DE2216176C3

DE2216176C3 - Secondary electron multiplier

Info

Publication number: DE2216176C3
Application number: DE19722216176
Authority: DE
Inventors: Minoru Takatsuki Osaka Toyoda (Japan)
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1972-04-04
Filing date: 1972-04-04
Publication date: 1975-04-30
Also published as: DE2216176B2; DE2216176A1

Description

3 ^f 43 ^f 4

gea Material entweder an seinen beiden Enden oder Rohr eine polygonale Form oder eine andere Kontur an anderen geeigneten Stellen vorgesehen. Wenn eine hat In F i g, 1 ist ein gerades Rohr gezeigt, dies kann gäeicfcspannueg geeigneter Größe durch die Elektro- jedoch in eine ausgenommene Bogenform oder anden in derselben Richtung wie das Loch angelegt derweitig so abgewandelt werden, daß es an einem Vird, treffen die geladenen TeUcheu oder Röntgen- 5 oder mehreren Teilen des i^rpers abgebogen «erden strahlen usw., die in das Loch von der Kathodenseite kann. Die Möglichkeit der Veränderung der Rohrtür eingeführt werden, auf die innenwand des Lo- kontur oder -form wird durch die verschiedenen ches auf, wodurch die Emission von Sekundärelek- Ausführungsbeispiele gezeigt, die folgen. Obwohl der tronen verursacht wird. Die emittiejten Sekundär- Außeaumiang des gesamten Rohres gegebenenfalls elektronen treffen ihrerseits sogleich auf die Innen- io mit einem Material aberzogen sein kann, ist entwewand auf- Auf diese Weise werden die Sekundärelek- der die gesamte Innenwand oder wenigstens Teile tronen-^Eoii^onsprozesse wiederholt durchgeführt. der Innenwände freigelegt. Nahebei den beiden En-Während «Se* ^FolS^{e von} Prozessen weitergeht, den des zylindrischen Rohres ID sind die Elektroden steigt die Zahl der Elektronen nach einer geometri- 11 und 12 vorgesehen, die durch Überzüge mit leitfäschen B&be. Schließlich gelangen die Elektronen an 15 higer Silberfarbe hergestellt sind. Die Positionen die-(jieAwden⁵⁰*⁶· ser Elektroden 11 und 12 sind nicht auf die beidengea material either at its two ends or tube a polygonal shape or another contour provided in other suitable places. If one has in Fig. 1 a straight pipe is shown, this can be modified by the electrical but in a recessed arc shape or in the same direction as the hole so that it meets a vird charged TeUcheu or X-ray 5 or more parts of the body bent, earth rays, etc., which may enter the hole from the cathode side. The possibility of changing the tubular door to be introduced on the inside wall of the lo- o-contour or shape is shown by the various ches on, thereby producing the emission of secondary elec- examples that follow. Though the tronen is caused. The emitted secondary outer area of the entire tube, if necessary, meet with electrons, in turn, which can be drawn inside with a material, is removed from the wall carried out. exposed the inner walls. Nearby the two En * While ^Fol S ^e continues "Se ^of processes, the ID of the cylindrical tube, the electrodes increases the number of electrons according to a geometric 11 and 12 are provided, which be by coating with leitfäschen B &. Finally the electrons arrive at 15 higer silver paint. The positions DIE (jieAwden ⁵⁰ * ⁶ * ser electrodes 11 and 12 are not on the two

Ausfiihningsbeispxele der Erfindung werden nun Enden des Rohres beschränkt Sie können an andean Hand der Zeichnungen beschrieben, ren bevorzugten Stellen außer den extremen EndenExamples of embodiments of the invention will now be restricted to the ends of the pipe. They can be described with reference to the drawings, preferred locations other than the extreme ends

Es zeigt angeordnet sein. Die Qualität des Elektrodenmate-It shows to be arranged. The quality of the electrode material F i g. 1 eine perspektivisch Darstellung eines Aus- 20 rials ist nicht kritisch, es muß lediglich leitfähig sein,F i g. 1 a perspective view of an outline is not critical, it only has to be conductive,

führungsbeispieles der Erfindung, wobei ein zyündri- Materialien wie eine nicht elektrisch plattierte Nickel-management example of the invention, wherein a zyündri- materials such as a non-electrically plated nickel

sches Rohr bestehend aus Zinkoxyd-Titanoxyd- schicht, aufgebackenes Silber, Indiumlegievung, leit-pipe consisting of zinc oxide-titanium oxide layer, baked-on silver, indium alloy, conductive

Halbleiterkeramik dargestellt ist, fähige Kohlenstoffarbe, eine aufgedampfte Zinn-Semiconductor ceramic is shown, capable carbon paint, a vapor-deposited tin F i g. 2 eine perspektivische Darstellung eines an- schicht oder eine aufgesprühte Aluminiumschicht,F i g. 2 a perspective illustration of a layer or a sprayed-on aluminum layer,

deren Ausführungsbeispieles, wobei ein Bündel men- 35 können daher statt der Leitsilberfarbe verwendettheir exemplary embodiment, with a bundle of men- 35 can therefore be used instead of the conductive silver color

rerer zylindrischer Rohre dargestellt ist, werden. An die Elektroden 11 und 12 wird einererer cylindrical tubes are shown. To the electrodes 11 and 12 is a

Fig. 3 eine perspektivische Darstellung eines an- Gleichspannung von etwa 100 bis 1000 V/1 cm inFig. 3 is a perspective view of an on-DC voltage of about 100 to 1000 V / 1 cm in

deren Ausführungsbeispieles, wobei ein Bündel meh Längsrichtung des Rohres angelegt. Wenn die Elek-their exemplary embodiment, with a bundle laid out in the longitudinal direction of the tube. When the elec-

rerer dreieckiger Rohre gezeigt ist, tronen von der Kathodenseite her in das Innere desMore triangular tubes are shown, tron from the cathode side into the interior of the

Fig.4 eine perspektivische Darstellung vines an- 30 Loches 13 eingeführt werden, wiederholen die Elek-Fig. 4 is a perspective view of vines an- 30 hole 13 are inserted, repeat the elec-

deren Ausführungsbeispieles, wobei mehrere zylin- tronen aufeinanderfolgend die Vorgänge des Auf-their exemplary embodiment, with several cylinders successively carrying out the

drische Rohre miteinander verdreht dargestellt sind, treffens und der Sekundärelektronenemission. Wäh-Drische tubes are shown twisted with each other, meet and the secondary electron emission. Select

F i g. 5 eine perspektivische Darstellung eines Aus- rend sich diese Vorgänge wiederholen, wird die Zahl führungsbeispieles mit einem Bündel von mehreren der Elektronen kumulativ vervielfältigt und sie geachteckigen Rohren, von denen abwechselnde Seiten 35 langen schließlich zu der Anodenseite. Diese Eiekkonkave, bogenförmige Querschnitte haben, tronen werden durch einen geeigneten KollektorF i g. 5 is a perspective view of an when these processes are repeated, the number management example with a bundle of several of the electrons cumulatively multiplied and they eight-cornered tubes, of which alternate sides 35 finally extend to the anode side. These eiekconkave, arcuate cross-sections are tronen by a suitable collector

F i g. 6 eine perspektivische Darstellung eines an- aufgesammelt, der nahe bei der Anodenseite vorge-F i g. Fig. 6 is a perspective view of an accumulated one that is present near the anode side.

deren Ausführungsbeispieles, in dem ein Bündel sehen ist.their embodiment in which a bundle can be seen.

einer Vielzahl von hexagonalen Rohren gezeigt ist. Als Weiterbildung der vorliegenden Erfindunga plurality of hexagonal tubes is shown. As a further development of the present invention

F i g. 7 eine perspektivische Darstellung eines wei- 40 kann die Vorrichtung durch Stapeln und Ver-F i g. 7 is a perspective view of another 40 the device can be made by stacking and connecting

teren Ausfuhrungsbeispieles, das einen Formling be- binden einer Vielzahl von Rohren, die alle dieDirect exemplary embodiment that binds a molding to a large number of tubes, all of which

stehend aus Zinkoxyd-Titanoxyd-Halbleiterkeramik gleiche Länge haben, aufgebaut werden. Dadurchstanding from zinc oxide-titanium oxide semiconductor ceramic have the same length. Through this

mit mehreren Löchern zeigt, die in den Formling ge- können bessere funktionsmäßige Effekte erzieltwith several holes shows that better functional effects can be achieved in the molding

bohn sind, so daß eine Gruppe von Rohren erzeugt werden. Die Ausführungsbeispiele in den fünfbean so that a group of tubes are created. The embodiments in the five

wird, 45 F i g. 2 bis 6 zeigen deutlich die Formen solcherwill, 45 F i g. 2 to 6 clearly show the shapes of such

Fig.8 e^;n schematisches Diagramm einer Schal- Rohre. Das eine Ausführungsbeispiel, das in Fig.2Fig. 8 e ^; n schematic diagram of a formwork pipe. The one embodiment shown in Fig.2

tung mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung und gezeigt ist, zeigt hauptsächlich die grundlegende An-device with the device according to the invention and is shown, mainly shows the basic approach

F i g. 9 ein Diagramm, das die Verstärkungsfak- Ordnung, bei der eine Vielzahl von Rohren 20 (dreiF i g. 9 is a diagram showing the gain factor order in which a plurality of tubes 20 (three

tor-Spannungs-Kennlinien des erfindungsgemäßen in der Zeichnung) miteinander verbunden sind. Angate voltage characteristics of the invention in the drawing) are interconnected. At

Sekundärelektronenvervielfachers zeigt. _ 50 beiden Enden des Rohrbündels sind die ElektrodenSecondary electron multiplier shows. _ 50 both ends of the tube bundle are the electrodes

Wie oben erwähnt wurde, besteht die grundle- 21 und 22 vorgesehen. Der gesamte Körper jedes zygende Konstruktion der erfindungsgetr.äßen Vorrich- lindrischen Rohres 20 besteht aus Zinkoxyd-Titantung darin, einen Formling mit wenigstens einem oxyd-Halbleiterkeramik, die eine gleichförmige VerLoch zu schaffen, wobei der Formling aus einer Zink- teilung des spezifischen Widerstandes aufweist, so oxyd-Titanoxyd-Halbleiterkeramik hergestellt ist. 55 daß sowohl die Innenflächen als auch die Außenflä-As mentioned above, the basic 21 and 22 are provided. The entire body of each zygende construction of the device according to the invention consists of zinc oxide titanium plating, a molding with at least one oxide semiconductor ceramic which creates a uniform hole, the molding having a zinc division of the specific resistance so oxide-titanium oxide semiconductor ceramic is produced. 55 that both the inner surfaces and the outer surfaces

Die in F i g. 1 gezeigte Einheit ict ein Beispiel der chen des zylindrischen Rohres 20 die Eigenschaft deiThe in F i g. The unit shown in FIG. 1 is an example of the surfaces of the cylindrical tube 20 having the property

erfindungsgemäßen Vorrichtung mit dem einfachsten Sekundärelektronenemission aufweisen. Folglichhave the device according to the invention with the simplest secondary electron emission. Consequently

Aufbau. Der gesamte Körper des zylindrischen Roh- können nicht nur die Flächen an der Innenseite desConstruction. The entire body of the cylindrical raw can not only cover the surfaces on the inside of the

res 10 besteht aus Zinkoxyd-Titanoxyd-Halbleiterke- Loches 23 des zylindrischen Rohres 20 sondern auchres 10 consists of zinc oxide titanium oxide semiconductor core hole 23 of the cylindrical tube 20 but also

ramik. Die Innenwand des Loches 13 besteht daher 60 jeder Zwischenraum 24 zwischen jeweils nebeneinan-ramik. The inner wall of the hole 13 therefore consists of 60 every space 24 between each adjacent

selbstverständlich aus Zinkoxyd-Titanoxyd-Halb- derliegenden zylindrischen Rohren 20 mit volleiOf course, made of zinc oxide-titanium oxide half-lying cylindrical tubes 20 with solid

leiterkeramik. Weil dieses Material ein hervorragen- Wirkung verwendet werden, da die Rohre die Eigen des Sekundärelektronen-Emissionsvermögen auf- schaft der Sekundärelektronenvervielfachung zeigenconductor ceramic. Because this material has an excellent effect, as the pipes are their own of the secondary electron emissivity on the basis of the secondary electron multiplication

weist* dient die Innenwand des Loches selbst, wie sie Dadurch ergibt sich eine außerordentlich hohe Emppoints * serves the inner wall of the hole itself, how it This results in an extraordinarily high emp

ist, als Sekundärelektronen emittierende und verviel- 65 findlichkeit bei der Elektronenvervielfachung umis, as a secondary electron emitting and 65 sensitivity in the electron multiplication

fältigende Fläche. Der Aufhau und die Form dieses ein hohes Auflösungsvermögen im Betrieb.wrinkling surface. The structure and the shape of this a high resolution in operation.

Rohres ist keinerlei Einschränkungen unterworfen. Fig.3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der vorlieRohres is not subject to any restrictions. Fig. 3 shows an embodiment of the present Es macht keinen wesentlichen Unterschied, ob das genden Erfindung, bei dem eine Vielzahl von RohreiIt makes no essential difference whether the invention involves a large number of paddy eggs

30 mit dreieckiger Form (drei in der Zeichnung) ge- farbe hergestellt. Die Stromquelle 83 ist dafür vorgestapelt und miteinander zu einer Pyramidenform ver- sehen, eine Gleichspannung an das zylindrische Rohr bunden sind. An beiden Enden der Rohre sind Elek- 80 anzulegen. !Die Elektronen 86, die von dem Draht troden 31 und 32 angeordnet. Bei dieser Konstruk- 85 abgegeben werden, der mit der ausschließlich für tion können wie bei dem; Ausführungsbeispiel nach 5 den Draht vorgesehenen Stromquelle 84 verbunden Fi g. 2 nicht nur die Innenflächen der Löcher 33 der ist, werden durch die Elektronenbeschleunigungsdreieckigen Rohre 30, sondern auch der Zwischen- quelle 87 beschleunigt und von dort von der Kathode raum 34 zwischen den nebeneinanderliegenden Roh- 81 zu dem zylindrischen Rohr 80 hin und in dieses ren eine Sekundärelektronenvervieifachung liefern. hinein getriebön. Bei Eintritt in das Rohr werden die Wie in F i g. 4 dargestellt ist, ist es ferner möglich, io Elektronen unmittelbar gezwungen, nacheinander die mehrere Rohre 40 (drei in der Zeichnung) zusam- Vorgänge des Auftreffens und der Sekundärelektromenzudrehen. Ein Vergleich dieser Konstruktion mit nenemission in der Innenseite des Rohres zu wiederder eines linearen Rohres zeigt, daß es mit dieser holen, so daß die Zahl der Elektronen vervielfacht Konstruktion möglich ist, die positive Rückkopplung wird. Die vervielfachten Elektronen werden sodann von positiven Ionen von der Kollektorseite zu unter- 15 aus der Anode 82 herausgetrieben. Diese Elektroden drücken. Darüber hinaus wird die effektive Länge werden von dem Kollektor 89 gesammelt, der gerade des Kanals, der tatsächlich als Elektronen emittieren- gegenüber der Anode 82 in einer solchen Lage andes Rohr wirkt, im Gegensatz zu der lediglich sieht- geordnet und durch einen Spalt d (etwa 1 mm) gebaren Länge des gesamten Körpers verlängert, wo- trennt ist, daß ein Anschluß an die Kollektorquelle durch wiederum Vorteile wie Stabilisierung der 20 88 möglich ist. Diese Teile der Vorrichtung (die in Funktion und erhöhter Verstärkungsfaktor der Elek- dem durch die unterbrochene Linie in F i g. 8 eingetronenvervielfachung erzielt werden. Fig. 5 zeigt ein kreisten Absdinitt liegen; wenn die Leistungsquelle Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei und der Elektronenzähler ausgenommen sind) befindem mehrere achteckige Rohre 50 (vier in der Zeich- den sich in einem Vakuum.30 made with a triangular shape (three in the drawing) colored. For this purpose, the power source 83 is pre-stacked and provided with one another to form a pyramid shape, a direct voltage is connected to the cylindrical tube. At both ends of the pipes electrical cables are to be applied. The electrons 86 trode from the wire 31 and 32 are arranged. With this construct- 85 can be given that with the exclusively for tion as with the; Embodiment according to 5 the wire provided power source 84 connected Fi g. 2 not only the inner surfaces of the holes 33 are accelerated by the electron acceleration triangular tubes 30, but also by the intermediate source 87 and from there from the cathode space 34 between the adjacent tubes 81 to the cylindrical tube 80 and into it provide a multiplication of secondary electrons. driven into it. When entering the pipe, the As in FIG. 4, it is also possible to immediately force io electrons to rotate successively the multiple tubes 40 (three in the drawing) together processes of the impact and the secondary electrons. A comparison of this design with emission in the inside of the tube to that of a linear tube again shows that it can pick up with this, so that the number of electrons multiplied by the design is possible, which is positive feedback. The multiplied electrons are then driven out of the anode 82 by positive ions from the collector side to below. Press these electrodes. In addition, the effective length will be collected by the collector 89, which is just the channel, which actually acts as an electron emitting - opposite the anode 82 in such a position on the tube, in contrast to the only sees - ordered and through a gap d ( about 1 mm) extended length of the entire body, where it is separated that a connection to the collector source is possible through advantages such as stabilization of the 20 88. These parts of the device (which are achieved in function and increased gain of the electrodes by the broken line in FIG are excluded) there are several octagonal tubes 50 (four in the drawing are in a vacuum.

nung) in einem Büschel miteinander verbunden sind. 25 An Hand von F i g. 9 werden nun bei einem Bei-Jeder einzelne Rohrteil hat bei diesem Ausführungs- spiel die Verstärkungs-Spannungs-Kennlinien der erbeispiel eine solche Form, daß jede zweite Seite bo- findungsgemäEien Vorrichtung erläutert,
genförmig ist. Nach dieser Konstruktion kann ein Die Verbindlungen Zinkoxyd, Titanoxyd und Alu-Zwischenraum 54 in der Mitte von vier achteckigen miniumoxyd werden als Ausgangsmaterialien ver-Rohren 50 mit kreisförmigem Querschnitt gebildet 30 wendet. Diese Materialien werden ausgewogen, so werden, der genau die gleichen Abmessungen oder daß die Meßpraben dann die Zusammensetzungsver-Fläche wie das Loch 53 des achteckigen Rohres 50 hältnisse habee, die in Tabelle 1 gezeigt sind. Diese hat. Folglich können beide als Sekundärelektronen Materialien werden dann nach einem Naßverfahren emittierende Rohre verwendet werden. Diese Form in einer Tiegellkugelmühle mit einer Auskleidung von ist besonders zur Verwendung als Element in einem 35 Polyäthylen uirad unter Verwendung von Achatkugeln Bildverstärker geeignet, der eine exakte Gleichför- mit reinem Wasser während etwa 20 h gemischt, migkeit und Regelmäßigkeit der Bildelemente erfor- Nachdem die Mischung getrocknet ist, wird sie gedert. Die Bezugszahlen 51 und 52 bezeichnen die mahlen und dburch ein Sieb geschickt, um eine Teil-Elektroden. F i g. 6 zeigt ein Ausführungsbeispiel der chengröße von 50 bis 200 Maschen zu erreichen.
Erfindung, in dem mehrere Rohre 60 (fünf in der 40tion) are connected to one another in a tuft. 25 With reference to Fig. Each individual pipe part in this exemplary embodiment has the amplification-voltage characteristic curves of the example in such a form that every second side explains a device according to the invention,
is gene-shaped. According to this construction, a The connections zinc oxide, titanium oxide and aluminum gap 54 in the middle of four octagonal minium oxide are used as starting materials tubes 50 formed 30 with a circular cross-section. These materials are weighed out so that they have exactly the same dimensions or so that the measuring marks then have the compositional area as the hole 53 of the octagonal tube 50, which are shown in Table 1. This has. Consequently, both of the secondary electron materials can then be used as tubes emitting by a wet process. This shape in a crucible ball mill with a lining of is particularly suitable for use as an element in a 35 polyethylene wheel with the use of agate balls image intensifier, which requires exact uniformity and regularity of the image elements when mixed with pure water for about 20 hours Mixture is dry, it is used. The reference numerals 51 and 52 denote the grind and passed through a sieve to a sub-electrodes. F i g. 6 shows an embodiment to achieve the size of 50 to 200 meshes.
Invention in which several tubes 60 (five in the 40th

Zeichnung) miteinander verbunden sind, wobei jedes Tabelle 1
Rohr eine sechseckige Form hat, und jedes Loch 63Drawing) are connected to each other, with each table 1
Tube has a hexagonal shape, and each hole 63

kreisförmig ist. Dies ist das Ausführungsbeispiel, bei Material-is circular. This is the exemplary embodiment, in the case of material

dem der Zwischenraum zwischen den entsprechenden nummerwhich is the space between the corresponding number

Rohren der Rohrgruppe erfolgreich eliminiert wer- 45 The pipes of the pipe group can be successfully eliminated

. den kann. Femer können die Ausführungsbeispiele aus den Fig.5 und6 selbstverständlich mit miteinander verdrehten oder gebogenen Körpern verwendet. can. Furthermore, the exemplary embodiments from FIGS. 5 and 6 can of course be combined with one another twisted or bent bodies are used

Mol-Verhältnis des Grundstoffes ZnO I TiO₂ I Al₂O₃ Molar ratio of the base material ZnO I TiO ₂ I Al ₂ O ₃

72,5
72,572.5
72.5

27,5 27,527.5 27.5

0,0 1,250.0 1.25

werden, wenn dies notwendig oder erforderlich sein
sollte, wie in dem Ausführungsbeispiel in F i g. 4 ge- 5° Das erhaltene Pulver wird einer geeigneten Menge zeigt ist Das in Fig. 7 gezeigte Ausführungsbeispiel von Binder, bestehend aus einer Paste aus Weizenzeigt eine Form, bei der mehrere Löcher 73 an einer mehl und Paraffin zugegeben und in eine plastische Platte, die aus Zmkoxyd-Thanoxyd-Halbieiterkeramik Substanz geformt. Dann wird die plastische Substanz besteht, senkrecht zn den Elektroden 71 und 72 ge- in eine Rohrform spritzgegossen. Das Material wird bohrt sind, wodurch ermöglicht wird, dieselben Funk- 55 in ein Alumiiiuumgehäuse eingelegt, dessen Boden frönen wie in dem Fall durchzufahren, wo eine mit einem Halbleiterkeramikpulver mit denselben Gruppe von mehreren Rohren gestapelt und mit- Eigenschaften wie die Materialien bedeckt ist, und einander für eine gemeinsame Funktion verbunden wird in einem elektrischen Ofen, der ein SiC-Heizelesjnd. ment hat, bei einer Temperatur von etwa 1360⁰Cif necessary or necessary
should, as in the embodiment in FIG. The powder obtained is shown in a suitable amount. The embodiment of the binder shown in FIG. The substance formed from Zmkoxyd-Thanoxyd-semiconductive ceramic. Then the plastic substance is injection molded perpendicular to the electrodes 71 and 72 into a tubular shape. The material will be drilled, which makes it possible to insert the same radio 55 into an aluminum housing, the bottom of which is indulgent to drive through as in the case where one is stacked with a semiconductor ceramic powder with the same group of several tubes and covered with properties as the materials, and connected to each other for a common function in an electric furnace containing a SiC heating element. ment has, at a temperature of about 1360 ⁰ C

F i g. 8 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Scha!- 60 während 1 h gebnumt. Dana sind die Halbleiterkeratung, die beim Betrieb der erfindungsgemäßen Vor- miken hergestellt. Material Nr. 1 hat einen spezjfirichtuag verwendbar ist. In dieser Schaltung ist die sehen Vokmienwiderstand bei Zimmertemperatur Stromquelle 83 zwischen der Kathode 81 and der von 8 · 10⁶QCm und Material Nr. 2 einen solchen Anode 82 angeschlossen, die an beiden Enden des von 2,8 · 1 G⁶OCm. Fig.9 zeigt die Verstärkungszyündrischen Rohres 80 angeordnet sind, das aus 65 Spannungs-Kennlinien der erßnduagsgemäßen Vor-Zinkoxyd-Titanoxyd-Halbleiterkeramik besteht und richtung.F i g. 8 shows an exemplary embodiment of a switch 60 numbed for 1 hour. Dana is the semiconductor core produced during operation of the pre-mics according to the invention. Material no. 1 has a specjfirichtuag can be used. In this circuit, the look Vokmienwiderstand is connected at room temperature, current source 83 between the cathode 81 and the 8 x 10 ⁶ ohm-cm and material no. 2 such an anode 82, which at both ends of from 2.8 x 1 ⁶ G OCm. 9 shows the reinforcement cylindrical tube 80 which consists of 65 voltage characteristics of the pre-zinc oxide-titanium oxide semiconductor ceramic according to the invention and direction.

in eine ausgesparte Bogenform gebogen ist Die Ein zylindrisches Rohr der Vorrichtung wurde mitThe device was bent into a recessed arch shape using a cylindrical tube

Elektroden sind durch einen Überzug mit Leitsilber- Elektroden vttrsehen, die ans einem Überzog vonElectrodes are covered with conductive silver electrodes attached to a coating of

7 87 8

Leitsilberfarbe an beiden Enden gebildet waren. Das Herstellungsverfahren noch schwieriger und um-Rohr hatte einen Innendurchmesser von 1,3 mm, ständlicher werden. Im Gegensatz dazu ist bei der einen Außendurchmesser von 3 mm, eine Länge von vorliegenden Erfindung der grundlegende Gedanke 98 mm und einen Krümmungsradius von 20 mm. Die die Verwendung eines Zinkoxyd-Titanoxyd-Halb-Vorrichtung wurde in ein Vakuum von 10~⁵ Torr s leiterkeramikmaterials, das eine positive oder geringeingelegt. Bei der in Fig.8 gezeigten Schaltung war fügig negative Widerstands-Temperatur-Charakteridie Spannung der Kollektorspannungsquelle 88 stik hat. Die Vorrichtung hat selbstschützende Eigen-200 ¥ und die Spannung der Elektronenbeschleuni- schäften, die den Stromfluß effektiv dadurch begrengungs-Spannungsquelle 87 200 V; Die ausgezogenen zen, daß die Selbstaufheizung, verursacht durch eine Linien 1 und2 in Fig.9 zeigen die Verstärkungs- io hohe angelegte Spannung unterdrückt wird. Bei der Spannungs-Kennlinien von Material Nr. 1 bzw. Ma- erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht keine Geterial Nr. 2. Die unterbrochene Linie 3 zeigt die Ver- fahr des thermischen Durchgehens, und daher ist die stärkungs-Spannungs-Kennlinie einer herkömmlichen Vorrichtung in der Lage, einen größeren Verstär-Vorrichtung, bei der Zinnoxyd-Antimonoxyd als kungsgrad der Elektronenvervielfachung durch AnIe-Dünnschicht auf der Innenwand eines Glasrohres ab- 15 gen einer hohen Spannung zu erreichen,
geschieden ist. Bei Verwendung der herkömmlichen Vorrichtun-Conductive silver color were formed at both ends. The manufacturing process was even more difficult and the um-pipe had an inside diameter of 1.3 mm, more manageable. In contrast, in the case of an outer diameter of 3 mm, a length of the present invention, the basic idea is 98 mm and a radius of curvature of 20 mm. The use of a zinc oxide-titania half-device was placed in a vacuum of 10 ~ ⁵ Torr s conductive ceramic material, which is a positive or low. In the circuit shown in FIG. 8, the voltage of the collector voltage source 88 had a slightly negative resistance-temperature characteristic. The device has self-protecting self-200 ¥ and the voltage of the electron accelerators, which effectively limit the current flow through it- voltage source 87 200 V; The solid zen that the self-heating, caused by lines 1 and 2 in Fig.9 show the amplification is suppressed io high applied voltage. There is no Geterial No. 2 in the voltage characteristics of material No. 1 and Ma- according to the device according to the invention. The broken line 3 shows the process of thermal runaway, and therefore the strengthening-voltage characteristic of a conventional device in FIG Able to achieve a larger reinforcement device, in which tin oxide-antimony oxide as the degree of electron multiplication by thin layer of ani on the inner wall of a glass tube, except for a high voltage,
is divorced. When using the conventional device

Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine außer- gen ist es ferner notwendig, die gesamte Zone, in derThe present invention enables an ex- ternal, it is also necessary to cover the entire zone in which

ordentlich einfache Konstruktion eines Elektronen- die Vorrichtung angeordnet ist, zu erhitzen und Gasneatly simple construction of an electron- the device is arranged to heat and gas

vervkelfachers und umgeht die Schwierigkeiten, die zu eliminieren (Einbrennvorgang). Während bei demvervkelfachers and bypasses the difficulties that have to be eliminated (burn-in process). While with the

mit dem Ausbilden einer Dünnschicht aus einer 20 herkömmlichen Typ von Dünnschicht eine schnellewith the formation of a thin film from a conventional type of thin film, a rapid one

Hochwiderstands-Substanz auf der Innenwand der Verschlechterung des Verstärkungsgrades und derHigh-resistance substance on the inner wall of the deterioration in the degree of reinforcement and the

Rohreinheit verbunden ist, was bisher gemacht sonstigen Betriebseigenschaften eintritt, wenn diePipe unit is connected to what previously made other operating characteristics occurs when the

wurde. Ferner kann mit der erfindungsgemäßen Vor- Temperatur über 150° C liegt, hat die erfindungsge-became. Furthermore, the pre-temperature according to the invention can be above 150 ° C.

richtung ein Verstärkungsgrad bei der Sekundärelek- mäße Vorrichtung im Vergleich mit der herkömmli-direction a gain in the secondary electrical device compared with the conventional

tronenvervielfachung von 10⁷ bis 10⁹ (s. Fig.9) er- 35 chen Vorrichtung den Vorteil, daß keine ÄnderungElectron multiplication from 10 ⁷ to 10 ⁹ (see FIG. 9) gives the device the advantage that no change

reicht werden. des Verstärkungsfaktors und der Betriebseigenschaf-be enough. the amplification factor and the operating characteristics

Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß ten auftritt, selbst wenn die Temperatur im BereichAnother advantage of the invention is that th occurs even when the temperature is in the range

nahezu alle Teile der Sekundärelektronenverviel- von 150 bis 250° C liegt. Es ist ersichtlich, daß die-almost all parts of the secondary electron multiplier range from 150 to 250 ° C. It can be seen that the-

facherrohre aus Halbleiterkeramik mit einer sehr selben Effekte, wie sie oben beschrieben wurden,modular tubes made of semiconductor ceramics with a very same effect as described above,

gleichmäßigen Verteilung der Bestandteile bestehen, 30 auch dann erreicht werden, wenn die erfindungsge-uniform distribution of the constituents exist, 30 can also be achieved if the inventive

wobei die Vorrichtung insgesamt frei von Abnut- · mäße Vorrichtung bei einer hohen Temperatur ober-the device as a whole being free of wear and tear.

zungserscheinungen, Erschöpfung oder Abtragung halb 150° C betrieben wird.signs of wear, exhaustion or erosion is operated at half a temperature of 150 ° C.

ist, obwohl andauernd Elektronen auftreffen oder Bei den Ausführungsbeispielen, bei denen die aufschlagen. Ferner ist die Vorrichtung erstaunlich Rohreinheiten miteinander verbunden sind, wie es in robust und sowohl mechanisch als auch chemisch 35 den fünf F i g. 2 bis 6 dargestellt ist, können außergestabil, so daß seine Haltbarkeit für den langzeitigen wohnlich gute Betriebseigenschaften zusätzlich geEinsatz sichergestellt ist. Selbst wenn ein Teil des genüber den herkömmlichen Rohrtypen erreicht wer-Rohres aus irgendeinem Grund während des Gebrau- den, die aus miteinander verbundenen Glasröhren ches beschädigt oder abgebrochen werden sollte, bestehen. Bei den Herstellungsverfahren der herkann er leicht ausgebessert oder dadurch wieder her- 40 kömmlichen Vervielfacher, bei denen Glas- oder gestellt werden, daß der beschädigte Teil mit einem durchsichtige Rohreinheiten gestapelt und miteinleitfähigen Bindemittel angeklebt wird. Dies ist aus- ander verbunden werden, traten verschiedene reichend, weil die Rohreinheit aus einer reinen Halb- Schwierigkeiten auf, beispielsweise wird die Potenleiterkeramik besteht. Bei der herkömmlichen Vor- tialverteilung des einzelnen Rohres durch die Streurichtung ist es üblich, als Material für die Dünn- 45 ung des spezifischen Widerstandes jedes Rohres schicht Substanzen mit hohem Widerstand zu ver- beeinflußt, so daß es zur Erzielung eines gut wenden, die eine negative Widerstands-Tempera- arbeitenden Bildverstärkers notwendig war, daß die tur-Charakteristik haben. Wenn daher eine hohe Unterschiede in der Verteilung des spezifischen Spannung an diese Schichten angelegt wurde, be- Widerstandes gering gemacht werden. Im Gegensatz schleunigt sich die Erwärmung selbst, so daß nicht 50 dazu sind im Falle der vorliegenden Erfindung, da selten die Möglichkeit des Braches durch Selbsterhit- die gesamte Einheit aus einem Halbleiter besteht, zur.g gegeben ist. Bei den herkömmlichen Vorrich- wenn die entsprechenden Rohre in einem Bünde] tungen ist es notwendig, den Widerstandswert des miteinander verbanden sind, die einzelnen Elektro-Dünnschichtmaterials in einem hohen Bereich zu nen vervielfältigenden Flächen parallel geschaltet halten, um dadurch zu versuchen, den m dieser 55 Daher kann, selbst wenn eine gewisse Streuung dei Schicht fließenden Strom auf einen so kleinen Wert Verteilung des spezifischen Widerstandes vorhander wie möglich abzusenken. Wenn jedoch der Wider- ist (oder, obwohl hn Extremfall ein Durchbrach odei standswert in einem übermäßig hohen Bereich gehal- Bruch in dem Rohrkörper vorhanden sein kann), die ten wird, besteht die Gefahr, daß die Dünnschicht Potentialverteilung in vorteilhafter Weise gleichför sich verschlechtert, die Eigenschaften eiaes Halblei- &, mig gemacht werden.is, although electrons continuously hit or In the embodiments in which the crack open. Furthermore, the device amazingly pipe units are interconnected, as shown in FIG robust and both mechanically and chemically 35 the five figures. 2 to 6 shown can be exceptionally stable, so that its durability is also used for long-term, comfortably good operating properties is ensured. Even if a part of the pipe is reached compared to the conventional pipe types for some reason during the brewing process, made of interconnected glass tubes ches should be damaged or canceled. When it comes to the manufacturing process it was easily repaired or thereby restored to conventional multipliers, in which glass or be made that the damaged part is stacked with a clear tube units and miteinleitbaren Binder is glued on. This is to be connected apart, occurred different Sufficient because the pipe unit is made of a pure semi-difficulty, for example the Potenleiterkeramik consists. With the conventional preliminary distribution of the individual pipe through the direction of spread it is common as a material for the thinning of the resistivity of each pipe layer of substances with high resistance to being influenced, so that it can achieve a good contact that a negative resistance temperature working image intensifier was necessary that the have tur characteristic. Therefore, if there is a large difference in the distribution of the specific If voltage was applied to these layers, resistance can be made low. In contrast the heating accelerates itself, so that not 50 are there in the case of the present invention rarely the possibility of fallow by self-hit - the entire unit consists of one semiconductor, zur.g is given. With the conventional device if the corresponding tubes in a bundle] It is necessary to determine the resistance value of the interconnected, the individual thin-film electrical material in a high range to keep the duplicating areas connected in parallel, in order to try to find the m Layer current flowing to such a small value distribution of the resistivity present lower as possible. If, however, the disadvantage is (or, although in an extreme case a breakthrough or a breakthrough standing value in an excessively high range may be present in the pipe body fracture), the th, there is a risk that the thin film potential distribution is equal in an advantageous manner deteriorates, the properties of a semi- & mig.

ters verliert und schließlich so weh reduziert wird. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Rohrters loses and ultimately so pain is reduced. Another advantage of the tube according to the invention

daß sie nahezu ein Dielektrikum bildet Wenn die einheit besteht darin, daß bei einem Zwischenraunthat it almost forms a dielectric If the unit consists in that at an intermediate space

Dünnschicht in diesem Zustand ist, kann sich die zwischen den entsprechenden, nebeneinanderliegenThin film is in this state, the between the corresponding, can lie next to each other

elektrische Ladung in schädlicher Weise ansammeln. den, zylindrischen Rohren dieser Zwischenraunaccumulate electrical charge in a harmful way. the cylindrical tubes of this intermediate space

Dadurch bildet sich eine Raumladung, so daß sich _6s ebenso wirksam als Sekundärelektronen-VervielThis creates a space charge so that _{6s is} just as effective as a secondary electron multiplier

ein schädlicher Anstieg in der Zeitkonstanten ergibt. facherrohre (Fig. 2, 3 und 4) verwendet werdeiresults in a deleterious increase in the time constant. fan tubes (Figs. 2, 3 and 4) are used

Diese Nachteile erfordern, daß der zulässige Wider- kann, so daß sich während des tatsächlichen BetrieThese disadvantages require that the permissible resistance can, so that during actual operation

Standsbereich sehr weh eingeengt wird, so daß die bes eine außerordentlich hohe Dichte, hohe StabiliStanding area is very narrow, so that the bes an extraordinarily high density, high stability

tat, ein hoher Verstärkungsfaktor, eine hohe Emp- auch untragbar hohe Kosten notwendig. Erfindungs-did, a high gain factor, a high reception and prohibitively high costs. Inventive

findlichkeit, ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe gemäß kann die beschriebene Konstruktion derThe described construction of the

Auflösung ergeben. Rohreinheit leicht mit geringen Kosten in jeder ge-Resolution result. Pipe unit easily at low cost in any

Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Rohr- wünschten Form oder Konstruktion hergestellt wer-Another advantage of the pipe according to the invention, the desired shape or construction can be produced

einheit besteht darin, daß, wenn die Elektroden an S den, weil es sich um ein keramisches Material han-unity consists in the fact that if the electrodes are connected to the, because it is a ceramic material

beiden Enden der Rohrgruppe angeordnet werden delt. Daraus ergibt sich, daß sich die effindungsge-both ends of the tube group are arranged delt. It follows that the resultant

sollen, keine Notwendigkeit dafür besteht, sie vorher mäße Einheit sehr gut für die Massenherstellung eig-should, there is no need for it, it would be very suitable for mass production beforehand.

an jedem einzelnen Rohr anzubringen, da es statt net.to be attached to each individual pipe, because instead of net.

dessen genügt, die Elektroden an den Endflächen Der erfindungsgemäße Sekundärelektronenverviel-it is sufficient to place the electrodes on the end faces.

gleichzeitig anzubringen, nachdem die Rohre wie xo fächer ist außerordentlich gut brauchbar als Sekun-to be attached at the same time, after the pipes like xo fan is extremely useful as a second

erwünscht zu einem kompletten Bündel miteinander därelektronenvervielfacherröhre für den allgemeinendesirable to form a complete bundle together of the electron multiplier tube for the general

verbunden sind. Obwohl in der Praxis die Elektroden Gebrauch, insbesondere für verschiedene Arten vonare connected. Although in practice the electrodes are of use, especially for different types of

an den Endflächen allein angeordnet sind, wie in den elektrisch geladenen Teilchen (beispielsweise Elek-are arranged on the end faces alone, as in the electrically charged particles (e.g. elec-

F i g. 4 und 6 gezeigt ist, ist es nicht absolut not- tronen, positive Ionen, negative Ionen), Röntgen-F i g. 4 and 6, it is not absolutely not-tronic, positive ions, negative ions), X-ray

wendig, sie dort anzubringen, und sie können an 15 strahlen und radioaktive Strahlen. Ferner ist er beimmanoeuvrable to attach them there, and they can emit 15 rays and radioactive rays. He is also with

anderen Stellen, beispielsweise an Seitenabschnitten, Aufbau eines geeigneten fotoelektrischen Umsetzersother locations, for example on side sections, set up a suitable photoelectric converter

angeordnet werden. Diese Vorteile der Zweckmäßig- zur Verwendung als Fotoelektronenvervielfacher ge-to be ordered. These advantages of the expedient for use as a photoelectron multiplier

keit und der Einfachheit sind der Tatsache zuzu- eignet. Außerdem sind die Ausführungsbeispiele, dieSpeed and simplicity are appropriate to the fact. In addition, the embodiments that

schreiben, daß der Rohrkörper gemäß der Erfindung in den F i g. 2 bis 7 gezeigt sind, besonders für weitewrite that the tubular body according to the invention in FIGS. 2 to 7 are shown, especially for wide

in seiner Gesamtheit leitfähig ist. ao Verwendungsbereiche anwendbar. Diese sind geeignetis conductive in its entirety. ao areas of application applicable. These are suitable

Bei dem in Fig. 7 gezeigten Ausführungsbeispiel für Bildverstärker, die ein hohes Auflösungsvermögen,In the embodiment shown in Fig. 7 for image intensifiers which have a high resolution,

können im wesentlichen die gleichen Effekte wie hohe Stabilität und hohe Empfindlichkeit erfordern,may require essentially the same effects as high stability and high sensitivity,

oben beschrieben erzielt werden. In diesem Zusam- beispielsweise Bildverstärker und Beobachtungsge-can be achieved as described above. In this context, for example image intensifier and observation

menhang wird noch betont, daß ein wichtigter Ge- rate mit (harten oder weichen) Röntgenstrahlen. Fer-It is also emphasized that an important device with (hard or soft) X-rays. Fer-

sichtspunkt der Erfindung darin besteht, daß die as ner bildet bei der erfindungsgemäßen Vorrichtungpoint of view of the invention is that the as ner forms in the device according to the invention

Rohreinheit, wie oben erwähnt, sehr leicht herzustel- die Sekundärelektronen emittierende Substanz denTube unit, as mentioned above, is very easy to manufacture, the substance emitting secondary electrons

len ist. Diese leichte Herstellbarkeit kommt allein gesamten Körper des Formlings selbst und nicht nurlen is. This ease of manufacture comes solely from the entire body of the molding itself and not only

von den Eigenschaften des verwendeten Materials. eine dünne Schicht, so daß sie einen viel größerenon the properties of the material used. a thin layer, making it a much larger one

Es ist außerordentlich schwierig, dies bei den her- Wirkungsgrad als die dünne Schicht hat, besonders,It is exceedingly difficult to do this at the her- ing efficiency than the thin layer has, especially,

kömmlichen Rohren zu erreichen, die Glas oder ein 30 wenn harte Röntgenstrahlen und radioaktive Strah-Conventional tubes to reach the glass or a 30 when hard X-rays and radioactive rays

anderes Isoliermaterial verwenden, und es wären len benutzt werden sollen.use other insulating material, and len should be used.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

Claims

The invention relates to a secondary electron patent claim: multiplier, consisting of a molded body with at least one shower passing through it

1. Sekundärelektronenvervielfacher aus einem Loch und wenigstens zwei Elektroden aus einem leit-Formkörper mit wenigstens einem durch diesen 5 fähigen Material darauf.1. Secondary electron multiplier made of a hole and at least two electrodes made of a conductive molded body with at least one material capable of this 5 on it.

hindurchgehenden Loch und wenigstens zwei Ein derartiger Sekundärelektronenvervielfacher istthrough hole and at least two such a secondary electron multiplier

darauf befindlichen Elektroden aus einem leitfä- beispielsweise aus der DT-OS 1 925 069 bekannt higen Material, dadurch gekennzeich- Der Formkörper dieses bekannten Sekundärelektronet, daß der Formung (10, 20, 30_t 40, 50, 60, nenvervielfauiers besteht aus einem Bariumtitanat-Ή}) aus einem Zmkoxyd-Titonoxyd-Halbleiterke- io HalbleiterkeramikxnateriaL Die Herstellung eines ramikmaterial gebildet ist. derartigen Materials ist sehr kritisch, denn es wirdthereon electrodes of a conductibility, for example, from the DT-OS 1925069 known ELIGIBLE material gekennzeich- characterized The shaped body of this known Sekundärelektronet that the shaping (10, 20, 30 _t 40, 50, 60, nenvervielfauiers consists of a barium titanate -Ή}) from a Zmkoxyd-Titonoxyd-semiconductor ke- io semiconductor ceramicxnateriaL The production of a ceramic material is formed. such material is very critical because it will

2. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- nur dann das Halbleitermaterial gebildet, wenn es sprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Form- * jPerowskit-Straktur aufweist, d.h. wenn das molare Sng ein rechteckiger Block (70) mit Elektroden Verhältnis von BaO zu TiO₂ etwa 1:1 ist. Ferner ist (71, 72) an gegenüberliegenden Stirnflächen ist, 15 das die Keramik bildende Bariumtitanatmaterial sehr der von mehreren Löchern (72) senkrecht zu den empfindlich gegen Verunreinigungen und bezüglich Elektroden durchsetzt ist. seiner Halbleitereigenschaften sehr instabil, wenn2. Secondary electron multiplier according to An only then formed the semiconductor material when it spoke 1, characterized in that the Form- * jPerowskit structure has, ie if the molar Sng is a rectangular block (70) with an electrode ratio of BaO to TiO ₂ about 1: 1 is. Furthermore, on opposite end faces (71, 72), the barium titanate material forming the ceramic is penetrated by several holes (72) perpendicular to the sensitive to contamination and with respect to electrodes. its semiconductor properties very unstable, though

3. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- beim Sintern nicht bestimmte Abkühlungsgeschwinspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Form- digkciten genau eingehalten werden. Schließlich lasling ein Rohr ist. 20 sen sich mit dem bekannten Sekundärelektronenver-3. Secondary electron multiplier according to cooling rate 1 not determined during sintering, characterized in that the shape digits are precisely adhered to. After all, lasling is a pipe. 20 with the well-known secondary electron

4. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- vielfacher nur bis etwa l50ⁿ C reproduzierbare Ersprach 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr gebnisse erreichen.4. Secondary electron multiplier after multiplying only up to about l50 ⁿ C reproducible opinion 3, characterized in that the tube achieve results.

zylindrisch, polygonal oder in anderer Weise ge- Aufgabe der Erfindung ist es, einen Sekundärelek-cylindrical, polygonal or in some other way. The object of the invention is to provide a secondary elec-

formt ist. tronenvervielfacher der eingangs beschriebenen Artis shaping. electron multiplier of the type described above

5. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- »5 zu schaffen, dessen Material über eikien breiten Besprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Form- reich der Zusammensetzung der Einzelkomponenten lirg aus einer Mehrzahl von jeweils zwei Elektro- als Halbleiterkeramik erhalten wird. Das Material den aus leitendem Material aufweisenden Rohren soll möglichst unempfindlich gegen Verunreinigunzusammengesetzt ist. gen sein. Darüber hinaus soll der Sekundärelektro-5. To create a secondary electron multiplier according to An »5, the material of which was discussed in a broad manner 1, characterized in that the shape range of the composition of the individual components lirg is obtained from a plurality of two electric as semiconductor ceramics. The material the pipes made of conductive material should be as insensitive as possible to contamination. be genes. In addition, the secondary electrical

6. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- 30 nenvervielfacher auch bei Temperaturen über sprach 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohre 150° C noch reproduzierbare Ergebnisse liefern, und zylindrisch und gerade sind. seine Verstärkerfunktion soll nicht beeinträchtigt6. Secondary electron multiplier after anne multiplier even at temperatures above spoke 5, characterized in that the tubes 150 ° C still deliver reproducible results, and are cylindrical and straight. its amplifier function should not be impaired

7. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- werden.7. Secondary electron multiplier after becoming.

sprach 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohre Diese Aufgabe wird durch einen Sekundärelektro-(30) im Querschnitt dreieckig und gerade sind, in 35 nenvervielfacher der eingangs beschriebenen Art geForm einer Pyramide gestapelt sind und im Quer- löst, welcher dadurch gekennzeichnet ist, daß der schnitt dreieckige Zwischenräume (34) zwischen Formling aus einem Zinkoxyd-Titanoxyd-Halbje drei gestapelten Rohren (30) bilden. leiterkeramikmaterial gebildet ist.spoke 5, characterized in that the tubes This task is achieved by a secondary electrical (30) triangular and straight in cross-section, stacked in the form of a pyramid in the form of a pyramid and transversely, which is characterized in that the cut triangular spaces (34) between a molded piece of a zinc oxide-titanium oxide half to form three stacked tubes (30). Conductor ceramic material is formed.

8. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- Das HaJbleiterkeramikmaterial vom Zinkoxyd-Tispruch S, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohre 40 tanoxyd-Typ wird durch Sintern von Zusammensetpolygonale Rohre (50) sind, die Ausnehmungen zungen bei einer Temperatur von 900 bis 1450° C in einigen der Seiten haben, und daß die Anord- hergestellt, die folgende Bestandteile enthalten: Zinknung der Rohre so getroffen ist, daß die Ausneh- oxyd 50 bis 99 Molprozent und Titanoxyd I bis SO mungen Ausnehmungen in den angrenzenden Molprozent und wenn nötig eines oder mehrere EIe-Rohren in dem Bündel gegenüberliegen, so daß 4S mente, beispielsweise Nickel, Vanadium, Chrom, Löcher (54) durch das Bündel gebildet werden. Mangan, Eisen, Kobalt, Kupfer, Silber, Beryllium,8. Secondary electron multiplier according to The HaJbleiterkeramikmaterial vom Zinkoxyd-Tis claim S, characterized in that the tubes 40 are tanoxyd-type by sintering composite polygonal tubes (50), the recesses tongues at a temperature of 900 to 1450 ° C in some of the pages and that the assemblies contain the following components: The tubes are zinc-plated so that the oxide 50 to 99 mol percent and titanium oxide I to SO recesses in the adjacent mole percent and, if necessary, one or more EIe tubes in the bundle opposite one another, so that 4S ments, for example nickel, vanadium, chromium, Holes (54) are formed through the bundle. Manganese, iron, cobalt, copper, silver, beryllium,

9. Sekundärelektronenvervielfacher nach An- Bor, Kadmium, Magnesium, Aluminium, Zinn, Antispruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohre mon, Wismuth, Niob Molybdän, Zirkonium, Tantal, wechselweise umeinander verdreht sind. Wolfram, Yttrium, Lanthan oder andere seltene Er-9. Secondary electron multiplier according to An Boron, cadmium, magnesium, aluminum, tin, anti-claim 5, characterized in that the tubes mon, bismuth, niobium, molybdenum, zirconium, tantalum, are alternately twisted around each other. Tungsten, yttrium, lanthanum or other rare

10. Verfahren zur Herstellung eines Zink- so den, Kalzium, Strontium, Barium, Blei, Thorium oxyd-Titanoxyd-Halbleiterkeramikmaterials zur oder andere Metalloxyde in einer Gesamtmenge von Verwendung als Substrat eines Formkörpers weniger als 10 Molprozent. Die resultierende Subeines Sekundärelektronenvervielfachers nach stanz ist ein keramischer Halbleiter mit einem spezieinem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet fischen Widerstand von weniger als 10¹⁰ Qcm. Es hat durch Sintern von 50 bis 99 Molprozent Zink- 55 sich gezeigt, daß durch Wahl der Konstraktion oder oxyd und I bis 50 Molprozent Titanoxyd sowie des Herstellungsprozesses ein Halbleiter von jeder gegebenenfalls weniger als 10 Molprozent Nickel, gewünschten Form, mit optimalem, spezifischem Vanadium, Chrom, Mangan, Eisen, Kobalt, Kup- Widerstand oder Temperaturcharakteristtken erzielt fer, Silber, Beryllium, Bor, Kadmium, Magne- werden kann. Ferner ist die Widerstands-Temperasium, Aluminium, Zinn, Antimon, Wismuth, 60 tur-Charakteristik der resultierenden Substanz unab-Niob, Molybdän, Zirkonium, Tantal, Wolfram, hängig davon, ob sie positiv oder negativ ist, beacht-Yttrium, Lanthan oder anderen seltenen Erden, Hch klein im Vergleich mit der von herkömmlichen Kalzium» Strontium, Barium, Blei, Thorium und/ Halbleiterkeramiken.10. Process for the production of a zinc soden, calcium, strontium, barium, lead, thorium oxide-titanium oxide semiconductor ceramic material for or other metal oxides in a total amount of use as substrate of a molded body less than 10 mol percent. The resulting sub-component of a secondary electron multiplier according to stamping is a ceramic semiconductor having a specific one of claims 1 to 9, characterized by a resistance of less than 10 ¹⁰ Ωcm. By sintering 50 to 99 mol percent zinc, it has been shown that by choosing the contraction or oxide and 1 to 50 mol percent titanium oxide as well as the manufacturing process, a semiconductor of any possibly less than 10 mol percent nickel, desired shape, with optimal, specific vanadium , Chrome, manganese, iron, cobalt, copper resistance or temperature characteristics can be achieved fer, silver, beryllium, boron, cadmium, magne- can be. Furthermore, the resistance temperature, aluminum, tin, antimony, bismuth, 60 tur-characteristic of the resulting substance is independent-niobium, molybdenum, zirconium, tantalum, tungsten, depending on whether it is positive or negative, note-yttrium, or lanthanum other rare earths, very small compared to that of conventional calcium »strontium, barium, lead, thorium and / or semi-conductor ceramics.

oder anderen Metalloxyden bei einer Temperatur Damit der Formling die Sekundärelektronenver-or other metal oxides at a temperature so that the molded part absorbs the secondary electron

VOn 900 bis 1450° C. 65 vielfachung durchführen kann, muß ferner eineFrom 900 to 1450 ° C. 65 can carry out multiple multiplication, must also have a

Gleichspannung in derselben Richtung wie das LochDC voltage in the same direction as the hole

angelegt werden, und zu diesem Zweck sind wenig-be created, and for this purpose little-

- stens zwei Elektroden aus einem geeigneten leitfähi- - at least two electrodes made of a suitable conductive