DE2648577C2 - - Google Patents

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DE2648577C2
DE2648577C2 DE2648577A DE2648577A DE2648577C2 DE 2648577 C2 DE2648577 C2 DE 2648577C2 DE 2648577 A DE2648577 A DE 2648577A DE 2648577 A DE2648577 A DE 2648577A DE 2648577 C2 DE2648577 C2 DE 2648577C2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Realisierung einer mittels steuerbaren Stroms einer Stromquelle in ihrem Impedanzwert veränderbaren Impedanz nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a circuit arrangement for implementation one by means of controllable current of a current source in your Impedance value changeable impedance according to the generic term of Claim 1.

Eine solche Schaltungsanordnung ist bekannt (US-PS 37 61 741). Die bekannte Schaltungsanordnung kann zwar unter idealen Bedingungen zufriedenstellend arbeiten, jedoch treten zwei Schwierigkeiten auf, die diesen idealen Betrieb verhindern können. Wenn der Schaltungspunkt, der einen Pol der Impedanz darstellt, mit einem Verstärker oder einer anderen Schaltung verbunden wird, die einen nicht vernachlässigbaren Vorspannungsstrom benötigt, erzeugt dieser eine Abweichung zwischen den Potentialen der beiden Schaltungspunkte, die durch das Produkt des Eingangsstroms mit dem Wert der gesteuerten Impedanz bestimmt ist. Dieses Abweichungspotential ändert sich, wenn der Impedanzwert durch den steuerbaren Strom verändert wird, und die Unabhängigkeit zwischen dem Steuerstrom und dem zugeführten Signal wird hierdurch beeinträchtigt. Die Schaltungsanordnung befindet sich nicht mehr im Gleichgewicht und ist unsymmetrisch.Such a circuit arrangement is known (US-PS 37 61 741). The known circuit arrangement can work under ideal conditions work satisfactorily, but there are two difficulties that can prevent this ideal operation. If the Node that represents a pole of impedance with a Amplifier or other circuit that connects a required non-negligible bias current this is a deviation between the potentials of the two circuit points, by the product of the input current with the Value of the controlled impedance is determined. This potential for deviation changes when the impedance value is controlled by the Electricity is changing, and independence between that Control current and the supplied signal is affected. The circuit arrangement is no longer in balance and is asymmetrical.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine durch die Belastung des Einschaltpunktes hervorgerufene Unsymmetrie der bekannten Schaltungsanordnung auszugleichen. Diese Aufgabe wird grundsätzlich durch eine der Belastung des Einschaltpunktes entsprechende Belastung des anderen Schaltungspunktes gelöst, und diese Belastung wird durch die im Kennzeichenteil des Anspruchs 1 aufgeführten Maßnahmen erreicht.The invention is therefore based on the object by Loading of the switch-on point caused asymmetry of the Compensate known circuitry. This task will basically by one of the loading of the switch-on point the corresponding load on the other switching point is released, and this burden is caused by the in the characterizing part of the claim 1 listed measures achieved.

Der für die Praxis wichtigste Fall der Belastung des Eingangs ist natürlich die Belastung mit einer Verstärkereingangsstufe. Da der Strom, der diese Verstärkereingangsstufe speisen soll, nicht konstant ist, wird in diesem Falle gemäß Anspruch 2 die erfindungsgemäß vorgesehene zusätzliche Stromquelle über einen eben dieser Verstärkungsstufe im wesentlichen identischen Verstärker angeschlossen, so daß die Belastung tatsächlich exakt nachgebildet werden kann. In der Regel ist jedoch ein solcher Aufwand nicht erforderlich, es genügt eine Nachbildung gemäß Anspruch 3.In practice, the most important case is the loading of the entrance of course the load with an amplifier input stage. Since the Current that is to feed this amplifier input stage is not constant is, in this case according to claim 2, the one provided according to the invention additional power source via one of these amplification stages essentially identical amplifier connected so that the load can actually be reproduced exactly. In the  However, such an effort is generally not necessary, it is sufficient a replica according to claim 3.

Oben wurde erwähnt, daß bei der bekannten Schaltungsanordnung zwei Schwierigkeiten auftreten, die den gewünschten idealen Betrieb verhindern können. Die zweite Schwierigkeit entsteht dann, wenn die bekannte Schaltungsanordnung über einen Bereich gesteuert werden soll, bei dem nur noch sehr kleine Steuerströme gefordert werden. Bei sehr kleinen Strömen wird nämlich unter Umständen der Minimalstrom unterschritten, der zum Betrieb des Transistorpaares Q 3, Q 4 des einen Leitfähigkeitstyps benötigt wird, so daß der von diesen gebildete Teil der Schaltungsanordnung wirkungslos wird. Dieses Wirkungslos werden kann nun gemäß einer speziellen Ausbildung der Erfindung beseitigt werden, indem durch eine zusätzliche Belastung des Eingangs ein gewisser Minimalstrom durch das Transistorpaar erzwungen wird, und zwar dank der Erfindung, durch die ja diese Belastung des einen Schaltungspunktes ausgeglichen wird.It was mentioned above that there are two difficulties in the known circuit arrangement which can prevent the desired ideal operation. The second difficulty arises when the known circuit arrangement is to be controlled over a range in which only very small control currents are required. In the case of very small currents, the minimum current required to operate the transistor pair Q 3, Q 4 of one conductivity type may be fallen short of, so that the part of the circuit arrangement formed by them becomes ineffective. This ineffectiveness can now be eliminated according to a special embodiment of the invention by forcing a certain minimum current through the pair of transistors through an additional load on the input, thanks to the invention by which this load on the one circuit point is compensated for.

Die Erfindung soll anhand der Zeichnung näher erläutert werden; es zeigen:The invention will be explained in more detail with reference to the drawing; show it:

Fig.1 eine Schaltungsanordnung bekannter Art und Fig. 1 shows a circuit arrangement of known type and

Fig. 2 bis 4 Schaltbilder von Ausführungsformen der Erfindung. Fig. 2 to 4 are circuit diagrams of embodiments of the invention.

Eine aus der US-Patentschrift 37 61 741 bekannte Schaltung ist in Fig.1 angegeben. In der folgenden kurzen Beschreibung wird angenommen, daß die Stromverstärkung der Transistoren hoch ist und daß daher die Kollektorströme gleich den Emitterströmen sind, während die Basisströme vernachlässigt werden können. Es wird ferner angenommen, daß der Transistor Q 3 identisch mit dem Transistor Q 4 ist und der Transistor Q 1 identisch mit Transistor Q 2.A circuit known from US Pat. No. 3,761,741 is shown in FIG. 1. In the following brief description it is assumed that the current gain of the transistors is high and therefore the collector currents are equal to the emitter currents, while the base currents can be neglected. It is also assumed that transistor Q 3 is identical to transistor Q 4 and transistor Q 1 is identical to transistor Q 2 .

Die Schaltung enthält eine Steuerstromquelle 10, deren Strom I v auf zwei Zweige 11 und 12 aufgeteilt ist, die die NPN-Transistoren Q 1 und Q 2 enthalten.The circuit contains a control current source 10 , the current I v of which is divided into two branches 11 and 12 , which contain the NPN transistors Q 1 and Q 2 .

Die Transistoren Q 3 und Q 4 bilden eine Gegentaktschaltung, in der der von dem Transistor Q 3 aufgenommene Strom einen im wesentlichen gleichen Strom durch den Transistor Q 4 ergibt, weil gemeinsame Basis- und Emitteranschlüsse für Q 3 und Q 4 vorgesehen sind. In der Praxis werden auch kompliziertere Gegentaktschaltungen benutzt, jedoch bleibt das Arbeitsprinzip unverändert (siehe die obengenannte US-Patentschrift).The transistors Q 3 and Q 4 form a push-pull circuit in which the current absorbed by the transistor Q 3 current is given a substantially equal current through the transistor Q 4, because common base and emitter terminals of Q 3 and Q are provided. 4 In practice, more complex push-pull circuits are used, but the principle of operation remains unchanged (see the above-mentioned US patent).

Wenn ein Steuerstrom I v von den Emittern der Transistoren Q 1 und Q 2 aufgenommen wird, ergibt sich ein Strom I c ₁ in dem Transistor Q 3, und infolge der Gegentaktschaltung ist der Strom I c ₂ in dem Transistor Q 4 und Q 2 gleich I c ₁. Da Q 1 und Q 2 gleiche Kollektorströme führen, müssen auch ihre Basis-Emitterpotentiale die gleichen sein. Beim Fehlen eines von außen zugeführten Signals führt die Eingangsklemme 13 (die Basis von Q 2) Erdpotential unabhängig von dem Wert des Steuerstromes I v , wenn man annimmt, daß das Bezugspotential an der Basis von Q 1 das Erdpotential ist, wie in der Zeichnung angegeben.If a control current I v is received by the emitters of the transistors Q 1 and Q 2 , a current I c ₁ results in the transistor Q 3, and as a result of the push-pull circuit, the current I c ₂ in the transistors Q 4 and Q 2 is the same I c ₁. Since Q 1 and Q 2 carry the same collector currents, their base-emitter potentials must also be the same. In the absence of an externally supplied signal, the input terminal 13 (the base of Q 2 ) carries ground potential regardless of the value of the control current I v , assuming that the reference potential at the base of Q 1 is the ground potential, as indicated in the drawing .

Wenn eine Signalspannung v s der Eingangsklemme 13 zugeführt wird, fließt ein Signalstrom i s. Das Verhältnis von v s zu i s bestimmt die Impedanz R v an der Eingangsklemme und ist durch die in Vorwärtsrichtung vorgespannten Basis-Emitterübergänge von Q 1 und Q 2 gegeben. Diese Impedanz ist annähernd umgekehrt proportional dem Steuerstrom I v .When a signal voltage v s is supplied to the input terminal 13 , a signal current i s flows . The ratio of v s to i s determines the impedance R v at the input terminal and is given by the forward-biased base-emitter junctions of Q 1 and Q 2 . This impedance is approximately inversely proportional to the control current I v .

Es kann insbesondere bei integrierten Schaltungen notwendig sein, die Eingangsklemme 13 einer derartigen gesteuerten Impedanz direkt mit dem Eingang eines Verstärkers zu verbinden und dieser Verstärker kann der Eingangsklemme einen Vorspannungsstrom I B entnehmen. Dieser Vorspannungsstrom erzeugt eine Spannungsabweichung der Größe I B R v vom Erdpotential und da R v sich mit dem Steuerstrom I v ändert, verändert sich auch die Abweichung. Die Unabhängigkeit zwischen dem Steuerstrom I v und dem Eingang zugeführten Signal geht daher verloren und die Schaltung befindet sich nicht mehr im Gleichgewicht. In particular in the case of integrated circuits, it may be necessary to connect the input terminal 13 of such a controlled impedance directly to the input of an amplifier, and this amplifier can draw a bias current I B from the input terminal. This bias current produces a voltage deviation of the magnitude I B R v from the earth potential and since R v changes with the control current I v , the deviation also changes. The independence between the control current I v and the input signal is therefore lost and the circuit is no longer in equilibrium.

In einer integrierten Schaltung nach Fig.1 oder auch komplizierteren Beispielen sind in der Gegentaktschaltung gewöhnlich Halbleitervorrichtungen wie PNP-Transistoren vorgesehen, deren Anpassung bezüglich der Stromverstärkung bei sehr kleinen Emitterströmen zu wünschen übrig läßt. Bei sehr kleinen Steuerströmen, z. B. von 1 µA oder weniger, hört die Ausgleichswirkung auf und die Eingangsklemme bleibt nicht mehr auf Erdpotential. Wiederum geht die Unabhängigkeit zwischen dem Steuerstrom und dem an der Eingangsklemme zugeführten Signal verloren.In an integrated circuit according to FIG. 1 or also more complicated examples, semiconductor devices such as PNP transistors are usually provided in the push-pull circuit, the adaptation of which in relation to the current amplification leaves something to be desired with very small emitter currents. With very small control currents, e.g. B. of 1 µA or less, the equalizing effect stops and the input terminal no longer remains at earth potential. The independence between the control current and the signal fed to the input terminal is lost again.

Wenn ein derartiges Ungleichgewicht oder eine Abweichung durch den Strom I B , der von der Eingangsklemme aufgenommen wird, auftritt, sei es als Verstärkereingangsstrom oder anderweitig, kann diese Unsymmetrie durch die Erfindung gemäß dem Ausführungsbeispiel der Fig. 2 behoben werden, indem ein gleicher Strom am Punkt 14 im Zweig 11 entnommen wird. Der Steuerstrom I v erzeugt an Q 1 einen Kollektorstrom I c ₁, jedoch ist nun der Strom in Q 3 gleich I c ₁+I B . Dies wird spiegelbildlich ausgeglichen in Q 4, so daßIf such an imbalance or a deviation by the current I B , which is received by the input terminal, occurs, be it as an amplifier input current or otherwise, this asymmetry can be corrected by the invention according to the embodiment of FIG. 2 by an equal current at Point 14 is taken from branch 11 . The control current I v generates a collector current I c ₁ at Q 1 , but now the current in Q 3 is equal to I c ₁ + I B. This is mirrored in Q 4, so that

I c ₂ = (I c ₁ + I B ) - I B = I c I c ₂ = (I c ₁ + I B ) - I B = I c

ist.is.

Die Ströme durch Q 1 und Q 2 sind wie vorher einander gleich und das Potential an der Eingangsklemme 13 befindet sich auf Erdpotential.The currents through Q 1 and Q 2 are the same as before and the potential at the input terminal 13 is at ground potential.

Der Strom I B , der die ursprüngliche Abweichung hervorruft, ist der Eingangsbasisstrom eines Verstärkers mit einer Eingangsstufe, wie sie in Fig. 2 dargestellt ist. Die paarweise Anordnung kann Transistoren in Darlington- Schaltung Q 5 und Q 6 enthalten, um die Größe des Basisstromes zu vermindern und den Eingangswiderstand (nach Fig. 3) zu erhöhen. Die an den Punkt 14 angeschlossene Korrekturstromentnahme kann dann einen weiteren im wesentlichen identischen Verstärker enthalten, der Transistoren verwendet, die an die Gegenstücke im ersten Verstärker angepaßt sind und daher gleiche Eingangsströme haben. Eine solche komplizierte Schaltung ist jedoch gewöhnlich nicht erforderlich und die Korrekturschaltung kann daher der Hälfte der Eingangsstufe des Verstärkers ähneln wie dies in Fig. 2 dargestellt ist; Q 7 sollte an Q 5 und Q 6 von Fig. 2 angepaßt sein und einen Strom I T / 2 von Q 5 führen, d. h. die Hälfte des Gesamtstromes I T , der von Q 5 und Q 6 geführt wird.The current I B , which causes the original deviation, is the input base current of an amplifier with an input stage, as shown in Fig. 2. The paired arrangement can include transistors in Darlington circuit Q 5 and Q 6 in order to reduce the size of the base current and to increase the input resistance (according to FIG. 3). The correction current drain connected at point 14 can then contain a further essentially identical amplifier which uses transistors which are matched to the counterparts in the first amplifier and therefore have the same input currents. However, such a complicated circuit is usually not required and the correction circuit can therefore be similar to half the input stage of the amplifier as shown in Fig. 2; Q 7 should match Q 5 and Q 6 of FIG. 2 and carry a current I T / 2 of Q 5 , ie half of the total current I T which Q 5 and Q 6 carry.

Wenn der Abweichungsstrom die entgegengesetzte Polarität hat, z. B. infolge der Verwendung von PNP-Transistoren in der Verstärkereingangsstufe, kann das gleiche Verfahren zur Wiederherstellung der Symmetrie verwendet werden, jedoch mit entgegengesetzter Polarität der Kompensationsschaltung.If the residual current is the opposite Has polarity, e.g. B. due to the use of PNP transistors in the amplifier input stage, can do the same Methods used to restore symmetry but with the opposite polarity of the compensation circuit.

Wenn eine Unsymmetrie bei niedrigen Werten des Steuerstromes I v auftritt, dadurch daß die Stromausgleichsschaltung Q 3, Q 4 unwirksam ist, ist es möglich, die Symmetrie dadurch zu verbessern, daß die Minimalströme durch die Transistoren Q 3 und Q 4 angehoben werden, indem sie gleiche, normalerweise jedoch nicht notwendigerweise feste Ströme I B den Punkten 13 und 14 entnehmen, indem ein Transistor Q 8 an den Punkt 13 angeschlossen ist. Da der Wert der veränderbaren Impedanz R v von den Strömen in den Transistoren Q 1 und Q 2 abhängt und nicht von den Strömen in der Stromausgleichsschaltung abhängig ist, beeinflussen die Extrastromentnahmen nicht den Wert von R v . Da die Minimalströme in der Ausgleichsschaltung nunmehr gleich oder größer als I B sind, arbeitet die Stromausgleichschaltung niemals mit so kleinen Strömen, daß ihre Wirkungsweise verlorengeht. If an asymmetry occurs at low values of the control current I v due to the fact that the current compensation circuit Q 3, Q 4 is ineffective, it is possible to improve the symmetry by increasing the minimum currents through the transistors Q 3 and Q 4 by: the same, but not necessarily fixed currents I B can be found in points 13 and 14 by connecting a transistor Q 8 to point 13 . Since the value of the variable impedance R v depends on the currents in the transistors Q 1 and Q 2 and is not dependent on the currents in the current balancing circuit, the extra current draws do not influence the value of R v . Since the minimum currents in the equalization circuit are now equal to or greater than I B , the current equalization circuit never works with such small currents that their mode of operation is lost.

Es sei darauf hingewiesen, daß wenn keine Schwierigkeiten bezüglich kleiner Ströme in Q 3 und Q 4 bestehen, es nicht notwendig ist, den Transistor Q 8 vorzusehen. Diese Alternative ist in Fig. 3 dargestellt. Wenn der Transistor Q 8 verwendet wird, sollte der von Q 7 aufgenommene Strom I B gleich dem Gesamtstrom durch Q 8 und einer eventuellen weiteren Schaltung, z. B. Q 5, sein, die an die Klemme 13 angeschlossen ist. Wenn die an die Klemme 13 angeschlossene Schaltung keinen Strom aufnimmt, dann führen Q 7 und Q 8 gleiche Ströme I B . Diese Alternative ist in Fig. 4 dargestellt.It should be noted that if there are no problems with small currents in Q 3 and Q 4 , it is not necessary to provide transistor Q 8 . This alternative is shown in Fig. 3. If transistor Q 8 is used, the current I B consumed by Q 7 should equal the total current through Q 8 and any further circuitry, e.g. B. Q 5, which is connected to terminal 13 . If the circuit connected to terminal 13 does not draw any current, then Q 7 and Q 8 carry the same currents I B. This alternative is shown in Fig. 4.

In der in Fig. 3 dargestellten Schaltung ist der an die Eingangsklemme 13 angeschlossene Verstärker, der den Eingangsvorspannungsstrom I B aufnimmt, als paarweise ausgeführter Verstärker dargestellt, dessen kombinierter Emitterstrom I T durch einen Transistor Q 9 und seinen Emitterwiderstand R1 bestimmt ist. Die beiden Hälften der paarweisen Schaltung (long-tailed pair) werden durch Transistorpaare Q 5 A, Q 5 B und Q 6 A, Q 6 B in Darlington-Schaltung gebildet. Der Kompensationsstrom I B an dem Punkt 14 ist der Basisvorspannstrom, der von einem weiteren Darlington- Paar Q 7 A, Q 7 B aufgenommen wird, das an Q 5 A, Q 5 B angepaßt ist und bei dem der Emitterstrom I T /2 durch einen Transistor Q 10 und seinen Emitterwiderstand R 2 bestimmt ist.In the circuit shown in FIG. 3, the amplifier connected to the input terminal 13 , which receives the input bias current I B , is shown as a paired amplifier whose combined emitter current I T is determined by a transistor Q 9 and its emitter resistor R 1. The two halves of the paired circuit (long-tailed pair) are formed by transistor pairs Q 5 A, Q 5 B and Q 6 A, Q 6 B in a Darlington connection. The compensation current I B at point 14 is the base bias current which is taken up by a further Darlington pair Q 7 A, Q 7 B , which is matched to Q 5 A, Q 5 B and at which the emitter current I T / 2 through a transistor Q 10 and its emitter resistor R 2 is determined.

Um einen höheren Wert der gesteuerten Impedanz zu erhalten, kann jeder Zweig 11 und 12 mehrere Übergänge in Reihe mit den Basis-Emitterübergängen Q 1 und Q 2 enthalten, wobei die zusätzlichen Übergänge als Dioden D dargestellt sind, obwohl in der Praxis durch Transistoren in Diodenschaltung verwendet werden können, wie sich aus der oben erwähnten US-Patentschrift ergibt. Infolge der erhöhten Anzahl von Übergängen (vier pro Zweig in Fig. 3 und fünf pro Zweig in Fig. 4) ist es nicht länger angezeigt, die Bezugsspannung an der Basis von Q 1 auf Erdpotential zu legen. Die Spannung kann etwa die Hälfte der Betriebsspannung +V betragen. Die Stromausgleichsschaltung ist bei 15 angedeutet.In order to obtain a higher controlled impedance value, each branch 11 and 12 may include several junctions in series with the base-emitter junctions Q 1 and Q 2 , the additional junctions being represented as diodes D , although in practice by diode-connected transistors can be used, as is apparent from the above-mentioned US patent. Due to the increased number of transitions (four per branch in Fig. 3 and five per branch in Fig. 4), it is no longer appropriate to place the reference voltage at the base of Q 1 at ground potential. The voltage can be about half of the operating voltage + V. The current compensation circuit is indicated at 15 .

Die Transistoren Q9 und Q10 der Stromquelle sind aneinander angepaßt und mit ihren miteinander verbundenen Basen an ein Vorspannungspotential gelegt, das etwa zwei Übergangsspannungen gegen Erde beträgt. Damit der Kollektorstrom I T von Q 10 gleich der Hälfte desjenigen von Q 9 ist, hat der Widerstand R 2 etwa den zweifachen Wert wie R 1.The transistors Q 9 and Q 10 of the current source are matched to one another and, with their bases connected to one another, are connected to a bias potential which is approximately two transition voltages to ground. So that the collector current I T of Q 10 is half that of Q 9 , the resistance R 2 is approximately twice the value of R 1 .

In Fig. 4 wird angenommen, daß die an die Klemme 13 angeschlossene Schaltung keinen Vorspannungsstrom führt, sondern daß es wünschenswert ist, einen Strom I B von z. B. 4 µA an den Punkten 13 und 14 zu entnehmen, um die richtige Wirkungsweise der Ausgleichsschaltung 15 sicherzustellen. Stromableitungen mit einer Größe von 4 µA sind an die Punkte 14 und 13 angeschlossen und werden durch NPN-Transistoren Q 11 und Q 12 gebildet, deren Basisanschlüsse miteinander verbunden sind und an ein kleines festes Vorspannungspotential (etwa 2V be ) angeschlossen sind, während die Emitter über angepaßte Widerstände R 3 und R 4 von 150 kΩ an Erde liegen.In Fig. 4 it is assumed that the circuit connected to terminal 13 does not carry a bias current, but that it is desirable to have a current I B of e.g. B. 4 uA at points 13 and 14 to ensure the correct operation of the equalization circuit 15 . Current leads with a size of 4 μA are connected to points 14 and 13 and are formed by NPN transistors Q 11 and Q 12 , whose base connections are connected to one another and are connected to a small fixed bias potential (approximately 2 V be ) , while the Emitters are connected to earth via matched resistors R 3 and R 4 of 150 kΩ.

Claims (5)

1. Schaltungsanordnung zur Realisierung einer mittels des steuerbaren Stroms einer Stromquelle in ihrem Impedanzwert veränderbaren Impedanz, die besteht aus:
  • a) der Parallelschaltung zweier hinsichtlich ihrer Emitter- Kollektor-Strecken in Serie geschalteten Transistoren (Q 3, Q 1 bzw. Q 4, Q 2), wobei Q 3 und Q 4 Transistoren eines Leitfähigkeitstyps und Q 1 und Q 2 Transistoren des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps sind,
  • b) die Emitter-Anschlüsse der Transistoren Q 3 und Q 4 mit einer Spannungsquelle und die Emitteranschlüsse der Transistoren Q 1 und Q 2 mit der Stromquelle (10) verbunden sind,
  • c) einer Verbindung des Kollektors des Transistors Q 2 mit seiner Basis, die als Schaltungspunkt (13) den einen Pol der Impedanz darstellt,
  • d) einer Verbindung des Kollektors des Transistors Q 3 mit seiner Basis und mit der Basis des Transistors Q 4 die mit dem Schaltungspunkt (14) potentialgleich ist und
  • e) einer Verbindung der Basis des Transistors Q 1 mit Masse, die den anderen Pol der Impedanz darstellt,
1. Circuit arrangement for realizing an impedance whose impedance value can be changed by means of the controllable current of a current source, which comprises:
  • a) the parallel connection of two transistors connected in series with respect to their emitter-collector paths ( Q 3, Q 1 and Q 4, Q 2 ), where Q 3 and Q 4 transistors of one conductivity type and Q 1 and Q 2 transistors of the opposite conductivity type are,
  • b) the emitter connections of the transistors Q 3 and Q 4 are connected to a voltage source and the emitter connections of the transistors Q 1 and Q 2 are connected to the current source ( 10 ),
  • c) a connection of the collector of the transistor Q 2 to its base, which represents the one pole of the impedance as the circuit point ( 13 ),
  • d) a connection of the collector of the transistor Q 3 to its base and to the base of the transistor Q 4 which is equipotential with the node ( 14 ) and
  • e) connecting the base of transistor Q 1 to ground, which is the other pole of the impedance,
dadurch gekennzeichnet, daß
  • f) zum Ausgleich einer Belastung am Schaltungspunkt (13) am Schaltungspunkt (14) über die Basis-Emitterstrecke eines Transistors Q 7 eine zusätzliche Stromquelle angeschlossen ist.
characterized in that
  • f) an additional current source is connected to compensate for a load at the circuit point ( 13 ) at the circuit point ( 14 ) via the base-emitter path of a transistor Q 7 .
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Belastung am Schaltungspunkt (13) aus einer Verstärkereingangsstufe besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung des Transistors (Q 7; Q 7 A, Q 7 B) der Verstärkereingangsstufe (Q 5; Q 6; Q 5A, Q 5 B, Q 6 A, Q 6 B) im wesentlichen identisch ist.2. Circuit arrangement according to claim 1, wherein the load at the node ( 13 ) consists of an amplifier input stage, characterized in that the circuit of the transistor (Q 7; Q 7 A , Q 7 B) of the amplifier input stage (Q 5; Q 6; Q 5 A, Q 5 B, Q 6 A, Q 6 B) is essentially identical. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung des Transistors (Q 7; Q 7 A, Q 7 B) einer Hälfte der Verstärkereingangsstufe (Q 5; Q 6; Q 5A, Q 5 B, Q 6 A, Q 6 B) entspricht.3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the circuit of the transistor (Q 7; Q 7 A, Q 7 B) of one half of the amplifier input stage (Q 5; Q 6; Q 5 A, Q 5 B, Q 6 A, Q 6 B) . 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Belastung (Q 8; Q 12, R 4) des Schaltungspunkts (13) eine Stromquelle für den Minimalstrom des Transistorpaares (Q 3, Q 4; 15) bildet.4. A circuit arrangement according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the additional load (Q 8; Q 12, R 4 ) of the node ( 13 ) forms a current source for the minimum current of the pair of transistors (Q 3, Q 4; 15 ) .
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