DE2126549A1

DE2126549A1 - Photosensitive element for electrophotographic use. Annr. Katsuragawa Denki K-K-, Tokyo

Info

Publication number: DE2126549A1
Application number: DE19712126549
Authority: DE
Inventors: Koichi Narashino Chiba; Fukuda Tadaji Yaguchi Tokio Kinoshita (Japan)
Original assignee: Katsuragawa Electric Co Ltd
Current assignee: Katsuragawa Electric Co Ltd
Priority date: 1970-05-29
Filing date: 1971-05-28
Publication date: 1971-12-09
Also published as: US3894870A; BE767862A; CA968607A; GB1360272A; FR2093872A5; US3795515A; DE2126549B2; NL7107317A; JPS4910257B1; NL150923B; SU449516A3

Description

PatentanwältePatent attorneys

Dr.-Ing. Wilhelm Reicliel Dipl-Ing. Wolfgang Reiche!Dr.-Ing. Wilhelm Reicliel Dipl-Ing. Wolfgang Rich!

6 Frankfurt a. M. 1
Parksiiaße 136 Frankfurt a. M. 1
Park street 13

66886688

KATSURAGAViA DENKI KABUSHIKI KAISHA, Tokyo, JapanKATSURAGAViA DENKI KABUSHIKI KAISHA, Tokyo, Japan

Lichtempfindliches Element für elektrofotografische ZweckePhotosensitive element for electrophotographic use

Die Erfindung bezieht sich auf ein lichtempfindliches Element für elektrofotografische Zwecke, insbesondere auf ein verbessertes lichtempfindliches Element mit einer fotoleitfähigen Schicht, die eine persistente innere Polarisationswirkung zeigt. The invention relates to a photosensitive element for electrophotographic purposes, in particular to a An improved photosensitive element having a photoconductive layer exhibiting a persistent internal polarization effect.

Die in den deutschen Patentanmeldungen P 14 97 164.3 und P 14 97 169.8 beschriebenen elektrofotografischen Verfahren machen von einem lichtempfindlichen Element Gebrauch, das eine fotoleitfähige Schicht mit persistenter innerer Polarisation und eine durchsichtige hochisolierende Schicht aufweist, die mit der einen Seite der fotoleitfähigen Schicht einheitlich verklebt ist. Auf der Oberfläche der hochisolierenden Schicht kann ein elektrostatisch latentes Bild erzeugt v/erden. Dazu wird zunächst auf der Oberfläche der hochisolierenden Schicht eine Ladung einer ersten Polarität gleichförmig aufgebracht. Diese aufgebrachte Ladung erzeugt in-der fotoleitfähigen Schicht eine gleichförmige Polarisationsladung. Danach wird auf die Oberfläche der hochisolierenden Schicht eine Ladung der entgegengesetzten Polarität aufgebracht und gleichzeitig ein Lichtbild auf das lichtempfindliche Element projiziert. - .The electrophotographic processes described in German patent applications P 14 97 164.3 and P 14 97 169.8 make use of a photosensitive element comprising a photoconductive layer with persistent internal polarization and a clear, highly insulating layer connected to one side of the photoconductive layer is glued uniformly. An electrostatic latent image can be generated on the surface of the highly insulating layer v / earth. For this purpose, a charge of a first polarity is first uniform on the surface of the highly insulating layer upset. This applied charge creates in-the photoconductive Layer a uniform polarization charge. Then it is applied to the surface of the highly insulating layer a charge of the opposite polarity is applied and at the same time a light image is applied to the photosensitive element projected. -.

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Sine zweite hochisolierende Schicht kann auf der entgegengesetzten Seite der fotoleitfähigen Schicht aufgebracht sein, um den Rauschabstand zu erhöhen.Its second highly insulating layer can be on the opposite one Side of the photoconductive layer be applied to increase the signal-to-noise ratio.

Die Ladungen der ersten und zweiten Polarität v/erden durch die gleiche oder verschiedene Koronaentladungseinheiten aufgesprüht. The charges of the first and second polarity are sprayed by the same or different corona discharge units.

Die Intensität des auf der Oberfläche der hochisolierenden Schicht ausgebildeten latenten Bildes nimmt in bezug auf die eingestrahlte Lichteinheit zu, wenn die Kapazität der hochiso-. lierenden Schicht größer ist als diejenige der fotoleitfähi-™ gen Schicht. Aus diesem Grunde ist es erwünscht, die hochisolierende Schicht so dünn wie möglich auszubilden. Es ist jedoch äußerst schwierig, die hochisolierende Schicht porenfrei herzustellen und sie trotz ihrer geringen Stärke von einigen Mikrometer mit einer ausreichenden Isolationsfestigkeit zu versehen. Man kommt daher nicht umhin, der hochisolierenden Schicht eine gewisse Stärke zu geben. Es ist daher in der Praxis üblich, für die hochisolierende Schicht eine Dicke von · mehr als 20/um vorzusehen.The intensity of the on the surface of the highly insulating Layer formed latent image increases with respect to the irradiated light unit when the capacity of the highly iso-. lating layer is larger than that of the photoconductive ™ gen layer. For this reason, it is desirable to make the highly insulating layer as thin as possible. However, it is extremely difficult to keep the highly insulating layer pore-free produce and despite their small thickness of a few micrometers with sufficient insulation strength Mistake. You cannot avoid giving the highly insulating layer a certain strength. It is therefore in the It is customary in practice to provide a thickness of more than 20 μm for the highly insulating layer.

Wenn das lichtempfindliche Element aus einem Material mit einer niedrigen Lichtabsorptionsfähigkeit hergestellt wird, nimmt } die Auflösung bei äußerst dicken fotoleitfähigen Schichten ab. Fotoleiter mit einer hohen Lichtempfindlichkeit haben im allgemeinen einen hohen Lichtabsorptionsgrad, so daß es in bezug auf eine hohe Lichtempfindlichkeit erwünscht ist, derartige Materialien zu verwenden. Es wurden nun lichtempfindliche Elemente geschaffen, bei denen es möglich ist, Materialien mit einem hohen Lichtabsorptionsgrad zu verwenden und die Stärke der fotoleitfähigen Schicht zu vergrößern, um dadurch die wirksame Ausbildung des latenten Bildes zu verbessern und eine höhere Auflösung vorzusehen. Wenn man bei einer dicken fotoleitfähigen Schicht mit einer hohen Lzchtäbsorptionsfähigkeit lediglich die eine Schichtseite der Lichtbestrahlung aussetzt, wie es bei den herkömmlichen elektrofotografischen Aufzeichnungsverfahren der Fall ist, werden einige Teile der SchichtWhen the photosensitive member is made of a material having a low light absorptivity, decreases } the resolution in the case of extremely thick photoconductive layers. Photoconductors with a high sensitivity to light generally have a high degree of light absorption, so that it is desirable in terms of high photosensitivity, such Materials to use. There were now photosensitive elements created in which it is possible to use materials with a high degree of light absorption and the strength of the photoconductive layer to thereby improve the efficient formation of the latent image and a provide a higher resolution. If you look at a thick photoconductive Layer with a high long-term absorption capacity only the one side of the layer is exposed to light irradiation, as is the case with conventional electrophotographic recording processes is the case, some parts of the layer will be

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nicht mit Licht angeregt. V.'enn man beispielsweise SeTe oder Se benutzt, werden nahezu alle Lichtanteile, die eine wirksame Lichtanregung verursachen, in dem fotoleitfähigcn Material auf einer Strecke von weniger als 1/um absorbiert. Wenn man daher eine SeTc-Schicht mit einer Stärke von 20/um benutzt, wird der größte Teil der Schicht durch das auftreffende Licht nicht angeregt. Der Prozentsatz des der Lichtanregung ausgesetzten Dickenanteils nimmt mit zunehmender Dicke der fotoleitfähigen Schicht ab. Trotz der hohen Lichtabsorptionsfähigkeit werden zur Zeit tatsächlich dicke Schichten aus SeTe oder Se in lichtempfindlichen Elementen für elektrofotografische Zwecke benutzt, da bei einem anliegenden elektrischen Feld die Beweglichkeit der freien Ladungsträger sehr hoch ist. Selbst in Se, in dem die Beweglichkeit am geringsten ist, beträgt sie 0,14 cm^/V'sec. Das bedeutet, daß man selbst eine Se-Schicht mit einer Stärke von mehr als einigen zehn Mikrometern für elektrofotografische Zwecke mit Erfolg verwenden kann.not stimulated with light. For example, if you have SeTe or When used, almost all light components that cause effective light excitation are in the photoconductive material absorbed over a distance of less than 1 µm. Therefore, if you have a SeTc layer with a thickness of 20 μm is used, most of the layer is covered by the incident Light not stimulated. The percentage of thickness exposed to light excitation increases with increasing thickness the photoconductive layer. In spite of the high light absorptivity, thick layers are actually being made at the moment Made of SeTe or Se in light-sensitive elements used for electrophotographic purposes, since when there is an electrical Field the mobility of the free charge carriers is very high. Even in Se, where mobility is least it is 0.14 cm ^ / V'sec. That means that one even an Se layer with a thickness of more than several tens of micrometers for electrophotographic purposes with success can use.

Das gleiche trifft für das oben beschriebene elektrofotografische Aufzeichnungsverfahren zu, so daß man auch bei diesem Verfahren Materialien mit einer extrem hohen Lichtabsorptionsfähigkeit verwenden kann, beispielsweise Sa, SeTe, CdTe usw.The same is true of the above-described electrophotographic recording method, so that one too Method can use materials with extremely high light absorptivity, such as Sa, SeTe, CdTe, etc.

Bei einer hohen zyklischen Arbeitsgeschwindigkeit eines lichtempfindlichen Elements mit einer dicken fotoleitfähigen Schicht der beschriebenen Art machen sich jedoch infolge von Restladungen Hystereseerscheinungen bemerkbar, die die Fähigkeit vermindern, bei einem derartigen lichtempfindlichen Element ein latentes Bild zu erzeugen.At a high cyclical operating speed of a photosensitive However, elements with a thick photoconductive layer of the type described make themselves due to Residual charges hysteresis phenomena are noticeable, which reduce the ability in such a light-sensitive Element to generate a latent image.

Diese Hysterese- oder Ermüdungseigenschaften machen sich insbesondere bei lichtempfindlichen Elementen bemerkbar, bei denen die fotoleitfähige Schicht auf beiden Seiten mit einer hochisolierenden Schicht überzogen ist. Die erwähnte Errnüdungs- oder Hystereseerecheinung ist grundsätzlich von der gleichen Art wie sie bei der herkömmlichen Xerografie auftritt.These hysteresis or fatigue properties are particularly useful noticeable in photosensitive elements where the photoconductive layer has a highly insulating layer is coated. The aforementioned fatigue or hysteresis phenomenon is basically of the same way as it occurs in conventional xerography.

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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das für elektrofotografische Zwecke bekannte lichtempfindliche Element derart zu verbessern, daß die V/irkung der Restladung vermieden wird. Ferner soll ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines derartigen lichtempfindlichen Elements geschaffen werden, das ohne die nachteilige Wirkung der Restladung vielmals benutzt werden kann.The invention is therefore based on the object to improve the photosensitive element known for electrophotographic purposes in such a way that the effect of the residual charge is avoided. A further aim is to provide an improved method for producing such a photosensitive element that can be used many times without the adverse effect of the residual charge.

Zu diesem Zweck ist ein lichtempfindliches Element mit einer durchsichtigen hochisolierenden Schicht, einer fotoleitfähigen Schicht, die eine persistente innere Polarisation zeigt, und mit einer Elektrodenschicht, die in der genannten Reihenfolge übereinandergelegt und zu einem einheitlichen Körper verbunden sind, nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der Elektrodenschicht eine Schicht mit einem niedrigen V/iderstand vorgesehen ist und daß sich die Zusammensetzung dieser niederohmigen Schicht allmählich der Zusammensetzung der fotoleitfähigen Schicht nähert, und zwar beginnend auf der an die Elektrodenschicht angrenzenden Seite. Das bedeutet, daß der Gehalt an fotoleitfähigem Material, das eine persistente innere Polarisation zeigt, in der niederohmigen Schicht ausgehend von der an die fotoleitfähige Schicht angrenzenden Seite allmählich abnimmt, so daß der Eindruck entsteht, als ob das fotoleitfähige Material in die niederohmige Schicht eindiffundiert sei. Zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der niederohmigen Schicht läßt sich also keine diskrete Grenzfläche feststellen. Aus diesem Grunde wird die niederohmige Widerstandsschicht im folgenden auch als "diffundierte Schicht" bezeichnet. Die niederohmige Schicht wird zweckmäßigerweise dadurch hergestellt, daß zuerst eine Schicht aus dem niederohmigen Material auf der Oberfläche der Elektrodenschicht aufgebracht wird. Als nächstes wird eine Schicht aufgebracht, die sowohl das niederohmige Material als auch das fotoleitfähige Material enthält. Schließlich wird noch eine Schicht aufgebracht, die ausschließlich das fotoleitfähige Katerial enthält. Das Aufbringen dieser Schichten kann durch Aufdampfen, Aufsprühen oder ähnliche Verfahren vorgenommen werden. Yfenn man die Anzahl derFor this purpose, a photosensitive element is provided with a transparent, highly insulating layer, a photoconductive one Layer that shows a persistent internal polarization, and with an electrode layer in the order named superimposed and connected to form a unitary body, characterized according to the invention, that a layer with a low V / resistance is provided between the photoconductive layer and the electrode layer is and that the composition of this low-resistance layer is gradually the composition of the photoconductive Layer approaches, starting on the side adjacent to the electrode layer. That means the content of photoconductive material that has a persistent internal polarization shows, in the low-resistance layer starting from the side adjoining the photoconductive layer gradually decreases, so that the impression arises as if the photoconductive material is diffusing into the low-resistance layer may be. No discrete interface can therefore be determined between the photoconductive layer and the low-resistance layer. For this reason, the low-ohmic resistance layer is also referred to below as a "diffused layer". The low-resistance layer is expediently produced by first creating a layer from the low-resistance layer Material is applied to the surface of the electrode layer. Next, a layer is applied that has both contains the low-resistance material as well as the photoconductive material. Finally, another layer is applied that contains only the photoconductive material. The application these layers can be made by vapor deposition, spraying or similar processes. You can count the number of

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Zv/ischenschichten mit veränderlichen Anteilen aus dem niederohmigen Material und dem fotoleitfähigen Material, das einen persistenten inneren Polarisationseffekt zeigt, erhöht, verändert sich die Zusammensetzung der aufeinanderfolgenden Schichten allmählich, so daß die niederohmige Schicht kontinuierlich in die fotoleitfähige Schicht übergeht. Dadurch sollen definierte Grenzflächen zwischen den Schichten vermieden v/erden.Intermediate layers with variable proportions from the low-resistance Material and the photoconductive material, which shows a persistent internal polarization effect, increased, changed the composition of the successive layers gradually changes, so that the low-resistance layer is continuous merges into the photoconductive layer. This is intended to avoid defined interfaces between the layers v / earth.

3evorzugte AusführungsTDeispiele der Erfindung werden an Hand von Figuren beschrieben.Preferred embodiments of the invention are described with reference to figures.

Die Figuren 1a bis 1c zeigen schematisch die Ladungsverteilung in einem lichtempfindlichen Element mit einem fotoleitfähigen, eine persistente innere Polarisation zeigenden Material, wenn ein latentes Bild nach dem oben beschriebenen Verfahren ausgebildet wird.FIGS. 1a to 1c show schematically the charge distribution in a photosensitive element with a photoconductive material showing persistent internal polarization when a latent image is formed according to the method described above.

Die Fig. 2 ist ein ähnliches Schaubild, wobei jeFig. 2 is a similar diagram, each

doch die fotoleitfähige Schicht und die Elektrodenschicht keinen vollkommenen ohmschen Kontakt miteinander bilden.but the photoconductive layer and the electrode layer are not perfect form ohmic contact with each other.

Die Figuren 3 und 4 zeigen zwei Ausführungsformen des nachFigures 3 and 4 show two embodiments of the

der Erfindung ausgebildeten lichtempfindlichen Elements.of the invention designed photosensitive Elements.

Die Fig. 5 . zeigt schematisch ein Gerät zum Aufdampfen von Schichten im Vakuum, das zum Herstellen des lichtempfindlichen Elements nach der Erfindung geeignet ist.The Fig. 5. shows schematically an apparatus for the vapor deposition of layers in a vacuum, the is suitable for making the photosensitive element of the invention.

Das in den Figuren 1a, 1b und 1c dargestellte lichtempfindliche Element wird bei elektrofotografischen Verfahren zum * Erzeugen eines latenten. Bildes benutzt. Das lichtempfindlicheThe photosensitive shown in Figures 1a, 1b and 1c Element is used in electrophotographic processes to * generate a latent. Image used. The light sensitive

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Element enthält eine durchsichtige hochisolierende Schicht 1, eine fotoleitfähige Schicht 2 und eine Elektrodenschicht 3, die in der genannten Reihenfolge aufeinanderfolgen und zu einer einheitlichen Struktur miteinander verklebt sind= Es vird angenommen, daß die fotoleitfähige Schicht 2 vom P-Leitungstyp ist und mehrere Ladungshaftstellen oder Ladungsfangstellen enthält» Die Schicht kann beispielsweise aus SeTe bestehen. Die Fig. 1a zeigt die Ladungsverteilung, nachdem eine negative Ladung gleichmäßig auf die Oberfläche der hochisolierenden Schicht 1 aufgebracht worden ist. Diese aufgebrachte negative Ladung erzeugt Ladungsträgerwanderungen, so daß es zu einer inneren Polarisation kommt, wie es in der Fig. 1a dargestellt ist. Da der Fotoleiter als P-leitend angenommen worden ist, sind in ihm die Majoritätsträger positive Ladungsträger» Infolge der Anziehungskraft der auf der hochisolierenden Schicht aufgebrachten negativen Ladung v/andern daher die freien Majoritätsträger durch die fotoleitfähige Schicht bis zu der hochisolierenden Schicht. Nahe bei der Grenzfläche zwischen diesen beiden Schichten werden die Majoritätsträger von den Haftstellen in der fotoleitfähigen Schicht eingefangen. Die Symbole ( -ίΛ stellen die eingefangenen Ladungen dar. Der zweite Schritt besteht darin, daß jetzt positive Ladungen auf der Oberfläche der hochisolierenden Schicht 1 aufgebracht und gleichzeitig ein Lichtbild über die hochisolierende Schicht 1 auf die fotoleitfähige Schicht 2 projiziert wird. Die linke Hälfte des in der Fig. 1b dargestellten lichtempfindlichen Elements zeigt dabei eine helle Stelle des Lichtbildes, also einen mit Licht bestrahlten Abschnitt, während die rechte Hälfte eine dunkle Stelle des Lichtbilds darstellt, die nicht mit Licht bestrahlt wird. An den hellen Stellen wandern die positiven Ladungsträger infolge der Wirkung der jetzt auf der hochisolierenden Schicht aufgebrachten positiven Ladung durch die fotoleitfähige Schicht, so daß es zu der in der linken Hälfte der Fig. 1b gezeigten Ladungsverteilung kommt. Im Gegensatz dazu findet an den dunklen Stellen des Lichtbildes in der fotoleitfähigen Schicht keine Ladungswanderung statt, so daß die in der fotoleitfähigen Schicht nahe bei der Grenzfläche eingefangenen positiven Ladungen unverändert bleiben. Da das Element contains a transparent highly insulating layer 1, a photoconductive layer 2 and an electrode layer 3, which follow one another in the order mentioned and are glued to one another to form a uniform structure = It is assumed that the photoconductive layer 2 is of the P conductivity type and has several charge traps or Charge traps contains »The layer can consist of SeTe, for example. 1a shows the charge distribution after a negative charge has been applied uniformly to the surface of the highly insulating layer 1. This applied negative charge generates charge carrier migrations, so that there is an internal polarization, as shown in FIG. 1a. Since the photoconductor has been assumed to be P-conductive, the majority carriers in it are positive charge carriers. Due to the attraction of the negative charge applied to the highly insulating layer, the free majority carriers change through the photoconductive layer to the highly insulating layer. Near the interface between these two layers, the majority carriers are captured by the traps in the photoconductive layer. The symbols ( -ίΛ represent the trapped charges. The second step is that now positive charges are applied to the surface of the highly insulating layer 1 and at the same time a light image is projected over the highly insulating layer 1 onto the photoconductive layer 2. The left half of the The light-sensitive element shown in Fig. 1b shows a bright part of the light image, i.e. a section irradiated with light, while the right half represents a dark part of the light image that is not irradiated with light the effect of the positive charge now applied to the highly insulating layer by the photoconductive layer, so that the charge distribution shown in the left half of Fig. 1b occurs so that those in the photoconductive In the layer close to the interface, positive charges trapped remain unchanged. Since that

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Aufbringen der Ladung während des zweiten Schritts derart vorgenommen wird, daß das Oberflächenpotential der hochiGolierenden Schicht gleichförmig wird, und zwar unabhängig davon, ob eine Koronaentladungseinheit benutzt oder eine Elektrode gegen die Oberfläche der hochisolzerenden Schicht gebracht wird, werden an den dunklen Stellen des Lichtbildes weniger positive Ladungen auf der hochisolierenden Schicht aufgebracht als an den hellen, so daß es zu der auf der rechten Seite in der Fig. 1b dargestellten Ladungsverteilung kommt. Wie man sieht, unterscheidet sich die Ladungsverteilung an den hellen Stellen von der Ladungsverteilung an den dunklen Stellen. Die eingefangenen Ladungen ( + J werden wieder frei, wenn das latente Bild gleichförmig mitT~Licht bestrahlt wird, beispielsweise mit dem Licht einer elektrischen Lampe oder mit Tageslicht, oder wenn eine gewisse Zeit verstrichen ist, während dor neue freie Ladungsträger erzeugt v/erden, so daß sich bei den dunklen Stellen des Lichtbilds die in der Fig. 1c dargestellte Ladungsverteilung einstellt. Wenn das lichtempfindliche Element die in -der Fig. 1c dargestellte Ladungsverteilung angenommen hat, weist das während des zweiten Schritts erzeugte latente Bild entsprechend den h&llen und dunklen Stellen des projezierten Lichtbildes verschieden hohe positive Ladungsdichten auf, so daß „jetzt ein äußeres Potentialbild entstanden ist. Das latente Bild kann man daher mit irgendeinem geeigneten Verfahren zu einem sichtbaren Bild entwickeln, beispielsweise unter Verwendung eines geladenen Toners. Danach kann man das entwickelte Pulverbild auf ein Aufzeichnungsmedium übertragen, beispielsweise auf Papier. Als nächstes wird das lichtempfindliche Element in seinen ursprünglichen Zustand versetzt, so daß der nächste Druck- oder Aufzeichnungszyklus ausgeführt werden kann. Dazu kann man irgendein bekanntes Reinigungsverfahren anwenden, durch das das latente Restbild gelöscht und der restliche Toner entfernt wird.Applying the charge during the second step is carried out in such a way that the surface potential of the highlyiGolierenden Layer becomes uniform regardless of whether a corona discharge unit is used or an electrode is used is brought against the surface of the highly insulating layer, there are fewer in the dark areas of the light image positive charges are applied on the highly insulating layer than on the bright, so that it is in to the one on the right the charge distribution shown in Fig. 1b comes. As you can see, the charge distribution differs on the bright ones Places of the charge distribution in the dark places. The trapped charges (+ J are released again when the latent Image is uniformly irradiated with T ~ light, for example with the light of an electric lamp, or with daylight, or when a certain time has passed, while there is new Free charge carriers are generated, so that the dark areas of the light image shown in FIG. 1c Adjusts charge distribution. When the photosensitive element has assumed the charge distribution shown in FIG. 1c has the latent image generated during the second step according to the hollow and dark areas of the projected light image on different high positive charge densities, so that “now an external potential image emerged is. The latent image can therefore be developed into a visible image by any suitable method, for example using a charged toner. The developed powder image can then be recorded on a recording medium transferred, for example on paper. Next, the photosensitive member is returned to its original state offset so that the next printing or recording cycle can be carried out. You can add any known Use a cleaning process that erases the residual latent image and removes the residual toner.

Falls die fotoleitfähige Schicht und die Elektrodenschicht keinen vollkommenen ohmschen Kontakt miteinander bilden, werden die während des zweiten und des nachfolgenden SchrittsIf the photoconductive layer and the electrode layer do not make perfect ohmic contact with each other, will those during the second and subsequent steps

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— O ~- O ~

in Richtung auf die Elektrodenschicht wandernden Ladungsträger in einem Abschnitt der fotoleitfähigen Schicht eingefangen, der nahe bei der Elektrodenschicht liegt, wie es in der Fig.2 dargestellt ist. Die auf diese V/eise eingefangenen Ladungsträger werden niemals mehr befreit, da das fotoleitfähige, 1-ia— ■ terial eine hohe Lichtabsorptionsfähigkeit aufweist, wie es oben beschrieben ist. Diese eingefangenen Ladungsträger oder Restladungen verursachen Hystereseerscheinungen und man erreicht in den nachfolgenden Betriebszyklen keine vollkommene Ladungstrennung, wie es in der Fig. 1a gezeigt ist. Die Hysteresewirkung nimmt mit der Anzahl der Zyklen zu, so daß die Lebensdauer eines lichtempfindlichen Elements begrenzt ist. Wenn nun gar noch eine zweite hochisolierende Schicht zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der Elektrodenschicht angeordnet ist, wird infolge der Stromsperrwirkung der zweiten hochisolierenden Schicht die Hysteresewirkung besonders deutlich.Charge carriers migrating in the direction of the electrode layer are trapped in a section of the photoconductive layer which is close to the electrode layer, as is shown in FIG . The charge carriers trapped in this way are never released again, since the photoconductive, 1-ia— ■ material has a high light absorption capacity, as described above. These trapped charge carriers or residual charges cause hysteresis phenomena and complete charge separation is not achieved in the subsequent operating cycles, as shown in FIG. 1a. The effect of hysteresis increases with the number of cycles, so that the life of a photosensitive member is limited. If a second highly insulating layer is now arranged between the photoconductive layer and the electrode layer, the hysteresis effect becomes particularly clear due to the current blocking effect of the second highly insulating layer.

Diese nachteilige Hysteresewirkung wird durch die Erfindung dadurch beseitigt, daß zwischen der Elektrodenschicht und der die persistente innere Polarisation zeigenden fccoleitfähigen Schicht eine niederohmige Widerstandsschicht angeordnet wird.This disadvantageous hysteresis effect is eliminated by the invention in that between the electrode layer and the fccoconductive ones showing the persistent internal polarization Layer a low resistance layer is arranged.

Dabei hat der untere Abschnitt oder eine Schicht 2a der fotoleitfähigen Schicht 2, die an die Elektrodenschicht 5 angrenzt, wie es in der Fig. 4 gezeigt ist, einen solchen Aufbau, als wenn sie mit einem fotoleitfähigen Material, das den persistenten inneren Polarisationseffekt zeigt, oder einem ähnlichen Stoff diffundiert wäre, so daß zwischen der Schicht 2a und der Hauptmasse der fotoleitfähigen Schicht 2 keine ausgeprägte oder diskrete Grenzfläche besteht. Bei eir.^s weitergebildeten lichtempfindlichen Element befindet sie?*, nach eine ■ zweite hochisolierende Schicht 1a zwischen der diffundierten Schicht 2a und der Elektrodenschicht 3. Bei den herkömmlichen lichtempfindlichen Elementen, bei denen die fotcleitfähige Schicht mit der Elektrodenschicht oder einem leitenden Substrat fest verklebt ist, ist es infolge der unterschiedlichen Arbeitsfunktion dieser Materialien schwierig, zwischen diesen-The lower portion or a layer 2a of the photoconductive layer 2, which is adjacent to the electrode layer 5 , as shown in FIG. or a similar substance would have diffused, so that there is no pronounced or discrete interface between the layer 2a and the bulk of the photoconductive layer 2. In eir. ^ S further developed photosensitive element it is? *, After a ■ second highly insulating layer 1a between the diffused layer 2a and the electrode layer 3. In conventional photosensitive elements, in which the photoconductive layer is firmly bonded to the electrode layer or a conductive substrate because of the different work function of these materials, it is difficult to distinguish between these-

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Schichten einen vollkommenen ohmschen Kontakt herzustellen. An der Grenzfläche tritt daher zu einem gewissen Grad eine stromsperrende Wirkung auf, die den oben erwähnten unerwünschten Hystereseeffekt zur Folge hat.Layers to make a perfect ohmic contact. Therefore, to some extent, one occurs at the interface current blocking effect, which has the undesirable hysteresis effect mentioned above.

Die niederohmige Schicht 2a, die die Eigenschaft eines Metalls hat und die nahezu keine Ladungsträger einfängt, nimmt auf die . V/anderung der Ladungsträger keinen Einfluß. Bei der niederohmigen Schicht kann es sich beispielsweise um eine SeTe-Legierung handeln, die einen großen Anteil Te enthält. Die in Richtung auf die Elektrodenschicht wandernden Ladungsträger können daher die niederohmige Schicht leicht erreichen und werden dar^n als freie Ladungsträger gespeichert, so daß ein Einfangen der Ladungsträger vermieden ist, wie es im Zusammenhang mit der Fig. 2 beschrieben wurde. Da nun das Einfangen von Ladungsträgern in dem an die Elektrodenschicht angrenzenden Bereich der fotoleitfähigen Schicht wirksam unterbunden ist, besteht keine Gefahr, daß Restladungen Hystereseerscheinungen hervorrufen. Aus diesem Grunde kann das nach der Erfindung ausgebildete lichtempfindliche Element bei höheren Arbeitsgeschwindigkeiten öfters benutzt werden.The low-resistance layer 2a, which has the property of a metal and which captures almost no charge carriers, absorbs . Changes in the charge carriers have no effect. With the low resistance The layer can be, for example, an SeTe alloy that contains a large proportion of Te. The direction Charge carriers migrating to the electrode layer can therefore easily reach the low-resistance layer and become dar ^ n stored as free charge carriers, so that trapping of the charge carriers is avoided, as is the case in connection with the Fig. 2 has been described. There is now the trapping of charge carriers in the area adjacent to the electrode layer the photoconductive layer is effectively prevented, there is no risk that residual charges cause hysteresis phenomena. For this reason, the photosensitive element formed in accordance with the invention can operate at higher operating speeds be used more often.

Das Material, aus dem die Elektrodenschicht besteht, ist nicht auf Metall beschränkt. Es kann sich um irgendein Material mit einem verhältnismäßig niedrigen spezifischen Widerstand handeln, beispielsweise eine dünne Metallfolie, ein leitfähiges Papier oder ein leitfähiges Glas. Weiterhin ist die Zusammensetzung der lichtleitfähigen Schicht und der niederohmigen Schicht nicht auf die besonderen dargestellten Materialien beschränkt. Man kann dafür viele andere Kombinationen verwenden. Anstelle einer fotoleitfähigen SeTe-Schicht kann man beispielsweise Mischungen verwenden, die unterschiedliche Mengen von Se und Te enthalten. Zur Herstellung der Schicht wird zuerst reines Te oder eine Mischung aus Te und einer geringen Menge von Se auf der Oberfläche der Elektrodenschicht aufgedampft. Der auf diese Weise gebildete Überzug besteht nur aus Te oder einer Mischung bzw. Legierung aus Te und einer sehr kleinen The material of which the electrode layer is made is not limited to metal. It can be any material with a relatively low specific resistance, for example a thin metal foil, a conductive paper or a conductive glass. Furthermore, the composition of the photoconductive layer and the low-resistance layer is not restricted to the particular materials shown. You can use many other combinations for this. Instead of a photoconductive SeTe layer, it is possible, for example, to use mixtures which contain different amounts of Se and Te. To produce the layer, pure Te or a mixture of Te and a small amount of Se is first vapor deposited on the surface of the electrode layer. The coating thus formed consists only of Te or a mixture or alloy of Te and a very small one

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-₁₀- 21265A9- ₁₀ - 21265A9

Menge von Se. Ein'derartiger Überzug wirkt wie eine niederohraige Schicht. Als nächstes werden aufeinanderfolgend Mischungen oder Legierungen aus Te mit stets zunehmenden Anteilen von Se auf den ursprünglich aufgebrachten Te-überzug aufgedampft. Schließlich wird eine Schicht, die nur Se oder Se und eine äußerst kleine Menge von Te enthält, aufgedampft, um die Hauptmasse der Halbleiterschicht zu bilden. Auf diese Weise wird zwischen der Elektrodenschicht und der Hauptmasse der fotoleitfähigen Schicht eine Schicht angeordnet, die ihren Gehalt an fotoleitfähigem Material ständig und allmählich ändert." Eine Te-Schicht oder eine an Te reiche Schicht, die an die Elektrodenschicht angrenzt, vermeidet insbesondere einen unvollständigen ohmschen Kontakt mit der Elektrodenschicht, so daß das Einfangen von Ladungsträgern an dieser Stelle vermieden wird. Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel können Kupfer oder Aluminium in die fotoleitfähige Se- oder SeTe-Schicht eindiffundiert werden.Amount of Se. Such a coating acts like a low-pronged one Layer. Next, mixtures or alloys of Te are successively made in increasing proportions evaporated from Se onto the originally applied Te coating. Eventually there will be a layer that is just Se or Se and contains an extremely small amount of Te, evaporated, to form the bulk of the semiconductor layer. This way there is between the electrode layer and the main mass The photoconductive layer is arranged a layer which increases its content of photoconductive material continuously and gradually particularly avoids a Te layer or a Te-rich layer adjacent to the electrode layer an incomplete ohmic contact with the electrode layer, so that the trapping of charge carriers on this Position is avoided. In the described embodiment, copper or aluminum can be used in the photoconductive se- or SeTe layer can be diffused.

Das in der Fig. 4 gezeigte weitergebildete lichtempfindliche Element enthält hochisolierende Schichten oder stromsperrende Schichten 1 und 1a auf beiden Seiten der fotoleitfähigen Schicht 2. Die niederohmige Schicht 2a verhindert, daß Ladungsträger zwischen die fotoleitfähige Schicht 2 und die Elektrodenschicht 3 fließen. Die stromrichtende und stromblockierende Eigenschaft zwischen diesen Schichten verhindert, daß irgendwelche Schwierigkeiten auftreten. Die Funktion der zweiten hochisolierenden Schicht kann man auch dadurch erreichen, daß eine Metallelektrode mit einem Oxidüberzug verwendet wird.The further developed photosensitive element shown in FIG. 4 contains highly insulating layers or current blocking layers Layers 1 and 1a on both sides of the photoconductive layer 2. The low-resistance layer 2a prevents charge carriers between the photoconductive layer 2 and the electrode layer 3 flow. The current-directing and current-blocking property between these layers prevents any Difficulties arise. The function of the second highly insulating layer can also be achieved in that a metal electrode with an oxide coating is used.

Die niederohmige Schicht wird vorzugsweise im Vakuum aufgedampft. Das Vakuumaufdampfungsverfahren eignet sich insbesondere, wenn Selenlegierungen verwendet werden. Zu diesem Zweck kann man zum Aufbringen der Hauptmasse der fotoleitenden Schicht und der niederohmigen Schicht eine Reihe von bootartigen Behältern benutzen, die die verschiedenen Rohmaterialien enthalten. Wenn, 'die eine diffundierte Schicht darstellende niederohmige Schicht und die Hauptmasse der fotoleitfähigenThe low-resistance layer is preferably evaporated in vacuo. The vacuum evaporation process is particularly suitable when selenium alloys are used. For this purpose one can apply the bulk of the photoconductive Layer and the low resistance layer a number of boat-like Use containers that contain the various raw materials. If, 'the layer constituting a diffused layer low resistance layer and the bulk of the photoconductive

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Schicht aus einem fotoleitfähigen Pulvermaterial hergestellt v/erden sollen, das in einem elektrisch isolierenden Bindemittel dispergiert ist, werden zwei oder mehrere Mischungsarten aus dem Bindemittelpulver und dem fotoleitfähigen Material aufbereitet und diese beiden oder mehreren Mischungsarten aufeinanderfolgend auf einer Elektrodenschicht in einer solchen Weise aufgebracht, daß der Gehalt desjenigen Materials, das keine ladungsfangenden Eigenschaften zeigt oder die geringeren Iadungsfangenden Eigenschaften aufweist, in Richtung auf. die Elektrodenschicht zunimmt. Da bei einem derart hergestellten lichtempfindlichen Element die Zusammensetzung der fotoleitfähigen Schicht keine allmähliche Änderung zeigt, sind die Eigenschaften dieses Elements nicht so gut wie bei einem lichtempfindlichen Element, bei dem die Schichten im Vakuum aufgedampft sind, jedoch wesentlich besser als bei einem bekannten in der Fig. 1 dargestellten Element.Layer made of a photoconductive powder material should be v / ground in an electrically insulating binder is dispersed, two or more kinds of mixtures of the binder powder and the photoconductive material are prepared and these two or more kinds of mixtures in succession applied to an electrode layer in such a way that the content of that material that does not contain shows charge-trapping properties or the lesser charge-trapping properties Has properties in the direction of. the electrode layer increases. As with one produced in this way photosensitive element, the composition of the photoconductive layer shows no gradual change are the Properties of this element are not as good as those of a photosensitive element in which the layers are vapor-deposited in a vacuum are, however, much better than in a known element shown in FIG.

Zum besseren Verständnis der Erfindung werden die folgenden Beispiele angeführt.For a better understanding of the invention the following examples are given.

example 1

Zum Aufdampfen wird das in der Fig. 5 schematisch dargestellte Gerät mit Moraentanaufdampfquellen 1 und 3 und einer üblichen Aufdampfquelle 2 benutzt. Ein Vorratstrichter 5 wird mit einem Pulver einer SeTe-Legierung gefüllt, die 16 Mol$6 Te enthält und als lichtempfindliches Material mit einer großen Anzahl von Fangstellen dient. Ein Vorratstrichter 6 wird mit einem Pulver aus einer SeTe-Legierung gefüllt, die 40 Mol$6 Te enthält und als äußerst empfindliches fotoleitfähiges Material dient, oder mit einem Material, das eine geringe Anzahl von Fangstellen aufweist. Demgegenüber wird der bootförmige Behälter 2 mit einem Pulver aus reinem Te gefüllt. In den oberen Teil des Aufdampfgefäßes 10 wird ein dünnes Aluminiumsubstrat 4 mit einer Stärke von 1 mm gebracht, das mit einer dünnen Schicht aus einem Polycarbonatharz mit einer Stärke von 2 bis 4 /um überzogen ist. Unter dem Aluminiumsubstrat 4 ist eine Abdeckblende 11 angeordnet. Nachdem das Gefäß 10 evakuiert ist, wird For vapor deposition, the device shown schematically in FIG. 5 with moraentane vapor sources 1 and 3 and a conventional vapor deposition source 2 is used. A hopper 5 is filled with a powder of SeTe alloy containing 16 mol $ 6 Te and serving as a photosensitive material with a large number of traps. A hopper 6 is filled with a powder of a SeTe alloy containing 40 mol $ 6 Te and serving as an extremely sensitive photoconductive material, or with a material which has a small number of traps. On the other hand, the boat-shaped container 2 is filled with a powder of pure Te. A thin aluminum substrate 4 with a thickness of 1 mm, which is coated with a thin layer of a polycarbonate resin with a thickness of 2 to 4 μm, is placed in the upper part of the vapor deposition vessel 10. A cover panel 11 is arranged under the aluminum substrate 4. After the vessel 10 is evacuated, is

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der Behälter 2 erhitzt, um auf der Polycarbonatschicht auf dem Aluminiumsubstrat 4 Te aufzudampfen. Sobald die Stärke der auf dem Aluminiumsubstrat aufgebrachten Te-Schicht 3/um erreicht hat, wird die Temperatur des Behälters 1 auf 400 bis 500 ⁰C erhöht und das in dem Vorratstrichter 5 enthaltene SeTe-Le-. gierungspulver mit 16 Mol% Te wird dem Behälter 1 zugeführt, um auf der Te-Schicht eine Schicht aufzudampfen, die sowohl die SeTe-Legierung als auch Te enthält. Das Aufbringen von Te wird fortgesetzt, bis die Stärke der aufgebrachten Schicht 5/um erreicht. Danach wird nur noch die SeTe-Legierung aufgedampft, bis die Stärke der SeTe-Schicht 50/um erreicht. Dann wird die Temperatur des bootförmigen Behälters 3 auf 500 bis 600 C erhitzt, und das in dem Vorratstrichter 6 enthaltene SeTe-Legierungspulver mit 40 MoI^ Te wird dem Behälter 3 zugeführt, um diese SeTe-Legierung zusammen mit der SeTe-Legierung mit 16 Mo 1% Te aufzudampfen. V/enn die Stärke der Schicht mit den beiden SeTe-Legierungen etwa 1/um erreicht hat, v/ird der Aufdampfvorgang beendet und das überzogene Aluminiumsubstrat 4 aus dem Aufdampfgefäß 10 herausgenommen. Als nächstes wird eine durchsichtige hochisolierende Schicht aus Polycarbonatharz auf der SeTe-Legierungsschicht bis zu einer Stärke von 10/um aufgebracht, um ein lichtempfindliches Element mit dem in der Fig. 4 gezeigten Aufbau zu schaffen.the container 2 is heated to evaporate on the polycarbonate layer on the aluminum substrate 4 Te. As soon as the thickness of the Te layer applied to the aluminum substrate has reached 3 / um, the temperature of the container 1 is increased to 400 to 500 ⁰ C and the SeTe-Le contained in the storage funnel 5. Alloy powder containing 16 mol% Te is supplied to the container 1 to vapor-deposit a layer containing both the SeTe alloy and Te on the Te layer. The application of Te is continued until the thickness of the applied layer reaches 5 µm. Then only the SeTe alloy is vapor-deposited until the thickness of the SeTe layer reaches 50 μm. Then, the temperature of the boat-shaped container 3 is heated to 500 to 600 C, and the SeTe alloy powder with 40 MoI ^ Te contained in the storage funnel 6 is supplied to the container 3 to store this SeTe alloy together with the SeTe alloy with 16 Mo 1% Te to evaporate. When the thickness of the layer with the two SeTe alloys has reached approximately 1 μm, the vapor deposition process is ended and the coated aluminum substrate 4 is removed from the vapor deposition vessel 10. Next, a clear, highly insulating layer of polycarbonate resin is deposited on the SeTe alloy layer to a thickness of 10 µm to provide a photosensitive member having the structure shown in FIG.

Man kann auch die erste Polycarbonatschicht auf dem Aluminiumsubstrat weglassen, um ein lichtempfindliches Element mit dem in der Fig. 3 gezeigten Aufbau zu erhalten.One can also omit the first polycarbonate layer on the aluminum substrate to obtain a photosensitive member with the one in Fig. Structure shown. 3

Example 2

Ein feines fotoleitfähiges Pulver aus CdSiCu mit einer mittleren Teilchengröße von 3/um wird durch Erhitzen von CdS mit' 10" M0I56 Kupfer als Aktivator und Chlor als Koaktivator bei einer Temperatur von 600 ⁰C etwa eine Stunde lang aufbereitet.A fine powder of photoconductive CdSiCu having an average particle size of 3 / um is approximately prepared an hour by heating with CdS '10 "M0I56 copper as an activator and chlorine as a coactivator at a temperature of 600 ⁰ C.

—5
Danach werden diesem CdS-Pulver 10 Mol?o Kupfer und eine kleine Menge S zugegeben, und diese Mischung in einer Np-AtmoSphäre ohne Zugabe irgendeines Koaktivators fünfzehn Minuten lang auf einer Temperatur von 600 ⁰C gehalten, um CdS:Cu-PuI- -5
Thereafter, this CdS-powder are 10 moles of o copper and a small amount of S added, and this mixture of any of Np in an atmosphere without addition coactivator for fifteen minutes at a temperature of 600 ⁰ C held to CdS: Cu PUI

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_₁₃- 21265A9_ ₁₃ - 21265A9

ver mit einer großen Anzahl von Einfangstellen zu erhalten.ver with a large number of trapping points.

Weiterhin wird ein anderes feines fotoleitfähiges CdS:Cu-Pulver mit einer mittleren Teilchengröße von 3/um durch Erhitzen von CdS mit 10 Mo1% Kupfer als Aktivator und Chlor als Koaktivator bei einer Temperatur von 600 ⁰C eine Stunde lang aufbereitet. Dieses Material wird im allgemeinen nicht als gutes fotoleitendes Material betrachtet, da es einen niedrigen Dunkelwiderstand hat. Es ist jedoch in der Lage, daß es mit anderen Materialien sehr leicht Ladungsträger austausche/! kann. Jedes der aufbereiteten CdS:Cu-Pulver wird in einer organischen Lösung mit 7 Gew.% Vinylacetat .dispergiert. Zuanst wird eine Lösung aus dem mit 10~ Mo 1% Kupfer aktivierten CdS: Cu-Pulver auf ein Aluminiumsubstrat gesprüht. Als nächstes werden die beiden Lösungen gleichzeitig aufgesprüht. Die Düse der Sprühpistole, die die Lösung aus dem mit 10~ MoI^ Kupfer aktivierten CdS:Cu-Pulver enthält, wird allmählich gedrosselt, und nur noch diejenige Lösung aufgebracht, die aus dem mit 10"^ Mol% Kupfer aktivierten CdS:Cu-Pulver besteht. Die Gesamtstärke der fotoleitfähigen Schicht beträgt 80 /um. Die Stärke der oberen Schicht, die kräftige Ladungsfangstellen und persistente innere Polarisation aufweist, und die Stärke der unteren niederohmigen Schicht betragen jeweils etwa 10/um.Furthermore, another fine photoconductive CdS is: Cu-powder is prepared with an average particle size of 3 / CdS by heating with 10% Mo1 copper as an activator and chlorine as a coactivator at a temperature of 600 ⁰ C for one hour. This material is generally not considered a good photoconductive material because of its low dark resistance. However, it is able to exchange charge carriers with other materials very easily /! can. Each of the processed CdS: Cu powder is .dispersed in an organic solution with 7% by weight of vinyl acetate. First, a solution of the CdS: Cu powder activated with 10 ~ Mo 1% copper is sprayed onto an aluminum substrate. Next, the two solutions are sprayed on at the same time. The nozzle of the spray gun, which contains the solution of the CdS: Cu powder activated with 10 mol% copper, is gradually throttled, and only that solution is applied which consists of the CdS: Cu activated with 10 mol% copper. The total thickness of the photoconductive layer is 80 μm, the thickness of the upper layer, which has strong charge traps and persistent internal polarization, and the thickness of the lower, low-resistance layer are each about 10 μm.

Auf die Oberseite der fotoleitfähigen Schicht wird eine hochisolierende Schicht aufgebracht, um das lichtempfindliche Element zu vollenden.A highly insulating layer is placed on top of the photoconductive layer Layer applied to complete the photosensitive element.

Es ist bekannt, daß man CdS auch mit anderen Materialien als Kupfer aktivieren kann, beispielsweise mit Gold, Silbermangan und dgl. Die Heiztemperatur und die Heizzeit hängen von der Art des fotoleitfähigen Materials und des Aktivators ab.It is known that CdS can also be activated with materials other than copper, for example with gold or silver manganese and the like. The heating temperature and the heating time depend on the kinds of the photoconductive material and the activator.

Es hat sich gezeigt, daß die lichtempfindlichen Elemente von •beiden Beispielen wiederholt für das oben beschriebene elektrofotografische Aufzeichnungsverfahren verwendet werden kön nen, ohne daß dabei Hystereseerscheinungen auftreten. It has been found that the photosensitive elements of both examples can be used repeatedly for the electrophotographic recording process described above without hysteresis phenomena occurring.

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Im Rahmen der Erfindung können alle lichtempfindlichen fotoleitfähigen Materialien mit einem persistenten inneren Polarisationseffekt verv/endet werden. Die fotoleitfähigen Materialien mit einem persistenten inneren Polarisationseffekt oder die fotoleitfähigen Materialien, die sehr leicht mit einer solchen Eigenschaft versehen werden können, umfassen CdS _t CdSe, Se, SeTe, ZnSe, ZnS, (ZnCd) S, CnO, PbO, Metallsulfide, Metalloxide, Zwischenmetallverbindungen, Anthracene, Anthrachinone, und andere organische Verbindungen. Die niederohmige Schicht kann man aus niederohmigen Materialien herstellen, die durch Zugabe anderer Substanzen oder Aktivatoren aus den oben beschriebenen fotoleitfähigen Materialien aufbereitet werden können, aber auch aus anderen niederohmigen Materialien, die· keine persistente innere Polarisation zeigen und keine Ladungsträger einfangen. Zweckmäßigerweise wird als niederohmiges Material ein Halbleitermaterial verv/endet, dessen Majoritätsträger die gleiche Polarität wie die des die persistente innere Polarisation zeigenden Materials haben. Wenn jedoch die Beweglichkeit der Minoritätsträger des Materials mit der persistenten inneren Polarisation hinreichend niedrig ist. Ist die gerade beschriebene Bedingung nicht wichtig.In the context of the invention, all light-sensitive photoconductive materials with a persistent internal polarization effect can be used / ended. The photoconductive materials with a persistent internal polarization effect or the photoconductive materials which can very easily be provided with such a property include CdS _t CdSe, Se, SeTe, ZnSe, ZnS, (ZnCd) S, CnO, PbO, metal sulfides, metal oxides, Intermetallic compounds, anthracenes, anthraquinones, and other organic compounds. The low-resistance layer can be produced from low-resistance materials that can be prepared from the photoconductive materials described above by adding other substances or activators, but also from other low-resistance materials that do not show any persistent internal polarization and do not capture charge carriers. A semiconductor material is expediently used as the low-resistance material, the majority carriers of which have the same polarity as that of the material showing the persistent internal polarization. However, if the mobility of the minority carriers of the material with the persistent internal polarization is sufficiently low. The condition just described is not important.

Ferner kann man ein beliebiges durchsichtiges hochisolierendes Material verwenden, beispielsweise Polyester, Epoxid, Polyäthylen, Polyuretan und PolycarbonateAny transparent, highly insulating material can also be used, for example polyester, epoxy, polyethylene, Polyurethane and polycarbonates

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Claims

Ί j Photosensitive element for electrophotographic purposes with a transparent highly insulating layer, a photoconductive layer with persistent internal polarization and with an electrode layer, which are stacked on top of one another in the order mentioned and bonded to form a unitary body,

as a result, a low-resistance layer (2a) is arranged between the photoconductive layer (2) and the electrode layer (3). and that the composition of the low-resistance layer begins on the side adjoining the electrode layer gradually approaches the composition of the photoconductive layer.

2. Photosensitive element according to claim 1, characterized in that that a pure metal layer is provided between the low-resistance layer (2a) and the electrode layer (3).

3. Photosensitive element according to claim 1, characterized in that that a further highly insulating layer (1a) is arranged between the low-resistance layer (2a) and the electrode layer (3) is.

4. Photosensitive element according to claim 1, characterized in that that between the photoconductive layer (2) and the electrode layer (3) a pure metal layer and another highly insulating Layer (1a) are provided.

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5. a method of manufacturing a photosensitive element for electrophotographic purposes;

characterized in that on an electrode layer a first layer of a low-resistance material is applied that a second layer with the low-resistance material and on this first layer a photoconductive material showing a persistent internal polarization effect is applied and that on this second layer a transparent highly insulating layer is applied.

6. The method according to claim 5,
characterized in that, before the highly insulating layer is applied, a third layer of the photoconductive material with the persistent internal polarization effect is applied to the second layer.

7. a method of manufacturing a photosensitive member for electrophotographic purposes;

characterized in that a first supply of photoconductive material with persistent internal polarization effect, a second supply of low-resistance material and an electrode layer in one Vapor deposition vessel is arranged that first the low-resistance material of the second supply on the electrode layer is vapor deposited that then simultaneously the two materials of the first and the second supply in the form of a mixture from the photoconductive material and the low-resistance material are vapor-deposited and that finally a highly insulating Layer is evaporated onto the layer consisting of the two materials.

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8. The method according to claim 7, ■. ■ characterized in that a third supply of metal is used and that before the material of the second supply is applied, the metal of the third supply is vapor-deposited onto the electrode layer.

9. The method according to claim 7,
characterized in that the electrode layer is coated with a highly insulating layer and that the low-resistance material and the photoconductive material are applied successively to the highly insulating layer.

10. The method according to claim 7,
characterized in that the first supply contains a SeTe alloy with 40 mol% Te and the second supply contains a SeTe alloy with 16 mol% Te.

11. The method according to claim 8,
characterized in that the third supply contains Te.

12. A method of manufacturing a photosensitive element for electrophotographic purposes, characterized in that a first organic solution of a photoconductive material with persistent internal polarization and a second organic solution made from a low-resistance material be that the second organic solution is applied to an electrode layer, so that a low-resistance layer is formed, that the first and the second organic solution are applied simultaneously to this layer, so that a mixed layer from the photoconductive material and the low-resistance material arises that on this mixture layer the first organic solution is applied, so that a photoconductive Layer with persistent internal polarization is created, and finally a transparent iso-layer on top of this layer is applied.

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Lee r s ~ i t e