DE2204419C3 - Device for converting an input voltage into an output current or vice versa - Google Patents

Device for converting an input voltage into an output current or vice versa

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Rudy Johan Van De Plassche
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur nahezu verzerrungsfreien Umwandlung einer Signalspannung in einen Signalstrom oder umgekehrt, die einen ersten und einen zweiten Steucrcingang und einen Ausgang für der Strom oder die Spannung enthält, wobei der erste Steuereingang mit der Steuer-The invention relates to a device for the almost distortion-free conversion of a signal voltage into a signal stream or vice versa, which has a first and a second control input and an output for the current or the voltage, the first control input with the control

elektrode eines ersten Transistors verbunden ist, der ferner eine erste und eine zweite Elektrode besitzt, zwischen welchen Elektroden sich die Hauptstrombahn dieses ersten Transistors erstreckt, wobei die zweite Elektrode zugleich den zwei tan Steuereingang bildet.electrode of a first transistor is connected, which further has a first and a second electrode, between which electrodes the main current path of this first transistor extends, the second electrode at the same time the two tan control input forms.

Bei einer bekannten Vorrichtung dieser Art wird die Steuerelektrode durch die Basis, die erste Elektrode durch den Kollektor und die zweite Elektrode durch den Emitter eines Transistors gebildet. Die Vorrichtung weist eine Ruheeinstellung (D. C.) auf, der Signale überlagert werden können. An die Basis des Transistors wird eine Spannung angelegt, während dem Kollektor ein Ausgangsstrom entnommen werden kann. Der Emitter des Transistors ist z. B. über einen Widerstand mit einem Punkt konstanten Putentials verbunden. Der Ausgangssignalstrom dieser Vorrichtung ist gleichIn a known device of this type, the control electrode is through the base, the first electrode formed by the collector and the second electrode by the emitter of a transistor. the The device has a rest setting (D.C.) on which signals can be superimposed. To the base A voltage is applied to the transistor, while an output current is drawn from the collector can be. The emitter of the transistor is z. B. constant over a resistor with a point Putentials connected. The output signal current of this device is the same

V-V1, R VV 1 , R

<b<b

(D(D

wobei i6 den Basissignalleckstrom des Transistors, R den Wert des Emitterwiderstandes, V die Größe der an die Basis des Transistors angelegten Signalspannung und Vbe die Signalspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors darstellt. Die Größe von ib und Vbe ist stromabhängig und temperaturbeständig. Die erwähnte Stromabhängigkeit von Vbl, bedeutet, daß Verzerrung in dem Ausgangssüom der Vorrichtung auftreten wird. Infolgedessen eignet sich die erwähnte Vorrichtung weniger gut zur Anwendung in sehr genauen Vervielfachern und Gyratoren, an die in bezug auf die Güte strenge Anforderungen gestellt werden.where i 6 is the base signal leakage current of the transistor, R the value of the emitter resistance, V the magnitude of the signal voltage applied to the base of the transistor and V be the signal voltage between the base and the emitter of the transistor. The size of i b and V be is current-dependent and temperature-resistant. The mentioned current dependency of V bl means that distortion will occur in the output of the device. As a result, the device mentioned is less suitable for use in very precise multipliers and gyrators, which are subject to stringent quality requirements.

Aus der Dl-OS 1 932 531 ist ein künstlicher Transistor bekannt, welcher eine Verbundschaltung dreier Transistoren enthält. Die Kollektor-Emitter-Strecke eines ersten NPN-Transistors ist parallel geschaltet zu der Emitter-Basis-Strecke eines zweiten PNP-Transistors. Die Emitter-Kollektoi -Strecke des zweiten Transistors ist parallel geschaltet zu der Kollektor-Basis-Strecke eines dritten NPN-Transistors. Die Basis des ersten Transistors bildet die Basis des künstlichen Transistors, der Emitter des dritten Transistors bildet den Kollektor des künstlichen Transistors, und der Verbindungspunkt der Kollektoren des ersten und des dritten Transistors mit dem Emitter des zweiten Transistors bildet den Emitter des künstlichen Transistors und wird z. B. über einen Widerstand mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. An die Basis des ersten Transistors wird eine Signalspannung angelegt, während dem Emitter des dritten Transistors ein Ausgangsstrom entnommen werden kann. Füi den Basissignalstrom des dritten Transistors gilt Gleichung (1), wobei ib der Basissignalleckstrom des ersten Transistors ist und R den Wert des Emitterwiderstandes, V die Größe der an die Basis des ersten Transistors angelegten Signalspannung und V1n, die Signalspannung zwischen der Basis des ersten Transistors und dem Emitter des zweiten Transistors darstellt. Der Ausgangssignalstrom des künstlichen Transistors ist ungefähr /»mal größer als der Basissignalstrom des dritten Transistors. Der Basisstrom ib des ersten Transistors kann vernachlässigt werden (siehe Gleichung (1)]. Jedoch ist die Größe der Basis-Emitter-Spannung des zweiten Transistors von dem Sicnalstrom durch die Emitter-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors auf ähnliche Weist abhängig, wie dies für einen einzigen Transistor gilt, wie oben an Hand der Gleichung (1) beschrieben worden ist. Die erwähnte Stromabhängigkeit bedeutet, daß Verzerrungen in dem Ausgangsstrom des künstlichen Transistors auftreten werden. Infolgedessen eignet sich der erwähnte künstliche Transistor weniger gut zur Anwendung in sehr genauen Vervielfachern und Gyratoren. Außerdem weist der bekannte künstliche Transistor den Nachteil auf, daß für die Gleichstromeinstellung des künstlichen Transistors viel Gleichstrom aus der Gleichstromquelle benötigt wird. Wenn z. B. der erste, zweite und dritte Transistor aus 1 mA eingestellt werden soll, wird 3 mA aus der Gleichstromquelle benötigt.From the Dl-OS 1 932 531 an artificial transistor is known which contains a composite circuit of three transistors. The collector-emitter path of a first NPN transistor is connected in parallel to the emitter-base path of a second PNP transistor. The emitter-collector path of the second transistor is connected in parallel to the collector-base path of a third NPN transistor. The base of the first transistor forms the base of the artificial transistor, the emitter of the third transistor forms the collector of the artificial transistor, and the connection point of the collectors of the first and third transistor with the emitter of the second transistor forms the emitter of the artificial transistor and is e.g. . B. connected via a resistor to a point of constant potential. A signal voltage is applied to the base of the first transistor, while an output current can be drawn from the emitter of the third transistor. Equation (1) applies to the base signal current of the third transistor, where i b is the base signal leakage current of the first transistor and R is the value of the emitter resistance, V is the magnitude of the signal voltage applied to the base of the first transistor and V 1n is the signal voltage between the base of the represents the first transistor and the emitter of the second transistor. The output signal current of the artificial transistor is approximately ½ times greater than the base signal current of the third transistor. The base current i b of the first transistor can be neglected (see equation (1)]. However, the size of the base-emitter voltage of the second transistor is dependent on the signal current through the emitter-collector path of the second transistor in a similar manner as this is true for a single transistor, as described above with reference to equation (1). The mentioned current dependence means that distortions will occur in the output current of the artificial transistor Multipliers and gyrators. In addition, the known artificial transistor has the disadvantage that a lot of direct current is required from the direct current source for direct current setting of the artificial transistor. For example, when the first, second and third transistors are to be set from 1 mA, 3 mA required from the DC power source.

Die Erfindung hat den Zweck, eine Vorrichtung der erwähnten Art zu schaffen, in der eine sehr genaue Umwandlung von Spannung in Strom oder umgekehrt nahezu unabhängig von den Transistorpara-The invention aims to provide a device of the type mentioned, in which a very precise Conversion of voltage into current or vice versa almost independent of the transistor parameters

»0 metern erfolgt und die sich besonders gut zur Anwendung in Gyratoren, Vervielfachern und Differenzverstärkern eignet.»0 meters and which are particularly suitable for use in gyrators, multipliers and differential amplifiers suitable.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß in dem Kreis zwischen der ersten Elektrode und einemThe invention is characterized in that in the circle between the first electrode and a

»5 Speisungspunkt eine hochohmige Stromquelle angeordnet ist, welche Elektrode ferner über eine Stromrückkopplung mit der Steuerelektrode eines zweiten Transistors verbunden ist, dessen Hauptstrombahn in dem Kreis zwischen der zweiten Elektrode des ersten Transistors und einem anderen Speisungspunkt: angeordnet ist, wobei der Ausgang ein Punkt in dem letzteren Kreis ist.»5 supply point arranged a high-resistance power source is, which electrode also has a current feedback with the control electrode of a second Transistor is connected, whose main current path in the circuit between the second electrode of the first Transistor and another feeding point: is arranged, the output being a point in the latter Circle is.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigtSome embodiments of the invention are shown in the drawing and are described below described in more detail. It shows

F i g. 1 eine erste Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung,F i g. 1 shows a first embodiment of the device according to the invention,

F i g. 2 eine zweite Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung,F i g. 2 shows a second embodiment of the device according to the invention,

F i g. 3 eine dritte Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung,F i g. 3 a third embodiment of the device according to the invention,

F i g. 4 eine vierte Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung,F i g. 4 shows a fourth embodiment of the device according to the invention,

F i g. 5 einen Differenzverstärker, in dem Vorrich-F i g. 5 a differential amplifier in which the device

♦5 tungen nach der Erfindung verwendet werden,♦ 5 lines are used according to the invention,

F i g. 6 eine Abwandlung der Ausgangsschaltung zur Entnahme des Ausgangsstroms,F i g. 6 shows a modification of the output circuit for drawing the output current,

F i g. 7 eine weitere Abwandlung der Ausgangsschaltung zur Entnahme des Stromes,F i g. 7 a further modification of the output circuit for drawing the current,

F i g. 8 eine symmetrische spannungsgesteuerte Stromquelle, in der Vorrichtungen nach der Erfindung verwendet werden, undF i g. 8 shows a symmetrical voltage-controlled current source in the devices according to the invention used, and

F i g. 9 eine Gleichstromquellenschaltung, in der Vorrichtungen nach der Erfindung Anwendung finden.F i g. Figure 9 shows a DC power source circuit in which devices according to the invention are used Find.

In Fig. 1 wird die Eingangselektrode der Vorrichtung durch die Basis-Elektrode eines Transistors Tn gebildet. Die erste Elektrode des Transistors Γ( wird durch den Kollektor dieses Transistors gebildet während die zweite Elektrode durch den Emitter de; erwähnten Transistors gebildet wird. Der Kollektoi des Transistors T9 ist über die hochohmige Strom quelle 5 mit einem Speisungspunkt konstanten Potcn tials verbunden. Der Emitter des Transistors Tn is über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T unmittelbar mit dem Ausgang C der Vorrichtung ver bunden.In Fig. 1, the input electrode of the device is formed by the base electrode of a transistor T n . The first electrode of the transistor Γ ( is formed by the collector of this transistor while the second electrode is formed by the emitter de; mentioned transistor. The collector of the transistor T 9 is connected via the high-resistance current source 5 to a supply point of constant Potcn tials The emitter of the transistor T n is connected directly to the output C of the device via the collector-emitter path of the transistor T.

Die Basis des Transistors T1 ist über die KollektorThe base of the transistor T 1 is on the collector

Emitter-Strecke des Transistors T2 mit dem Kollektor des Transistors T0 verbunden. Die Basis des Transistors T2 ist einerseits mit dem Emitter des Transistors T0 und andererseits über den Widerstand Λ mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden.The emitter path of the transistor T 2 is connected to the collector of the transistor T 0 . The base of the transistor T 2 is connected on the one hand to the emitter of the transistor T 0 and on the other hand via the resistor Λ to a point of constant potential.

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 1 wirkt wie folgt. Der Signalstrom ι, der den Widerstand R infolge der an die Basis des Transistors T0 angelegten Signalspannung V durchfließen wird, ist gleichThe circuit arrangement according to FIG. 1 works as follows. The signal current ι, which will flow through the resistor R as a result of the signal voltage V applied to the base of the transistor T 0 , is the same

V-V1 VV 1

bebe

wobei R den Wert des Widerstandes R und Vbc die Basis-Emitter-Flußspannung des Transistors T0 darstellt. Der Ausgangsstrom ic wird dann durchwhere R is the value of resistor R and V bc is the base-emitter forward voltage of transistor T 0 . The output current i c is then through

ic = «-»ίο i c = «-» ίο

gegeben. Wenn Vbe < V und ib0 < i ist, ist die Umwandlung von Spannung in Strom ideal (von den Transistorparametern unabhängig). Da über die Basisstrecke des Transistors T1 nur ein kleiner Teil des Signalstroms (i6l) über den Transistor T2 durch den Eingangstransistor T0 geführt wird, ist Vbe klein und ist auch der Leckstrom I60 klein, und zwar viel kleiner (~ /7j mal kleiner) als bei Anwendung eines einzigen Transistors. Der ideale Zustandgiven. If V be < V and i b0 < i , the conversion from voltage to current is ideal (independent of the transistor parameters). Since only a small part of the signal current (i 6l ) is conducted via the transistor T 2 through the input transistor T 0 via the base path of the transistor T 1 , V be is small and the leakage current I 60 is also small, much smaller (~ / 7j times smaller) than when using a single transistor. The ideal state

Ic —Ic -

wird um einen Faktor β genauer angenähert. Die Verzerrung des Signals infolge der nichtlinearen Kennlinien der Transistoren ist auch um einen Faktor β herabgesetzt. Über die Stromquelle S wird der Schaltungsanordnung zwar Gleichstrom zugeführt, aber die Schaltungsanordnung muß derart hochohmig sein, daß kein Signalstrom wegleckt. Die Vorrichtung T nach F i g. 1 ist als ein künstlicher pnp-Transistor zu betrachten, wobei b die Basis, e den Emitter und c den Kollektor bildet. Der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor dieses künstlichen Transistors ist dann etwa gleich ß2. Die Steilheit ist etwa gleich β ■ S, wobei S die Steilheit des Transistors T0 ist. Der künstliche pnp-Transistor läßt sich als sehr gute Gleichstromquelle verwenden. Dies wird erreicht, wenn ι = 0 gemacht wird, was der Fall ist, wenn der Emitter e des künstlichen Transistors nicht angeschlossen wird. Der Ausgangsgleichstrom ist in diesem Falle gleich dem von der Stromquelle S gelieferten Gleichstrom. Die erhaltene Gleichstromquelle weist an ihrem Ausgang c eine sehr hohe Ausgangsimpedanz auf, die in der Größenordnung von 1 GQ liegen kann.is approximated more precisely by a factor β. The distortion of the signal due to the non-linear characteristics of the transistors is also reduced by a factor β. Although direct current is supplied to the circuit arrangement via the current source S , the circuit arrangement must have such a high resistance that no signal current leaks away. The device T according to FIG. 1 is to be regarded as an artificial pnp transistor, where b is the base, e is the emitter and c is the collector. The base-collector current amplification factor of this artificial transistor is then approximately equal to β 2 . The slope is approximately equal to β ■ S, where S is the slope of the transistor T 0 . The artificial pnp transistor can be used as a very good direct current source. This is achieved when ι = 0 is made, which is the case when the emitter e of the artificial transistor is not connected. The output direct current is equal to the direct current supplied by the current source S in this case. The direct current source obtained has a very high output impedance at its output c , which can be of the order of magnitude of 1 GQ.

In F i g. 2 ist eine Vorrichtung zur nahezu verzerrungsfreien Umwandlung eines Eingangsstroms in eine Ausgangsspannung dargestellt. Die Basis b des künstlichen pnp-Transistors T ist an einen Punkt konstanten Potentials, z. B. Erde, gelegt. Dem Emitter e wird mit Hilfe der Stromquelle S1 ein Signalstrom ι zugeführt. Der Kollektor c des künstlichen Transistors ist über den Widerstand R mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Wirkungsweise der Vorrichtung nach F i g. 2 ist der der Vorrichtung nach Fig. 1 nahezu analog. In diesem Falle wird ein Signalstrom / dem Emitter zugeführt und kann eine Signalspannung nahezu gleich i-R dem Kollektor entnommen werden.In Fig. 2 shows a device for the almost distortion-free conversion of an input current into an output voltage. The base b of the artificial pnp transistor T is at a point of constant potential, e.g. B. Earth, laid. A signal current ι is fed to the emitter e with the aid of the current source S 1. The collector c of the artificial transistor is connected through the resistor R to a point of constant potential. The mode of operation of the device according to FIG. 2 is almost analogous to that of the device according to FIG. In this case, a signal current is fed to the emitter and a signal voltage which is almost equal to iR can be taken from the collector.

In Fig. 3 wird die Eingangselektrode der Vorrichtung durch die Basis des Transistors T0 gebildet. Die erste Elektrode des Transistors Tn wird durch der Emitter dieses Transistors gebildet, während die S zweite Elektrode durch den Kollektor des erwähnter Transistors gebildet wird. Der Emitter des Transistors T0 ist über die hochohmige Stromquelle S mil einem Speisungspunkt konstanten Potentials verbunden. Der Kollektor des Transistors T0 ist über dieIn Fig. 3, the input electrode of the device is formed by the base of the transistor T 0 . The first electrode of the transistor T n is formed by the emitter of this transistor, while the S second electrode is formed by the collector of the transistor mentioned. The emitter of the transistor T 0 is connected to a supply point of constant potential via the high-resistance current source S. The collector of transistor T 0 is on

ίο Hauptstrombahn des Transistors T1 mit einem Speisungspunkt der Vorrichtung verbunden. Die Basis des Transistors T1 ist über die Hauptstrombahn des Transistors T2 mit dem Emitter des Transistors Γ, verbunden. Die Basis des Transistors T2 ist mit demίο Main current path of the transistor T 1 connected to a feed point of the device. The base of the transistor T 1 is connected to the emitter of the transistor Γ via the main current path of the transistor T 2. The base of the transistor T 2 is with the

Kollektor des Transistors 7"0 und über den Widerstand R mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Basis des Transistors T0 ist mit der Signalspannungsquelle V verbunden.Collector of transistor 7 " 0 and connected to a point of constant potential via resistor R. The base of transistor T 0 is connected to signal voltage source V.

Die Wirkungsweise der Vorrichtung nach F i g. 3The mode of operation of the device according to FIG. 3

ao ist folgende.ao is the following.

Infolge der an die Basis b angelegten Signalspannung V wird durch den Widerstand R ein Signalstrom i fließen, der gleichAs a result of the signal voltage V applied to the base b , a signal current i which is the same will flow through the resistor R

V- V1 V- V 1

bebe

ist, wobei Vbe die Flußspannung zwischen den beiden Steuerelektroden b und e darstellt Der Ausgangsstrom der Vorrichtung kann nun dem Punkte entnommen werden und ist gleichwhere V be represents the forward voltage between the two control electrodes b and e. The output current of the device can now be taken from the point and is the same

wobei ib0 den Signalstrom darstellt, der durch die Basis des Transistors T0 wegleckt. Da durch die Basis des Transistors T1 nur ein geringer Teil des Hauptstroms über den Transistor T2 und Transistor 7"0 rückgekoppelt wird, ist 1"^0 sehr klein, ebenso wie die Basis-Emitter-Flusspannungen der Transistören T0 und T2, die zusammen V^ bilden. Die Vorrichtung T nach F i g. 3 kann als ein künstlicher npn-Transistor betrachtet werden, wobei b die Basis, e den Emitter und c den Kollektor des künstlichen Transistors bildet. Der Basis-Kollektor-Stromver-Stärkungsfaktor ist etwa gleich ß1, und die Steilheit ist etwa gleich 1/((1/0S0) + (1//8S2)), wobei S0 und S2 die Steilheiten der Transistoren T0 bzw. T2 darstellen. Wie in F i g. 2 für den künstlichen pnp-Transistor angegeben ist, kann dieser künstlicher npn-Transistor inwhere i b0 represents the signal current leaking away through the base of transistor T 0. Since only a small part of the main current is fed back through the base of transistor T 1 via transistor T 2 and transistor 7 " 0 , 1" ^ 0 is very small, as are the base-emitter flux voltages of transistors T 0 and T 2 which together form V ^. The device T according to FIG. 3 can be viewed as an artificial npn transistor, where b is the base, e is the emitter and c is the collector of the artificial transistor. The base-collector current gain factor is approximately equal to ß 1 , and the slope is approximately equal to 1 / ((1 / 0S 0 ) + (1 // 8S 2 )), where S 0 and S 2 are the slopes of the transistors T. Represent 0 or T 2. As in Fig. 2 is given for the artificial pnp transistor, this artificial npn transistor can be used in

geerdeter Basisschaltung betrieben werden. Zu diesem Zweck wird die Basis b mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Dem Emitter e kann ein Signalstrom i zugeführt werden, während der Kollektor über einen Widerstand mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden werden kann. Die Signalspannung über diesem Widerstand ist dann praktisch gleich iZ Volt.grounded basic circuit can be operated. For this purpose the base b is connected to a point of constant potential. A signal current i can be fed to the emitter e , while the collector can be connected to a point of constant potential via a resistor. The signal voltage across this resistor is then practically equal to iZ volts.

In F i g. 4 wird die Eingangselektrode der Vorrichtung durch die Basis-Elektrode des Transistors T0 In Fig. 4 becomes the input electrode of the device through the base electrode of transistor T 0

gebildet. Die erste Elektrode des Transistors T0 wird durch den Kollektor dieses Transistors und die zweite Elektrode wird durch den Emitter des erwähnten Transistors gebildet. Der Kollektor des Transistors T0 ist über die hochohmige Stromquelle S mit einemeducated. The first electrode of the transistor T 0 is formed by the collector of this transistor and the second electrode is formed by the emitter of the transistor mentioned. The collector of the transistor T 0 is on the high-resistance current source S with a

Speisungspunkt konstanten Potentials verbunden. Der Emitter des Transistors T0 ist über die Hauptstrombahn des Transistors T1 mit dem Ausgang c der Vorrichtung verbunden. Die Basis des Transistors T1 istFeed point connected to constant potential. The emitter of the transistor T 0 is connected to the output c of the device via the main current path of the transistor T 1. The base of the transistor T 1 is

über die Reihenschaltung der Dioden D1, D2, der Emitter-Basis-Strecke des Transistors T2 mit dem Kollektor des Transistors T0 verbunden. Der zweite Anschlußpunkt c der Vorrichtung ist über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T3 mit der hochohmigen Stromquelle 5, verbunden. Die Basis des Transistors T2 ist einerseits mit dem Emitter des Transistors T0 und andererseits über den Widerstand R mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Basis des Transistors T1 ist mit der hochohmigen Stromquelle S0 verbunden. Zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors T0 ist eine Diode Dn angeordnet.Connected via the series connection of the diodes D 1 , D 2 , the emitter-base path of the transistor T 2 to the collector of the transistor T 0. The second connection point c of the device is connected to the high-resistance current source 5 via the collector-emitter path of the transistor T 3. The base of the transistor T 2 is connected on the one hand to the emitter of the transistor T 0 and on the other hand via the resistor R to a point of constant potential. The base of the transistor T 1 is connected to the high-resistance current source S 0 . A diode D n is arranged between the base and the emitter of the transistor T 0.

Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach F i g. 4 ist folgende:The mode of operation of the circuit arrangement according to FIG. 4 is the following:

Der Signalstrom /', der durch den Widerstand R infolge der an die Basis des Transistors T0 angelegten Signalspannung V fließen wird, genügt der Beziehung (2). Durch den Transistor T1 wird ein Kollektorsignalstrom fließen, der gleich (/-/,) ist, wobei /, der Signalstrom ist, und zum größten Teil durch die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors T0 fließt. Da der Kollektor des Transistors T0 mit der hochohmigen Stromquelle S verbunden ist, wird der Signalstrom /j auch durch die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors T2 zu der Basis des Transistors T3 fließen. Durch die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T3 wird ein Signalstrom i2 fließen. Da der Emitter des Transistors T3 mit der hochohmigen Stromquelle S1 und die Diode D1 mit der hochohmigen Stromquelle S0 verbunden ist, wird der Signalstrom i2 über die Dioden D1 und D2 zu der Basis des Transistors T1 fließen. Für die Ströme /, Z1 und /2 gelten nun die nachstehenden BeziehungenThe signal current / ', which will flow through the resistor R as a result of the signal voltage V applied to the base of the transistor T 0 , satisfies the relationship (2). A collector signal current will flow through the transistor T 1 which is equal to (/ - /,), where /, is the signal current, and flows for the most part through the emitter-collector path of the transistor T 0 . Since the collector of the transistor T 0 is connected to the high-resistance current source S , the signal current / j will also flow through the emitter-collector path of the transistor T 2 to the base of the transistor T 3. A signal current i 2 will flow through the collector-emitter path of transistor T 3. Since the emitter of the transistor T 3 is connected to the high-resistance current source S 1 and the diode D 1 is connected to the high-resistance current source S 0 , the signal current i 2 will flow via the diodes D 1 and D 2 to the base of the transistor T 1. The following relationships now apply to the currents /, Z 1 and / 2

ijß und /., ä; i/ß ijß and /., ä; i / ß

(7)(7)

wobei β gleich dem Kollektor-Basis-Stromverstärkungsfaktor der Transistoren T0, T1 und T3 ist. Der Signalstrom, der die Hauptstrombahn des Eingangstransistors T0 durchfließt, ist also nahezu gleich i/ß*. Dadurch ist der Signalstrom, der durch die Basis des Eingangstransistors T0 wegleckt, nahezu gleich i/ß3 und ist also um einen Faktor β kleiner als z. B. in der Vorrichtung nach Fig. 1. Dies hat zur Folge, daß die Änderungen in der Basis-Emitter-Schwellwertspannung Vbe des Transistors T0 um einen Faktor ß2 herabgesetzt sind, wodurch die Verzerrung des Ausgangssignals der Vorrichtung nach F i g. 4 im Vergleich zu der Verzerrung in einem einzigen Transistor auch um einen Faktor /T2 herabgesetzt sein wird.where β is equal to the collector-base current gain factor of the transistors T 0 , T 1 and T 3 . The signal current that flows through the main current path of the input transistor T 0 is therefore almost equal to i / ß *. As a result, the signal current that leaks away through the base of the input transistor T 0 is almost equal to i / ß 3 and is therefore smaller by a factor of β than z. B. in the device according to FIG. 1. This has the consequence that the changes in the base-emitter threshold voltage V be of the transistor T 0 are reduced by a factor β 2 , whereby the distortion of the output signal of the device according to FIG . 4 will also be reduced by a factor / T 2 compared to the distortion in a single transistor.

Die Vorrichtung nach F i g. 4 kann wieder als ein künstlicher pnp-Transistor betrachtet werden, wobei b die Basis, e den Emitter und c den Kollektor dieses künstlichen Transistors bildet. Der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor dieses künstlichen Transistors ist dann nahezu gleich ßs. Die Steilheit dieses künstlichen pnp-Transistors ist nahezu gleich ß2 ■ S0, wobei S0 die Steilheit des Transistors T0 darstellt. The device according to FIG. 4 can again be viewed as an artificial pnp transistor, where b forms the base, e the emitter and c the collector of this artificial transistor. The base-collector current amplification factor of this artificial transistor is then almost equal to ß s . The slope of this artificial pnp transistor is almost equal to ß 2 ■ S 0 , where S 0 represents the slope of the transistor T 0 .

In der Vorrichtung nach Fig. 4 ist der Kollektor des ersten Transistors T3 über die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors mit dem Emitter des Eingangstransistors T0 verbunden. Der Kollektor dieses ersten Transistors kann aber auch über die Reihenschaltung der Emitter-Kollektor-Strecken einer Anzahl (;j) Transistoren mit dem Emitter des Eingangstransistors T0 verbunden werden, wobei die Basis In the device according to FIG. 4, the collector of the first transistor T 3 is connected to the emitter of the input transistor T 0 via the emitter-collector path of a transistor. The collector of this first transistor can, however, also be connected to the emitter of the input transistor T 0 via the series connection of the emitter-collector paths of a number (; j) transistors, with the base

jedes der Transistoren der Reihenschaltung über Spannungsverschiebungsrriittel mit dem Emitter des darauffolgenden Transistors verbunden wird und wobei der Ausgang der Vorrichtung dann durch den Emitter des mit dem Eingangstransistor verbundenen Transistors der Reihenschaltung gebildet wird. Wenn nun z. B. der Emitter des Eingangstransistors über einen Widerstand mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden und eine Signalspannung an die Basis-Elektrode des Eingangstransistors angelegt wird, ist der Basissignalleckstrom des Eiingangstransistors um einen Faktor /?"+1 kleiner als der den mit dem Eingangstransistor verbundenen Transistor durchfließende Signalstrom. Dies hat zur Folge, daß die Verzerrung des Ausgangssignals um einen Faktor ß" im Vergleich zu der Verzerrung in einem einzigen Transistor herabgesetzt sein wird. Die Gleichung (4) wird ß" mal genauer angenähert.each of the transistors of the series circuit is connected via voltage shifting means to the emitter of the subsequent transistor and the output of the device is then formed by the emitter of the transistor of the series circuit connected to the input transistor. If now z. B. the emitter of the input transistor connected via a resistor to a point of constant potential and a signal voltage is applied to the base electrode of the input transistor, the base signal leakage current of the input transistor is a factor /? "+1 smaller than the transistor connected to the input transistor As a result, the distortion of the output signal will be reduced by a factor β " compared to the distortion in a single transistor. The equation (4) is approximated ß " times more precisely.

Fig. 5 zeigt einen Differenzverstärker, in dem zweiFig. 5 shows a differential amplifier in which two

so künstliche pnp-Transistoren nach Fig. 1 verwendet werden. Die Emitter dieser künstlichen pnp-Transistoren sind über einen Widerstand R miteinander verbunden. Zwischen den Basis-Elektroden dieser künstlichen pnp-Transistoren wird eine Spannung V ange-so artificial pnp transistors according to Fig. 1 are used. The emitters of these artificial pnp transistors are connected to one another via a resistor R. A voltage V is applied between the base electrodes of these artificial pnp transistors.

%l legt. Die Kollektor-Elektroden dieser künstlichen pnp-Transistoren sind mit einem Punkt konstanten Potentials über die Dioden D3 bzw. D3' verbunden. Die Dioden D3 und D3' bestehen z. B. aus Transistoren, die mit den Transistoren T3 und T3' identisch % l lays. The collector electrodes of these artificial pnp transistors are connected to a point of constant potential via the diodes D 3 and D 3 '. The diodes D 3 and D 3 'consist, for. B. from transistors that are identical to the transistors T 3 and T 3 '

sind und deren Basis- und Kollektor-Elektroden kurzgeschlossen sind. Die Basis des Transistors T3 (bzw. T.f) ist mit der Basis der Diode D3 (bzw. D3') verbunden, während die Emitter alle vier miteinander und mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind. Nun istand their base and collector electrodes are short-circuited. The base of the transistor T 3 (or Tf) is connected to the base of the diode D 3 (or D 3 '), while the emitters are all four connected to one another and to a point of constant potential. Now is

ι =ι =

V 2V111. RV 2V 111 . R.

undand

ι,- = 1 — 1 ι, - = 1 - 1

während der Strompegel (P3T3 und D3T3) die geringste Genauigkeit aufweist, wennwhile the current level (P 3 T 3 and D 3 T 3 ) has the least accuracy when

(10)(10)

In F i g. 6 ist eine Abwandlung des Stromspiegels dargestellt, bei der der Transistor T1 (bzw. T1') mil der Diode D1 (bzw. D3') kombiniert ist.In Fig. 6 shows a modification of the current mirror in which the transistor T 1 (or T 1 ') is combined with the diode D 1 (or D 3 ').

F i g. 7 zeigt eine viel genauere Abwandlung eines Stromspiegels mit drei Transistoren in Kombinatior mit dem Transistor T1. Dafür gilt, daßF i g. 7 shows a much more precise modification of a current mirror with three transistors in combination with the transistor T 1 . It is true that

ι r ι r

(Π)(Π)

Die überquerenden Basisströme ib x und I64 gleichet sich zum größten Teil aus.The traversing base currents i b x and I 64 largely equalize each other.

6c In dem Beispiel nach F i g. 5 sind künstliche pnp-Transistoren nach Fig. 1 angewandt. Es versteh sich, daß auch pnp-Transistoren nach Fig. 4 sowi< künstliche npn-Transistoren nach F i g. 3 Anwendunj finden können. Das Hochfrequerizverhalten der künst liehen pnp-Transistoren kann (siehe Fig. 1 und 2 dadurch verbessert werden, daß eine Diode in dei Basisweg des Transistors T2 aufgenommen wir< oder (siehe F i g. 5) daß die Emitter-Kollektor-Strek6c In the example according to FIG. 5 artificial pnp transistors according to FIG. 1 are used. It goes without saying that pnp transistors according to FIG. 4 as well as artificial npn transistors according to FIG. 3 applications can be found. The high-frequency behavior of the artificially borrowed pnp transistors can be improved (see FIGS. 1 and 2 in that a diode is added to the base path of the transistor T 2 or (see FIG. 5) that the emitter-collector path

509 623/20'509 623/20 '

ken der Transistoren T2 und T2' von einer Kapazität überbrückt werden. Das Hochfrequenzverhalten (Aussteuerung) wird auch dadurch verbessert, daß ein zusätzlicher Gleichstrom aus der Stromquelle S0 (Fig. 1 und 2) zugeführt wird. Die Dioden zwischen dem Emitter und der Basis des Transistors T0 (Fig. 1, 2, 4) verbessern die Einstellung eines künstlichen pnp-Transistors und dienen zugleich als Sicherungsdioden der Basis-Emitter-Diode des Transistors T0. ken of the transistors T 2 and T 2 ' are bridged by a capacitance. The high-frequency behavior (modulation) is also improved in that an additional direct current is supplied from the current source S 0 (FIGS. 1 and 2). The diodes between the emitter and the base of the transistor T 0 (Fig. 1, 2, 4) improve the setting of an artificial pnp transistor and at the same time serve as backup diodes of the base-emitter diode of the transistor T 0 .

Ferner läßt sich der Differenzverstärker nach F i g. 5 leicht in einen Vervielfacher verwandeln. Zu diesem Zweck werden die Emitter der Transistoren T3 und T3 über eine gemeinsame Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden.Furthermore, the differential amplifier according to FIG. 5 easily turn into a multiplier. For this purpose, the emitters of the transistors T 3 and T 3 are connected to a point of constant potential via a common current source.

Wenn angenommen wird, daß die erwähnte Stromquelle einen Strom von 21. (1 + x) liefert und daß die an den Eingang angelegte Spannung gleich y ist, enthält der Ausgangsstrom I0 die Komponente Lx.y. Assuming that the mentioned current source supplies a current of 21. (1 + x) and that the voltage applied to the input is equal to y , the output current I 0 contains the component Lx.y.

F i g. 8 zeigt eine symmetrische spannungsgesteuerte Stromquelle, die zwei künstliche pnp-Transistoren T und 7" enthält. Der Kollektor c des künstlichen Transistors T ist einerseits über die Stromquelle S1 mit einem Punkt konstanten Potentials und andererseits über den Widerstand R1 mit dem Kollektor c' des künstlichen Transistors 7" verbunden. Der Kollektor c' des künstlichen Transistors 7" ist außerdem über eine Impedanz Z2 mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Der Emitter e des künstlichen Transistors T ist über den Widerstand/? mit dem Emitter e' des künstlichen Transistors 7" verbunden. Beim Anlegen einer Signalspannung V zwischen den beiden Basis-Elektroden b und b' der künstlichen Transistoren T bzw. T wird ein Ausgangssignalstrom durch die Belastungsimpedanz Z1 fließen, der nahezu gleich V/R ist. Für die Ströme ι und ic gelten die beiden Gleichungen (8) und (9). In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 8 werden zwei künstliche pnp-Transistoren verwendet. Es ist einleuchtend,, daß statt zweier künstlicher pnp-Transistoren auch zwei künstliche npn-Transistoren z. B. nach F i g. 3 angewendet werden können. Mit Hilfe der in Fig. 8 gezeigten spannungsgesteuerten Stromquellen lassen sich z. B. Gyratoren zusammensetzen, die eine große Genauigkeit aufweisen.F i g. 8 shows a symmetrical voltage-controlled current source which contains two artificial pnp transistors T and 7 ″. The collector c of the artificial transistor T is on the one hand via the current source S 1 with a point of constant potential and on the other hand via the resistor R 1 with the collector c ' of the artificial transistor 7 "connected. The collector c 'of the artificial transistor 7 "is also connected to a point of constant potential via an impedance Z 2. The emitter e of the artificial transistor T is connected to the emitter e' of the artificial transistor 7" via the resistor /?. When a signal voltage V is applied between the two base electrodes b and b 'of the artificial transistors T and T , an output signal current will flow through the load impedance Z 1 which is almost equal to V / R. The two equations (8) and (9) apply to the currents ι and i c. In the exemplary embodiment according to FIG. 8, two artificial pnp transistors are used. It is evident, that instead of two artificial pnp transistors also two artificial npn transistors z. B. according to FIG. 3 can be applied. With the help of the voltage-controlled current sources shown in FIG. B. assemble gyrators that have great accuracy.

Die im Ausführungsbeispiel nach F i g. 8 dargestellten Stromquellen S und S' können z. B. von dem in F i g. 9 dargestellten Typ sein. Die Stromquelle nach Fig. 9 enthält einen künstlichen pnp-Transistör T. Die Basis dieses künstlichen Transistors ist über die Reihenschaltung der Diode D1 und des Widerstandes R1 mit einem Punkt konstanten Potentials Ub+ verbunden. Die Basis des künstlichen pnp-Transistors T ist außerdem über den Widerstand R2 mit einem anderen Punkt konstanten Potentials verbunden. Der Emitter des künstlichen pnp-Transistors ist schwebend ausgebildet. Dem Kollektor c des künstlichen pnp-Transistors läßt sich nun ein Gleichstrom entnehmen, der gleich dem den Transistor T3 durch-In the exemplary embodiment according to FIG. 8 illustrated power sources S and S ' can, for. B. from the one shown in FIG. 9 be the type shown. The current source according to FIG. 9 contains an artificial pnp transistor T. The base of this artificial transistor is connected to a point of constant potential U b + via the series connection of the diode D 1 and the resistor R 1 . The base of the artificial pnp transistor T is also connected to another point of constant potential via the resistor R 2. The emitter of the artificial pnp transistor is floating. A direct current can now be taken from the collector c of the artificial pnp transistor, which is equal to that through the transistor T 3.

fließenden Gleichstrom ist. Dieser Strom wird durch den den Zweig R, D1, R2 durchfließenden Strom und durch die Größe des Widerstandes A3 bestimmt.flowing direct current. This current is determined by the current flowing through the branch R, D 1 , R 2 and by the size of the resistor A 3 .

Die in Fig. 9 dargestellte Stromquelle kann z. B. auch als Stromquelle S in den Fi g. 1, 2, 4 und 5 verwendet werden. In F i g. 4 kann die Stromquelle S0 auf besonders einfache Weise dadurch erhalten werden, daß der Stromquelle nach F i g. 9 der zusätzliche Transistor T2' hinzugefügt wird. Der Kollektor des Transistors T2' wird dann mit der Basis des Transistors T1 der F i g. 4 verbunden.The power source shown in Fig. 9 can, for. B. also as a power source S in the Fi g. 1, 2, 4 and 5 can be used. In Fig. 4, the current source S 0 can be obtained in a particularly simple manner in that the current source according to FIG. 9 the additional transistor T 2 'is added. The collector of transistor T 2 ' is then connected to the base of transistor T 1 of FIG. 4 connected.

Es ist einleuchtend, daß sich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt und daß für den Fachmann im Rahmen der Erfindung viele Abwandlungen möglich sind. So können sowohl Bipolartransistoren als auch Feldeffekttransistoren verwendet werden. Auch können sowohl Feldeffekttransistoren mit einer η-leitenden Kanalzone als auch mit einer p-leitenden Kanalzone und vom Anreicherungstyp sowie vom VerarmungstypIt is obvious that the invention is not limited to the exemplary embodiments described and that many modifications are possible for those skilled in the art within the scope of the invention. So can both bipolar transistors and field effect transistors can be used. Also can both Field effect transistors with an η-conducting channel zone as well as with a p-conducting channel zone and of the enrichment type as well as the depletion type

verwendet werden.be used.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

Claims (15)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Vorrichtung zur nahezu verzerrungsfreien Umwandlung einer Signalspannung in einen Signalstrom oder umgekehrt, die einen ersten und einen zweiten Steuereingang und einen Ausgang für den Strom oder die Spannung enthält, wobei der erste Steuereingang mit der Steuerelektrode eines ersten Transistors verbunden ist, der ferner eine erste und eine zweite Elektrode besitzt, zwischen welchen Elektroden sich die Hauptstrombahn dieses ersten Transistors erstreckt, wobei die »weite Elektrode zugleich den zweiten Steuereingang bildet, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Kreis zwischen der ersten Elektrode lind einem Speisungspunkt eine hochohmige Stromquelle angeordnet ist, welche Elektrode ferner über eine StrornrücRRopplung mit der Steuerelektrode eines zweiten Transistors verbunden ist, dessen Hauptstrombahn in dem Kreis zwischen der zweiten Elektrode des ersten Transistors lind einem anderen Speisungspunkt angeordnet ist, wobei der Ausgang ein Punkt in dem letzteren Kreis ist.1. Device for almost distortion-free conversion of a signal voltage into a signal current or vice versa, a first and a second control input and an output for the current or the voltage, the first control input to the control electrode a first transistor further having first and second electrodes between which electrodes the main current path of this first transistor extends, the »The wide electrode also forms the second control input, characterized in that that in the circle between the first electrode there is a high-resistance supply point Power source is arranged, which electrode also has a current feedback with the Control electrode of a second transistor is connected, whose main current path in the circuit between the second electrode of the first transistor is arranged at a different feed point where the output is a point in the latter circle. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromrückkopplung die Kollektor-Emitter-Strecke eines dritten Transistors enthält, dessen Basis-Elektrode mit der zweiten Elektrode des ersten Transistors verbunden ist.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the current feedback the Contains collector-emitter path of a third transistor whose base electrode with the second Electrode of the first transistor is connected. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode durch den Kollektor des ersten Transistors und die zweite Elektrode durch den Emitter des ersten Transistors gebildet wird.3. Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the first electrode through the collector of the first transistor and the second electrode through the emitter of the first Transistor is formed. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gelkennzeichnet, daß der Kollektor des zweiten Transistors unmittelbar mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist, wobei der Ausgang durch den Emitter des zweiten Transistors gebildet wird.4. Apparatus according to claim 3, characterized in that the collector of the second Transistor is directly connected to the emitter of the first transistor, the output is formed by the emitter of the second transistor. 5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des zweiten Transistors über die Emitter-Kollektor-Strecke eines vierten Transistors mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist, wobei die Basis des vierten Transistors über Spannungsverschiebungsmittel mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist und wobei der Ausgang durch den Kollektor des zweiten Transistors gebildet wird.5. Apparatus according to claim 3, characterized in that the collector of the second Transistor across the emitter-collector path of a fourth transistor to the emitter of the first transistor is connected, the base of the fourth transistor via voltage shifting means is connected to the emitter of the second transistor and wherein the output is formed by the collector of the second transistor will. 6. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des zweiten Transistors über die Reihenschaltung der Emitter-Kollektor-Strecken einer Anzahl von Transistoren mit dem Eimitter des ersten Transistors verbunden ist, wobei die Basis jedes der Transistoren der Reihenschaltung über Spannungsverschiebungsmittel mit dem Emitter des darauffolgenden Transistors verbunden ist und wobei der Ausgang durch den Fmitter des mit dem ersten Transistor verbundenen Transistors der Reihenschaltung gebildet wird.6. Apparatus according to claim 3, characterized in that the collector of the second transistor via the series connection of the emitter-collector paths with a number of transistors is connected to the emitter of the first transistor, the base of each of the transistors of the series circuit via voltage shifting means to the emitter of the subsequent transistor is connected and where the output is through the Fmitter of the connected to the first transistor Transistor of the series circuit is formed. 7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die hochohmige Stromquelle einen Transistor enthält, dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist, welche Basis einerseits über eine Di-7. Device according to one of claims 3 to 6, characterized in that the high-resistance Current source contains a transistor whose base is connected to the base of the first transistor is what basis on the one hand via a di- ode mit einem Punkt konstanten Potentials und andererseits über einen Widerstand mit einem anderen Punkt konstanten Potentials verbunden ist, wobei der zweite Steuereingang schwebend ausgebildet ist.or with a point of constant potential and on the other hand via a resistor with another Point of constant potential is connected, the second control input floating is. 8. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, wobei die Basis-Emitter-Strecke des zweiten Transistors zu der Basis-Emitter-Strecke eines fünften Transistors parallel geschaltet ist und wobei der Ausgangsstrom dem Kollektor des fünften Transistors entnommen wird.8. Apparatus according to claim 4, characterized in that the output with a point constant potential is connected, the base-emitter path of the second transistor to the base-emitter path of a fifth transistor is connected in parallel and wherein the output current is taken from the collector of the fifth transistor. 9. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des zweiten Transistors über eine Diode mit einem Speisungspunkt verbunden ist, wobei die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors zu dieser Diode parallel geschaJ-tet ist und wobei dem Kollektor dieses Transistors der Ausgangsstrom der Vorrichtung entnommen wird.9. Apparatus according to claim 4, characterized in that the emitter of the second transistor is connected to a feed point via a diode, the base-emitter path of a transistor is connected in parallel to this diode and the collector of this transistor the output current of the device is taken. 10. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des zweiten Transistors mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, wobei die Basis dieses Transistors einerseits über eine Diode mit einem Punkt konstanten Potentials und andererseits mit dem Emitter eines Hilfstransistors verbunden ist, dessen Emitter-Basis-Strecke in die Stromrückkopplungsleitung aufgenommen ist, und wobei der Ausgangsstrom dem Kollektor des Hilfstransistors entnommen wird.10. The device according to claim 4, characterized in that the emitter of the second transistor is connected to a point of constant potential, the base of this transistor on the one hand via a diode with a point of constant potential and on the other hand with the emitter an auxiliary transistor is connected, the emitter-base path in the current feedback line is recorded, and wherein the output current is taken from the collector of the auxiliary transistor. 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des dritten Transistors über eine Diode mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist.11. Device according to one of claims 3 to 10, characterized in that the base of the third transistor is connected to the emitter via a diode of the first transistor is connected. 12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Kollektor-Strecke des dritten Transistors mit einer Kapazität überbrückt ist.12. Device according to one of claims 3 to 10, characterized in that the emitter-collector path of the third transistor is bridged with a capacitance. 13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des ersten Transistors übsr eine Diode mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist.13. Device according to one of claims 3 to 12, characterized in that the control electrode of the first transistor is a diode is connected to the emitter of the first transistor. 14. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode durch den Emitter des ersten Transistors und die zweite Elektrode durch den Kollektor des ersten Transistors gebildet wird.14. Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the first electrode through the emitter of the first transistor and the second electrode through the collector of the first Transistor is formed. 15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des zweiten Transistors unmittelbar mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, wobei der Ausgang durch den Kollektor des zweiten Transistors gebildet wird.15. The device according to claim 14, characterized in that the emitter of the second Transistor is directly connected to the collector of the first transistor, the output is formed by the collector of the second transistor.
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