DE2303476A1

DE2303476A1 - ELECTROMAGNETIC DELAY LINE DEVICE

Info

Publication number: DE2303476A1
Application number: DE19732303476
Authority: DE
Inventors: Seishi Fujihara
Original assignee: TODAI ELECTRIC CO
Current assignee: TODAI ELECTRIC CO
Priority date: 1972-01-26
Filing date: 1973-01-25
Publication date: 1973-08-02
Also published as: JPS4890440A; NL7300929A; JPS4879952A; JPS4984763A; GB1415917A

Description

PATENTANWALTPATENT ADVOCATE

. 6530 B1NGEN-SPONSHE1M. 6530 B1NGEN-SPONSHE1M

153/73 Pt ROMERSTRASSE 10153/73 Pt ROMERSTRASSE 10

TELEFON 06721/5511 16.1.1973TELEPHONE 06721/5511 16.1.1973

TODAI ELECTRIC CO., LTDTODAI ELECTRIC CO., LTD

6-48, 3 chome Sendagi6-48, 3 chome Sendagi

Bunkyo-ku Tokyo, JapanBunkyo-ku Tokyo, Japan

Elektromagnetische VerzögerungsleitungseinrichtungElectromagnetic delay line device

Die Erfircs^ng bezieht s^?.ch auf eine elektromagnetische Verzögerungsleitungseinrich'rung, welche bevorzugt bei Farbfernsehempfängern verwendet wird.The result relates to ^? .ch on an electromagnetic delay line device, which is preferably used in color television receivers.

Die herkömmliche elektromagnetische Verzögerungsleitungseinrichtung, welche irn Videosignalstromkreis von Farbfernsehgeräten, elektronischen Computern ebe. verwendet v/ird, setzt sich im allgemeinen aus einerr Spulenkörper zusammen, der aus einem Isoliermaterial besteht und mit einem Erdungselement und mit einer daherum gewickelten Wicklung versehen ist. Falls eine lange Verzögerungszeit benötigt wird, ist die Verzögerungsleitungseinrichtung als ein konzentriertes, konstantes System vorgesehen, welches aus Induktanz- und Kapazitanzelementen besteht, die verbunden sind, um eine Schaltung eines Typs vorzusehen, wie beispielsweise Konstante K, Induktion M, oder Brücke T,The conventional electromagnetic delay line device, which are in the video signal circuit of color televisions, electronic computers. used v / ird, is generally composed from a bobbin made of an insulating material and with a grounding element and with a wound around it Winding is provided. If a long delay time is needed, the delay line facility is designed as a concentrated, constant system provided, which consists of inductance and capacitance elements that are connected to provide a circuit of some type such as constant K, induction M, or bridge T,

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wobei diese in Serie weiter verbunden sind, wie gewünscht oder erforderlich. Gemäß der konventionellen Technik ergeben sich jedoch viele schwierige Probleme bei der Herstellung von Verzögerungsleitungseinrichtungen mit langer Verzögerungsleitungszeit und großer Induktanz, und außerdem waren die Verzögerungs-Charakteristiken der herkömmlichen Einrichtungen nicht immer zufriedenstellen.these are further connected in series as desired or required. According to the conventional technique, however, many difficult problems arise in the manufacture of delay line devices with long delay line time and large inductance, and also the delay characteristics were the conventional ones Institutions do not always satisfy.

Als Maßnahme, die vorgenannten Probleme zu lösen, ist es bekannt, Leiter- und dielektrische Bauteile auf einem Spulenkörper vor ^rdem Wickeln der Spule daherum vorzusehen. Die Verzögerungsleitungseinrichtungen dieses Typs werden nun allgemein verwendet. Jedoch ist die Verzögerungsleitungseinrichtung dieses Typs noch nicht zufriedenstellend unter den Gesichtspunkten:elektrische Charakteristiken, Kompaktheit, einfache Herstellung und Herstellungskosten. Eine Ursache für die Mängel der Verzögerungsleitungseinrichtung dieses Typs besteht darin, daß bei einem Versuch, eine Vereinbarkeit der Induktanz und der Kapazitanz durch Aufbringen einer Farbe eines Dielektrikums auf einem Stromleiter zu erreichen, um so eine elektrostatische Kapazität unter der Spule zu erhalten, die Spule, welche provisorisch "primärer Leiter" genannt wird, sehr dicht am Leiter, welcher provisorisch "sekundärer Leiter genannt wird, angeordnet wird, wodurch die Korrelation der primären und sekundären Leiter so intensiv wird, daß die Ind-uktanz der Spule stark vermindert und der Q-Wert (Qualitätsfaktor bzw. Gütewert Q = Q L der Spule verringert wird. Gegenwärtig wird eine solche Ver-As a measure to solve the above problems, it is known to provide conductive and dielectric components on a bobbin before ^r the winding of the coil thereabout. The delay line devices of this type are now in common use. However, the delay line device of this type is not yet satisfactory from the viewpoints: electrical characteristics, compactness, ease of manufacture and manufacturing cost. One cause of the shortcomings of the delay line device of this type is that in an attempt to reconcile inductance and capacitance by applying a color of dielectric to a conductor so as to obtain electrostatic capacitance under the coil, the coil, which is provisionally called the "primary conductor" is placed very close to the conductor which is provisionally called the "secondary conductor", whereby the correlation of the primary and secondary conductors becomes so intense that the inductance of the coil is greatly reduced and the Q- Value (quality factor or quality value Q = QL of the coil is reduced.

minderung der Induktanz oder ein Verringern des Q-Wertes dadurch verhindert, daß der sekundäre Leiter in Gestalt von Bändern, oder in kamm- bzw. waben- oder rouleauartiger Struktur vorgesehen wird. Jedoch ist zu erkennen, daß durch eine solche Maßnahme die Kapazitanz entsprechend reduziert wird, im Vergleich zu dem Fall, den Leiter über die gesamte Oberfläche des Spulenkörpers vorzusehen, und die Verzögerungszeit wird entsprechend verkürzt.Reduction of the inductance or a decrease in the Q-value thereby prevents, that the secondary conductor is provided in the form of ribbons, or in a comb-like or honeycomb or rouleau-like structure. However it can be seen that by such a measure the capacitance is correspondingly reduced, compared to the case, the conductor over to provide the entire surface of the bobbin, and the delay time is shortened accordingly.

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In Anbetracht der vorgenannten Beeinträchtigungen bei den herkömmlichen Einrichtungen wurde ferner vorgeschlagen, einen Spulenkörper mit einer Anzahl von Flanschen herzustellen, auf dessen äußerer Oberfläche ein erdendes Metallband vorgesehen ist, welches sich in axialer Richtung des Spulenkörpers erstreckt, mit einer kontinuierlichen Wicklung, welche weiter daherum gewickelt ist. Jedoch wird dieser Aufbau durch eine Schwierigkeit, das erdende Metallband über eine konkave und konvexe Oberfläche des mit Flanschen versehenen Spulenkörpers vorzusehen, und außerdem durch einen Nachteil begrenzt, daß das über den Flanschen vorgesehene Erdungsmetallband der Spule einen Nachbarschaftseffekt darbietet, was folglich eine Abnahme der Induktanz mit sich bringt. In diesem Zusammenhang ist auch eine Einrichtung bekannt, bei welcher ein mit Flanschen versehener Spulenkörper mit einem Erdungsmetallband bedeckt ist und darauf eine Wicklung nur in den Zwischenraumteilstücken gewickelt ist, welche zwischen benachbarten Flanschen gebildet werden. Dieser Aufbau weist jedoch Nachteile auf, weil eine Induktanz infolge gegenseitiger Induktion der benachbarten Wicklungsteilstücke nicht vorhanden ist infolge des Abschirmungseffek— tes des erdenden Leiters, welcher über den Flanschen vorgesehen ist.In view of the aforementioned drawbacks in the conventional Means have also been proposed to make a bobbin with a number of flanges on its outer surface a grounding metal band is provided, which extends in the axial direction of the bobbin, with a continuous winding, which is further wrapped around. However, this structure is characterized by a difficulty in making the grounding metal band over a concave and to provide convex surface of the flanged bobbin, and also limited by a disadvantage that the Grounding metal tape provided over the flanges of the coil presents a proximity effect with consequent decrease in inductance brings with it. In this context, a device is also known in which a flanged bobbin with a Ground metal tape is covered and thereon a winding is wound only in the intermediate space portions which between adjacent Flanges are formed. However, this structure has disadvantages because an inductance due to mutual induction of the neighboring Winding sections are not present due to the shielding effect of the grounding conductor, which is provided over the flanges.

Wenn ein Leiter angrenzend an eine Wicklung placiert wird, welche einen Q-Wert von (jJL· /r für einen Strom einer Frequenz f aufweist, wobei = 2*y"f, L die Induktanz der Spule ist und r der Widerstand ist, werden die Wicklung und der Leiter elektromagnetisch durch ein elektromagnetisches Feld wie auch elektrostatisch durch ein elektrostatisches Feld wechselseitig verbunden. Angenommen, daß die vorgenannte Wicklung eine primäre Wicklung and der Leiter eine sekundäre Wicklung ist, variieren die Induktanz und der Q-Wert der Wicklung gemäß den Änderungen der Konduktivität der sekundären Wicklung. Wenn der sekundäre Teil eine hohe Konduktivität, wie beispielsweise ein Metallkörper, aufweist, dann tritt ein großer Wirbelstrom auf, während, falls die Konduktivität niedrig ist, dann der Wirbelstrom niedrig ist, oder, falls die Konduktivität äußerst niedrig ist, kein Wirbelstrom erzeugt wird. DieserIf a conductor is placed adjacent to a winding which has a Q value of (jJL · / r for a current of frequency f, where = 2 * y "f, L is the inductance of the coil and r is the resistance the winding and the conductor mutually connected electromagnetically by an electromagnetic field as well as electrostatically by an electrostatic field Assuming that the aforesaid winding is a primary winding and the conductor is a secondary winding, the inductance and the Q value of the winding vary according to the changes If the secondary part has a high conductivity such as a metal body, then a large eddy current occurs, while if the conductivity is low, then the eddy current is low, or if the conductivity is extremely low , no eddy current is generated

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Dieser Wirbelstrom ist wirksam, um das magnetische Feld der primären Wicklung abzuschwächen, und daher nimmt die Induktanz der Wicklung ab. Gleichzeitig wird ein Energieverlust durch den Wirbelstrom hervorgerufen, und der Widerstand erhöht sich, wodurch der Q-Wert verringert wird. Bei der Auswertung der Änderungen der Induktanz und des Widerstandes der Spule bzw. Wicklung durch die Änderungen der Konduktanz des sekundären Teiles kann ein Äquivalent- bzw. Ersatzstromkreis aufgebaut werden, indem der sekundäre Teil durch eine Wicklung mit einer Induktanz und einem Widerstand ersetzt wird, worin die beiden Wicklungen mit einem Gegeninduktionskoeffizienten (coefficient of mutual induction) miteinander verbunden werden. In diesem Fall wird, wenn der Widerstand der sekundären Wicklung graduell von Null nach unendlich hin vergrößert wird, der Q-Wert, welcher Q = (k)L /R für Null Widerstand der sekundären Wicklung war, entsprechend reduziert. Diese Reduzierung erfolgt durch die Verminderung des Kopplungskoeffizienten. Fall der Widerstand der sekundären Wicklung weiter erhöht wird, oder die Konduktanz derselben weiter reduziertwird, werden der Q-Wert und die Induktanz reduziert, so daß sie jene der primären Wicklung selbst werden. Folglich wird die Wirkungsweise bzw. Leistungsfähigkeit einer Wicklung durch die Konduktivität eines Leiters, der nahe der Wicklung vorgesehen ist,sehr beeinflußt.This eddy current is effective to make the magnetic field of the primary Winding weaken, and therefore the inductance of the winding decreases. At the same time there is a loss of energy due to the eddy current and the resistance increases, thereby lowering the Q value. When evaluating the changes in inductance and the resistance of the coil or winding due to the changes in the conductance of the secondary part can be an equivalent or equivalent circuit can be constructed by replacing the secondary part with a winding with an inductance and a resistance, wherein the two windings are connected to one another with a coefficient of mutual induction. In this Case, when the resistance of the secondary winding is gradually increased from zero to infinity, the Q value becomes which Q = (k) L / R for zero resistance of the secondary winding was, accordingly reduced. This reduction takes place by reducing the coupling coefficient. Case the resistance of the secondary winding is further increased, or the conductance thereof is further reduced, the Q value and inductance are reduced to become those of the primary winding itself. Hence the mode of operation or the performance of a winding is greatly influenced by the conductivity of a conductor which is provided near the winding.

Was die elektrostatische Kapazität anbetrifft, die zwischen der Wicklung und dem sekundären Leiter erzeugt wird, ist die Reduzierung der Kapazität gering, selbst wenn der Widerstand des sekundären Leiters eine Erhöhung bis auf 10 JJc aufweist.As for the electrostatic capacity that exists between the winding and the secondary conductor is generated, the reduction in capacitance is small even if the resistance of the secondary conductor shows an increase up to 10 JJc.

Es ist eine primäre Aufgabe dieser Erfindung, eine Verzögerungsleitungseinrichtung vorzusehen, die eine lange Ver-zögerungszeit aufweist, verglichen mit ihrer kurzen Struktur- bzw. Baulänge, durch Präparieren eines Spulenkörpers aus einem isolierenden Material um mit einer Anzahl von Flanschen, die gesamte Oberfläche des Spulenkörpers mit einem halbleitenden Material zu bedecken, welches einen relativ hohen Widerstand aufweist, und eine Wicklung um ein Kernteilstück des Spulenkörpers herum zu wickeln.It is a primary object of this invention to provide a delay line device to be provided, which has a long delay time, compared with their short structure or overall length, by preparing a coil body from an insulating material to with a number of flanges, the entire surface of the spool with a semiconducting material having a relatively high resistance and a winding around a core portion of the To wind the bobbin around.

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Ein weiteres Ziel dieser Erfindung besteht darin, eine Verzögerungsleitungseinrichtung mit einer im Vergleich zu ihrer kurzen Strukturlänge langen Verzögerungszeit vorzusehen, durch Präparieren eines Spulenkörpers aus einem isolierenden Material und mit einer Anzahl von Flanschen, eine Wicklung um ein Kernteilstück des Spulenkörpers zu wickeln und den gesamten Körper bzw. die gesamte Bauteilgruppe des Spulenkörpers, einschließlich der Wicklung, mit einem halbleitenden Material zu bedecken.Another object of this invention is to provide a delay line device with a long delay time compared to their short structure length by preparing a bobbin made of an insulating material and having a number of flanges to form a winding around a core section of the bobbin wrap and the entire body or the entire group of components of the bobbin, including the winding, with a semiconducting Cover material.

Ein weiteres Ziel dieser Erfindung besteht darin, ein Abschirmungsgehäuse um die Verzögerungsleitungseinrichtungen herum vorzusehen, wie obenerwähnt, um günstige Frequenz— und Aufbauwirkungen zu erreichen und die Einrichtungen weniger beeinflußbar, durch externe elektromagnetische Fe'der zu machen.Another object of this invention is to provide a shield case around the delay line facilities as mentioned above to achieve beneficial frequency and build effects and to make the facilities less susceptible to influence by external electromagnetic springs.

Ein weiceras Zie, besteht darin, Pulver aus einem magnetischen Material in einen Film o. dgl. des halbleitenden Materials zu mischen, oder auf die äußere und/oder innere Oberfläche des besagten Filmes der Verzögerungslaitungseinrichtungen aufzubringen, wie obenerwähnt, um das Ausmaß der Kopplung der Wicklungsteilstücke zu vergrößern.A weiceras target consists in powdering a magnetic material into a film or the like of the semiconducting material, or onto the outer and / or inner surface of said film of the delay line devices as mentioned above to increase the amount of coupling of the winding sections.

Ein weiteres Ziel besteht darin, eine Verzögerungsleitungseinrichtung vorzusehen, indem ein Spulenkörper- mit einem halbleitenden Material, mit einem relativ hohen Widerstand, bedeckt wird, und eine Spule daherum zu wickeln.Another object is to provide a delay line device, by covering a bobbin with a semiconducting material with a relatively high resistance, and a coil around it to wrap.

Ein weiteres Ziel besteht darin, eine Verzögerungsleitungseinrichtung vorzusehen dadurch, daß eine Wicklung um einen Spulenkörper herum gewickelt wird und daß die gesamte äußere Oberfläche der Wicklung mit einem Film· bzw. Überzug aus halbleitendem Material bedeckt wird.Another object is to provide a delay line device to be provided in that a winding is wound around a bobbin and that the entire outer surface of the winding with is covered with a film or coating of semiconducting material.

Ein weiteres Ziel dieser Erfindung besteht darin, eine Verzögerungslei-Another object of this invention is to provide a delay line

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tungseinrichtung dadurch vorzusehen, daß eine Spule um einen Spulenkörper herum gewickelt wird, der aus einem halbleitenden Material besteht, mit einem relativ hohen Widerstand.processing device to provide that a coil around a bobbin is wound around, which is made of a semiconducting material, with a relatively high resistance.

Die Erfindung wird nunmehr anhand der sie beispielsweise wiedergebenden Zeichnung näher erläutert, und zwar zeigtThe invention will now be illustrated by way of example Drawing explained in more detail, namely shows

Fig. 1 einen Längsschnitt einer Ausführungsform dieser Erfindung und in Wirklichkeit einen Schnitt nach der Linie 1-1 in Fig. 2, *Fig. 1 is a longitudinal section of an embodiment of this invention and actually a section along the line 1-1 in Fig. 2, *

Fig, 2 einen Querschnitt nach der Linie II - II in Fig. 1 _s FIG. 2 shows a cross section along the line II - II in FIG. 1 _s

Fig. 3 einen Ersatzstromkreis der in den Fign. 1 und 2 dargestellten Einrichtung,Fig. 3 is an equivalent circuit shown in FIGS. 1 and 2 shown Facility,

Fig. 4 einen Längsschnitt einer anderen Ausführungsform dieser Erfindung und tatsächlich einen Schnitt nach der Linie IV — IV in Fig. 5,Fig. 4 is a longitudinal section of another embodiment of this invention and actually a section along the line IV - IV in Fig. 5,

Fig. 5 eirseo Querschnitt nach der Lirsie V — V in Fig, 4,Fig. 5 eirseo cross section according to the Lirsie V - V in Fig. 4,

Fig. 6 einen Längsschnitt einer weiteren Ausführungsform und in Wirklichkeit einen Schnitt nach der Linie VI — Vi in Fig. 7,6 shows a longitudinal section of a further embodiment and in reality a section along the line VI - Vi in Fig. 7,

Fig, 7 einen Querschnitt nach der Linie VIi — VII in Fig. 6^Fig. 7 shows a cross section along the line VIi - VII in Fig. 6 ^

Fig. 8 einen Längsschnitt einer v/eiteren Ausführungsform vnd in Wirklichkeit einen Schnitt nach der Linie Viii — VIII in Fig, θ,8 shows a longitudinal section of a further embodiment and in reality a section along the line Viii-VIII in FIG.

Fig. 9 einen Schnitt nach der Linie IX - IX in Fig. 8^ .Fig. 9 is a section along the line IX - IX in Fig. 8 ^.

Fig, 10 ein Diagramm, welches die Frequenz-Charakteristik der in den Fign« 1 bis 9 dargestellten Verzögerungsleitungs—Fig, 10 is a graph showing the frequency characteristic of the delay line shown in Figs' 1 to 9

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einrichtungen erkennen läßt,reveals facilities,

Fig. 11 ein Diagramm, welches die Aufbau-Leistungsfähigkeit der in den Fign. 1 bis 9 dargestellten Verzögerungleitungseinrichtungen veranschaulicht, während die11 is a diagram showing the construction performance of the systems shown in FIGS. 1 through 9 shown delay line devices illustrated while the

Fign. 12 a und 12 b bis 16 a und 12 b weitere Ausführungsformen dieser Erfindung entsprechend in Längs— und Querschnitten wiedergeben.Figs. 12 a and 12 b to 16 a and 12 b are further embodiments of this invention, corresponding in longitudinal and cross sections reproduce.

Im Folgenden wird diese Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung mittels einiger bevorzugter Ausführungsformen im einzelnen näher erläutert. This invention is described below with reference to the accompanying drawing explained in more detail by means of some preferred embodiments.

Auf die Fig. 1 und 2 Bezug nehmend, ist durch das Bezugszeichen 1 ein Spulenkörper bezeichnet, der aus einem isolierenden Material besteht und der mit einer Anzahl von Flanschteilstücken 2 und einem Kernteilstück 3 versehen ist. Jeder der genannten Flansche ist mit einem Schlitz versehen, welcher sich von dessen peripherem Teilstück nach dessen Fußteilstück, an den Kern angrenzend, hin erstreckt. Die gesamte äußere Oberfläche des Spulenkörpers ist mit einer Schicht 5 aus einem halbleitenden Material bedeckt, welche beispielsweise dadurch hergestellt wird, daß eine Farbe, welche Pulver von Kupfer, Kohle etc. enthält, aufgebracht wird, und zwar durch Sprühen oder Tauchen, wobei die genannte Schicht eine Dicke von 0,01 - 0,3 mm und einen Widerstand von etwaReferring to Figs. 1 and 2, numeral 1 denotes a Designated bobbin, which consists of an insulating material and which has a number of flange sections 2 and a core section 3 is provided. Each of the said flanges is provided with a slot which extends from its peripheral section to its Foot section, adjacent to the core, extends out. The entire exterior The surface of the bobbin is covered with a layer 5 made of a semiconducting material, which is produced, for example, by that a paint containing powder of copper, coal, etc. is applied by spraying or dipping, said Layer a thickness of 0.01-0.3 mm and a resistance of about

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10 - 10 au pro cm Länge pro cm Breite der Schicht aufweist. Über der halbleitenden Schicht sind Wicklungen 6, welche kontinuierlich verbunden sind, um eine Wicklung bzw. Spule vorzusehen, um das Kernteilstück 3 des Spulenkörpers herum gewickelt, innerhalb der Zwischenräume, welche zwischen den Flanschen gebildet werden. Ferner kann eine Teilstückschicht 7 aus einem isolierenden Material über der halbleitenden Schicht vorgesehen sein. Durch Bodenteilstücke der Schlitze 4 hindurch wird ein Erdungsdraht 8 angeordnet, welcher sich längs des Kerns des Spu=len.körpers erstreckt. Der Erdungsdraht ist mit der halbleiten-10-10 au per cm length per cm width of the layer. Above of the semiconducting layer are windings 6 which are continuously connected to provide a coil around the core section 3 of the bobbin, within the spaces formed between the flanges. Furthermore, a Sectional layer 7 made of an insulating material may be provided over the semiconducting layer. Through the bottom sections of the slots 4 a grounding wire 8 is arranged, which extends along the core of the Spu = len.körpers. The ground wire is connected to the semiconducting

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den Schicht an den End— und Zwischenteilstücken davon verbunden.the layer at the end and intermediate portions thereof.

Bei der Verzögerungsleitungseinrichtung dieser Art wird, da die gesamte Oberfläche des mit 2 Flanschen versehenen Spulenkörpers mit einer Schicht aus halbleitendem Material bedeckt ist, eine gewünschte Kapazität C zwischen der Wicklung und der Schicht erreicht, während , weil die Schicht, welche die Flanschteilstücke des Spulenkörpers bedeckt, von einer halbleitenden Charakteristik ist, die einen relativ hohen Widerstand aufweist, die Nachbarschafts- und Abschirmungseffekte der Schicht auf die Wicklung sehr gering sind, wodurch eine gegenseitige Induktanz bzw. Gegeninduktivität zwischen den angrenzenden Wicklungs— teilstücken zur Verfügung steht. Somit wird der Ersatzstromkreis dieser Einrichtung so vorgesehen, wie in Fig. 3 dargestellt. In Fig. 3 bezeichnet R den Widerstand der halbleitenden Schicht. Da eine große Induktanz wie auch eine große Kapazität in der oben beschriebenen Weise erreicht werden, ist es möglich, eine sehr lange Verzögerungszeit durch eine schmale bzw. kleine Einrichtung gemäß dieser Erfindung zu erreichen. In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, daß ein guter Erdungsdurch den erdenden Draht erreicht wird, welcher an den unteren Teilstücken der Schlitze der Flansche längs des Kernteilstückes vorgesehen wird. Wenn der Widerstand der halbleitenden Schicht nicht so hoch ist, wird der Erdungsdraht nicht benötigt.In the delay line device of this type, since the entire Surface of the bobbin provided with 2 flanges is covered with a layer of semiconducting material, a desired one Capacitance C reached between the winding and the layer while, because the layer that covers the flange sections of the spool, is of a semiconducting characteristic exhibiting relatively high resistance, the proximity and shielding effects of the Layer on the winding are very small, creating a mutual Inductance or mutual inductance is available between the adjacent winding sections. Thus, the equivalent circuit becomes this one Device provided as shown in FIG. In Fig. 3, R denotes the resistance of the semiconducting layer. Because a large inductance as well as a large capacity can be achieved in the manner described above, it is possible to use a very long delay time to achieve a narrow device according to this invention. In this context it should be noted that a good grounding through reaching the grounding wire provided on the lower portions of the slots of the flanges along the core portion will. If the resistance of the semiconducting layer is not that high, the ground wire is not needed.

Eine andere Ausführungsform dieser Erfindung ist in den Fign. 4 und 5 dargestellt, wobei die Teilstücke, welche denjenigen in den Fign. 1 und entsprechen, durch gleiche Bezugszeichen wie in den Fign. 1 und 2 gekennzeichnet sind. Bei dieser zweiten Ausführungsform ist die Wicklung jedoch direkt um den mit Flanschen versehenen Spulenkörper 1, der aus einem isolierenden Material besteht, herum gewickelt, und eine Schicht halbleitender Charakteristik, welche die gleiche Charakteristik wie die Schicht 5 beim ersten Ausführungsbeispiel aufweist, ist in einer Weise vorgesehen, die gesamte äußere Oberfläche des Spulenkörpers, einschließ—Another embodiment of this invention is shown in FIGS. 4 and 5 shown, the portions which correspond to those in FIGS. 1 and correspond, by the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 marked are. In this second embodiment, however, the winding is directly around the flanged bobbin 1, which is made of an insulating material, wound around, and a layer of semiconducting characteristic which has the same characteristic as the Layer 5 in the first embodiment is provided in a manner that includes the entire outer surface of the bobbin, including

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Hch der daherum gewickelten Wicklung 6, zu bedecken. Bei diesem Aufbau ist es auch möglich, einen gewünschten hohen Kapazitätspegel zwischen der Wicklung 6 und der halbl'eitenden Schicht 9 zu erreichen, während die Induktanz der Spule auf einem hohen Pegel gehalten wird, und zwar durch den Effekt gegenseitiger Induktion zwischen den Wicklungsteilstücken 6, weil kein Hindernis zwischen den Wicklungsteilstücken vorhanden ist, welches den Nachbarschafts- oder Abschirmungseffekt mit sich bringt. Bei dieser Ausführungsform wird der Erdungsdraht 8 längs der Außenoberfläche der halbleitenden Schicht 9 angeordnet. In diesem Fall kann eine Schutzschicht 10, die aus einem isolierenden Material besteht, welches der Schicht 7 entspricht,, über der Schicht 9 in einer solchen Weise vorgesehen werden, daß der gesamte Aufbau untergebracht bzw. umgeben wird.To cover the winding 6 wound around it. With this structure, it is also possible to achieve a desired high capacitance level between the winding 6 and the semi-conductive layer 9 while the inductance of the coil is kept at a high level, through the effect of mutual induction between the winding sections 6, because there is no obstacle between the winding sections, which brings about the proximity or shielding effect. In this embodiment, the ground wire 8 is arranged along the outer surface of the semiconducting layer 9. In this case, a protective layer 10 made of an insulating material corresponding to the layer 7 may be provided over the layer 9 in such a manner that the entire structure is housed or surrounded.

Die Fign. 8 und 7 zeigen eine Modifikation eier in den Fign. 1 und 2 dargestellten AusfCinrungsf orm, Bei dieser Ausführungsform ist der Spulenkörper, welcher mit der Wicklung in der gleichen Weise wie in den Fign. 1 und 2 bewicKeit ist (obzwar die Schutzschicht 7 in diesem Fall weggelassen ist), in einer zylindrischen Abdeckung 11 untergebracht, welche aus nichtmagnetischem Material besteht, das als elektrostatische Abschirmung dient. The FIGS. 8 and 7 show a modification of the eggs in FIGS. In this embodiment, the coil body, which is connected to the winding in the same way as in FIGS. 1 and 2 BewicKeit (although the protective layer 7 is omitted in this case), housed in a cylindrical cover 11, which consists of non-magnetic material, which serves as an electrostatic shield.

Die Fign. 8 und 9 zeigen eine Modifikation der in den Fign. 4 und 5 dargestellten Ausführungsform. Auch bei dieser Ausführungsform ist der Spulenkörper, welcher in dergleichen Weise wie in den Fign. 4 und 5 mit der Spule bewickelt ist (obzwar die Schutzschicht 10 in diesem Fall ebenfalls weggelassen ist), in einer zylindrischen Abdeckung 11 untergebracht, wie bei der in den Fign. 6 und 7 dargestellten Ausführungsform.The FIGS. 8 and 9 show a modification of the one shown in FIGS. 4 and 5 shown Embodiment. In this embodiment, too, the bobbin is which in the same way as in FIGS. 4 and 5 with the Coil is wound (although the protective layer 10 is also omitted in this case), housed in a cylindrical cover 11, such as in the case of the FIGS. 6 and 7 illustrated embodiment.

Durch Vorsehen der Abschirmungsabdeckung 11, wie bei den Ausführungsformen, die oben beschrieben wurden, wird die Frequenz-Charakteristik der Verzögerungsleitungseinrichtung beträchtlich verbessert. Fig. 10 zeigt, wie die Verbesserung beschaffen ist. In dem Fall, in dem die Abschirmungsabdeckung 11 vorgesehen ist, folgt das Frequenzverzögerungs-Verhalten der Kurve a in Fig. 10, wobei die Verzögerungszeit pro eineBy providing the shield cover 11 as in the embodiments described above, the frequency characteristic becomes of the delay line device is considerably improved. Fig. 10 shows how the improvement is made. In the case where the shield cover 11 is provided, the frequency delay behavior follows curve a in FIG. 10, the delay time per one

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Einheit Länge für einen Eingang einer Frequenz von 1 MHz 1,0 ms ist, und diese Verzögerungszeit variiert nicht wesentlich, selbst wenn die Frequenz des Eingangssignales sich ändert, derart, daß sie 0,9JUs für 4 MHz ist. Im Gegensatz dazu nimmt, wenn die Abschirmungsabdeckung nicht vorgesehen ist, die Verhaltenskurve die Gestalt der Kurve b an, wobei die Verzögerungszeit stark verkürzt wird, wenn die Frequenz zunimmt, so daß sie 0,6 Us für 4 MHz ist.Unit length for an input of a frequency of 1 MHz is 1.0 ms , and this delay time does not vary significantly even if the frequency of the input signal changes, such that it is 0.9JUs for 4 MHz. In contrast, when the shield cover is not provided, the behavior curve takes the form of curve b, and the delay time is greatly shortened as the frequency increases, so that it is 0.6 µs for 4 MHz.

Fig. 11 zeigt einen Vergleich der Aufbau-Charakteristik in Bezug auf die Fälle, nämlich mit und ohne Abschirmungsabdeckung. Wenn die Abschir— mungsabdeckung vorgesehen wird, geht der Aufbau in Ansprecherwiderung auf einen vorbestimmten Impulseingang sehr rasch vor sich (Kurve a), derart, daß eine Verzögerung von nur 0,2 Äfs entsteht, während, wenn die Abschirmungsabdeckung nicht vorgesehen wird, der Aufbau solange wie 0,6/^ verzögert wird (Kurve b), was dreimal länger als beim ersteren Fall ist. Somit ist klar zu erkennen, daß die Impulsansprecherwiderungs- Charakteristik in dem Fall ganz wesentlich verbessert wird, wenn die Abschirmungsabdeckung vorgesehen wird. Durch die Abschirmungsabdeckung werden die Effekte bzw. Wirkungen externer elektromagnetischer Felder auf die Verzögerungsleitungseinrichtung ebenfalls abgeschnitten, wodurch eine stabile Verhaltensweise bzw. eine sichere Leistungsfähigkeit der Verzögerungsleitungseinrichtung erreicht wird.Fig. 11 shows a comparison of the structure characteristics with respect to the cases with and without the shield cover. If the shield cover is provided, construction is very rapid (curve a) in response to a predetermined pulse input such that there is a delay of only 0.2 Åfs, while if the shield cover is not provided, construction as long as 0.6 / ^ is delayed (curve b), which is three times longer than in the former case. Thus, it can be clearly seen that the impulse response characteristic is greatly improved in the case where the shield cover is provided. The shielding cover also cuts off the effects or effects of external electromagnetic fields on the delay line device, as a result of which a stable behavior or reliable performance of the delay line device is achieved.

DieFign. 12 a und 12 b zeigen eine weitere Ausführungsform dieser Erfindung. Bei'dieser Ausführungsform weist ein aus einem isolierenden Material hergestellter zylindrischer Spulenkörper 21 keine Flansche auf, sondern ist nur mit einer Rille 22 versehen, die geeignet ist, einen Erdungsdraht 23 darin aufzunehmen. Um den Spulenkörper 21 herum ist eine Schicht 24 aus einem halbleitenden Material, welches in der gleichen Weise wie bei den vorhergehenden Ausführungsformen hergestellt wird, vorgesehen, d.h.dadurch, daß eine Farbe, welche - beispielsweise - Pulver aus Kupfer, Kohle etc. enthält, durch Aufsprühen derselben oder Tauchen aufgebracht wird. Über der Schicht mit halbleitender Charakteristik ist eine Spule 25DieFign. 12 a and 12 b show another embodiment of this invention. In this embodiment, one of an insulating Material made cylindrical bobbin 21 does not have flanges, but is only provided with a groove 22 which is suitable for a grounding wire 23 to be included in it. Around the bobbin 21 is a layer 24 of a semiconducting material, which in the same way as is produced in the preceding embodiments, i.e. by using a color which - for example - powder of copper, Contains coal, etc., applied by spraying the same or dipping will. A coil 25 is located above the layer with semiconducting characteristic

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gewickelt, welche in einzelne Blöcke separiert ist.wound, which is separated into individual blocks.

Bei der in den Fign. 13a und 13b dargestellten Ausführungsform ist der Spulenkörper 21, welcher mit dem Erdungsdraht 23 und der halbleiten— den Schicht 24, in der gleichen Weise wie in den Fign. 12a und 12b, versehen ist, mit einer Spule 26 bewickelt, und zwar in einer einfachen Solenoid-Form oder -Bank bzw. -Lage.In the case of the FIGS. 13a and 13b illustrated embodiment is the Bobbin 21, which is connected to the grounding wire 23 and the semiconducting layer 24, in the same way as in FIGS. 12a and 12b, is wound with a coil 26 in a simple solenoid form or -bank or -location.

Die Fign. 14a und 14b zeigen eine Modifikation der in den Fign. 12a und 12b dargestellten Ausführungsform. In diesem Fall ist die Wicklung 25 direkt auf den Spulenkörper 21 gewickelt, und über die gesamte, wellige, äußere Oberfläche, welche durch den Spulenkörper und die Wicklung 25 gebildet wird, ist eine Schicht 27 aus einem halbleitenden Material vorgesehen. The FIGS. 14a and 14b show a modification of the in FIGS. 12a and 12b illustrated embodiment. In this case the winding is 25 wound directly onto the bobbin 21, and over the entire, wavy, outer surface which is passed through the bobbin and the winding 25 is formed, a layer 27 of a semiconducting material is provided.

Die Fign. 15a und 15b zeigen eine Modifikation der in den Fign.,13a und 13b dargestellten Ausführungsform. In diesem Fall ist die Wicklung 26 wieder direkt auf den Spulenkörper 21 gewickelt, und die gesamte äußere Oberfläche, welche im wesentlichen durch die kontinuierlich gewickelte Spule 26 gegeben ist, wird durch eine Schicht 28 aus einem halbleitenden Material abgedeckt.The FIGS. 15a and 15b show a modification of that in FIGS 13b illustrated embodiment. In this case the winding is 26 again wound directly on the bobbin 21, and the entire outer Surface, which is given essentially by the continuously wound coil 26, is covered by a layer 28 of a semiconducting material Material covered.

Die Fign. 16a und 16b zeigen eine weitere Ausführungsform dieser Erfindung, bei welcher ein mit Flanschen versehener Spulenkörper 31 aus einem Formharz hergestellt ist, das beispielsweise mit Kupferpulver, Kohlenpulver etc. vermischt ist, um einen Spulenkörper aus einem halbleitenden Material vorzusehen. Der Spulenkörper 31 weist im wesentlichen die gleiche Form wie die in den Fign. 1 und 2 etc. dargestellten Spulenkörper auf und besitzt mit Abstand angeordnete Flanschenteilstücke 32 und ein Kernteilstück 33. Die Flansche sind jeweils mit einem Schlitz 34 versehen, und am unteren Teil der Schlitze entlang befindet sich ein Erdungsdraht 35. Um das Kernteilstück herum und in jedem Zwischenraum, der zwischen den benachbarten Flanschen gebildet wird, ist eine Spule 36 ge—The FIGS. 16a and 16b show another embodiment of this invention, in which a flanged bobbin 31 is made of a molding resin, for example with copper powder, Coal powder etc. is mixed to form a bobbin made of a semiconducting Material to be provided. The bobbin 31 has essentially the same shape as that in FIGS. 1 and 2 etc. illustrated bobbin and has spaced apart flange sections 32 and a core section 33. The flanges are each provided with a slot 34, and a ground wire 35 is located along the bottom of the slots. Around the core section and in any space that is formed between the adjacent flanges, a coil 36 is ge—

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wickelt, welche in Serie verbunden ist, wie bei den vorhergehenden Ausführungsformen. winding, which is connected in series, as in the previous embodiments.

Bei den Ausführungsformen, die oben erläutert wurden, bei welchen eine Schicht mit halbleitender Charakteristik unterhalb oder oberhalb der Wicklung vorgesehen ist, kann irgendein magnetisches Pulver, beispielsweise Pulver osydierten Eisens, Chroms etc., der genannten Schicht zugegeben werden, und zwar in einer solchen Weise., daß es in der Schicht enthalten ist oder auf die äußere oder die innere Oberfläche derselben aufgebracht bzw. an dieser befestigt wird. Das Pulver kann auf eine Oberfläche gesprüht werden, bevor ein Material auf die Oberfläche .aufgebracht wird, das die halbleitende Schicht bildet, oder das Pulver kann auf die Schicht aufgesprüht werden, während sie noch naß oder feucht ist. Das Aufbringen eines solchen magnetischen Pulvers ist wirksam, um die gegenseitige Induktion unter den Wicklungen zu erhöhen.In the embodiments that have been explained above, in which a Layer with semiconducting characteristic is provided below or above the winding, any magnetic powder, for example Powder of oxidized iron, chromium, etc., can be added to said layer in such a manner that it is contained in the layer or is applied to or attached to the outer or inner surface thereof. The powder can be sprayed onto a surface before a material is applied to the surface. which forms the semiconducting layer, or the powder can be sprayed onto the layer while it is still wet or damp. The application such a magnetic powder is effective to increase the mutual induction among the windings.

Es sei darauf hingewiesen, daß bei den in den Fign. 12 bis 16 dargestellten Ausführungsformen im wesentlichen das gleiche Verhalten bzw. die gleiche Leistungsfähigkeit wie bei den in den Fign. 1, 2, 4 und 5 dargestellten Ausführungsformen erreicht wird.It should be noted that in the FIGS. 12 to 16 illustrated embodiments have essentially the same behavior or the same efficiency as in the FIGS. 1, 2, 4 and 5 shown Embodiments is achieved.

-Patentansprüche--Patent claims-

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Claims

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PATENT CLAIMS

Delay line device, characterized by a bobbin (1), a winding (6) around the bobbin is wrapped around, as well as through a semi-ply layer (5), which is provided in close proximity to the winding.

2. delay line device according to claim 1, characterized in that the semiconducting layer (5) over the outer Surface of the Scu'.snkörpers (1) is provided.

3. VerseyerjngslettungseirrichtLing according to claim 1, characterized in that:; l · ---, et, 'JaS the semiconducting layer is provided over the entire outer surface of a component group, which consists of the core body and the winding or coil.

4. delay line device according to claim 1, characterized in that that the semiconducting layer is contained or provided in the coil body.

5. delay line seir.richi: ung according to claim 1, characterized in that that the bobbin has a core section (3) and a ?. Has number of spaced apart flanges (2).

In that the or the flanges (2) are provided with a slot (4), which extends 6. delay line device according to claim 5, characterized by the peripheral portion forth after their Fußteitstück out.

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7. delay line device according to claim 1, characterized in that a grounding wire (8) is provided which has a connection to the semiconducting layer.

8. delay line device according to claim 1, characterized by dad u rch, that an electrostatic shield cover is provided to cover an entire group of components made up of consists of the bobbin, the coil or winding and the semiconducting layer.

_Y that a protective layer consisting of an insulating material (T), is provided over the semiconductive layer (5) 9. delay line device according to claim 1, characterized.

10. delay line device according to claim 1, characterized in that that the semiconducting layer (5) has a thickness of 0.01 to 0.3 mm and the said layer has a resistance of

—2 3Γ "" Ί

10-10 each per cm length per cm width thereof.

11. delay line device according to claim 1, characterized in that that the semiconducting © layer consists of a par be, which has copper powder «

12. Delay line device according to claim 1, characterized in that that the semiconducting layer consists of a color, soft carbon powder.

13. delay line device according to claim!, Characterized ze calculates that powder of a magnetic material to the halfateiteride layer is attached or attached to it.

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