DE1238580B - Electron multiplier with a multiplier electrode consisting of a secondary emission-capable resistive layer - Google Patents

Electron multiplier with a multiplier electrode consisting of a secondary emission-capable resistive layer

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DE1238580B
DE1238580B DER35456A DER0035456A DE1238580B DE 1238580 B DE1238580 B DE 1238580B DE R35456 A DER35456 A DE R35456A DE R0035456 A DER0035456 A DE R0035456A DE 1238580 B DE1238580 B DE 1238580B
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Robert Macpherson Matheson
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RCA Corp
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RCA Corp
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Description

DEUTSCHES mS/WWS PATENTAMTGERMAN MS / WWS PATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

DeutscheKl.: 21g-13/19 German class: 21g-13/19

Nummer: 1 238 580Number: 1 238 580

Aktenzeichen: R 35456 VIII c/21;File number: R 35456 VIII c / 21;

1 238 580 Anmeldetag: 19.Junil9631 238 580 Filing date: June 19, 963

Auslegetag: 13. April 1967Opened on: April 13, 1967

Die Erfindung betrifft einen Elektronenvervielfacher, der einen rohrförmigen Kolben mit gekrümmter Achse enthält, in dem eine Kollektorelektrode und eine Vervielfacherelektrode in Form einer die Kolbeninnenwand rundum bedeckenden sekundäremissionsfähigen Widerstandsschicht, deren in axialer Richtung des Kolbens beabstandete Enden im Betrieb auf verschiedenem Potential liegen, angeordnet sind.The invention relates to an electron multiplier, which has a tubular piston with curved Axis contains in which a collector electrode and a multiplier electrode in the form a secondary emissive resistive layer covering the inner wall of the piston, the ends spaced apart in the axial direction of the piston are at different potentials during operation are.

Bekannte Elektronenvervielfacher enthalten eine Anzahl besonders geformter Vervielfacherelektroden oder Dynoden. Es sind auch Elektronenvervielfacher bekannt, bei denen ein Magnetfeld erforderlich ist, um zu gewährleisten, daß die Elektronen auf die sekundäremissionsfähigen Flächen auftreffen.Known electron multipliers contain a number of specially shaped multiplier electrodes or dynodes. There are also known electron multipliers that require a magnetic field, to ensure that the electrons hit the secondary emissive surfaces.

Außerdem sind aus der schweizerischen Patentschrift 234 444 Elektronenvervielfacher bekannt, bei denen das gesamte Vervielfacherelektrodensystem aus einer einzigen Elektrode besteht, längs der sich das Potential kontinuierlich ändert. Diese bekannten Elektronenvervielfacher enthalten einen als Potentiometer geschalteten Widerstandskörper mit einer sekundäremissionsfähigen Oberfläche, der so gekrümmt ist, daß die austretenden Elektronen nach Durchlaufen einer Wegstrecke infolge ihrer Trägheit wieder auf seine emittierende Oberfläche auftreffen. Die einzige Vervielfacherelektrode dieser bekannten Elektronenvervielfacher kann wendel- oder spiralförmig sein. Es ist auch bekannt, daß das Elektrodensystem aus einer als Potentiometer geschalteten, auf ihrer Innenseite aktivierten Röhre besteht.In addition, electron multipliers are known from Swiss patent specification 234 444, at which the entire multiplier electrode system consists of a single electrode along which the potential changes continuously. These known electron multipliers contain a potentiometer switched resistance body with a secondary emissive surface, which is so curved is that the exiting electrons after traversing a distance due to their inertia strike again on its emitting surface. The only multiplier electrode of this known Electron multiplier can be helical or spiral shaped. It is also known that the electrode system consists of a tube that is switched as a potentiometer and activated on its inside.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese bekannten Elektronenvervielfacher zu vereinfachen, ohne daß dabei der Wirkungsgrad leidet.The invention is based on the object of simplifying these known electron multipliers, without that the efficiency suffers.

Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß die Achse des die sekundäremissionsfähige Widerstandsschicht tragenden Kolbenstücks die Form eines ebenen Kreisbogens aufweist.This is achieved according to the invention in that the axis of the secondary emissive Resistance layer bearing piston piece has the shape of a flat circular arc.

Es ist also im Gegensatz zu den bekannten Elektronenvervielfachern nicht nötig, verwickelte, zusammengeknäulte Formen des Kolbens zu verwenden, wenn man das gesamte Innere eines als Potentiometer geschalteten Rohres aktiviert.In contrast to the known electron multipliers, there is no need for complicated, tangled ones Shapes of the piston to use when looking at the entire inside of a as a potentiometer activated pipe.

Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung hängt das eine Ende der sekundäremissionsfähigen Schicht mit einer Photokathode zusammen.According to an advantageous embodiment, one end of the secondary emissive layer is also attached a photocathode together.

Der Kolben des Elektronenvervielfachers ist nach einer weiteren Ausgestaltung toroidförmig, und die Photokathode verläuft schräg zur Achse des Toroids, während die Kollektorelektrode senkrecht zur Achse des Toroids verläuft.According to a further embodiment, the piston of the electron multiplier is toroidal, and the The photocathode is oblique to the axis of the toroid, while the collector electrode is perpendicular to the axis of the toroid.

Die sekundäremissionsfähige Schicht kann ein Elektronenvervielfacher mit einer aus einer
sekundäremissionsfähigen Widerstandsschicht
bestehenden VervielfacherelektrodeThe secondary emissive layer can be an electron multiplier with one of a
secondary emissive resistive layer
existing multiplier electrode

Anmelder:Applicant:

ίο Radio Corporation of America,
New York, N. Y. (V. St. A.) ίο Radio Corporation of America,
New York, NY (V. St. A.)

Vertreter:Representative:

Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
München 23, Dunantstr. 6Dr.-Ing. E. Sommerfeld, patent attorney,
Munich 23, Dunantstr. 6th

Als Erfinder benannt:
Robert Macpherson Matheson,
Lancaster, Pa. (V. St. A.)Named as inventor:
Robert Macpherson Matheson,
Lancaster, Pa. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

V. St. v. Amerika vom 26. Juni 1962 (205 307)V. St. v. America June 26, 1962 (205 307)

Mosaik aus getrennten sekundäremissionsfähigen Bereichen enthalten, die auf einer Widerstandsschicht angeordnet sind oder die Form einer mit der Rohrachse koaxialen Wendel haben.Mosaic made up of separate secondary emissive areas contained on a resistive layer are arranged or have the shape of a helix coaxial with the pipe axis.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigtThe invention is explained in more detail with reference to the drawing. It shows

F i g. 1 eine Längsschnittansicht eines ersten Ausführungsbeispieles in Form einer Vervielfacherröhre mit Photokathode,F i g. 1 is a longitudinal sectional view of a first embodiment in the form of a multiplier tube with photocathode,

F i g. 2 eine Längsschnittansicht einer zweiten Ausführungsform undF i g. 2 shows a longitudinal sectional view of a second embodiment and

F i g. 3 und 4 Schnittansichten von Teilen eines Röhrenkolbens mit Sekundäremissionselektroden, wie sie bei einem beschriebenen Vervielfacher verwendet werden können.F i g. 3 and 4 are sectional views of parts of a tubular envelope with secondary emission electrodes, such as they can be used in a described multiplier.

Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel ist ein Elektronenvervielfacher mit Photokathode, bei dem also die Primärelektronen durch einfallendes Licht 11 erzeugt werden. Selbstverständlich können die Sekundärelektronenvervielfacher auch in Verbindung mit anderen Elektronenquellen verwendet werden.The embodiment shown in FIG. 1 is an electron multiplier with a photocathode, in which the primary electrons are thus generated by incident light 11. Of course, the secondary electron multipliers can also be used in conjunction with other electron sources.

Der Vervielfacher 10 hat einen rohrförmigen evakuierten Kolben 12, dessen Achse einem Stück eines ebenen Kreisbogens entspricht.The multiplier 10 has a tubular evacuated piston 12, the axis of which corresponds to a piece of a flat circular arc.

709 549/328709 549/328

Im Kolben 12 ist am einen Ende eine Photokathode 14 angeordnet. Das Material der Photokathode wird so gewählt, daß die Röhre für den gewünschten Wellenlängenbereich empfindlich ist, der im ultravioletten, im sichtbaren oder im infraroten Spektralbereich liegen kann. A photocathode 14 is arranged in the piston 12 at one end. The material of the photocathode is chosen so that the tube is sensitive to the desired wavelength range, which can be in the ultraviolet, in the visible or in the infrared spectral range.

Am anderen Ende des Kolbens 12 befindet sich eine Kollektorelektrode 16. Die Kollektorelektrode 16 kann aus einer kompakten Kollektorelektrode bestehen und beispielsweise aus Nickel hergestellt sein.At the other end of the piston 12 there is a collector electrode 16. The collector electrode 16 can consist of a compact collector electrode and can be made of nickel, for example.

Zwischen der Photokathode 14 und der Kollektorelektrode 16 befindet sich auf der gekrümmten Innenwand des Kolbens 12 eine durchgehende Widerstandsschicht 18 aus einem sekundäremissionsf ähigen Material. Die Schicht 18 soll einen hohen Oberflächenwiderstand haben, beispielsweise größer als IO4Ohm. Die Schicht 18 kann aus einem anderen Material bestehen als die Photokathode 14, z. B. aus Zinnoxyd. Andererseits ist es auch möglich, die Schicht 18 aus demselben Werkstoff herzustellen wie die Photokathode 14. In diesem Fall kann man die Schicht 18 beispielsweise dadurch herstellen, daß man auf die Innenwand des Kolbens eine dünne Antimonschicht aufdampft, deren Dicke beispielsweise IO-6 bis IO-3 cm betragen kann. Anschließend läßt man die Antimonschicht mit Caesiumdampf reagieren, der z.B. durch Verdampfen einer Caesiumpille in der Röhre freigesetzt wird. Eine solche Widerstandsschicht ist dann strahlungsempfindlich und kann über das Ende des Kolbens 10 reichen, durch das die Strahlung eintritt, und eine getrennte Photokathode 14 kann entfallen. Wenn die Schicht 18 aus einem Werkstoff besteht, der nicht strahlungsempfindlich ist (wie das obenerwähnte Zinnoxyd), so kann man die Schicht ausschließlich in Hinsicht auf ihre Sekundäremissionseigenschaften und ihr Widerstandsverhalten bemessen. Auf alle Fälle soll die Widerstandsschicht 18 einen hohen Sekundäremissionsfaktor und einen hohen Flächenwiderstand haben.Between the photocathode 14 and the collector electrode 16 there is a continuous resistance layer 18 made of a material capable of secondary emission on the curved inner wall of the bulb 12. The layer 18 should have a high surface resistance, for example greater than 10 4 ohms. The layer 18 may consist of a different material than the photocathode 14, e.g. B. from tin oxide. On the other hand, it is also possible to produce the layer 18 from the same material as the photocathode 14. In this case, the layer 18 can be produced, for example, by evaporating a thin layer of antimony onto the inner wall of the bulb, the thickness of which is, for example, IO -6 to IO -3 cm. The antimony layer is then allowed to react with cesium vapor, which is released, for example, by evaporation of a cesium pill in the tube. Such a resistive layer is then radiation-sensitive and can extend over the end of the bulb 10 through which the radiation enters, and a separate photocathode 14 can be omitted. If the layer 18 consists of a material which is not sensitive to radiation (such as the tin oxide mentioned above), the layer can only be dimensioned with regard to its secondary emission properties and its resistance behavior. In any case, the resistance layer 18 should have a high secondary emission factor and a high sheet resistance.

Im Betrieb werden die Photokathode 14 und das benachbarte Ende der Widerstandsschicht 18 auf einem negativeren Potential gehalten als die Kollektorelektrode 16 und das ihr benachbarte Ende der Widerstandsschicht 18. Die Photokathode 14 und das ihr benachbarte Ende der Schicht 18 können durchverbunden sein und beispielsweise Massepotential haben, während das kollektorseitige Ende der Widerstandsschicht 18 sich auf einem beträchtlich höheren positiven Potential, z. B. 1000 Volt, befindet. In diesem Fall treffen die meisten Elektronen, die aus der Photokathode 14 mit einer endlichen transversalen Geschwindigkeitskomponente emittiert werden, auf einen Bereich der Widerstandschicht 18 auf. Die Kollektorelektrode 16 ist vorzugsweise positiv, z. B. um 100 Volt, bezüglich des benachbarten Endes der Widerstandsschicht 18 vorgespannt. Wegen des hohen Sekundäremissionsfaktors der Schicht 18 erzeugt jedes auf die Schicht auftreffende Elektron mehrere Sekundärelektronen. Wegen der Krümmung der Schicht und des herrschenden Potentialgradienten werden die von der Schicht emittierten Elektronen in Richtung auf die Kollektorelektrode beschleunigt und treffen erneut auf die sekundäremissionsfähige Schicht 18 an einem Punkt auf, der sich näher an der Kollekorelektrode 16 befindet als ihr Ausgangspunkt. Dieser Vorgang wiederholt sich, und an der Kollektorelektrode 16 kann dann ein wesentlich höhererIn operation, the photocathode 14 and the adjacent end of the resistive layer 18 to a more negative potential held as the collector electrode 16 and can their adjacent end of the resistive layer 18. The photocathode 14 and its adjacent end of the layer 18 by be connected and, for example ground potential, have while the collector-side end of the resistive layer 18 is at a considerably higher positive potential, e.g. B. 1000 volts. In this case, most of the electrons that are emitted from the photocathode 14 with a finite transverse velocity component impinge on a region of the resistive layer 18 . The collector electrode 16 is preferably positive, e.g. By 100 volts, with respect to the adjacent end of the resistive layer 18 . Because of the high secondary emission factor of the layer 18 , each electron striking the layer generates a plurality of secondary electrons. Because of the curvature of the layer and the prevailing potential gradient, the electrons emitted by the layer are accelerated in the direction of the collector electrode and strike the secondary emissive layer 18 again at a point which is closer to the collector electrode 16 than their starting point. This process is repeated, and a significantly higher value can then be applied to the collector electrode 16

Strom abgenommen werden, als es dem primäremittierten Elektronenstrom entsprechen würde.Current than it would correspond to the primary emitted electron current.

Da die Längsachse des Kolbens 12 gekrümmt ist, werden die Primärelektronen sowie die vervielfachten Sekundärelektronen zu der positiveren Fläche auf derselben Seite der Röhre gezogen, auf der sie auch emittiert wurden, d. h., sie treffen auf eine positivere Fläche auf derselben Seite der Röhre auf, die sich an den Emissionspunkt in Richtung auf den Kollektor anschließt. Die Elektronen bombardieren also die sekundäremissionsfähige Schicht 18 auf der Innenfläche des Kolbens 12 mehrmals, so daß sie mehrstufig vervielfacht werden, bevor sie von der Kollektorelektrode 18 aufgenommen werden.Since the longitudinal axis of the piston 12 is curved, the primary electrons as well as the multiplied secondary electrons are drawn to the more positive surface on the same side of the tube as they were emitted on, i.e. they hit a more positive surface on the same side of the tube as the connects to the emission point in the direction of the collector. The electrons therefore bombard the secondary emissive layer 18 on the inner surface of the bulb 12 several times, so that they are multiplied in several stages before they are taken up by the collector electrode 18 .

is Wie oft die Elektronen auf die sekundäremissionsfähige Schicht 18 auftreffen, also die äquivalente Stufenzahl der Vervielfachung, hängt in erster Linie von der Potentialdifferenz zwischen den Enden der Schicht 18 und vom Abstand zwischen der Photo-How often is the electrons to the secondary emission layer 18 capable of striking, so the equivalent step number of the multiplication, depends primarily on the potential difference between the ends of layer 18 and the distance between the photo-

ao kathode und der Kollektorelektrode ab. Je größer der Abstand zwischen der Photokathode 14 und der Kollektorelektrode 18 ist, um so größer ist die effektive Anzahl der Stufen. Die effektive Stufenzahl wächst außerdem mit dem Spannungsgradienten. ao cathode and the collector electrode. The greater the distance between the photocathode 14 and the collector electrode 18 , the greater the effective number of steps. The effective number of stages also increases with the stress gradient.

Die anfängliche kinetische Energie der emittierten Elektronen, sei es der Primärelektronen oder der Sekundärelektronen, liegt bei 3 Volt oder darunter. Wenn die vom Feld herrührende Energie, d. h'. also die Energie, die von der an die Widerstandsschicht angelegten Spannung stammt, die anfängliche kinetische Energie um das Zwei- oder Dreifache übersteigt, überwiegt der Einfluß des Feldes. Die Elektronenbahnen können also bei niederen Geschwindigkeiten stark gekrümmt sein; im Verlauf der Beschleunigung werden sie jedoch mehr und mehr geradlinig. Wenn die Elektronen eine Geschwindigkeit entsprechend einer Beschleunigungsspannung von 50 oder 100 Volt annehmen, ist ihre Bahn praktisch unabhängig vom Feld, und die Elektronen landen auf dem ersten Hindernis, das sich ihrer Bahn entgegenstellt, nämlich der gekrümmten Widerstandsschicht.The initial kinetic energy of the emitted electrons, be it the primary electrons or the secondary electrons, is 3 volts or less. When the energy from the field, i. H'. so the energy derived from the voltage applied to the resistive layer, the initial kinetic Energy exceeds two or three times, the influence of the field predominates. The electron orbits can therefore be strongly curved at low speeds; in the course of acceleration however, they become more and more straightforward. When the electrons have a speed accordingly assume an acceleration voltage of 50 or 100 volts, their path is practically independent of the Field, and the electrons land on the first obstacle that opposes their path, namely the curved resistance layer.

F i g. 2 zeigt eine andere Ausführungsform, bei der der Kolben 22 einer Vervielfacherröhre mit Photokathode ein vollständiges Toroid bildet. Der Kolben 22 ist innen mit einer kontinuierlichen Widerstandsschicht 24 aus einem sekundäremissionsf ähigen Material versehen. Auf einem transparenten Träger 26 innerhalb des Kolbens befindet sich eine Photokathode 28, auf die einfallende Strahlung 30 fällt. In nahem Abstand von der Photokathode befindet sich ebenfalls innerhalb des Kolbens eine Kollektorelektrode 32. Die Kollektorelektrode 32 verläuft etwa parallel zu einem Radius des den Kolben bildenden Toroids.F i g. Figure 2 shows another embodiment in which the envelope 22 of a multiplier tube with photocathode forms a complete toroid. The inside of the piston 22 is provided with a continuous resistive layer 24 made of a material capable of secondary emission. A photocathode 28, on which incident radiation 30 falls, is located on a transparent carrier 26 within the bulb. A collector electrode 32 is also located within the bulb at a close distance from the photocathode . The collector electrode 32 runs approximately parallel to a radius of the toroid forming the bulb.

Bei der in F i g. 2 dargestellten Ausführungsform werden die Elektronen öfter vervielfacht als in der Ausführungsform der Fig. 1, da die Strecke zwischen der Photokathode 28 und der Kollektorelektrode 32 größer ist.In the case of the in FIG. 2, the electrons are multiplied more often than in the embodiment of FIG. 1, since the distance between the photocathode 28 and the collector electrode 32 is greater.

Bei dem in Fig. 1 und 2 dargestellten Ausführungsformen verlaufen die Äquipotentialflächen annähernd parallel zu den Radien, die von dem Krümmungsmittelpunkt des Kolbens ausgehen. Die Elektronen werden dadurch in Richtung auf die Kollektorelektrode beschleunigt und treffen gleichzeitig auf verschiedene Flächen der sekundäremissionsfähigen Widerstandsschicht auf. Bei den beschriebenen Vervielfacherröhren ist also kein magnetisches Feld er-In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the equipotential surfaces run approximately parallel to the radii starting from the center of curvature of the piston. The electrons are thereby accelerated in the direction of the collector electrode and hit at the same time different areas of the secondary emissive resistive layer. With the described multiplier tubes so there is no magnetic field

Claims (5)

forderlich, um die Elektronen auf die sekundäremissionsfähigen Flächen auftreffen zu lassen. Ebensowenig sind getrennte Platten oder Elektroden mit Potentialen entgegengesetzter Polarität nötig. Auch kompliziert geformte Dynoden werden vermieden. Die Krümmungsradien sind an sich beliebig, solange keine geradlinige Verbindung zwischen dem Ausgangspunkt der Primärelektronen und der Kollektorelektrode besteht. Die gekrümmte Fläche soll außerdem frei von diskontinuierlichen Unregelmäßigkeiten sein, vorzugsweise wird eine stetig gekrümmte Fläche verwendet. F i g. 3 zeigt eine sekundäremissionsfähige Schicht, die bei einem beschriebenen Sekundärelektronenvervielfacher verwendet werden kann und ein Mosaik 56 aus winkligen leitenden sekundäremissionsfähigen Elementen, die sich auf einer Widerstandsschicht 58 befinden, enthält. Ein Vorteil einer solchen Anordnung besteht darin, daß innerhalb der sekundäremissionsfähigen Elemente des Mosaiks 56 kein Potentialgradient besteht. Der Spannungsabfall ist vielmehr auf die Widerstandsschicht 58 begrenzt. Ein Beispiel eines sowohl sekundäremissionsfähigen als auch photoemissisonsfähigen Mosaiks 56 ist das Mosaik, das in Ikonoskop-Kameraröhren verwendet wird. Ein Mosaik dieser Art kann bekanntlich aus Silberoxydpartikeln, die mit Caesium aktiviert sind, bestehen. Die Widerstandsschicht kann andererseits auch aus mit Caesium aktivierten Flecken aus Antimon bestehen, die durch ein feines Netz aufgedampft wurden. F i g. 4 zeigt eine sekundäremissionsfähige Widerstandsschicht, die die Form einer Widerstandswendel 50 hat. Die Widerstandswendel 50 kann beispielsweise dadurch hergestellt werden, daß man durch Aufzeichnen oder Aufdampfen durch eine Maske eine Wendel aus einer Schicht herstellt, die einen wesentlich geringeren Flächenwiderstand besitzt als die Innenwand des Kolbens. Für einen Flächenwiderstand von IO6 Ohm, einen Streifen 50 mit einem spezifischen Widerstand von 1 Ohm und einem Röhrenradius von etwa 1 cm ergibt sich eine Streifenbreite von 45 Mikron, wenn die Streifenbreite gleich dem Abstand zwischen zwei Windungen ist. Eine Widerstandsschicht mit einem spezifischen Widerstand von 1 Ohm kann aus einer etwa 10-δ cm dicken Platinschicht bestehen. Die in F i g. 3 und 4 dargestellten sekundäremissionsfähigen Anordnungen können bei den in F i g. 1 und 2 dargestellten Vervielfacherröhren Verwendung finden. Der die sekundäremissionsfähige Widerstandsschicht tragende rohrförmige Kolben braucht nicht unbedingt das Vakuumgefäß des Vervielfachers zu bilden, insbesondere wenn der Vervielfacher nicht mit einer Photokathode versehen ist, sondern in Verbindung mit anderen Elektronen- und Ionenquellen verwendet wird. Patentansprüche:necessary to allow the electrons to hit the secondary emissive surfaces. Neither are separate plates or electrodes with potentials of opposite polarity necessary. Complex dynodes are also avoided. The radii of curvature are arbitrary as long as there is no straight connection between the starting point of the primary electrons and the collector electrode. The curved surface should also be free from discontinuous irregularities; a continuously curved surface is preferably used. F i g. 3 shows a secondary emissive layer that can be used in a secondary electron multiplier as described and includes a mosaic 56 of angled conductive secondary emissive elements located on a resistive layer 58. An advantage of such an arrangement is that there is no potential gradient within the secondary emissive elements of the mosaic 56. Rather, the voltage drop is limited to the resistance layer 58. An example of a both secondary emissive and photoemissive mosaic 56 is the mosaic used in iconoscope camera tubes. As is well known, a mosaic of this type can consist of silver oxide particles activated with cesium. On the other hand, the resistance layer can also consist of cesium-activated spots of antimony which have been vapor-deposited through a fine mesh. F i g. 4 shows a secondary emissive resistive layer which is in the form of a resistive coil 50. The resistance coil 50 can be produced, for example, by making a coil from a layer by recording or vapor deposition through a mask which has a significantly lower sheet resistance than the inner wall of the bulb. For a sheet resistance of 10 6 ohms, a strip 50 with a resistivity of 1 ohm and a tube radius of about 1 cm, a strip width of 45 microns results when the strip width is equal to the distance between two turns. A resistance layer with a specific resistance of 1 ohm can consist of a platinum layer approximately 10-δ cm thick. The in F i g. 3 and 4 illustrated secondary emissive arrangements can in the case of the in F i g. 1 and 2 shown multiplier tubes are used. The tubular bulb carrying the secondary emissive resistive layer does not necessarily have to form the vacuum vessel of the multiplier, especially if the multiplier is not provided with a photocathode but is used in conjunction with other electron and ion sources. Patent claims: 1. Elektronenvervielfacher, der einen rohrförmigen Kolben mit gekrümmter Achse enthält, in1. Electron multiplier containing a tubular piston with a curved axis, in is dem eine Kollektorelektrode und eine Vervielfacherelektrode in Form einer die Kolbeninnenwand rundum bedeckenden sekundäremissionsfähigen Widerstandsschicht, deren in axialer Richtung des Kolbens beabstandete Enden im Betrieb one is a collector electrode and a multiplier electrode in the form of a secondary emissive resistive layer that covers the inner wall of the bulb all the way around, the ends of which are spaced apart in the axial direction of the bulb during operation ao auf verschiedenem Potential liegen, angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Achse des die sekundäremissionsfähige Widerstandsschicht (18, 24) tragenden Kolbenstücks (12,22) die Form eines ebenen Kreisbogens aufweist. ao are at different potentials, are arranged, characterized in that the Axis of the piston piece carrying the secondary emissive resistive layer (18, 24) (12,22) has the shape of a flat circular arc. 2. Elektronenvervielfacher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an dem einen Ende der sekundäremissionsfähigen Schicht (18, 24) eine Photokathode (14, 28) angeordnet ist.2. electron multiplier according to claim 1, characterized in that at one end a photocathode (14, 28) is arranged on the secondary emissive layer (18, 24). 3. Elektronenvervielfacher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kolben (22) toroidförmig ausgebildet ist und daß die Photokathode (28) schräg zur Achse des Toroids und die Kollektorelektrode (32) senkrecht zur Achse des Toroids angeordnet ist.3. electron multiplier according to claim 1 or 2, characterized in that the piston (22) is toroidal and that the photocathode (28) is oblique to the axis of the toroid and the collector electrode (32) is arranged perpendicular to the axis of the toroid. 4. Elektronenvervielfacher nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die sekundäremissionsfähige Schicht aus einem Mosaik (56) aus getrennten sekundäremissionsfähigen Bereichen besteht, die auf einer Widerstandsschicht (58) angeordnet sind (F i g. 4).4. electron multiplier according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the secondary emissive Layer of a mosaic (56) consists of separate secondary emissive areas, which are on a resistive layer (58) are arranged (Fig. 4). 5. Elektronenvervielfacher nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die sekundäremissionsfähige Schicht die Form einer mit der Rohrachse koaxialen Wendel (50) aufweist (Fig. 5). 5. electron multiplier according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the secondary emissive Layer has the shape of a helix (50) coaxial with the tube axis (FIG. 5). In Betracht gezogene Druckschriften:
Schweizerische Patentschrift Nr. 234 444.Considered publications:
Swiss patent specification No. 234 444. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
DER35456A 1962-06-26 1963-06-19 Electron multiplier with a multiplier electrode consisting of a secondary emission-capable resistive layer Pending DE1238580B (en)

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