Verstärkung also leicht mit einem Röhrenkörper erreichen, der um mehr als 10 cm kurzer als ein Röhrenk^rper nach dem Stande der Technik ist; dennoch erhält man eine Breitbandcharakteristik und einen Wirkungsgrad von 60 $ oder mehr und ist insoweit den Röhren nach dem Stande der Technik gleichwertig. In a multi-chamber klystron according to the embodiment described, the distance from the first interaction gap to the fourth interaction gap is 0.2 λ -, + 0.115 A 2 + 0.09 \ τ = 47 cm in contrast to the corresponding distance according to the state the technique, which is 0.405 A ^ = 59 cm. A high gain can therefore easily be achieved with a tubular body which is more than 10 cm shorter than a tubular body according to the state of the art; however, broadband characteristics and an efficiency of $ 60 or more are obtained and in this respect are equivalent to the prior art tubes.
In dem ersten und in dem zweiten Wechselwirkungsspalt, über denen [jeweils eine Beschleunigungsspannung anliegt, wird der Elektronenstrahl durch einen elektrostatischen Linseneffekt fokussiert, so daß die magnetische Fokussierung leichter wird. Beabsichtigt man, den Wirkungsgrad durch Senkung des Kollektorpotentials zu verbessern, entsteht gelegentlich eine Rückkopplung von Energie zur Eingangskammer durch Elektronen, die von der invertiert anliegenden Spannung E1- beschleunigt worden sind und aus dem Grund wieder aus dem Bereich des Kollektors zurückwandern derart, daß eine wiederholte Wechselwirkung mit dem Mikrowellenkreis in den Wechselwirkungsspalten der Triftrghren in umgekehrter Reihenfolge wie beim Hauptstrahl erfolgt. Daraus entstehen verschiedene instabile Phänomene. Vorausgesetzt, die Spannungen genügen der Gleichung E - = Ej-, treten jedoch bei dem beschriebenen Klystron die nach rückwärts wandernden Elektronen die Triftröhren u.a. ein, bevor sie zum ersten Wechselwirkungsspalt zurückgekehrt sind. Störungen, die von rückwandernden Elektronen verursacht werden, sind dann praktisch ohne Bedeutung.The electron beam is focused by an electrostatic lens effect in the first and the second interaction gap, over which an acceleration voltage is applied in each case, so that magnetic focusing becomes easier. If one intends to improve the efficiency by lowering the collector potential, there is occasionally a feedback of energy to the input chamber by electrons that have been accelerated by the inverted voltage E 1 - and therefore migrate back out of the area of the collector in such a way that a Repeated interaction with the microwave circle in the interaction gaps of the drift tubes takes place in the reverse order as with the main beam. This gives rise to various unstable phenomena. Provided that the voltages satisfy the equation E - = Ej-, however, in the case of the described klystron, the electrons migrating backwards enter the drift tubes and others before they have returned to the first interaction gap. Disturbances caused by back-migrating electrons are then practically of no importance.
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Weiterhin ergibt sich, daß die Spannung an der Beschleunigungselektrode, die gegenüber der eine hohe Betriebstemperatur aufweisenden Kathode angeordnet ist, unter niedriger Spannung steht, da für die Perveanz ein relativ hoher Wert gewählt worden ist. Daraus ergibt sich der Vorteil, daß das Auftreten von Funkenstörungen extrem reduziert wird.Furthermore, it results that the voltage at the acceleration electrode, compared to the having a high operating temperature Cathode is arranged, is under low voltage, since a relatively high value is selected for the perveance has been. This has the advantage that the occurrence of spark interference is extremely reduced.
Das Jochteil 10 an der Eingangskammer 9 und das Joch 14 an der zweiten Kammer 13 müssen Spannungen von 1 kV bzw. 4,65 kV oder mehr standhalten können, wie sich aus den obigen Darlegungen ergibt.The yoke part 10 on the input chamber 9 and the yoke 14 on the second chamber 13 must have voltages of 1 kV and 4.65 kV or respectively can withstand more, as can be seen from the explanations above.
Obwohl ein Mehrkammer-Klystron hinsichtlich Sicherheit bei hohen Spannungen zu nur wenigen Problemen führen, da es im allgemeinen in einer magnetischen Pokussiereinrichtung eingeschlossen verwendet wird, ist es wünschenswert, die erste und die zweite Kammer mit einer Struktur zu verbinden, deren Potential in Nähe des Erdpotentials liegt, wie in Fig. 1 gezeigt.Although a multi-chamber klystron causes few problems in terms of safety at high voltages, since it generally does is used enclosed in a magnetic focusing device, it is desirable to use the first and second To connect the chamber to a structure whose potential is close to the earth potential, as shown in FIG.
Legt man über dem ersten und dem zweiten Wechselwirkungsspalt Spannungen an, dann sind Strukturen sehr leicht durchführbar, die hinsichtlich Gleichstrom isolieren, jedoch hinsichtlich der Mikrowellen kurzschließen, da der Mikrowellen-Leistungspegel der zugeordneten Kammern niedrig ist.Placed over the first and the second interaction gap Tensions on, then structures are very easy to implement, which isolate with respect to direct current but short with respect to microwaves because of the microwave power level of the associated chambers is low.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Pig. 1 sind die Triftröhren in den Klemmteilen ausgebildet; das ist jedoch nicht unbedingt notwendig. Man kann statt dessen andere Ausbildungen verwenden, bei denen die Klemmteile in die oberen und unteren Bereiche der Wände der Kammern eingebaut sind.In the Pig. 1 are the drift tubes formed in the clamping parts; however, this is not absolutely necessary. You can use other trainings instead, in which the clamping parts are built into the upper and lower areas of the walls of the chambers.
Von der Sicherheit her ist es wünschenswert, die Eingangskammer und den Breitband-Reaktanzkreis einheitlich auszubilden, so daß sie auf demselben Potential liegen.From the point of view of safety, it is desirable to make the entrance chamber and the broadband reactance circuit uniform so that they are on the same potential.
Das Anlegen der Spannungen in Pig. 1 kann ebenfalls abgewandelt werden.Applying the voltages in Pig. 1 can also be modified.
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Da der Strom an der Beschleunigungselektrode und die Triftröhrenströme gegenüber dem Haupt-Strahlstrom klein sind, kann man die Verbindungen zu der Spannungsquelle derart ausbilden, daß ein durch einen Widerstand gebildeter Spannungsteiler an eine einzige Spannungsquelle angelegt wird, deren Spannung gleich Ep + E^ + E. ist und daß die notwendigen Potentiale an Abgriffen dieses Widerstandes abgenommen und an die Triftröhren usw. angelegt werden.As the current at the accelerating electrode and the drift tube currents are small compared to the main beam current, the connections to the voltage source can be designed in such a way that that a voltage divider formed by a resistor is applied to a single voltage source, its voltage is equal to Ep + E ^ + E. and that the necessary potentials removed at the tap of this resistance and applied to the drift tubes, etc.
Die Herabsetzung des Kollektorpotentials mit Hilfe der Spannungsquelle Ef- dient im Ausführungsbeispiel dazu, ein Merkmal des Ausführungsbeispiel zu erläutern. Zur Senkung des Kollektorpotentials kann man natürlich auch alle anderen dazu bekannten Techniken verwenden, ohne den Vorteil und die Wirkung dieser Senkung aufzugeben. The reduction of the collector potential with the aid of the voltage source Ef serves in the exemplary embodiment to be a feature of the exemplary embodiment to explain. Of course, all other known techniques can also be used to lower the collector potential use without giving up the benefit and effects of this lowering.
Die Erfindung kann nicht nur bei Klystrons, bei denen die Kammern intern ausgebildet sind, sondern auch bei Klystrons mit extern angeordneten Kammern Anwendung finden.The invention can apply not only to klystrons in which the chambers are formed internally, but also to klystrons with external ones arranged chambers are used.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 sind die eine Beschleunigung herbeiführenden Spannungen über dem ersten Wechselwirkungsspalt 11 und dem zweiten Wechselwirkungsspalt 15 angelegt. Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel beschrieben, bei dem die zur Beschleunigung dienenden Spannungen nicht über den ersten oder den zweiten Wechselwirkungsspalt "angelegt werden und bei dem die Perveanz zur Erzielung einer Breitbandcharakteristik noch gewählt ist, bei dem jedoch der Elektronenstrahl über dem dritten Wechselwirkungsspalt abrupt beschleunigt wird, um eine hochwirksame Ballung zu erzielen. In the embodiment according to FIG. 1, these are acceleration causing voltages applied across the first interaction gap 11 and the second interaction gap 15. in the The following describes an embodiment in which the voltages used for acceleration do not exceed the first or the second interaction gap "are created and in which the perveance to achieve a broadband characteristic is still is chosen, in which, however, the electron beam is accelerated abruptly over the third interaction gap in order to achieve a highly effective agglomeration.
Fig. 2 zeigt ein solches Ausführungsbeispiel. Für die Perveanz ist ein relativ hoher Wert gewählt. Demgemäß liegt an der Eingangs-Triftröhre 30, die mit einer Beschleunigungselektrode einteilig ausgebildet ist und ebenfalls über einen mit Hilfe des Isolators 39 isolierten Lastdraht 40 an der ersten Triftröhre 38 eine niedrige Spannung E6 an. Die Triftröhren 30 und sind gleiohstrommäßig von den Kammern 31 bzw. 43 isoliert, dieFig. 2 shows such an embodiment. A relatively high value has been chosen for the perveance. Accordingly, a low voltage E 6 is applied to the input drift tube 30, which is formed in one piece with an acceleration electrode, and also via a load wire 40 insulated with the aid of the insulator 39 to the first drift tube 38. The drift tubes 30 and are insulated from the chambers 31 and 43, respectively
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als interne Kammern ausgebildet sind, jedoch andererseits mit den Bauteilen 34 "bzw. 41 für Mikrowellen über Klemmteile kurzgeschlossen .are designed as internal chambers, but on the other hand with the components 34 ″ or 41 for microwaves via clamping parts shorted.
An die Eingangskammer 31 gelangt von einem Signalgenerator 37 über eine Hilfskammer 36 und eine Eingangsschleife 35 ein Signal; man erhält so eine Breitband-Geschwindigkeitsmodulation des Elektronenstrahls über dem ersten Wechselwirkungsspalt 33 bei starker Strahlbelastung.A signal generator 37 reaches the input chamber 31 via an auxiliary chamber 36 and an input loop 35 Signal; a broadband velocity modulation of the electron beam over the first interaction gap 33 is thus obtained with strong radiation exposure.
Die zweite Kammer 43 ist mit einer angepaßten Last 47 über eine Schleife 45 und einen Breitbandkreis 46 verbunden derart, daß die Impedanz vom zweiten Wechselwirkung sspalt her Breitband- und niedrige Q-Charakteristik hat. Auf diese Weise ergibt sieh also eine Breitband-Geschwindigkeitsmodulation des Elektronenstrahls auch über den zweiten Wechselwirkungsspalt und gleichzeitig eine Beschleunigung, die der Gleichspannung Εγ entspricht. In der zweiten Triftröhre 48 und in den nachfolgend angeordneten Baueinheiten der Schaltung wird der Elektronenstrahl zu einem Elektronenstrahl mit geringer Perveanz, so daß eine Ballung mit einem hohen Wirkungsgrad bei Energieumwandlung erreicht wird.The second chamber 43 is connected to an adapted load 47 via a loop 45 and a broadband circuit 46 such that that the impedance from the second interaction gap has broadband and low Q characteristics. In this way you see thus a broadband speed modulation of the electron beam also over the second interaction gap and at the same time an acceleration which corresponds to the direct voltage Εγ. The electron beam becomes one in the second drift tube 48 and in the components of the circuit arranged below Electron beam with low perveance, so that a concentration with a high efficiency in energy conversion is achieved.
Da bei dem Ausführungsbeispiel nach Mg. 2 die Wände der Kammern vollkommen am Erdpotential liegen, besteht keine Notwendigkeit, die zur Veränderung der Frequenz vorgesehenen Schaltungselemente 32 und 34, die Schaltkreise 36 und 37 am Eingang und die die Last für die zweite Kammer darstellenden Schaltkreise 46 und 47 gleichstrommäßig von den Wänden der Kammern zu isolieren. Aus diesem Grunde ist diese Konstruktion sicher und einfach.Since in the embodiment according to Mg. 2 the walls of the chambers are completely at ground potential, there is no need to use the circuit elements provided for changing the frequency 32 and 34, the circuits 36 and 37 at the input and the circuits 46 and 47 representing the load for the second chamber in terms of direct current from the walls of the chambers. Because of this, this construction is safe and simple.
In Fig. 1 dienen die einzelnen Werte für die Perveanz im Bereich der Elektronenkanone, für die äquivalente Perveanz des Elektronenstrahls in dem Bereich der Kammern der Vorstufe, in der die Breitband-Geschwindigkeitsmodulation mit niedrigem Signalpegel erfolgt, und die äquivalente Perveanz des Elektronenstrahls imIn FIG. 1, the individual values are used for the perveance in the area of the electron gun, for the equivalent perveance of the electron beam in the area of the chambers of the pre-stage, in which the broadband speed modulation with low signal level takes place, and the equivalent perveance of the electron beam im
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Bereich der Kammern der Endstufe, in der mit hohem Wirkungsgrad die Ballung bei hohem Signalpegel und die Auskopplung der Ausgangsleistung stattfindet, lediglich zur Erläuterung; sie stellen nur beispielhafte Angaben dar.Area of the chambers of the output stage, in which the concentration at high signal level and the decoupling with high efficiency the output power takes place, for illustration only; they only represent exemplary information.
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US4168451A (en) * | 1977-07-01 | 1979-09-18 | Nippon Electric Co., Ltd. | Multi-cavity klystron amplifiers |
JPS6056486A (en) * | 1983-09-09 | 1985-04-02 | Hitachi Seiko Ltd | Arc welding method using consumable electrode |
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US8847489B2 (en) * | 2009-10-21 | 2014-09-30 | Omega P-Inc. | Low-voltage, multi-beam klystron |
US8559894B2 (en) * | 2011-09-01 | 2013-10-15 | Baron Services, Inc. | Klystron transmitter |
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Family Cites Families (7)
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US2702349A (en) * | 1951-02-15 | 1955-02-15 | Gen Electric | High-frequency electric discharge device and circuits associated therewith |
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US3811065A (en) * | 1968-10-15 | 1974-05-14 | Varian Associates | Velocity modulation microwave tube employing a harmonic prebuncher for improved efficiency |
US3725721A (en) * | 1971-05-17 | 1973-04-03 | Varian Associates | Apparatus for loading cavity resonators of tunable velocity modulation tubes |
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