DE2342893C3 - Einrichtung zur Kühlung eines Hochfrequenzleistungstransistors - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Kühlung eines Hochfrequenzleistungstransistors mit einem mit dem Kollektor des Transistors verbundenen Metallgehäuse, die aus einer Kühlschelle und einem mit dieser verbundenen, wärmeleitenden Teil besteht, der sowohl als Stromzuführung zum Kollektor wie auch als Induktivität zur Kompensation der Kollektorkapazität in Form einer Fahne oder Spule ausgebildet ist.

Aus dem DE-GM 18 69 068 ist eine derartige Einrichtung zur Kühlung eines Hochfrequenzleistungstransistors bekannt

Der Erfindung liegt die Aufgt.be zugrunde, diese bekannte Einrichtung zur Kühlung so aui ubilden, daß auch die Gehäusestreukapazität leicht ausgeglichen werden kann.

Diese Aufgabe wird bei einer Einrichtung der eingangs erwähnten Art dadurch gelöst, daß die Fahne bzw. Spule als Bandleiter ausgebildet sind und zumindest teilweise durch ein /um Induktivitätsabgleich in seinen Dimensionen wählbares Metallplättchen verstärkt sind, das auf dem Bandleiter mittels Schrauben befestigt ist

Durch diese Ausbildung der Einrichtung zur Kühlung wird auf einfache Weise erreicht, daß einerseits die Wärme vom Gehäuse des Transistors leicht abgeführt werden kann, gleichzeitig die Stromzuführung zum Kollektoranschluß gewährleistet ist, und obendrein bei passender Dimensionierung des fahnenförmigen Bandleiters und des Metallplättchen eine induktive Kompensation der immer vorhandenen Kollektorkapazität und der Gehäusestreukapazität möglich ist Dadurch ist es möglich, auch Transistoren, die bei normalem Schaltungsaufbau in der Nähe ihrer Grenzfrequerw nur noch geringe Leistung abgeben wurden, mit beachtlicher Ausgangsleistung und hohem Wirkungsgrad zu ■> betreiben.

Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der F i g. I bis 3 beschrieben.

Fig. 1 zeigt eine übliche Transistorschaltung für höh*.· Frequenzen mit dem Transistor T, der hier in Emitterschaltung arbeitet Die unnötigen Schaltelemente sind weggelassen. Meist ist bei solchen Transistoren der Kollektoranschluß mit dem Metallgehäuse verbunden, z.B. einem TO-5-Gehäuse. Das Gehäuse samt Ansch'nß hat demzufolge eine Kapazität C gegen die Emitterelektrode und dem Schaltungsnullpunkt Elektrisch läßt sich diese Kapazität durch eine parallel geschaltete Induktivität L kompensieren, die gleichzeitig der Stromzuführung zur Transistorelektrode, also hier dem Kollektor, dient Die Fig.2 zeigt die

■20 Seitenansicht samt Teilschnitt eines auf einer Schaltungsplatte 7 befindlichen Transistor T mit Metallgehäuse. Die F i g. 3 zeigt das gleiche Gebilde von oben auf die Schaltungsplatte gesehen. Die Elektrodenanschlüsse 5 und 6, hier zu Kollektor und Basis, sind unmittelbar mit den betreffenden Punkten auf der Schaltungsplatte verlötet, wobei der mit dem Gehäuse verbundene Kollektoranschluß zur Auskopplung der Hochfrequenzenergie verwendet werden kann. Mit 4 ist der Emitterelektrodenanschluß bezeichnet Das Transistorgehäuse wird von einer bandförmigen Schelle 5 umfaßt Die Schelle hat einen fahnenförmigen Ansatz L Der bandförmige Leiter stellt nicht nur den Wärmeableiter dar, sondern wie oben erläutert, zusammen mit dem aufgeschraubten Plättchen 8 die Kompensation der

Kollektor- und Gehäusekapazität Auf der eine Induktivität darstellenden Fahne L ist das Plättchen 8 verschiebbar über die Schrauben 10 und 11 befestigt wodurch ein Abgleich möglich ist, da dadurch der fahnenförmige Bandleiter verbreitert werden kann, so daß die Induktivität L sinkt.

Der Bandleiter kann auch in Form einer Spule ausgebildet, also gewendelt sein.

Es war mit der obigen Einrichtung möglich, mit einem an sich für so hohe Frequenzen, z. B. um 700 MHz und

höher, nicht mehr mit Erfolg zu betreibenden Transistor, beispielsweise des Typs 2N3866, eine Ausgangsleistung von mindestens I W bei einer Verstärkung von 10 dB und einem Wirkungsgrad von etwa 45% zu erreichen. Die Sandbreite lag bei 10%. Gleichzeitig wurde eine

ausreichende Wärmeableitung vom Transistor erzielt und der Nachteil der üblichen Kühlkörper, nämlich die Gehäusekapazität sogar noch zu erhöhen, vermieden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentanspruch;

   Einrichtung zur Kühlung eines Hochfrequenzleistungstransistors mit einem mit dem Kollektor des Transistors verbundenen Metallgehäuse, die aus einer Kühlschelle und einem mit dieser verbundenen, wärmeleitenden Teil besteht, der sowohl als Stromzuführung zum Kollektor wie auch als Induktivität zur Kompensation der Kollektorkapazität in Form einer Fahne oder Spule ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Fahne bzw. Spule (L) als Bandleiter ausgebildet sind und zumindest teilweise durch ein zum Induktivitätsabgleich in seinen Dimensionen wählbares Metallplättchen (8) verstärkt sind, das auf dem Bandleiter mittels Schrauben (10,11) befestigt ist