DE2132188B2

DE2132188B2 - Method of forming flat adhesive patterns on surfaces

Info

Publication number: DE2132188B2
Application number: DE19712132188
Authority: DE
Inventors: Leopold Dr. Salzburg Hiesinger (Oesterreich)
Original assignee: Dr Johannes Heidenhain GmbH
Current assignee: Dr Johannes Heidenhain GmbH
Priority date: 1971-06-29
Filing date: 1971-06-29
Publication date: 1973-09-13
Also published as: DE2132188A1

Description

Die Erfindung betrifft ein λ erfahren zum Ausbilden von fläehenhafien Mustern auf Oberflächer durch .Aufbringen eines Fotolacko. mustermäßisies Kopieren desselben und Aufbringen der BikKchicht.The invention relates to a λ experience for training of flat patterns on surfaces .Applying a photoresist. pattern copying the same and application of the BikKchicht.

In der deutscher, Patentschrift SK)Z 71? ist ein Verfahren zur Herstellung fiächenhafter Muster au' Oberflächen beschrieben, das folgende W 'fahrensschritte enthält.In the German patent specification SK) Z 71? is a procedure for the production of two-dimensional patterns on surfaces, the following steps are described contains.

Zunächst wird auf einen Träger eine fotolithografische Maske aufgebracht. Hierauf wird eine Schicht, die sogenannte bildaufbauende Schicht, über den gesamten Träger und die fotolithografischc Maske aufgebracht. Hierauf wird die fotoikhografische Maske abgelöst, so daß auch die auf ihr liegenden Teile der bildaufbauenden Schicht ihren Halt \erlicren uiu! nur noch die Teile der bildaufbauenden Schicht zurückbleiben, die unmittelbar auf der Trägerobertläche licgen. Es ist auch ein anderes Verfahren zur Herstellung flächenhaftcr Muster bekannt, bei dem die bildaufbauende Schicht zuerst auf die Trägeroberfläche aufgebracht wird und hiernach erst darüberliegend die fotolithogratische Maske angefertigt wird. Hierauf erfolgt bei diesem Verfahren eine Durchätzung der bildaufbauenden Schicht an den frei liegenden Stellen. Das letztgenannte Verfahren hat den Nachteil, daß die Atzmittel für die bildaufbauende Schicht in vielen !•'allen notwendigerweise so aggressiv sind, daß die fotolitliografische Maske dieser Beanspruchung nielli standhält. Das erstgenannte Verfahren dagegen zeigt gelegentlich Schwierigkeiten beim Ablösen der lithografischen Schicht, insbesondere dann, wenn ti ic bildaufbauende Schicht eine erhebliche Picke aufweist. I-'erner ist es auch beim erstgenannten Verfahren möglich, daß die Lösungsmittel für die fotolithografi.ehe Maske die bildaufbauende Schicht oder the I nterlasicFirst, a photolithographic mask is applied to a carrier. Then there is a layer the so-called image-forming layer, applied over the entire substrate and the photolithographic mask. The photoikographical mask is then removed so that the parts of the image-building layer its hold uiu! only the parts of the image-forming layer still remain which lie directly on the carrier surface. Another method of producing two-dimensional patterns is also known, in which the image-forming Layer is first applied to the carrier surface and then only overlying the photolithographic mask is made. In this method, the image-forming ones are then etched through Layer in the exposed areas. The latter method has the disadvantage that the Etchants for the image-forming layer in many! • 'all are necessarily so aggressive that the photolithiographic mask nielli withstands this stress. The former against it occasionally shows difficulty removing the lithographic layer, especially if ti ic image-forming layer has a significant peck. In addition, it is also possible with the first-mentioned procedure, that the solvents for the fotolithografi.ehe Mask the image-building layer or the interlasic

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55 ansireifen. Nähere Ausführunzen hierzu -iehe das Buch Handbook of Thin Film Technology- \on Leon 1 M a i ^ s e 1 und Rei.ihard G 1 a η g. McGraw-Hill Verlas:. New York. i°"0. S. ~-4Q. 55 to mature. More detailed information on this - see the book Handbook of Thin Film Technology- \ on Leon 1 M ai ^ se 1 and Rei.ihard G 1 a η g. McGraw-Hill Verlas :. New York. i ° "0. S. -4Q.

Die" Erfindung will unter Wahrung der Vorteile des erstgenannten bekannten Verfahrens entscheidende Yerbcs-erunsien bei diesem und bei ähnlichen Verfahren bewirken. Die Erfindung macht sich die neuartige Erkenntnis zunutze. daß es möglich ist. feste organische Stoffe unter Wahrung ihres festen Agsrcgatzustandes durch Einwirkung eines Hochfrequenzplasmas in gewünschter Weise chemisch umzusetzen. L'nter pl.-.vr_;.ichemischer Umsetzung soll hier eine chemische Veränderung des ¹^ -fies verslanden werden, die unter Γ.ίη- -.-rl-urs: e - Hoc'nfrequenzplasmaentiadune vor «ich sieht. ■■■ hei das Plasma reaktive K'.omponerien enthält. Diese können z. B. durch Zudosieren e^:-_-s reaktiven Gases zu einem Edelgas in das Plasma eingeführt werden.The "invention aims to bring about decisive yerbings in this and similar processes while maintaining the advantages of the first-mentioned known process. The invention makes use of the novel knowledge that it is possible to use solid organic substances while maintaining their solid aggregate state through the action of a high-frequency plasma chemically convert in the desired manner. L'nter pl .-. vr _; .ichemischer conversion a chemical change of the ¹ ^ -fies is to be landed here, which under Γ.ίη- -.- rl-urs: e - Hoc'nfrequenzplasmaentiadune before "I see ■■■ hei contains the plasma reactive K'.omponerien This can, for example, by metering ^e:.. are introduced -_- s reactive gas to an inert gas into the plasma..

Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe dadurch, daß die Fotolackschicht durch chemische Umsetzung :■-.'·.-Lc-Is einer Hochfrequenzplasmaentladung in W. _-- leichter löslich gemacht wird, in dem sie ohne ■:'. .· plasmachemische Umsetzung nicht oder nr -e'-.r schwer löslich wäre.The invention solves the problem in that the photoresist layer is made more easily soluble by chemical conversion: ■ -. '·.-Lc-Is of a high-frequency plasma discharge in W. _-- by making it more easily soluble without ■:'. . · Plasma-chemical conversion not or no -e '-. R would be difficult to dissolve.

Aus dem bereits erwähnten Euch »Handr . : of Thin Film Technology.. S. 7-52. ist es bereits be k :·.:-.: ι. eine fotolithosrafische Maske durch Erhitzen in re^;nc;-i Sauerstoff völlig zu \erflüchtigen. Der Anme'iOLr.: ■ eeuenstand unterscheidet sich von diesem bekar,:-.-_-;i Verfahren dadurch, daß die fotolithografische M..·■· ·; in ihrer äußeren Gc Miietrie erhalten bleibt. Nur s. ,; die Anwendung aui die eingangs erwähnten fot■■!': grafischen \ erfahren der ersten Art möglich. i-\ .·.; auch bekannt. Fotoresistmasken durch sogenar;-;.-s Sputtern <s. gleiche Literaturstelle. S. 7-52) ah/u:ncen. Weiterhin ist bekannt, daß Fotolackmasken. ^: c einer Gasentladung ausgesetzt werden, zerstört und ;-:i hö'uerer Leistung sogar verkohlt werden. Auf jeden ]'.:'·,[ werden solche Masken, soweit dies nach dem deryeiti-■len Stand der Technik bekannt ist. immer so verändert, daß die weitere Entfernung der Maskenhilfssc'r—vi außerordentlich schwierig ist.From the already mentioned you »Handr. : of Thin Film Technology .. pp. 7-52. is it already be k: ·.: - .: ι. a photolithographic mask by heating in re ^; nc; -i to \ volatilize oxygen completely. The anme'iOLr .: ■ eeuenstand differs from this known: -.-_-; i process in that the photolithographic M .. · ■ · ·; is retained in its external symmetry. Only s.,; the application to the photos mentioned at the beginning! ': graphic experience of the first kind is possible. i- \. · .; also known. Photoresist masks by so-called sputtering <s. same reference. P. 7-52) ah / u: ncen. It is also known that photoresist masks. ^: c be exposed to a gas discharge, destroyed and; -: i higher power even charred. On each ] '.:' ·, [ are such masks, as far as this is known from the current state of the art. always changed in such a way that the further removal of the mask auxiliary sc'r-vi is extremely difficult.

"Andererseits zeichner, sich die Verfahren zum Aufbringen dicker Schichten aus Materialien, wie -. für die Technologie bei der He^tellung \on fläc'.-.enliaften Mustern vorzugsweise interessant sind, dauurch aus. daß diese Schichten gegenüber gleichartigen, im Hoch\akuuni-Aufdampf\ erfahren hergestellten Schichten bekannterweise große Vorzüge aufweisen. Überraschenderweise wurde gefunden, daß bei geeigneter Vorbehandlung der Fotolackmasken in einem Plasma mit reaktivem Zusatz das Maskenmaterial chemisch so umgesetzt werden kann, daß die Maske auch bei einer beliebig langen und sehr leistungsstarken, darauffolgenden Kathodenzerstäubung mit Metallen, z. B. bei der Beschichtung mit verhältnismäßig dicken Chromschichten stabil bleibt und sich während der Chrombeschiclitung nicht mehr verändert. Es können z. B. in einer leistungsstarken Entladung Chromschichlen bis zu 1 ;xm dick mit einer Rate von 0.05 μηι min in einem Hochfrequenzplasma aufgestäubt werden, ohne daß die plasmachemisch vorbehandclte Maske degeneriert. Dagegen werden plasmachemisch nicht vorbeiuiiidelte Masken aus dem gleichen Fotolack bereits in kürzester Zeit und beim Aufbringen von Schichten von weniger als 0.01 um fehlerhaft bzw. zerstört. Besonders wertvoll ist die Erfmduns desweaen. weil die nach dem"On the other hand, drawers themselves the procedure for Applying thick layers of materials such as -. for the technology in the production of fläc '.-. enliaften Patterns are preferably interesting throughout the end. that these layers, compared to similar layers, were produced in high-level vapor deposition Layers are known to have great merits. Surprisingly, it has been found that with a suitable Pretreatment of the photoresist masks in a plasma with reactive additive, the mask material can be chemically reacted in such a way that the mask can be used even with a very long and powerful, subsequent cathode sputtering with metals, e.g. B. when coating with relatively thick Chromium layers remain stable and no longer change during the chromium plating. It can z. B. in a powerful discharge chrome layers up to 1; xm thick at a rate of 0.05 μm min in be sputtered on a high-frequency plasma without the plasma-chemically pretreated mask degenerating. On the other hand, plasma-chemical does not overtake it Masks made from the same photoresist in a very short time and when applying layers of less than 0.01 µm faulty or destroyed. The invention of desweaen is particularly valuable. because after the

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beschriebenen Verfahren plasmachemisch unbesetzten Masken bi> zu einer Genauigkeit, die Bruchteile eines μΐη beträgt, maßhaltig bleibe;-. Die gewünschte plasimicheiTnsche L msetzung geling! nicht nur mil einem bestimmten Fotolack, sondern in deich euter Weise irii allen gängigen fotoempnndüchen Hochpolvmi-tvn. Π.is Ergebnis einer weiteren \ orieilhaften Ausbildung der Enindung besteht dann, d.-.ß die r>la>macheiri-sch umgesetzte Fotolaekmaske /v.-r nicht mehr indescribed method plasma-chemically unoccupied Masks bi> to an accuracy that is fractions of a μΐη, stay true to size; -. The desired plasma properties Successful implementation! not only with a certain photoresist, but in a very good way irii all common photo sensitivity high-voltage tvn. Π.is the result of a further \ orieil-like development of the connection then exists, d .-. Ss the r> la> macheiri-sch converted photo mask / v.-r no longer in

188 dem üblichen Lösungsmitlei für den betreffenden Fotoresist löslich bzw . quellbar ist ι sie ist eben chemisch /u einer anderen Substanz plasmachemisch \erändert worden), Dafür aber kann die plasmachemisch? Reaktion ■ epriKlu/ierbar so sieleilet werden. daß die Maske m einem für die bildaufbauende Schicht und die I nierlage völlig neutralen LösungMniiicl. nämlich W a>>er leicht, d. h. innerhalb von wenigen Sekunden, sich ablöst. 188 the usual solution for the concerned Soluble or photoresist. it is swellable ι it is just chemical / u plasma-chemically \ changed another substance been), but can the plasma chemical? reaction ■ epriCu / ible so they can be rushed. that the mask One for the image-forming layer and the inlay completely neutral solution Mniiicl. namely W a >> er easy, d. H. comes off within a few seconds.

FotolackPhotoresist

Bestandteilcomponent

ng i>hnng i> hn

.•irh. • irh titi rhenrhen dede LL. öslichkeisolubility . na. n / A chch ■htunc■ htunc ι \. orι \. or heriiesanheriiesan aeneraener PiaPia VU-klVU-kl incinc hinghung L IlTL IlT TotDead O^-LO ^- L PiaPia sma-sma- BesBes chicchic ier I ιier I ι and!.and !. iiiiZ vieriiiiZ four CkICkI indind n:iske Un: iske U :hen: hen !isc!! isc!

KXrO-sensibiii- :
vierter Schellack'.KXrO-sensibiii-:
fourth shellac '.

desd. ;desd. ;

!völlig unlöslich in H₂O. ablösbar in j SpinUiV.dViüe \N-dOH) in eivva. 10Minuten ekundenschnell ablösbar in HJ). völlig unlöslich in Spirituslauge ιNaOHt! completely insoluble in H ₂ O. removable in j SpinUiV.dViüe \ N-dOH) in eivva. 10 minutes can be removed in a few seconds in HJ). completely insoluble in alcohol ιNaOHt

.iesd.iesd

0.04um Cr unlösbar in kaltem und heißem F-LO. ; nicht ablösbar in Spirituslauge (NaOH) ! ablösbar in Spirituslause (20 bis- hei 12stündiger Einwirkung, in ILO ; 60 Minuten) \ Abschwimmen der Cr-Schicht in Elit-0.04um Cr insoluble in cold and hot F-LO. ; cannot be removed in alcohol (NaOH)! removable in alcohol lice (20 to 12 hours of exposure, in ILO; 60 minutes) \ floating of the Cr layer in elite

I : tern und Lösung des Lackes in 1 bisI: tern and dissolve the paint in 1 bis

i 2 Minuteni 2 minutes

DiazoverbinduncDiazo connection

Zimtsäure-EsterCinnamic acid ester

Butadien-DerivatButadiene derivative

Ο.ΐμηι Cr unlösbar in H₂O. Aceton. Lackvcrdü.:- \ ner. Strukturen von 0.5 mm bis meh- ; rere Millimeter Strichstärke ablösbar i in Spirituslauge in 2 bis 24 Stunden. i Strukturen unter 0.05 mm Strichstärke nicht mehr nhlösbar in Spirituslauge. es sei denn unter starkem j [Reiben und KratzenΟ.ΐμηι Cr insoluble in H ₂ O. Acetone. Lackvcrdü.: - \ ner. Structures from 0.5 mm to meh-; Rere millimeter line width can be removed i in spirit lye in 2 to 24 hours. i Structures with a line width of less than 0.05 mm can no longer be dissolved in alcohol. unless under strong j [rubbing and scratching

0.04:j.m Cr ! ablösbar in Aceton. Spirituslauge. Lackverdünner. Strukturen bis 10 μηι Strichstärke. in 30 Minuten Strukturen bis 0.2 μηι Strichstärke in 6Stunden 0.04: j.m Cr! removable in acetone. Spirit liquor. Paint thinner. Structures up to 10 μm line width. structures in 30 minutes up to 0.2 μm line width in 6 hours

0.04v.m Cr I ablösbar in Kodak-Siripper oder Spiriuislause in etwa 1 Stunde j Cr-Schicht löst sich in 1 bis 2 Minuten ! und schwimmt als zusammenhän-I gende Haut ab. 1 otolack löst sich in j (-,η bis M) C heißem Wasser0.04v.m Cr I can be removed in Kodak Siripper or Spiriuislause in about 1 hour j Cr-layer dissolves in 1 to 2 minutes! and swims as a coherent-I skin off. 1 otolack dissolves in j (-, η to M) C hot water

nicht ablösbar in .Aceton. Spirituslauge, Lackverdünner. In FLO-Stnikturen bis 10 am Strichstärke in 00 Minuten bis 2 Stunden. Strukturen bis 0.2 um in 1 bis 5 Minuten (je feiner die Struktur, um so leichler und schneller erfolgt das Ablösen im Gegensatz./u den i üblichen Erfahrungen)not removable in .acetone. Alcohol, Paint thinner. In FLO structures up to 10 am line width in 00 minutes to 2 hours. Structures up to 0.2 µm in 1 to 5 minutes (the finer the structure, the easier and faster it is done the detachment in contrast./u den i usual experience)

I nicht ablösbar in Kodak-Stripper oder I Spirituslauge in 24 Stunden. In I-LO ! ablösbar in 3U Minuten bis 2 StundenI cannot be removed in Kodak stripper or I alcohol in 24 hours. In I-LO ! removable in 3U minutes to 2 hours

0.04μηι Cr (ablösbar in Kodak-Strippcr oder in j nicht ablösbar in Kodak-Stripper. In Spirituslauge in 30 Minuten bis | H₂O (W C) ablösbar in 15 bis 1 Stunde ! 30 Minuten0.04μηι Cr (removable in Kodak Strippcr or in j not removable in Kodak stripper. Removable in alcohol in 30 minutes to | H ₂ O (WC) in 15 to 1 hour! 30 minutes

example

Man beschichtet z. B. drei gleichartige Glasplatten A. B und C in gleicher Weise mit ein und demselben Fotolack und kopiert darauf eine bestimmte Struktur. Das Substrat A wird in üblicher Weise mit einer 0,1 um dicken Chromschicht bedampft.One coated z. B. three similar glass plates A. B and C in the same way with one and the same Photoresist and copies a certain structure on it. The substrate A is vapor-deposited in the usual way with a 0.1 .mu.m thick layer of chromium.

Die Platte B wird in einer handelsüblichen Hochfrequenz-Sputtering-Apparatur mit ei ner Chromschicht gleicher Dicke von 0.1 μηι beschichtet.The plate B is in a commercially available high-frequency sputtering apparatus coated with a chrome layer of the same thickness of 0.1 μm.

Oic Platte C dagegen wird erfindungsgemüß vor der Beschichtung mit Chrom dem Hochfrcquenz.plasma unter Zudosierung von 5" „ reinem Sauerstoff zur Edelgasatmosphäre bei 27 MHz. kurze Zeit (z. B. I Minute) ausgesetzt. Dabei wird die Fotoresistmaske plasmachemisch, jedoch ohne erkennbare maüliche Veränderunsi oder Zcr.störiinc. zu einem chemisch anderenOic plate C, however, is according to the invention before the Coating with chromium from the high-frequency plasma with the addition of 5 "pure oxygen to the noble gas atmosphere at 27 MHz. exposed for a short time (e.g. 1 minute). The photoresist mask is plasma-chemically but without recognizable male changes or disturbances. to another chemically

55 Stoff. Anschließend wird die Platte C mittels Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung mit ei ner Ch rom schicht von ebenfalls 0.1 um Dicke beschichtet.55 fabric. The plate C is then sputtered using high-frequency cathode coated with a chromium layer also 0.1 µm thick.

Es sei bekannt, daß sich der verwendete F^:otolack z. B. in alkoholischer Natronlauge verhältnismäßig leicht von der Unterlage ablöst, dagegen nicht in Wasser, auch bei Zusatz von Netzmitieln nicht und auch bei tagelanger Einwirkung nicht. Fis wird nun versucht, die unterschiedlich vorbehandeln, jedoch in gleicher Weise mit Chrom belegten Fotolackmasken zu entfernen, wobei die Chromschichten auf den maskenfreien Flächen unbeschädigt auf der Unterlage maßgetreu und unbeschädigt haften bleiben müssen. F)ie Maske tier Platte A löst sich in alkoholischer Natronlauge infolge der verhältnismäßig dicken darüberliegcndcn Chromschicht nur schwer ab. wobei die Glasoberfläche von der Natronlauge mikroskopisch feststellbar etwas abgeätzt wird. Die BchandlungsdauerIt is known that the F ^: otolack used z. B. in alcoholic caustic soda relatively easily detached from the substrate, but not in water, not even with the addition of Netzmitieln and not even after days of exposure. An attempt is now made to pretreat the photoresist masks differently, but in the same way, to remove the chromium-coated photoresist masks, the chromium layers on the mask-free surfaces having to adhere to the base true to size and undamaged. The mask of plate A is difficult to detach in alcoholic sodium hydroxide solution because of the relatively thick layer of chrome above it. whereby the surface of the glass is slightly etched away by the sodium hydroxide solution, which is microscopically detectable. The duration of the deal

liegt his zur völligen Entfernung dor Laekmaske in der (iroßenorenung \on IU bi> Iu Stunden. Feinere Strukturen unter 5 ·_πη werden auch hei v- 1 anger Elinv.irkungs/eit des Lösungsmittels mein mehr ähnelest. In bloßem Wasser mit Netzmiuelzusutz. löst >iclt die Maskenschichi der Platte Λ selbst hei lasielanner !^:.inwirkung mehl ah.up to the complete removal of the laek mask lies within the (irobenorenung \ on IU bi> Iu hours. Finer structures below 5 · _πη are also more similar to the action of the solvent flour ah ^.inwirkung:> the Maskenschichi iclt the plate Λ even hot lasielanner!.

Piaite B zeigt bereits nach, der Chrombeschichtur·;:. dal⁵ die Lackmaske /erstört ist. Sie hat bereits während des Auihringeris der Chromsehichi ihren abdeckenden Zv-Oi.¹-. nicht mehr w>ll erfüllt. Führt man in einem neuen Versuch die Ciir^mheschichtung mit so geringer Bescliichtungsrate durch, dall eine Yerkohlunc bzw. Vergasung der Maske ausreichend gering bleibt (»as aiieidings zu ·. olliii unwirtscliaftlichen Beschichtungsz.eiien :; führen w.irde). so ist der Fotolack durch die Einwirkung der Entladung so \ erneut, daß er sich in alkoholischer Natronlause, in Wasser mit Netzmittel oder auch in konzentrierter ScIv ölsäure nicht mehr ablösen läßt.Piaite B already shows the chrome layer ·;:. ^{because 5} the lacquer mask / is destroyed. It already has its covering Zv-Oi during the Auihringeris of the Chromsehichi. ¹ -. no longer w> ll met. If one carries out the coating of the iron in a new experiment with such a low coating rate that the carbonization or gasification of the mask remains sufficiently low (as a result of inefficient coating times:; would lead). the effect of the discharge has so renewed the photoresist that it can no longer be removed in alcoholic soda lice, in water with a wetting agent or in concentrated oleic acid.

Die ertindungsgemäl.i plasmachemisch \orbehandelte Ma-kenschicht der Platte C löst suh dagegen innerhalb \on Bruchteilen einer Sekunde rv::n Einlege:: in durch Netzmittel entspanntes Wasser \oi, der I nterlaae ab. wobei ^e die darüherliegende Ch.rom-,c;-iic^;;; abhebt. Beim anschließenden Abspülen mit Wasser werden die locker gewordenen Chromtilter weggeschwemmt, und auf der Glasplatte wird das .;uikopierte Muster völlig fehlerfrei und hart und fe~> haftend sichtbar. In alkoholischer Natronlauge d.·:- aecen ist die erfindungsgemäß vorbehandelte Mj-konschicht C niclu bzw. schwerer löslich als die Schicht A.The masking layer of the plate C, according to the invention, which has been previously treated with plasma chemistry, on the other hand, detaches within fractions of a second from the inside. where ^ e is the preceding Ch.rom-, c; -iic ^; ;; takes off. During the subsequent rinsing with water, the chrome filters that have become loose are washed away, and the pattern that has been copied becomes completely flawless and hard and firmly visible on the glass plate. In alcoholic sodium hydroxide solution d.: - aecene, the Mj-kon layer C pretreated according to the invention is niclu or less soluble than layer A.

Das zeiiii eindeutig, daß die hochpolymere Maskenschicht durch die ertindungsgemäße Vorbehandlung plasmachemisch zu einem anderen Stoff umgese:;-·. worden ist.That clearly shows that the high-polymer mask layer by the pretreatment according to the invention plasma-chemically converted to another substance:; - ·. has been.

Claims

Patent claims:

'.. \' required for the formation of flat patterns on top holes by applying a · ^: ~ -s ^ photoresist. pattern copying of the same and application of the picture ehichi. thereby e- ■ e η η / eich U e ι. that the Foiohekschich; by chemical reaction by means of a high-frequency plasma discharge, it becomes more easily soluble in water. in which mc would not be soluble or only very difficult to dissolve without the piasmacherr.iM.he l.'m-c './ ung.

2. The method according to claim 1, characterized. dal ¹ then applied another layer v. earth. which after the later removal of the foil varnish form the flat pattern - 11.

?. Method according to one of Claims 1 and 2. characterized in that the plasma-chemical reaction by metering in oxygen to the Ede! Ga> p! A> ma in a quantity ratio '-on less than a tenth is done.

4. The method na.h one of claims 2 and? characterized in that the application of the the layer forming the surface mi; Help 2s the high-frequency atomization and in the immediate connection to the working garage of the pla> machemischen L m> et / une de- ϊ-'ntolackes takes place.