DE2332091C2 - Method for operating a focusable and alignable electron beam projection device and electron beam projection device intended therefor - Google Patents

Method for operating a focusable and alignable electron beam projection device and electron beam projection device intended therefor

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren der im Oberbegriff des Anspruchs 1 bezeichneten Art und eine Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.The invention relates to a method of the type indicated in the preamble of claim 1 and a Electron beam projection device for carrying out the method.

-'5 Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen ist es üblich, die einzelnen besonders zu dotierenden Bereiche uud die diese Bereiche verbindenden Leiter unter Verwendung photolithographischer Verfahren herzustellen. Die Belichtung der die Halbleiterplättchen bedeckenden Photolackschicht in den jeweils erforderlichen Bereichen erfolgte u. a. durch Elektronenstrahlprojektion von Masken. Bei Elektronenstrahlprojektionsvorrichtungen haben Kondensorlinsen die Aufgabe, eine Projektionsmaske auszuleuchten und alle diese-'5 in the manufacture of semiconductor components It is customary to use the individual areas to be specially doped and the conductors connecting these areas using photolithographic processes. The exposure of the semiconductor wafers covering photoresist layer in the respective required areas took place, inter alia. by electron beam projection of masks. In electron beam projection devices, condenser lenses have the task of to illuminate a projection mask and all of these

J5 Maske durchsetzenden Strahlen in die Eingangspupillc eines Projektionslinsensystems zu fokussieren. Wegen der bei der Herstellung von Mikroschaltungen und integrierien Schaltungen erforderlichen hohen Genauigkeit ist es sehr wichtig, daß der ElektronenstrahlJ 5 to focus the rays penetrating the mask into the entrance pupil of a projection lens system. Because of the high accuracy required in the manufacture of microcircuits and integrated circuits, it is very important that the electron beam

·*() fokussiert und daß die Projektionsmaske und das Halbleiterplättchen genau aufeinander ausgerichtet werden. Die Anwendung von Elektronenstrahlprojektionsvorrichtungen bei der Herstellung von Mikroschaltungen wird beispielsweise in den Literaturstellen »Zur elektronenoptischen Microminiaturisation von Schablonen« von H. Koops, G. Möllenstedt und R. Speidel, Optik, Bd. 28, 1968/69, Nr. 5, Seiten 518-531 und »An Electron Imaging System for the Fabrication of Integrated Circuits« von T. W. O'Keeffe, J. Vine und· * () Focuses and that the projection mask and the Semiconductor wafers are precisely aligned with one another. The use of electron beam projection devices in the production of microcircuits, for example, in the references »Zur electron-optical microminiaturization of templates «by H. Koops, G. Möllenstedt and R. Speidel, Optik, Vol. 28, 1968/69, No. 5, pages 518-531 and "An Electron Imaging System for the Fabrication of Integrated Circuits "by T. W. O'Keeffe, J. Vine, and

R. M. Handy, Solid State Electronics, Pergamon Press Bd. 12,1969, Seiten 841-848 beschrieben.R. M. Handy, Solid State Electronics, Pergamon Press Vol. 12, 1969, pages 841-848.

Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist aus der DD-PS 45 225 bekannt, in der eine fokussierbare und ausrichtbare Elektronenstrahlvorrichtung mit einer Elektronenstrahlquelle, einer Projektionsmaske, einem zwischen Elektronenstrahlquelle und Projektionsmaske angeordneten Kondensorlinsensystem und einem mit dem Elektronenstrahl zu bearbeitenden Werkstück beschrieben ist, bei welcher vor der zu projizierenden Maske Ablenkeinrichtungen zur steuerbaren Ablenkung des Elektronenstrahls über verschiedene Bereiche der Projektionsmaske angeordnet sind. Weder für die Projektionsmaske noch das Werkstück sind Ausrichtmarkierungen angegeben. Außerdem ist es aus der DE-OS 16 90 575 bekannt, bei einem mit einem fokussierbaren Elektronenstrahl arbeitenden Bearbeitungsgerät das zu bearbeitende Halbleiterplättchen mit einer Ausrichtmarkierung zu versehen, und die durchA method of the type mentioned is known from DD-PS 45 225, in which a focusable and Alignable electron beam device with an electron beam source, a projection mask, a between electron beam source and projection mask arranged condenser lens system and a with the workpiece to be machined with the electron beam is described, with which in front of the workpiece to be projected Mask deflection devices for controllable deflection of the electron beam over different areas the projection mask are arranged. There are no alignment marks for either the projection mask or the workpiece specified. It is also known from DE-OS 16 90 575, in the case of a processing device operating with a focusable electron beam to provide the semiconductor wafer to be processed with an alignment mark, and the through

die Ablenkeinrichtungen erfolgende Ausrichtung des Elektronenstrahls auf diese Markierung mit Hilfe eines Detektors festzustellen. Doch wird bei diesem Elektronenstrahlbearbeitungsgerät keine Maske projiziert.the deflection takes place the alignment of the electron beam on this marking with the help of a Detector to determine. However, no mask is projected in this electron beam processing device.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht "> nun darin, ein Verfahren der eingangs genannten Art so auszubilden, daß in einem gesonderten Fokussier- und Ausrichtvorgang die Fokussierung und die Ausrichtung der Projektionsmaske mit dem zu bearbeitenden Halbleiterpiättchen immer wieder überprüft und ggf. korrigiert werden können.The object on which the invention is based is "> now is to train a method of the type mentioned so that in a separate focusing and Alignment process the focusing and the alignment of the projection mask with the one to be processed Semiconductor platelets can be checked again and again and corrected if necessary.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmalen gelöst.This object is achieved according to the invention with those specified in the characterizing part of claim 1 Features solved.

Mit der Erfindung ist es möglich, den Elektronenstrahl in einfacher Weise auf die Ausrichtmarkierung des Halbleiterplättchens zu fokussieren und dieses in gewünschter Weise in bezug auf die Projektionsmaske auszurichten.With the invention it is possible to apply the electron beam to the alignment mark in a simple manner to focus the semiconductor wafer and this in the desired manner with respect to the projection mask align.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den _>i> Unteransprüchen zu entnehmen.Further embodiments of the invention are the _> i> Refer to subclaims.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anschließend anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigtEmbodiments of the invention will then be explained in more detail with reference to the figures. It shows

Fig. 1 die schematische Darstellung einer bekannten Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung, >">1 shows the schematic representation of a known electron beam projection device,> ">

Fig.2 die schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung,2 shows the schematic representation of an exemplary embodiment the invention,

Fig. 3 eine Darstellung von einander überlagerten Ausrichtmarkierungen.3 shows an illustration of alignment marks superimposed on one another.

Die in Fig. 1 schematisch dargestellte bekannte to Vorrichtung (vergl. die o.g. Zeitschrift Optik) besteht aus einer Elektronenstrahlquelle 10, Kondensorlinsen 12, 14 und 16, Projektionslinsen 20 und 24, einer Projektionsmaske 18, einer Aperturplatte 22 und einem als Auffangelektrode wirkenden Halbleiterplättchen 26.The known device (see the above-mentioned magazine Optik), shown schematically in FIG. 1, consists an electron beam source 10, condenser lenses 12, 14 and 16, projection lenses 20 and 24, one Projection mask 18, an aperture plate 22 and a semiconductor wafer 26 acting as a collecting electrode.

In Fig. 2 wird ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung wiedergegeben, mit deren Hilfe Elektronenstrahlen durch eine geeignete Projektionsmaske auf ein Halbleiterplättchen zur Herstellung von Mikroschallungen in bekannter Weise gerichtet werden können. Mit der in dieser Figur dargestellten Vorrichtung ist es gegenüber dem Stand der Technik zusätzlich möglich, die Vorrichtung in einem Fokussier- und Ausrichtarbeitsgang und einem Projektionsarbeitsgang zu betreiben. Der in F i g. 2 dargestellte Strahlenverlauf zeigt die Vorrichtung in ihrem Fokussier- und Ausrichtarbeitsgang. Durch eine beispielsweise eine Wolfrain-Kathode enthaltende Elektronenstrahlquelle 28 werden Elektronenstrahlen erzeugt, die zwei eine Fokussierung dieser 5» Strahlen bewirkende magnetische Kondensorlinsen 30 und 32 durchsetzen. Zwischen diesen Linsen und einer dritten, letzten Kondensorlinse 38 ist ein Satz senkrecht zueinander angeordneter A"-Ablenkspulen 34 und K-Ablenkspulen 36 vorgesehen, die in einer zu einer 5Λ> Aperturblende 44 konjugiert angeordneten Ebene liegen. Die Anordnung ist so getroffen, daß die Elektronenstrahlen nicht den gesamten Bereich der Projektionsmaske 40 beaufschlagen, vielmehr bewirken die Ablenkspulen 34 und 36, daß die die letzte Kondensorlinse 38 durchsetzenden Elektronenstrahlen auf einen bestimmten Ort der Projektionsmaske 40 fokussiert werden, in dem eine Ausrichtmarkierung angeordnet ist, die aus einer eine bestimmte Form aufweisenden Ausnehmung besteht.In Fig. 2 an embodiment of the electron beam projection device according to the invention is shown, with the help of which electron beams can be directed through a suitable projection mask onto a semiconductor wafer for the production of micro-sounds in a known manner. With the device shown in this figure, it is also possible, compared with the prior art, to operate the device in a focusing and aligning operation and a projection operation. The in F i g. The beam path shown in FIG. 2 shows the device in its focusing and alignment operation. An electron beam source 28 containing, for example, a Wolfrain cathode generates electron beams which pass through two magnetic condenser lenses 30 and 32 which bring about a focusing of these 5 'beams. Between these lenses and a third, last condenser lens 38 is a set perpendicular to each other arranged A "-Ablenkspulen 34 and K-deflection coils 36 which are conjugated in a> to a 5 Λ aperture stop 44 arranged level. The arrangement is such that the electron beams do not impinge on the entire area of the projection mask 40, but rather the deflection coils 34 and 36 cause the electron beams passing through the last condenser lens 38 to be focused on a specific location of the projection mask 40 in which an alignment mark is arranged, which has a specific shape having recess.

Bei der Herstellung von Mikroschaltungen bestehen die verwendeten Projektionsmasken normalerweise aus einem durchsichtigen Substrat, auf dem der gewünschte Schaltkreis unter Verwendung lichtundurchlässiger Substanzen graphisch wiedergegeben ist. Die im Zusammenhang mit der in F i g. 2 dargestellten Vorrichtung verwendete Projektionsmaske 40 kann entsprechend den mit im sichtbaren Bereich liegender Strahlung arbeitenden Projektionsvorrichtungen verwendeten Masken ausgebildet sein. Sie kann beispielsweise aus einem durchsichtigen dünnen Substrat mit für Elektronenstrahlen undurchlässigen Bereichen bestehen. Die Maske kann aber auch aus einer Kupferplatte mit Öffnungen oder Ausnehmungen bestehen, die das Muster der herzustellenden Schaltungen darstellen. Die Elektronenstrahlen durchsetzen die öffnungen in der Maske und fallen auf das beispielsweise aus Silicium bestehende und mit einer elektronenempfindlichen Schicht überzogene Halbleiterplättchen, auf dem die entsprechenden Elektronenstrahlenmuster erzeugt werden.In the manufacture of microcircuits, the projection masks used are usually made of a clear substrate on which the desired circuit using opaque Substances is shown graphically. The in connection with the in F i g. 2 shown device The projection mask 40 used can correspond to those in the visible area Radiation working projection devices used masks be formed. For example, you can consist of a transparent thin substrate with areas impermeable to electron beams. The mask can also consist of a copper plate with openings or recesses that allow the Represent samples of the circuits to be produced. The electron beams penetrate the openings in the Mask and fall on the, for example, made of silicon and with an electron sensitive Layer-coated semiconductor wafers on which the corresponding electron beam pattern is generated will.

Wie schon gesagt, ist es bei der Herstellung von Halbleiterschaltkreisen von größter Wichtigkeit, daß die Projektionsmaske genau mit dem Halbleiterplättchen ausgerichtet ist. Zu diesem Zwecke sind in der in Fig. 2 dargestellten Vorrichtung die Ablenkspulen (oder -platten) 34 und 36 vorgesehen, durch die Elektronenstrahlen über die Projektäonsmaske und das Halbleiterplättchen verschoben werden, wenn ein geeigneter Ablenks'rom durch die Spulen geschickt wird. Die erforderliche Stromstärke der Ablenkslröme hängt von der verwendeten Spulenart, der Art und Form des Projektionslinsensystems und der Art der verwendeten magnetischen Linsen ab. Diese Stromstärke wechselt von System zu System. Die für ein bestimmtes System erforderlichen Stromstärken der Ablenkströme können jedoch auf einfache Weise bestimmt werden.As already said, in the manufacture of semiconductor circuits it is of the utmost importance that the projection mask is precisely aligned with the semiconductor die. For this purpose, the in Fig. 2 device shown the deflection coils (or plates) 34 and 36 provided by the Electron beams are shifted across the projection mask and the semiconductor die when a suitable deflection is sent through the coils. The required amperage of the deflection currents depends on the type of coil used, the type and shape of the projection lens system and the type of used magnetic lenses. This amperage varies from system to system. The for one However, the current strengths of the deflection currents required for a specific system can be easily adjusted to be determined.

Bei der in F i g. 2 dargestellten Vorrichtung fokussiert die vor der Maske liegende Linse die Elektronenstrahlen in der Maskenebene. Der fokussierte Flück, der kleiner als irgendeine Abmessung der Ausrichtmarkierung ist, wird mit Hilfe der Ablenkspulen 34 und 36 über die die Ausrichtmarkierungen bildenden Ausnehmungsmuster bewegt, d. h. er tastet diese ab. Dies kann bei jeder beliebigen Maskenart, insbesondere bei den drei oben beschriebenen Maskenarten der Fall sein. Der die Ausrichtmarkierungen durchsetzende fokussierte Strahl durchsetzt weiterhin die Projektionsoptik, die gemäß der Darstellung nach Fig. 2 aus einer Linse 42, einer Aperturblende 44 und einer zweiten Projektionslinse 46 besteht, und fällt schließlich auf das Halbleiterplättchen 48 auf, auf dem wiederum eine Ausrichtmarkierung angeordnet ist. Die Projektionsmaske 40 und das Halbleiterplättchen 48 sind aufeinander ausgerichtet, wenn sich die Abbildung der Ausrichtmarkierung der Projektionsmaske mit der Ausrichtmarkierung des Halbleiterplättchens deckt.In the case of the in FIG. 2, the lens located in front of the mask focuses the electron beams in the mask layer. The focused Flück that is smaller than any dimension of the alignment mark, with the help of deflection coils 34 and 36 over the recess patterns forming the alignment marks moved, d. H. he scans them. This can be done with any type of mask, especially the three mask types described above may be the case. The focused beam passing through the alignment marks continues through the projection optics, which according to the illustration of FIG. 2 from a lens 42, a Aperture stop 44 and a second projection lens 46, and ultimately falls on the semiconductor wafer 48 on which, in turn, an alignment mark is arranged. The projection mask 40 and the Semiconductor dies 48 are aligned when the alignment mark is in the image Projection mask with the alignment mark of the semiconductor wafer covers.

Dieser Vorgang wird in folgender Weise ausgeführt. Ein Signal, das beispielsweise durch rückwärts gestreute und durch den Detektor 50 ermittelte Elektronen entsteht, wird verstärkt und durch die Videoanzeige 52 sichtbar gemacht, bei der die Abtastung synchron mit der Betätigung der Ablenkspulen 34 und 36 erfolgt. Die Ermittlung des Signals kann auch durch andere dem Dürr-hschnittsfachrnann aus der Elektronenmikroskopie bekannte Verfahren festgestellt werden. Fällt die Oberfläche des Halbleiterplättchens 48 mit der Projektionsbildebene zusammen, so erzeugt die Videoanzeige 52 zwei übereinanderliegende Abbildungen. Dabei ist die eine die scharfe Abbildung der Oberfläche desThis process is carried out in the following way. A signal that is scattered, for example, by backwards and electrons detected by detector 50 are produced, amplified and shown by video display 52 made visible, in which the scanning takes place synchronously with the actuation of the deflection coils 34 and 36. the The signal can also be determined by other specialists from electron microscopy known procedures can be determined. The surface of the semiconductor die 48 coincides with the projection image plane together, video display 52 produces two superimposed images. It is one the sharp image of the surface of the

Halbleiterplättchens 48 mit der Ausrichtmarkierung und allen anderen Einzelheiten der Oberfläche. Die andere Abbildung ist ein Schattenbild der Projektionsmaske, das durch die Unterdrückung von Elektronenstrahlen in der Maskenebene durch die Maske selbst entsteht. Da ί die Projektionsoptik der in F i g. 2 dargestellten Vorrichtung sowohl bei dem Projektions- als auch beim Ausrichtarbeitsgang dieselbe bleibt, ist die Übereinstimmung zwischen den beiden überlagerten Videosignalen die gleiche wie zwischen der Maske und ihrer in projizierten Abbildung.Die 48 with the alignment mark and all other surface details. The other image is a shadow image of the projection mask, which is created by the suppression of electron beams in the mask plane by the mask itself. Since ί the projection optics of the in F i g. 2 remains the same both in the projection and in the alignment operation, the correspondence between the two superimposed video signals is the same as between the mask and its image projected in FIG.

Die Ausrichtung der Projeklionsmaske 40 in bezug auf das Halbleiterplättchen 48 erfolgt mit Hilfe von Markierungsausnehmungen in der Maske 40 und entsprechend geformten Markierungen auf dem Halb- ic· leiterplättchen 48, welche die gleiche Form wie die Ausnehmung in der Maske haben können, aber nicht müssen. In Fig. 3 werden Beispiele einander gleicher Markierungen und einander ungleicher Markierungen dargestellt, wobei in beiden Fällen eine die Ausrichtung zwischen Maske und Halbleiterplättchen anzeigende Überlagerung dargestellt wird. Die Ausrichtung der Projektionsmaske und des Halblciterplättchens ist vollständig, wenn die Videoanzeige beide Markierungen wie in F i g. 3 überlagert wiedergibt. Die höchste Genauigkeit der Überlagerung wird durch den Durchmesser des abtastenden Elektronenstrahls in der Bildebene definiert, der seinerseits nur durch die Randauflösung der Projektionsoptik begrenzt ist. Jede Verschiebung der Maske aus ihrer konjugierten Ebene hat eine Defokussierung des Maskenschattenbildes zur Folge. Ähnlicherweise hat eine Verschiebung des Halbleiterplättchens eine Defokussierung seiner Abbildung zur Folge. Das Halbleiterplättchen 48 und die Proiektionsmaske 40 können somit scharf aufeinander abgebildet und genau aufeinander ausgerichtet werden.The alignment of the projection mask 40 with respect to the semiconductor wafer 48 takes place with the aid of Marking recesses in the mask 40 and correspondingly shaped markings on the half-ic · circuit board 48, which can have the same shape as the recess in the mask, but not have to. In Fig. 3, there are shown examples of marks that are the same as each other and marks that are unlike each other shown, with one indicating the alignment between the mask and the semiconductor wafer in both cases Overlay is displayed. The alignment of the projection mask and the half liter plate is complete when the video display has both marks as shown in FIG. 3 superimposed. The highest The accuracy of the overlay is determined by the diameter of the scanning electron beam in the Defined image plane, which in turn is only limited by the edge resolution of the projection optics. Every Shifting the mask out of its conjugate plane results in a defocusing of the mask silhouette Episode. Similarly, a displacement of the semiconductor die has a defocusing of its image result. The semiconductor wafer 48 and the projection mask 40 can thus be sharp on one another mapped and precisely aligned with one another.

Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht ferner darin, daß bei der in Fig. 2 dargestellten Vorrichtung während des Fokussier- und Ausrichtarbeitsgangcs festgestellt werden kann, ob die Projektionsoptik irgendwelche Aberrationen aufweist. Bei optimaler Fokussierung des Schattenbildes der Projektionsmaskenöffnung und der Oberfläche des Halbleiterplättchens kann man aus den relativen Unterschieden der Auflösung der Einzelheiten der Oberfläche des Halbleiterplättchens und der Schattenabbildung über das gesamte Blickfeld Hinweise über die defokussierende Wirkung der Coma, des Astigmatismus und der Bildfeldkrümmung der Projektionsoplik entnehmen. In ähnlicher Weise kann man aus dem Vergleich der Verzerrung der Schattenabbildung, sofern eine solche vorliegt, mit den Verzerrungen der Einzelheiten der Oberfläche des Halbleiterplättchens den Projektionsverzerrungskoeffizienten bestimmen.A particular advantage of the invention is also that in the device shown in FIG it can be determined during the focusing and alignment operation whether the projection optics has any aberrations. With optimal focusing of the shadow image of the projection mask opening and the surface area of the semiconductor die can be seen from the relative differences in the Resolving the details of the die surface and the shadow image over the entire field of view indications of the defocusing effects of coma, astigmatism and the Remove the curvature of field from the projection lens. Similarly, one can see from comparing the Distortion of the shadow image, if any, with the distortions of the details of the Surface of the semiconductor wafer determine the projection distortion coefficient.

Selbstverständlich ist es auch möglich, andere Ausführungsformen der aus magnetischen Linsen bestehenden Projektionsopitk zu wählen. Auch ist es möglich, die letzte Kondensorlinse und die erste Projektionslinse zu einer einzigen Feldlinse zusammenzufassen, wobei die Maske in der Mitte des fokussierenden Feldes angeordnet wird. In diesem Fall wird eine zusätzliche Linse zwischen der zweiten Kondensorlinse und der Feldlinse erforderlich sein, damit der Elektronenstrahl in der Maskenebene fokussiert werden kann. Im allgemeinen wird die erforderliche Größe der Zwischenabbildung der Elektronenstrahlquelle (nach der zweiten Kondensorlinse 32) während des Projektionsarbeitsganges und des Ausrichtarbeitsganges verschieden sein. Daher wird im allgemeinen auch eine Änderung der Vergrößerung der ersten und zweiten Kondensorlinse erforderlich sein, wenn von einer Arbeitsweise zur anderen übergegangen wird. Da Maßnahmen zur Veränderung der Vergrößerung dem Durchschnittsfachmann geläufig sind, werden im vorliegenden Ausführungsbeispiel diese Maßnahmen nicht näher beschrieben.Of course, it is also possible to use other embodiments of the magnetic lenses existing projection optics to choose. It is also possible to use the last condenser lens and the first Combine projection lens into a single field lens, with the mask in the center of the focussing Field is arranged. In this case, there is an additional lens between the second condenser lens and the field lens may be required so that the electron beam can be focused in the mask plane. In general, the required size of the intermediate image of the electron beam source (according to of the second condenser lens 32) during the projection operation and the alignment operation may be different. Therefore, in general, a Changing the magnification of the first and second condenser lenses may be required if from one Working method is passed over to the other. Since measures to change the magnification dem Those of ordinary skill in the art are not familiar with these measures in the present exemplary embodiment described in more detail.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (8)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zum Betrieb einer fokussierbaren und ausrichtbaren Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung mit einer Elektronenstrahlquelle, mit einer Projektionsmaske, mit einem zwischen der Elektronenstrahlquelle und der Projektionsmaske angeordneten Kondensorlinsensystem, mit einem Halbleiterplättchen, mit einem zwischen der Projektionsmaske und dem Halbleiterplättchen angeordneten Projektionslinsensystem und mit in Strahlrichtung gesehen vor der Projektionsmaske angeordneten steuerbaren Ablenkeinrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß durch die in einer zur Eintrittspupille der Aperturblende (44) des Projektionslinsensystems (42, 46) konjugierten Ebene innerhaJb des Kondensorlinsensystems (30, 32 38) angeordneten Ablenkeinrichtungen (34, 36) die auf die Ebene der Projektionsmaske (40) fokussierten Elektronenstrahlen auf eine Ausrichtmarkierung der Projektionsmaske (40) abgelenkt werden, daß die Ausrichtmarkierung der Projektionsmaske (40) auf die Oberfläche des Halbleiterplättchens abgebildet wird und daß durch eine Detektoranordnung (50, 52) die Ausrichtung der Abbildung der Ausrichtmarkierung der Projektionsmaske auf eine Ausrichtmarkierung des Halbleiterplättchens (48) festgestellt wird.1. Method of operating a focusable and alignable electron beam projection device with an electron beam source, with a projection mask, with one between the electron beam source and the projection mask arranged condenser lens system, with a semiconductor wafer, with a projection lens system arranged between the projection mask and the semiconductor wafer and with controllable ones arranged in front of the projection mask as seen in the beam direction Deflection devices, characterized in that that by in one to the entrance pupil of the aperture stop (44) of the projection lens system (42, 46) conjugate plane arranged within the condenser lens system (30, 32, 38) Deflection devices (34, 36) the electron beams focused on the plane of the projection mask (40) be deflected onto an alignment mark of the projection mask (40) that the alignment mark the projection mask (40) is imaged on the surface of the semiconductor wafer and that the alignment of the image of the alignment mark is carried out by a detector arrangement (50, 52) the projection mask is determined on an alignment mark of the semiconductor wafer (48). 2. Fokussierbare und ausrichtbare Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 mit einer Elektronenstrahlquelle mit einer Projektionsmaske, mit einem zwischen der Elektronenstrahlquelle und der Projektionsmaske angeordneten Kondensorlinsensystem, mit einem Halbleiterplättchen, mit einem zwischen der Projektionsmaske und dem Halbleiterplättchen angeordneten Projektionslinsensystem und mit in Strahlrichtung gesehen vor der Projektionsmaske angeordneten steuerbaren Ablenkeinrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß im Projektionslinsensystem (42, 46) eine Aperturblende (44) angeordnet ist und daß die Ablenkeinrichtungen (34, 36) in einer zur Eintrittspupille der Aperturblende (44) konjugierten Ebene innerhalb des Kondensorlinsensystems (30,32,38) angeordnet sind.2. Focusable and directional electron beam projection device for carrying out the method according to claim 1 with an electron beam source with a projection mask, with one between the electron beam source and the projection mask arranged condenser lens system, with a semiconductor wafer, with one between the projection mask and the semiconductor wafer arranged projection lens system and seen in the beam direction in front of the projection mask arranged controllable deflection devices, characterized in that in the projection lens system (42, 46) an aperture diaphragm (44) is arranged and that the deflection devices (34, 36) in a plane conjugate to the entrance pupil of the aperture diaphragm (44) within the condenser lens system (30,32,38) are arranged. 3. Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoranordnung (50, 52) so ausgebildet ist, daß sie auf an der Oberfläche des Halbleiterplättchens (48) gestreute oder von dieser Fläche aufgenommene Elektronen anspricht.3. Electron beam projection device according to claim 2, characterized in that the Detector arrangement (50, 52) is designed so that it is on the surface of the semiconductor wafer (48) addresses scattered electrons or electrons picked up by this surface. 4. Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung nach Anspruch 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Kondensorlinsensystem aus einer ersten (30), einer zweiten (32) und einer letzten Kondensorlinse (38) besteht und daß die Ablenkeinrichtungen (34, 36) zwischen der zweiten und der letzten Kondensorlinse angeordnet sind.4. electron beam projection device according to claim 2 and 3, characterized in that the Condenser lens system consisting of a first (30), a second (32) and a last condenser lens (38) and that the deflection means (34, 36) between the second and the last condenser lens are arranged. 5. Elektronenstrahlpiojektionssystem nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Projektionslinsensystem aus einer ersten (42) und einer zweiten Linse (46) besteht, daß die Aperturblcnde (44) zwischen diesen beiden Linsen und die Projektionsmaske (40) zwischen dem Kondensorlinsensystem (30, 32, 38) und der ersten Projektionslinse (42) liegt.5. electron beam projection system according to claim 2 to 4, characterized in that the The projection lens system consists of a first (42) and a second lens (46) that form the aperture (44) between these two lenses and the projection mask (40) between the condenser lens system (30, 32, 38) and the first projection lens (42). 6. Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung nach Anspruch 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausrichtmarkierungen der Projektionsmaske (40)6. electron beam projection device according to claim 2 to 5, characterized in that the Alignment marks of the projection mask (40) und des Halbleiterplättchens (48) die gleiche Form haben.and the semiconductor die (48) have the same shape. 7. Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung nach Anspruch 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausrichtmarkierungen der Projektionsmaske (40) und des Halbleiterplättchens (48) verschiedene Formen haben.7. Electron beam projection device according to Claim 2 to 5, characterized in that the alignment markings of the projection mask (40) and the semiconductor die (48) have various shapes. 8. Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung nach Anspruch 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoranordnung aus einem für an dem Halbleiterplättchen (48) gestreute, vorzugsweise rückwärts gestreute Elektronen empfindlichen Sensor (50) und einem Video-Anzeigegerät (52) zur Wiedergabe der durch den Sensor aufgenommenen Abbildungen der Ausrichtmarkierungen der Projektionsmaske und des Halbleiterplättchens besteht.8. electron beam projection device according to claim 2 to 7, characterized in that the Detector arrangement consisting of one for scattered on the semiconductor wafer (48), preferably backwards scattered electron sensitive sensor (50) and a video display device (52) for Reproduction of the images of the alignment marks of the projection mask recorded by the sensor and the semiconductor die.
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